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濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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氧化/擴散/退火設(shè)備是半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)中的重要熱工藝設(shè)備。氧化是將硅片放置于氧氣或水汽等氧化劑的氛圍中進行高溫?zé)崽幚恚诠杵砻姘l(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成氧化膜的過程。擴散是指在高溫條件下,利用熱擴散原理將雜質(zhì)元素按工藝要求摻入硅襯底中,使其具有特定的濃度分布,從而改變硅材料的電學(xué)特性。退火是指加熱離子注入后的硅片,修復(fù)離子注入帶來的晶格缺陷的過程。用于氧化/擴散/退火的基本設(shè)備有三種:臥式爐、立式爐和快速升溫爐(RTP)。根據(jù) 2018 年 Gartner 的數(shù)據(jù),氧化/擴散/退火設(shè)備占晶圓制造(含先進封裝)設(shè)備的 3%左右。氧化工藝氧化是將硅片放置于氧氣或水汽等氧化劑的氛圍中進行高溫?zé)崽幚恚诠杵砻姘l(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成氧化膜的過程。氧化膜的用途廣泛,主要有以下幾個方面:(1)保護器件免受劃傷和沾污;(2)表面鈍化層;(3)形成柵極氧化層或者作為存儲器單元結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)材料;(4)摻雜過程中的掩蔽層;(5)金屬導(dǎo)電層之間的介質(zhì)層等等。
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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華林科納之半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資備忘錄一、 概述(一)行業(yè)業(yè)績回顧 1(二)篩選標(biāo)的邏輯 3(三)疫情影響 4(四)行業(yè)展望 5(五)推薦標(biāo)的清單 6二、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈與細分領(lǐng)域概況(一)產(chǎn)業(yè)鏈概況 9(二)半導(dǎo)體細分領(lǐng)域 9(三)半導(dǎo)體產(chǎn)品分類 11(四)國產(chǎn)細分領(lǐng)域發(fā)展 12三、半導(dǎo)體細分領(lǐng)域行業(yè)情況(一)集成電路 131、處理器 132、DSP 173、FPGA 184、存儲芯片 195、人工智能芯片 226、EDA軟件 257、顯示驅(qū)動芯片 268、觸控與指紋識別芯片 289、射頻前端芯片 3110、藍牙芯片 3611、電源管理芯片 38(二)傳感器 401、圖像傳感器 402、MEMS傳感器 42(三)分立器件 461、功率半導(dǎo)體 462、晶振 523、電容電阻 543、超級電容 57(四)光電子器件 591、光模塊 592、光芯片 62(五)制造 631、晶圓代工 63(六)封測 651、第四代封裝技術(shù)之一:WLCSP 封裝 66(七)材料 671、硅片 712、濕電子化學(xué)品 723、靶材 753、光刻膠 75(八)設(shè)備 771、光刻機 792、刻蝕設(shè)備 803、薄膜設(shè)備 814、其他設(shè)備 81一、概述(一)行業(yè)業(yè)績回顧在中美貿(mào)易摩擦、高科技企業(yè)被美封鎖的背景下,2019年電子行業(yè)在逆境中迅速發(fā)展,整體實現(xiàn)營收與利潤的共同增長。以申萬電子行業(yè)板塊的上市公司為樣本進行統(tǒng)計,20...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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半導(dǎo)體的工藝流程:主要包括四個方面,單晶硅片制造、IC芯片設(shè)計、晶圓制造和封裝測試。這四大流程里,除了IC芯片設(shè)計對于半導(dǎo)體設(shè)備的需求很少,其他3個都需要大量的半導(dǎo)體設(shè)備。 單晶硅片制造需要單晶爐等設(shè)備,IC晶圓制造需要光刻機、刻蝕機、薄膜設(shè)備、擴散/離子注入設(shè)備、濕法設(shè)備、過程檢測等6大類設(shè)備。封裝測試需要封裝機,封膜機 ,測試機等設(shè)備。其中國內(nèi)濕法設(shè)備廠商主要從事半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售;目前已形成濕槽式清洗、單片刻蝕、干燥甩干系列、供液系統(tǒng)、電(化學(xué))鍍五大系列產(chǎn)品; 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料加工、集成電路、光伏產(chǎn)品、LED、MEMS以及分立器件等行業(yè)和領(lǐng)域。