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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴(kuò)散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強(qiáng)力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門:?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機(jī)界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護(hù)等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨(dú)立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨(dú)立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運(yùn)方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機(jī)           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機(jī)尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機(jī)臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機(jī)、RCA清洗機(jī)、去膠機(jī)、外延片清洗機(jī)、酸堿腐蝕機(jī)、顯影機(jī)等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機(jī)Marangoni、單腔...
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根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,2018至2020年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)陸續(xù)受到中美貿(mào)易摩擦、疫情等影響,整體市場成長動力不足致使成長持續(xù)受到壓抑。然受到車用、工業(yè)與通訊需求助力,2021年第三代半導(dǎo)體成長動能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成長力道最為明顯,預(yù)估其今年市場規(guī)模將達(dá)6,100萬美元,年增率高達(dá)90.6%。TrendForce集邦咨詢進(jìn)一步表示,首先,預(yù)期疫苗問世后疫情有所趨緩,進(jìn)而帶動工業(yè)能源轉(zhuǎn)換所需零組件如逆變器、變頻器等,以及通訊基站需求回穩(wěn);其次,隨著特斯拉(Tesla)Model 3電動車逆變器逐漸改采SiC器件制程后,第三代半導(dǎo)體于車用市場逐漸備受重視;最后,中國政府為提升半導(dǎo)體自主化,今年提出十四五計劃投入巨額人民幣擴(kuò)大產(chǎn)能,上述都將成為推升2021年GaN及SiC等第三代半導(dǎo)體高速成長的動能。電動車、工業(yè)及通訊需求回溫,帶動第三代半導(dǎo)體器件營收上揚(yáng)觀察各類第三代半導(dǎo)體器件,GaN器件目前雖有部分晶圓制造代工廠如臺積電(TSMC)、世界先進(jìn)(VIS)等嘗試導(dǎo)入8英寸晶圓生產(chǎn),然現(xiàn)行主力仍以6英寸為主。因疫情趨緩所帶動5G基站射頻前端、手機(jī)充電器及車用能源傳輸?shù)刃枨笾鸩教嵘?,預(yù)期2021年通訊及功率器件營收分別為6.8億和6,100萬美元,年增30.8%及90.6%。其中,GaN功率器件年增最高的主因是手機(jī)品牌如小米(Xiaomi)、OPPO、Vi...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 15
