多晶硅鑄錠硅片清洗設(shè)備，包括裝置主體、升降機(jī)構(gòu)(2)和清洗機(jī)構(gòu)(9)，其特征在于：所述裝置主體包括加工箱體(1)、拋光軸(3)、驅(qū)動機(jī)(4)、轉(zhuǎn)軸(5)、內(nèi)箱(6)、集水槽(7)、泵體(8)和支腿(10)，所述支腿(10)設(shè)置在加工箱體(1)下端面，所述驅(qū)動機(jī)(4)設(shè)置在加工箱體(1)頂端面中間位置，所述轉(zhuǎn)軸(5)轉(zhuǎn)動連接在加工箱體(1)內(nèi)部，且與驅(qū)動機(jī)(4)的輸出端傳動連接，所述拋光軸(3)設(shè)置在轉(zhuǎn)軸(5)上，所述集水槽(7)設(shè)置在加工箱體(1)內(nèi)部底端面，所述內(nèi)箱(6)位于集水槽(7)上方；所述升降機(jī)構(gòu)(2)設(shè)置在加工箱體(1)內(nèi)部上側(cè)，所述升降機(jī)構(gòu)(2)包括電機(jī)一(21)、滑輪(22)、傳動軸(23)和繩索(24)，所述傳動軸(23)轉(zhuǎn)動連接在加工箱體(1)內(nèi)部靠上部位，所述滑輪(22)設(shè)有兩個(gè)，兩個(gè)滑輪(22)對稱轉(zhuǎn)動連接在傳動軸(23)上，所述滑輪(22)通過繩索(24)與內(nèi)箱(6)固定連接，所述傳動軸(23)與電機(jī)一(21)的輸出端傳動連接；所述清洗機(jī)構(gòu)(9)包括輔助清潔組件(91)和電機(jī)二(92)，所述電機(jī)二(92)設(shè)置在加工箱體(1)底端面，所述輔助清潔組件(91)設(shè)有兩個(gè)，兩個(gè)所述輔助清潔組件(91)對稱設(shè)置在加工箱體(1)內(nèi)部，所述輔助清潔組件(91)包括支架(911)、高壓噴頭(912)、滑塊(913)、齒條(914)、齒輪(915)和安裝軸(916)，所述齒...
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制備絨面的目的：?減少光的反射率，提高短路電流，以致提高光電轉(zhuǎn)換效率?陷光原理?當(dāng)光入射到一定角度的斜面，光會反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，從而增加吸收率。單晶制絨：單晶制絨流程：預(yù)清洗+制絨預(yù)清洗目的：通過預(yù)清洗去除硅片表面臟污，以及部分損傷層。 單晶制絨：預(yù)清洗方法：1、10%NaOH，78oC，50sec；2、①1000gNaOH，65-70oC(超聲)，3min；②1000gNa2SiO3+4LIPA，65oC，2min。2NaOH+Si+H2O=Na2SiO3+2H2SiO32-+3H2O=H4SiO4+2OH- 預(yù)清洗原理：1、10%NaOH，78oC，50sec；利用濃堿液在高溫下對硅片進(jìn)行快速腐蝕。損傷層存在時(shí)，采用上述工藝，硅片腐蝕速率可達(dá)5μm/min；損傷去除完全后，硅片腐蝕速率約為1.2μm/min。經(jīng)腐蝕，硅片表面臟污及表面顆粒脫離硅片表面進(jìn)入溶液，從而完成硅片的表面清洗。經(jīng)50sec腐蝕處理，硅片單面減薄量約3μm。采用上述配比，不考慮損傷層影響，硅片不同晶面的腐蝕速率比為:(110):(100):(111)=25：15：1，硅片不會因各向異性產(chǎn)生預(yù)出絨，從而獲得理想的預(yù)清洗結(jié)果。缺點(diǎn)：油污片處理困難，清洗后表面殘留物去除困難。預(yù)清洗原理：2、①1000gNaOH，65-70oC(超聲)，3min；②1000gNa2Si...
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1等離子體刻蝕裝備與工藝：圖1給出了大連理工大學(xué)PEPP-300型等離子體刻蝕/聚合復(fù)合加工系統(tǒng)照片。該裝置主要包括兩組13.56MHz的射頻功率源、阻抗匹配源、電感線圈和同軸電纜構(gòu)成的復(fù)合射頻源系統(tǒng)、刻蝕/聚合加工室、等離子體診斷系統(tǒng)、供氣和真空系統(tǒng)等4部分。兩組射頻功率源分別為1.5kW和1kW?？涛g加工樣品置于加工室中的樣品臺上，樣品臺采用循環(huán)水冷，溫度控制范圍為5~30℃。該裝置可以實(shí)現(xiàn)等離子體/離子等不同類型的刻蝕工藝。本試驗(yàn)典型的工藝條件：射頻源功率分別為200～400W，50～200W，工作氣體BCl3，氣體流量30～100sccm，工作氣壓1～10Pa，刻蝕時(shí)間3～10min。 圖1PEPP-300型等離子體刻蝕/聚合復(fù)合加工系統(tǒng)照片2等離子體刻蝕結(jié)果：試驗(yàn)研究的Er3+摻雜Al2O3/SiO2/Si平面光波導(dǎo)薄膜，通過熱氧化法在Si(100)基片表面制備SiO2薄膜，再采用溶膠—凝膠法在SiO2/Si表面提拉制備Er3+摻雜Al2O3薄膜。Er3+:Al2O3/SiO2/Si平面光波導(dǎo)薄膜制備工藝詳見參考文獻(xiàn)[6]。圖2給出了制備的Er3+:Al2O3/SiO2/Si平面光波導(dǎo)薄膜的掃描電子顯微鏡(SEM)照片。Si(100)基片上生長的SiO2層厚約為2.5m，提拉獲得的Er3+摻雜Al2O3薄膜約為2m。Er3+摻雜Al2O3薄膜致密、連續(xù)地覆蓋于氧...