今天主要來介紹下華林科納RCA濕法腐蝕清洗機設(shè)備  一、設(shè)備概況設(shè)備名稱:RCA濕法腐蝕清洗機整機尺寸:具體尺寸根據(jù)實際圖紙確定二、使用對象硅晶片2-12inch三、適用領(lǐng)域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等四、設(shè)備用途硅晶片化學(xué)腐蝕和清洗的設(shè)備五、設(shè)備包括設(shè)備主體、電氣控制部分、化學(xué)工藝槽、純水清洗槽等;并提供與廠務(wù)供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等。六、主體構(gòu)造特點1、設(shè)備為半敞開式,主體使用進口WPP15和10mm厚板材,結(jié)構(gòu)設(shè)計充分考慮長期工作在酸腐蝕環(huán)境,堅固耐用,雙層防漏,機臺底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板,熱焊接而成,可長期工作在酸堿腐蝕環(huán)境...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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2014年9月,國家大基金一期成立,總投資額1387億,帶動新增社會融資約5000億,實現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的全覆蓋。近日國家大基金披露,二期基金已到位,11月開始投資。實際募資2000億左右,按照1∶3的撬動比,所撬動的社會資金規(guī)模在6000億左右。二期基金投資的布局重點在集成電路裝備、材料領(lǐng)域。2019年1-6月,我國集成電路進口額1376.2億美元,同比下降6.9%;集成電路出口額457.5億美元,同比增長17.1%。這說明隨著我國集成電路技術(shù)的進步,以及產(chǎn)能的擴張,我國集成電路進口替代取得了顯著的效果。我國集成電路產(chǎn)業(yè)從前期大力投入,開始進入收獲季節(jié),相關(guān)公司開始增收增利。近日爆發(fā)的日韓貿(mào)易戰(zhàn)中,韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)就因日本限制了關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的出口,而被鎖住了命運的咽喉,半導(dǎo)體材料也因此成為了各界所關(guān)注的焦點。在整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中,半導(dǎo)體材料處于產(chǎn)業(yè)鏈上游,是整個半導(dǎo)體行業(yè)的重要支撐。在集成電路芯片制造過程中,每一個步驟都需要用到相應(yīng)的材料。半導(dǎo)體材料主要包括晶圓制造材料與封裝測試材料兩大類。其中,晶圓制造材料主要包括硅晶圓、光刻膠、掩膜版、電子特種氣體、濕電子化學(xué)品、濺射靶材、CMP 拋光材料等;封裝材料包括引線框架、基板、陶瓷封裝材料、鍵合絲、封裝樹脂、芯片貼裝材料等(圖 1)。  圖 1 半導(dǎo)體材料涉及工藝流程(紅色為濕電子化學(xué)品應(yīng)用環(huán)節(jié))一濕電子化學(xué)品簡述濕電子化...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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一、激光器的發(fā)展 1916年愛因斯坦提出了一套全新的技術(shù)理論‘受激輻射’。這一理論說明在組成物質(zhì)的原子中,有不同數(shù)量的電子分布在不同的能級上,在高能級上的粒子受到某種光子的激發(fā),從高能級躍遷到低能級上,這時將會輻射出與激發(fā)它的光相同性質(zhì)的光,而且在某種狀態(tài)下,能出現(xiàn)一個弱光激發(fā)出一個強光的現(xiàn)象。這就叫做“受激輻射的光放大”,簡稱激光。  1960年7月7日,梅曼研制成功世界上第一臺激光器,梅曼的方案是,利用一個高強閃光燈管,來刺激在紅寶石色水晶里的鉻原子,從而產(chǎn)生一條相當(dāng)集中的纖細紅色光柱,當(dāng)它射向某一點時,可使其達到比太陽表面還高的溫度。  到目前為止,激光產(chǎn)業(yè)得到空前發(fā)展,制造出了各種各樣的激光產(chǎn)品,其中包括固體激光器、氣體激光器、液體激光器以及其他激光器。涉及到醫(yī)學(xué)治療、工業(yè)切割、測量、探測、激光武器、條形碼識別等多個領(lǐng)域,具有非常誘人的前景。 二、半導(dǎo)體激光器發(fā)展及應(yīng)用 半導(dǎo)體激光器的發(fā)展是從上世紀(jì)60年代開始的。當(dāng)時的半導(dǎo)體激光器主要是同質(zhì)結(jié)激光器,外形類似于晶體二極管,故常被稱為二極管激光器,但此種激光器在實際應(yīng)用中存在很多限制。第二階段是異質(zhì)結(jié)構(gòu)激光器,首先是單異質(zhì)結(jié)構(gòu)激光器,但它因無法實現(xiàn)室溫下連續(xù)工作而被淘汰,然后出現(xiàn)雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)激光器解決了這個問題。1978年出現(xiàn)了世界上第一個半導(dǎo)體量子阱激光器...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。         半導(dǎo)體材料主要應(yīng)用于晶圓制造與芯片封裝環(huán)節(jié)。