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1.1寬禁帶半導(dǎo)體的概念和發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體(WBS)是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。這類材料主要包括SiC(碳化硅)、C-BN(立方氮化硼)、GaN(氮化鎵、)AlN(氮化鋁)、ZnSe(硒化鋅)以及金剛石等。第二代半導(dǎo)體GaAs與Si相比除了禁帶寬度增大外,其電子遷移率與電子飽和速度分別是Si的6倍和2倍,因此其器件更適合高頻工作。GaAs場效應(yīng)管器件還具有噪聲低、效率高和線性度好的特點(diǎn)但相比第三代半導(dǎo)體GaN和SiC,它的熱導(dǎo)率和擊穿電場都不高,因此它的功率特性方面的表現(xiàn)不足。為了滿足無線通信、雷達(dá)等應(yīng)用對高頻率、寬禁帶、高效率、大功率器件的需要從二十世紀(jì)九十年代初開始,化合物半導(dǎo)體電子器件的研究重心開始轉(zhuǎn)向?qū)捊麕О雽?dǎo)體。我們一般把禁帶寬度大于2eV的半導(dǎo)體稱為寬禁帶半導(dǎo)體。寬禁帶半導(dǎo)體材料具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特點(diǎn),在高溫、高頻、大功率、光電子及抗輻射等方面具有巨大的應(yīng)用潛力。1.2主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料近年來,發(fā)展較好的寬禁帶半導(dǎo)體材料主要是SiC和GaN,其中SiC的發(fā)展更早一些,碳化硅、氮化鎵、硅以及砷化鎵的一些參數(shù)如下圖所示:如上圖所示,SiC和GaN的禁帶寬度遠(yuǎn)大于Si和GaAs,相應(yīng)的本征載流子濃度小于硅和砷化鎵,寬禁帶半導(dǎo)體的最高工作溫度要...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 02
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當(dāng)我們談?wù)撔酒a(chǎn)業(yè)時,首先想到的就是光刻、刻蝕、沉積、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)等工藝,在過去的一段時間內(nèi),《每日財報》基本對這些環(huán)節(jié)實現(xiàn)了覆蓋。今天要講的是一個看起來不起眼但同樣重要的環(huán)節(jié)——清洗。半導(dǎo)體清洗主要是為了去除芯片生產(chǎn)中產(chǎn)生的各種沾污雜質(zhì),是芯片制造中步驟最多的工藝,幾乎貫穿整個作業(yè)流程。由于硅片的加工過程對潔凈度要求非常高,所有與硅片接觸的媒介都可能對硅片造成污染,硅片清洗的好壞對器件性能有嚴(yán)重的影響,因此幾乎每一步加工都需要清除沾污。在很多人看來,芯片生產(chǎn)中所用的清洗設(shè)備似乎并沒有什么技術(shù)門檻,也就沒有那么大的價值,但事實卻并非如此,芯片制造是一個極其復(fù)雜和精致的產(chǎn)業(yè),任何一環(huán)出現(xiàn)問題都會前功盡棄。在半導(dǎo)體設(shè)備市場中,晶圓制造設(shè)備采購大約占整體的80%,測試設(shè)備大約占9%,封裝設(shè)備大約占7%,其他設(shè)備大約占4%,同時清洗設(shè)備在晶圓制造設(shè)備中的采購費(fèi)用占比約為6%,因此可以推算出清洗設(shè)備約占半導(dǎo)體設(shè)備投資的4.8%。1、芯片良率的“保鏢”芯片制造需要在無塵室中進(jìn)行,如果在制造過程中,有沾污現(xiàn)象,將影響芯片上器件的正常功能。據(jù)估計,80%的芯片電學(xué)失效都是由沾污帶來的缺陷引起的。沾污雜質(zhì)是指半導(dǎo)體制造過程中引入的任何危害芯片成品率及電學(xué)性能的物質(zhì),具體的沾污包括顆粒、有機(jī)物、金屬和自然氧化層等。一般來說,工藝越精細(xì)對于控污的要求越高,而且難度越大,隨著半導(dǎo)體芯片...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 02
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2018年下半年,受智能手機(jī)出貨量的下滑等因素影響,半導(dǎo)體行業(yè)迎來了下行周期。不過隨著5G建設(shè)和車聯(lián)網(wǎng)市場的發(fā)展,目前半導(dǎo)體市場正在回暖。我國半導(dǎo)體市場已超過萬億規(guī)模,業(yè)已成為國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的重要組成部分。為此,為您全面介紹行業(yè)概況、產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)、上游關(guān)鍵原材料、本行業(yè)競爭格局及材料重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域。