磷化（Ⅱ）——磷化前的預(yù)處理 一般情況下，磷化處理要求工件表面應(yīng)是潔凈的金屬表面（二合一、三合一、四合一例外）。工件在磷化前必須進(jìn)行除油脂、銹蝕物、氧化皮以及表面調(diào)整等預(yù)處理。特別是涂漆前打底用磷化還要求作表面調(diào)整，使金屬表面具備一定的“活性”，才能獲得均勻、細(xì)致、密實(shí)的磷化膜，達(dá)到提高漆膜附著力和耐腐蝕性的要求。因此，磷化前處理是獲得高質(zhì)量磷化膜的基礎(chǔ)。 1 除油脂 除油脂的目的在于清除掉工件表面的油脂、油污。包括機(jī)械法、化學(xué)法兩類(lèi)。機(jī)械法主要是：手工擦刷、噴砂拋丸、火焰灼燒等。化學(xué)法主要：溶劑清洗、酸性清洗劑清洗、強(qiáng)堿液清洗，低堿性清洗劑清洗。以下介紹化學(xué)法除油脂工藝。 1.1 溶劑清洗 溶劑法除油脂，一般是用非易燃的鹵代烴蒸氣法或乳化法。最常見(jiàn)的是采用三氯乙烷、三氯乙烯、全氯乙烯蒸汽除油脂。蒸汽脫脂速度快，效率高，脫脂干凈徹底，對(duì)各類(lèi)油及脂的去除效果都非常好。在氯代烴中加入一定的乳化液，不管是浸泡還是噴淋效果都很好。由于氯代鹵都有一定的毒性，汽化溫度也較高，再者由于新型水基低堿性清洗劑的出現(xiàn)，溶劑蒸汽和乳液除油脂方法現(xiàn)在已經(jīng)很少使用了。 1.2 酸性清洗劑清洗 酸性清洗劑除油脂是一種應(yīng)用非常廣泛的方法。它利用表面活性劑的乳化、潤(rùn)濕、滲透原理，并借助于酸腐蝕金屬產(chǎn)生氫氣的機(jī)械剝離...
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1、引言在PV-TRACofEUROPEANCOMMISSION發(fā)表的“AVisionforPhotovoltaicTechnologyin2005”的報(bào)告中，可知多晶硅太陽(yáng)能電池在光伏行業(yè)中所占的比例最大[1]。在21世紀(jì)光伏行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈的今天，多晶太陽(yáng)能電池的技術(shù)發(fā)展不僅要圍繞著“提高效率、降低成本”兩個(gè)主題，電池的外觀也開(kāi)始引起更多人的關(guān)注。由于多晶硅晶粒取向的隨機(jī)性，制備較好的多晶硅絨面效果一直是國(guó)內(nèi)外技術(shù)人員研究的熱點(diǎn)。目前，在多晶制絨眾多工藝中，酸腐蝕工藝[2.3]是一個(gè)比較容易整合到多晶太陽(yáng)能電池處理工序中的制絨技術(shù)[4]，基本也是成本最低、應(yīng)用最為廣泛的制絨技術(shù)[5]。因此，使用低成本的酸腐蝕制絨技術(shù)制備具有高效、美觀的電池片已成為當(dāng)今太陽(yáng)能電池技術(shù)研究的重點(diǎn)。本文采用酸腐蝕制絨技術(shù)，通過(guò)改變酸腐液的溫度和濃度配比，對(duì)多晶硅片進(jìn)行各向同性腐蝕，用紫外反射光譜儀測(cè)其反射率，用掃描電子顯微鏡（SEM）對(duì)其形貌進(jìn)行觀察，并進(jìn)行分析，從而尋找更優(yōu)的多晶硅絨面效果。2、實(shí)驗(yàn)原理和過(guò)程本實(shí)驗(yàn)樣品是由英利（中國(guó)）能源有限公司生產(chǎn)的B參雜P型多晶A等硅片，電阻率為0.7-2.0Ω·cm，尺寸為156×156mm,厚度約為190μm。酸腐蝕制絨設(shè)備是由RENA廠家提供的RENA鏈?zhǔn)街平q機(jī)。腐蝕槽中的腐蝕液由濃度為65%的HNO3、40%的HF和去離子水（DI水）按...