由于半導(dǎo)體制造與封測技術(shù)的復(fù)雜性,從晶圓裸片到芯片成品,中間需要經(jīng)過氧化、濺鍍、光刻、刻蝕、離子注入、以及封裝等上百道特殊的工藝步驟,半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進步也帶動了上游專用材料與設(shè)備產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。就半導(dǎo)體材料而言,主要應(yīng)用領(lǐng)域集中在晶圓制造與芯片封裝環(huán)節(jié)(如圖): 半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中細分領(lǐng)域最多的產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié),其中晶圓制造材料包括硅片、光刻膠、光刻膠配套試劑、濕電子化學(xué)品、電子氣體、 CMP 拋光材料、以及靶材等,芯片封裝材料包括封裝基板、引線框架、樹脂、鍵合絲、錫球、以及電鍍液等,同時類似濕電子化學(xué)品中又包含了酸、堿等各類試劑,細分子行業(yè)多達上百個。硅片硅片的生產(chǎn)過程非常復(fù)雜,從硅石到硅片需要經(jīng)過提純、熔鑄、拉棒、切割、拋光、清洗等多道工序。一般而言,硅片要經(jīng)過硅石的三步提純制備出純度為 99.9999999%的半導(dǎo)體級硅,再通過熔鑄、拉棒等工藝流程生產(chǎn)成適當(dāng)直徑的硅錠,最后被切割、拋光、清洗并通過質(zhì)檢環(huán)節(jié)后,...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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5G時代下的VR/AR是通信產(chǎn)業(yè)的升級方向,產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)已日益完備  伴隨2G到4G的升級,人類基于移動終端的信息交互媒介經(jīng)歷了文字、語音、圖片、視頻的演進,而在5G時代,通信的發(fā)展有望繼續(xù)拓展所傳遞信息的縱深。因此我們認為,基于VR/AR的實景交互代表著通信產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展方向。當(dāng)前時點,5G的成熟為克服3D內(nèi)容實時傳輸問題,以及因延遲造成的眩暈問題構(gòu)建了網(wǎng)絡(luò)環(huán)境,而相應(yīng)光學(xué)元件、顯示方案、專用芯片的推出則為終端的興起搭建了硬件基礎(chǔ)。此外,下半年及明年華為、蘋果等大品牌終端的發(fā)布有望提振VR市場熱度,推薦歌爾股份、水晶光電、利亞德、京東方A,建議關(guān)注韋爾股份、聯(lián)創(chuàng)電子、蘇大維格、匯頂科技。  5G網(wǎng)絡(luò)的傳輸速度有效解決終端互聯(lián)和眩暈問題  現(xiàn)階段主流VR頭顯刷新率在75-90Hz,在90Hz刷新率以及H.264壓縮協(xié)議下,我們計算得到1K分辨率的VR內(nèi)容需要21Mbps碼率,相較于僅能提供10Mbps碼率的4G網(wǎng),5G可實現(xiàn)100-1024Mbps碼率,已經(jīng)可以滿足未來單眼8K的碼率要求。此外,VR頭顯的顯示時延極限為20ms,若超過20ms部分用戶會有明顯的眩暈感,目前VR頭顯的內(nèi)部圖像渲染以及刷新等時間約15-16ms,若增加4G網(wǎng)絡(luò)下額外10ms時延,用戶感知時延將遠超過20ms,而僅有1ms的超低時延的5G可有效解決該問題?! R芯片、光學(xué)元件、顯示屏等硬件基礎(chǔ)已具備,VR頭...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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1引言硅片上的有機﹑無機和顆粒狀雜質(zhì)通常是以化學(xué)或物理吸附的方式結(jié)合于硅片表面或包埋于硅片自身的氧化膜中。這些沾染物及顆粒狀雜質(zhì)會嚴(yán)重影響器件的性能﹑可靠性和成品率。實驗表明,有超過50%的次品是由于清洗不當(dāng)造成的,從而使得超凈表面的制備工藝成了制作大規(guī)模和超大規(guī)模(VLSI)集成電路(IC)的關(guān)鍵技術(shù)。所謂超凈表面即要求硅片表面無顆粒狀雜質(zhì)和有機、金屬沾染物(保守地說,表面的金屬雜質(zhì)應(yīng)少于每平方厘米1010個原子;大于0.1mm的粒子應(yīng)少于每平方厘米0.1個),無自身氧化物,完全氫終端﹑表面的微觀粗糙度要小[1,2]。因此清洗時必須有效地去除表面有機與無機沾染物,而又不侵蝕和破壞硅片表面或?qū)е卤砻娲植诨?。目前世界各國在半?dǎo)體器件生產(chǎn)中普遍采用的是Kern于1970年發(fā)明的RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗方法[1]。自90年代初期,人們開始致力于新型清洗工藝和清洗劑的研究以取代RCA清洗技術(shù)。1996年W.A.Cady和M.Varadarajan[3]提出了采用四甲基氫氧化氨[N(CH3)4OH)]與羧酸鹽緩沖劑配置的堿性水溶液噴霧清洗法;1997年JoongS.Jeon和SriniRaghavan[4,5]提出了利用兆聲波激發(fā)臭氧水對硅片進行清洗;1998年GeoffreyL.Bakker[6]等人提出了用水和水/CO2混合溶液在高溫、高壓下的清洗等等。1995年山東大學(xué)光電材料與器件研究所研制成...