報告合集涵蓋高純?yōu)R射靶材、CMP材料、半導(dǎo)體硅片、電子氣體、封裝基板、光刻膠、光纖預(yù)制棒、濕電子化學(xué)品、半導(dǎo)體設(shè)備等九大市場0 1高純?yōu)R射靶材2017年全球濺射靶材市場容量達(dá)132.5億美元(半導(dǎo)體領(lǐng)域占半導(dǎo)體晶圓制造材料市場3%左右),預(yù)計到2020年全球高純?yōu)R射靶材市場規(guī)模將超過200億美元。顯示、記錄媒體、太陽能、半導(dǎo)體是顯示靶材四大應(yīng)用市場,面板市場最大,占市場35%,在中國這一比例超過50%。0 2CMP材料CMP化學(xué)機(jī)械拋光是集成電路制造過程中實現(xiàn)晶圓全局均勻平坦化的關(guān)鍵工藝,用較軟的材料來進(jìn)行拋光以實現(xiàn)高質(zhì)量的表面拋光。CMP拋光材料具有技術(shù)壁壘高,客戶認(rèn)證時間長的特點(diǎn)。全球芯片拋光液市場主要被在美國、日本、韓國企業(yè)所壟斷,占據(jù)全球90%以上的高端市場份額。0 3半導(dǎo)體硅片硅片也稱硅晶圓,是制造半導(dǎo)體芯片最重要的基本材料。2018-2022年硅片的需求繼續(xù)放大,勝高統(tǒng)計全球晶圓廠給出的總需求指引,其復(fù)合增長率為9.7%(未統(tǒng)計中國新建廠);SEMI 統(tǒng)計12寸硅片上半年累計漲...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 02
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濕法刻蝕是化學(xué)清洗方法中的一種,是化學(xué)清洗在半導(dǎo)體制造行業(yè)中的應(yīng)用,是用化學(xué)方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程。其基本目的是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩膜圖形,有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受到腐蝕源顯著的侵蝕,這層掩蔽膜用來在刻蝕中保護(hù)硅片上的特殊區(qū)域而選擇性地刻蝕掉未被光刻膠保護(hù)的區(qū)域。從半導(dǎo)體制造業(yè)一開始,濕法刻蝕就與硅片制造聯(lián)系在一起。雖然濕法刻蝕已經(jīng)逐步開始被干法刻蝕所取代,但它在漂去氧化硅、去除殘留物、表層剝離以及大尺寸圖形刻蝕應(yīng)用等方面仍然起著重要的作用。與干法刻蝕相比,濕法刻蝕的好處在于對下層材料具有高的選擇比,對器件不會帶來等離子體損傷,并且設(shè)備簡單。1 濕法刻蝕及其應(yīng)用1.1濕法刻蝕濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),是利用合適的化學(xué)試劑先將未被光刻膠覆蓋的晶片部分分解,然后轉(zhuǎn)成可溶的化合物達(dá)到去除的目的。濕法刻蝕是刻蝕的一種方法,其他的有干刻蝕,等離子刻蝕等。濕法刻蝕這種刻蝕技術(shù)主要是借助腐蝕液和晶片材料的化學(xué)反應(yīng),因此我們可以借助化學(xué)試劑的選取、配比以及溫度的控制等來達(dá)到合適的刻蝕速率和良好的刻蝕選擇比。1.2 濕法刻蝕的過程(1)反應(yīng)物擴(kuò)散到欲被刻蝕材料的表面;(2)反應(yīng)物與被刻蝕材料反應(yīng);(3)反應(yīng)后的產(chǎn)物離開刻蝕表面擴(kuò)散到溶液中,隨溶液被排出。在上述三步反應(yīng)中,進(jìn)行速度最慢的就是控制刻蝕速率的步驟,也就是說,該步驟的進(jìn)行速率就是反應(yīng)速率...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 02
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背景技術(shù)濾光片可以用來選取所需要輻射的波段,從而廣泛應(yīng)用于相機(jī)等光學(xué)儀器。濾光片在組裝時,需要使用UV膠將濾光片粘在鏡座上。操作時,先在濾光片表面點(diǎn)膠,膠水固化后即可將濾光片固定至鏡座。然而,由于膠水在鏡片的表面擴(kuò)散較快,膠水在固化前會溢出到濾光片的有效區(qū)域,從而影響成像質(zhì)量?;诖?,有必要提供一種可防止濾光片溢膠的濾光片表面處理方法。一種濾光片表面處理方法,包括以下步驟:將濾光片放入含有增稠劑和無機(jī)鹽的清洗液中浸泡;使用甩干機(jī)甩干所述濾光片,其中,所述增稠劑選自O(shè)ES液體增稠劑、瓜膠、阿拉伯膠及聚丙烯酸鈉中的至少一種,所述無機(jī)鹽選自氯化鈉、氯化鉀、氯化鎂及氯化鈣中的至少一種。在其中一個實施例中,所述清洗液中所述增稠劑的質(zhì)量濃度為30mg/L~500mg/L,所述無機(jī)鹽的質(zhì)量濃度為10mg/L~100mg/L。在其中一個實施例中,所述清洗液中還含有表面活性劑。在其中一個實施例中,所述清洗液中還含有陰離子表面活性劑或非離子表面活性劑。在其中一個實施例中,所述陰離子表面活性劑為烷基磺酸鈉或脂肪醇硫硫酸納。在其中一個實施例中,所述清洗液由含有增稠劑和無機(jī)鹽的洗潔精與水混合形成,其中,所述水與所述洗潔精的體積比為1000:1.5~1000:1。在其中一個實施例中,所述甩干機(jī)的轉(zhuǎn)速為35轉(zhuǎn)/秒~50轉(zhuǎn)/秒。在其中一個實施例中,所述濾光片表面處理方法還包括步驟:在將濾光片放入有增稠劑和無機(jī)鹽的...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 02