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表面清洗晶圓表面附著一層大約2um的Al2O3和甘油混合液保護(hù)之,在制作前必須進(jìn)行化學(xué)刻蝕和表面清洗。初次氧化有熱氧化法生成SiO2緩沖層，用來(lái)減小后續(xù)中Si3N4對(duì)晶圓的應(yīng)力氧化技術(shù)：干法氧化Si(固)+O2àSiO2(固)和濕法氧化Si(固)+2H2OàSiO2(固)+2H2。干法氧化通常用來(lái)形成，柵極二氧化硅膜，要求薄，界面能級(jí)和固定電荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于濕法。濕法氧化通常用來(lái)形成作為器件隔離用的比較厚的二氧化硅膜。當(dāng)SiO2膜較薄時(shí)，膜厚與時(shí)間成正比。SiO2膜變厚時(shí)，膜厚與時(shí)間的平方根成正比。因而，要形成較厚SiO2膜，需要較長(zhǎng)的氧化時(shí)間。SiO2膜形成的速度取決于經(jīng)擴(kuò)散穿過(guò)SiO2膜到達(dá)硅表面的O2及OH基等氧化劑的數(shù)量的多少。濕法氧化時(shí)，因在于OH基SiO2膜中的擴(kuò)散系數(shù)比O2的大。氧化反應(yīng)，Si表面向深層移動(dòng)，距離為SiO2膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜為透明，通過(guò)光干涉來(lái)估計(jì)膜的厚度。這種干涉色的周期約為200nm，如果預(yù)告知道是幾次干涉，就能正確估計(jì)。對(duì)其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式計(jì)算出(dSiO2)/(dox)=(nox)/(nSiO2)。SiO2膜很薄時(shí)，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和SiO2的親水性來(lái)判斷SiO2膜是否存在。也可用干涉膜計(jì)或橢圓儀...
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增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）便攜式和可穿戴設(shè)備的市場(chǎng)正在迅速增長(zhǎng)。在各種硬件實(shí)現(xiàn)形式中，帶透明眼鏡的頭戴式顯示器（HMD）或近眼顯示器（NED）可提供最有效和身臨其境的AR體驗(yàn)。由于其輕薄的特性，光波導(dǎo)被認(rèn)為是消費(fèi)級(jí)增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）眼鏡的無(wú)與倫比的選擇，但由于其價(jià)格高昂和技術(shù)壁壘，它仍然被禁止。隨著諸如Hololens II和Magic Leap One之類(lèi)的主流AR可穿戴設(shè)備采用波導(dǎo)解決方案并展示了其批量生產(chǎn)能力，以及最近披露的針對(duì)AR光模塊制造商DigiLens，NedAR和LingXi的融資新聞，波導(dǎo)已成為人們關(guān)注的焦點(diǎn)。 AR玻璃行業(yè)的熱門(mén)話題。光波導(dǎo)在AR NED系統(tǒng)中如何工作？所謂的“陣列波導(dǎo)”，“幾何波導(dǎo)”，“衍射波導(dǎo)”，“全息波導(dǎo)”和“體積波導(dǎo)”之間是什么關(guān)系？波導(dǎo)是如何在使AR玻璃行業(yè)發(fā)生革命的過(guò)程中開(kāi)發(fā)的？1.光波導(dǎo)—隨需應(yīng)變光學(xué)系統(tǒng)通常由用于VR和AR近眼顯示器（NED）的微型顯示器和成像光學(xué)系統(tǒng)組成。微型顯示器可以像微型OLED或時(shí)尚的微型LED面板一樣主動(dòng)提供圖像，也可以通過(guò)在基于液晶的顯示器（包括透射型LCD和反射型LCOS），數(shù)字微鏡器件（DMD）和激光上間接照明來(lái)間接提供圖像光束掃描儀（LBS）均由微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）啟用。與VR相似，顯示像素被成像到一定距離并形成虛擬圖像以投射到人眼。與VR不同，AR NED需要“透視”功能，以便眼睛能夠同時(shí)查看現(xiàn)實(shí)世界。成...