發(fā)布時間: 2021 - 02 - 26
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一、什么是半導(dǎo)體?半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì),它的電阻率在10-3~109范圍內(nèi)。自然界中屬于半導(dǎo)體的物質(zhì)很多,用于制造半導(dǎo)體的材料主要是硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)。純凈的半導(dǎo)體電阻率很高,幾乎不導(dǎo)電。但在特定的條件下,如光照、摻雜等,它的電阻率可以降到幾十歐姆甚至更低,并且隨摻入的雜質(zhì)不同呈不同的導(dǎo)電特性。我們分別稱之為P(空穴導(dǎo)電)型半導(dǎo)體和N(電子導(dǎo)電)型半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體相接觸時,在接觸面就形成了PN結(jié)。PN結(jié)具有正向?qū)ǚ聪蚪刂沟奶匦?,利用它可以制得常用的二極管。在集成電路制造中,常用的襯底材料是硅單晶片,根據(jù)圓片加工過程中硅單晶切割的晶格方向的不同,可把它分為和等晶向。在mos集成電路制造中,選用的是晶向的圓片。二、什么是集成電路?不同導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體組合在一起,可以做成二極管、三極管、電容、電阻,如果把這些元件做在同一塊芯片上,完成一定的電路功能,就稱之為集成電路。集成電路可分為雙極集成電路和MOS集成電路,MOS集成電路又可分為nMOS集成電路、pMOS集成電路和CMOS集成電路。三、集成電路中的常用薄膜。多晶硅常用在MOS器件中作為柵電極。也可用于高電阻的電阻器,及局部電路的短連線二氧化硅集成電路中使用的二氧化硅膜可分為熱二氧化硅和CVD淀積二氧化硅兩類。在MOS集成電路中,它有以下幾種用途:作為對付摻雜劑注入或擴散進硅的掩膜,...
發(fā)布時間: 2021 - 02 - 26
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背景技術(shù)半導(dǎo)體單晶硅作為硅的單品體結(jié)構(gòu),具有光學(xué)性能好、禁帶寬度低、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點,是光、電、熱的優(yōu)良載體,在半導(dǎo)體集成電路、太陽能發(fā)電等方面應(yīng)用非常廣泛。同時,以單晶硅為基礎(chǔ)制作的硅材質(zhì)托盤應(yīng)用于藍寶石村底材料及窗口材料的生產(chǎn)過程中,可以大幅度提高生產(chǎn)過程的穩(wěn)定性,降低光學(xué)、電學(xué)缺陷的產(chǎn)生概率。氮化鋁(AIN)應(yīng)用于半導(dǎo)體中屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有禁帶寬度寬、擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高以及抗輻射能力高等優(yōu)點,但其較高的化學(xué)情性使對其清洗及洗凈再生過程產(chǎn)生了一定的難度。發(fā)明內(nèi)容針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題,本發(fā)明提供半導(dǎo)體12英寸單晶硅托盤表面氨化鋁薄膜的清洗去除方法,采用一定比例的氫氧化鉀(KOH)、雙氧水(H2O2)與水(H20)的混合溶液(液A)清洗去除單晶硅托盤表面氮化鋁薄膜,KOH在混合液中起到去除單晶硅表面沉積ALN的作用,而H202在混合液中起到保護單晶硅的作用,浸泡過程單晶硅清洗侵蝕量大約為0.005mm左右;并采用體積分?jǐn)?shù)為3.4%的氨氟酸(HF)作為刻蝕藥液(溶液B),通過HF的刻蝕作用,可以有效降低并控制溶液A對單晶硅托盤表面晶界性能的影響,同時清洗損耗和產(chǎn)品質(zhì)量均可以得到很好的控制,具有成本低、損耗量低、潔凈度高、均勻性好等優(yōu)點。本發(fā)明的技術(shù)方案是:半導(dǎo)體12英寸單晶硅托盤表面氮化鋁薄膜的清洗去除方法,具體步驟如下:步驟一、選取兩個聚丙烯材料制作的浸...
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