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隨著集成電路器件的納米化、高密度化、高集成度及多層金屬互連的進(jìn)步,半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)越來越先進(jìn),對實際制造的多個關(guān)鍵環(huán)節(jié)也提出了更多新的要求。器件特征尺寸的不斷縮小和三維器件結(jié)構(gòu)的日益復(fù)雜性,使得半導(dǎo)體器件對顆粒污染、雜質(zhì)濃度和數(shù)量越來越敏感。據(jù)2019年1月28日報道,臺積電南科14廠發(fā)生一起不合格原料污染事故,預(yù)估損失上萬片晶圓,受到影響的主要是16/12nm工藝。NVIDIA的GPU芯片、海思、聯(lián)發(fā)科的手機(jī)芯片以及一些ARM服務(wù)器處理器都使用了這一工藝,這也是臺積電的主要營收來源之一。臺積電發(fā)生的污染源已被確認(rèn),分別為前段刻蝕的鐵離子污染和光刻膠原材料污染。前段晶體管受到污染可能會導(dǎo)致器件發(fā)生不正常的漏電,進(jìn)而影響產(chǎn)品的良率、電學(xué)性能和可靠性。2019年2月15日,臺積電坦承,受到南科14廠污染事件影響,本季營收將減少約5.5億美元。受到影響的客戶包括輝達(dá)、聯(lián)發(fā)科、海思和賽靈思等重量級客戶,其中輝達(dá)的投片量超過上萬片??紤]到此次事故涉及的是相對先進(jìn)的16/12nm工藝,加上受到影響的股價大跌,臺積電的實際損失有可能超過了40億美元。如果再算上事故造成的停機(jī)以及產(chǎn)能和交付上的損失,則后果將更加慘重。 這一事件非常強(qiáng)烈地傳遞了這樣一個信號,隨著集成電路特征尺寸越來越小,半導(dǎo)體器件對生產(chǎn)工藝過程中的顆粒、有機(jī)殘留物、雜質(zhì)等污染物及濕法清洗的去除能力、缺陷控制、關(guān)鍵尺寸調(diào)控等的...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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紅外截止濾光片是一種允許可見光(400nm-700nm)透過,而截止或反射近紅外光(700nm-1100nm)的光學(xué)濾光片,廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)攝像頭、電腦攝像頭等數(shù)碼成像領(lǐng)域,在攝像鏡頭和CCD/CMOS圖像傳感器之間加上紅外截止濾光片,能濾去通過攝相鏡頭的高頻段光波,只讓一定范圍內(nèi)的低頻光波通過,從而有效地濾除紅外光波,消除其對CCD/CMOS成像的干擾,提高成像的分辨率和色彩還原性,使圖像清晰且穩(wěn)定。傳統(tǒng)的紅外截止濾光片是在白玻璃表面交替形成具有一定厚度的高折射率或低折射率的紅外截止膜,利用多層膜的干涉實現(xiàn)截止紅外光、透過可見光的功能。但這種紅外截止膜只考慮到可見光在垂直入射時的透過效果,而忽視了大角度入射時的透過率,并且在大角度入射時傳統(tǒng)紅外截止膜的波長偏移會導(dǎo)致紅光部分的嚴(yán)重?fù)p失,成像質(zhì)量嚴(yán)重下降。另一種是藍(lán)玻璃紅外截止濾光片,通過在藍(lán)玻璃表面鍍制紅外截止膜來達(dá)到截止紅外波的效果。這種藍(lán)玻璃紅外截止濾光片雖然解決了斜角度入射時光譜偏移的問題,但它從紅光處便開始吸收光波一直延伸到紅外光,造成部分可見的紅光被過濾,紅光的損失會造成色彩還原性的降低,從而影響相機(jī)的成像質(zhì)量。而且藍(lán)玻璃本身原材料成本高,目前還不利于在低端產(chǎn)品上大量普及。實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題在于克服上述問題,而提供一種色彩還原度高、成像效果好、成本低廉的紅外截止濾光片。本實用新型的技術(shù)方案是...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝。是對半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開孔,以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。光刻技術(shù)是指在光照作用下,借助光致抗蝕劑(又名光刻膠)將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。其主要過程為:首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面,引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng);再通過顯影技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠(前者稱正性光刻膠,后者稱負(fù)性光刻膠),使掩膜版上的圖形被復(fù)制到光刻膠薄膜上;最后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到基片上。兩種工藝常規(guī)光刻技術(shù)是采用波長為2000~4500埃的紫外光作為圖像信息載體,以光致抗蝕劑為中間(圖像記錄)媒介實現(xiàn)圖形的變換、轉(zhuǎn)移和處理,最終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質(zhì)層上的一種工藝。在廣義上,它包括光復(fù)印和刻蝕工藝兩個主要方面。①光復(fù)印工藝:經(jīng)曝光系統(tǒng)將預(yù)制在掩模版上的器件或電路圖形按所要求的位置,精確傳遞到預(yù)涂在晶片表面或介質(zhì)層上的光致抗蝕劑薄層上。②刻蝕工藝:利用化學(xué)或物理方法,將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質(zhì)層除去,從而在晶片表面或介質(zhì)層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。集成電路各功能層是立體重疊的,因而光刻工藝總是多次反復(fù)進(jìn)行?;静襟E1.氣相成底模2.旋轉(zhuǎn)烘膠3.軟烘4.對準(zhǔn)和曝光5.曝光后烘焙(PEB)6.顯影7.堅膜烘焙8.顯影檢查準(zhǔn)分子光刻技術(shù)準(zhǔn)分子光刻技...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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典型光電行業(yè)用超純水設(shè)備工藝光電行業(yè)用超純水設(shè)備采用PLC+觸摸屏控制,全套系統(tǒng)自動化程度高,系統(tǒng)穩(wěn)定性高。大大節(jié)省人力成本和維護(hù)成本,水利用率高,運(yùn)行可靠,經(jīng)濟(jì)合理。使設(shè)備與其它同類產(chǎn)品相比較,具有更高的性價比和設(shè)備可靠性。典型光電行業(yè)用超純水設(shè)備工藝  1、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→粗混合床→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→精密過濾器→用水對象(≥18MΩ.CM)(傳統(tǒng)工藝)?! ?、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純化水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→0.2或0.5μm精密過濾器→用水對象(≥18MΩ.CM)(最新工藝)?! ?、預(yù)處理→一級反滲透→加藥機(jī)(PH調(diào)節(jié))→中間水箱→第二級反滲透(正電荷反滲膜)→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過濾器→用水對象(≥17MΩ.CM)(最新工藝)?! ?、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過濾器→用水對象(≥15MΩ.CM)(最新工藝)?! ?、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→純水泵→粗混合床→精混合床→紫外線殺菌器→精密過濾器→用水對象(≥15MΩ.CM)(傳統(tǒng)工藝)。 光電行業(yè)用超純水對水質(zhì)的要求新興的光電材料生產(chǎn)、加工、清洗:LCD液晶顯示屏、PDP等離子顯示屏、高品質(zhì)燈管顯像管、微...
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