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薄晶片有四種主要方法，（1）機(jī)械研磨，（2）化學(xué)機(jī)械平面化，（3）濕法蝕刻和（4）大氣下游等離子體干法化學(xué)蝕刻（ADP DCE）。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學(xué)漿液結(jié)合起來(lái)與晶片反應(yīng)并使之變薄，而蝕刻則使用化學(xué)物質(zhì)來(lái)使基板變薄。打磨機(jī)械研磨機(jī)械（常規(guī)）磨削–該工藝具有很高的稀化率，使其成為非常普遍的技術(shù)。它使用安裝在高速主軸上的金剛石和樹(shù)脂粘合的砂輪，類(lèi)似于旋涂應(yīng)用中使用的砂輪。研磨配方?jīng)Q定主軸的速度以及材料的去除率。為了準(zhǔn)備機(jī)械研磨，將晶片放在多孔陶瓷卡盤(pán)上，并通過(guò)真空將其固定在適當(dāng)?shù)奈恢?。晶圓的背面朝著砂輪放置，而砂帶則放置在晶圓的前側(cè)，以防止晶圓在減薄過(guò)程中受到任何損壞。當(dāng)去離子水噴灑到晶圓上時(shí)，兩個(gè)齒輪以相反的方向旋轉(zhuǎn)，以確保砂輪和基材之間有足夠的潤(rùn)滑。這也可以控制溫度和減薄率，以確保不會(huì)將晶片切割得太薄?？偠灾撨^(guò)程分兩個(gè)步驟：粗磨以?5μm/ sec的速度進(jìn)行大部分的細(xì)化。用1200至2000粗砂和poligrind精磨精磨。通常以≤1μm/ sec的速度去除?30μm或更小的材料，并在晶片上提供最終的光潔度。1200粗砂的粗糙表面帶有明顯的磨痕，而2000粗砂的粗糙程度較小，但是仍然有一些磨痕。Poligrind是一種拋光工具，可提供最大的晶片強(qiáng)度，并消除了大部分的次表面損傷?；瘜W(xué)機(jī)械平面化（CMP）化學(xué)機(jī)械平面化（CMP）...
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晶體振蕩器電路通過(guò)從石英諧振器獲取電壓信號(hào)，對(duì)其進(jìn)行放大并將其反饋回諧振器來(lái)維持振蕩。石英的膨脹和收縮速率是諧振頻率，由晶體的切割和尺寸決定。當(dāng)產(chǎn)生的輸出頻率的能量與電路中的損耗匹配時(shí)，可以維持振蕩。振蕩器晶體具有兩個(gè)導(dǎo)電板，在它們之間夾有一塊石英片或音叉。在啟動(dòng)期間，控制電路會(huì)將晶體置于不穩(wěn)定的平衡狀態(tài)，并且由于系統(tǒng)中的正反饋，因此任何微小的噪聲被放大，增加振蕩。晶體諧振器也可以看作是該系統(tǒng)中的高頻率選擇濾波器：它僅使諧振頻帶周?chē)念l率范圍很窄，從而使其他所有信號(hào)衰減。最終，只有諧振頻率有效。當(dāng)振蕩器放大從晶體發(fā)出的信號(hào)時(shí)，晶體頻帶中的信號(hào)變得更強(qiáng)，最終主導(dǎo)了振蕩器的輸出。石英晶體的窄共振帶濾除了所有不需要的頻率。石英振蕩器的輸出頻率可以是基頻諧振的輸出頻率，也可以是諧振頻率的倍數(shù)，稱為諧波頻率。諧波是基頻的精確整數(shù)倍。但是，與許多其他機(jī)械諧振器一樣，晶體表現(xiàn)出幾種振蕩模式，通常是基頻的大約奇數(shù)倍。這些被稱為“泛音模式”，并且可以設(shè)計(jì)振蕩器電路來(lái)激發(fā)它們。泛音模式處于近似的頻率，但不是基頻的正整數(shù)倍，因此泛音頻率不是基頻的精確諧波。高頻晶體通常被設(shè)計(jì)為在第三，第五或第七諧波下工作。制造商很難生產(chǎn)足夠薄的晶體以產(chǎn)生超過(guò)30 MHz的基頻。為了產(chǎn)生更高的頻率，制造商將泛音晶體調(diào)整為將第三，第五或第七泛音置于所需的頻率，因?yàn)樗鼈儽葧?huì)產(chǎn)生相同頻率的基本晶體更厚，因此更易于制造，盡管可以激...
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以Ag納米顆粒為催化劑和H 2 O 2的金屬輔助催化蝕刻（MACE）由于已經(jīng)在單晶硅晶片，單晶電子學(xué)級(jí)硅粉和多晶冶金級(jí)硅粉上進(jìn)行了氧化劑處理。在5–37°C的范圍內(nèi)測(cè)量了蝕刻動(dòng)力學(xué)的溫度依賴性。發(fā)現(xiàn)在具有（001），（110）和（111）取向的襯底上，蝕刻在優(yōu)先于＆lt; 001＆gt;方向上以?0.4eV的活化能進(jìn)行。建立了定量模型來(lái)解釋在〈001〉方向上進(jìn)行腐蝕的偏好，發(fā)現(xiàn)該模型與測(cè)得的活化能一致。冶金級(jí)粉末的蝕刻會(huì)產(chǎn)生顆粒，其表面主要被相互連接的凸脊形式的多孔硅（por-Si）覆蓋。可以通過(guò)超聲攪拌從這些多孔顆粒中收獲硅納米線（SiNW）和成束的SiNW。對(duì)金屬納米顆粒催化劑和Si顆粒之間作用力的分析表明，強(qiáng)吸引力的靜電和范德華相互作用確保了在整個(gè)蝕刻過(guò)程中金屬納米顆粒與Si顆粒保持緊密接觸。這些吸引力將催化劑拉向顆粒內(nèi)部，并解釋了為什么粉末顆粒在所有暴露的表面上均等地被蝕刻。介紹硅有望將其應(yīng)用范圍從主要的電子和光伏技術(shù)擴(kuò)展到藥物輸送和能量存儲(chǔ)。納米結(jié)構(gòu)的硅已經(jīng)吸引了對(duì)治療化合物中多種化合物的靶向遞送的極大興趣（Salonen等人，2008；Santos等人，2011；Santos和Hirvonen，2012）。多孔硅（por-Si）顆粒已被廣泛研究用于藥物的持續(xù)釋放，并成功用于從小分子藥物到治療性生物分子的各種有效載荷，例如肽，siRNA和DNA（Kaukonen...
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在探測(cè)器芯片互聯(lián)的過(guò)程中，潔凈的芯片表面對(duì)互聯(lián)結(jié)果有著重大影響。其中，芯片背面存在的小顆粒或者殘留物，會(huì)影響倒焊過(guò)程中背面平整度的判斷，可能導(dǎo)致兩個(gè)互聯(lián)面平行度的偏差 ；而正面的殘留物，導(dǎo)致互聯(lián)過(guò)程中芯片偏移，影響互聯(lián)的精度。另外，正面的殘留物還可能會(huì)改變銦柱的接觸電阻 , 降低測(cè)試電流信號(hào)。因此，芯片的清洗對(duì)精密互聯(lián)起著至關(guān)重要的作用。芯片的清洗主要是光刻膠（AZ4620）和蠟（Logitech 公司提供）的去除。在芯片的拋光與切割工藝中，光刻膠用于保護(hù)銦柱，石蠟則作為一種良好的粘黏劑將芯片固定在玻璃平板和基板上進(jìn)行加工。其中，光刻膠易溶于丙酮，去除相對(duì)容易。然而，對(duì)于石蠟的去除，常規(guī)工藝是在室溫下，三氯乙烯中長(zhǎng)時(shí)間浸泡，然后用毛筆和棉球清洗。這種方法不但浪費(fèi)時(shí)間，而且清洗過(guò)程中，背面的蠟容易殘留，正面毛筆的力度也不易控制，太輕容易殘留蠟，太重則會(huì)損傷銦柱，沒(méi)有客觀的標(biāo)準(zhǔn)。為了適應(yīng)環(huán)保要求和提高工作效率，本實(shí)驗(yàn)采用去蠟劑取代三氯乙烯去除石蠟，只需將芯片在去蠟劑中浸泡較短時(shí)間，得到的芯片不管背面還是正面殘留物幾乎沒(méi)有，比常規(guī)工藝清洗更加干凈。此外，去蠟劑不溶解光刻膠，不影響常規(guī)工藝中光刻膠的去除。因此，去蠟劑的使用既節(jié)省了時(shí)間，提高了效率， 又使操作簡(jiǎn)單方便，減少了人為因素對(duì)工藝過(guò)程的影響。發(fā)明內(nèi)容基于目前常規(guī)工藝芯片的清洗過(guò)程中 , 背面的蠟容易殘留，正面清洗過(guò)程毛筆的力度也不易...
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