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自動爐管清洗機(jī) 圖1 圖2 圖3 圖4 圖1是本發(fā)明實(shí)施例的供液原理示意圖；圖2是圖1中的清洗裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是圖1中的儲液裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是圖2清洗裝置中的旋轉(zhuǎn)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖中：1、儲液裝置 2、清洗裝置 3、供液管路4、廢液回收管路 5、氣控隔膜閥 6、供液泵7、氣動閥 8、廢液排放管 9、液位傳感器10、控制系統(tǒng) 11、液位傳感器 &#...
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制酸干吸的工藝過程。（1）干燥塔將凈化后的SO2煙氣給予干燥，干燥后的SO2煙氣進(jìn)入轉(zhuǎn)化器將其轉(zhuǎn)化為SO3；（2）因?yàn)闈釮2SO4有吸收水分這一特性；利用這個(gè)原理，干燥塔吸收煙氣中的水分，從而使得干燥循環(huán)槽H2SO4的濃度降低，干燥循環(huán)槽H2SO4的數(shù)量增加、液位升高；（3）通過干燥循環(huán)槽到中間吸收循環(huán)槽竄酸閥和中間吸收循環(huán)槽到干燥循環(huán)槽竄酸閥，保持干燥循環(huán)槽H2SO4濃度和平衡干燥循環(huán)槽H2SO4液位；若生產(chǎn)93%H2SO4，可將放酸閥打開，將干燥循環(huán)槽中高于循環(huán)槽設(shè)定點(diǎn)的H2SO4放入計(jì)量槽；若生產(chǎn)98%H2SO4，用干燥循環(huán)槽到中間吸收循環(huán)槽竄酸閥和中間吸收循環(huán)槽到干燥循環(huán)槽竄酸閥，保持中間吸收循環(huán)槽濃度、控制干燥循環(huán)槽液位；（4）中間吸收循環(huán)槽是將轉(zhuǎn)化器一次轉(zhuǎn)化后的SO3煙氣用濃H2SO4給予吸收；因此，中間吸收循環(huán)槽H2SO4的濃度在逐漸升高，液位同時(shí)也在升高；如要保持中間吸收循環(huán)槽H2SO4的濃度，用干燥循環(huán)槽的相對低濃度的H2SO4和給中間吸收循環(huán)槽加水的方法才能使中間吸收循環(huán)槽H2SO4的濃度保持；如果生產(chǎn)98%H2SO4，打開中間吸收循環(huán)槽放酸閥將中間吸收循環(huán)槽內(nèi)的98%H2SO4放入計(jì)量槽，保持中間吸收循環(huán)槽液位，用干燥循環(huán)槽到中間吸收循環(huán)槽竄酸閥和中間吸收循環(huán)槽H2SO4濃度調(diào)節(jié)閥保持濃度；；如果生產(chǎn)93%H2SO4，則用中間吸收循環(huán)槽H2SO4來調(diào)節(jié)干燥循環(huán)...
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1設(shè)備的清洗工藝：全自動硅片清洗機(jī)主要以超聲波清洗為主，以鼓泡和拋動清洗等工藝為輔助手段。利用超聲波滲透力強(qiáng)的機(jī)械振動沖擊硅片表面并結(jié)合清洗劑的化學(xué)去污作用達(dá)到對硅片的清洗，清洗作用力均勻，清洗潔凈度高，清洗效果好，可有效去除硅片表面的雜質(zhì)。工藝流程：上料(浸泡)→超聲清洗（擺動+加熱+鼓泡）→超聲堿洗（擺動+加熱）→超聲漂洗（擺動+加熱）→慢拉脫水槽（加熱）→烘干→下料（手動）對工藝過程所作的調(diào)整是多種多樣的，其中包括機(jī)械手傳送的速度、超聲清洗的時(shí)間、氮?dú)夤呐莸臍怏w流量、拋動系統(tǒng)的頻率、溶劑的溫度、烘干系統(tǒng)的溫度等、超聲漂洗用水的流量等。對于客戶來講，主要應(yīng)考慮設(shè)備生產(chǎn)硅片的能力，保證能滿足生產(chǎn)要求；同時(shí)應(yīng)降低能耗，在保證硅片清洗干凈和烘干的前提下，通過溫控系統(tǒng)調(diào)整溶劑和漂洗水的溫度，以及烘干的溫度和時(shí)間。2設(shè)備整體結(jié)構(gòu)：上料臺全自動硅片清洗機(jī)是按照一定的工藝要求，由機(jī)架、懸臂機(jī)械手、上料臺、各種超聲清洗槽、拋動機(jī)構(gòu)、慢提拉系統(tǒng)、烘干系統(tǒng)、抽風(fēng)系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、電控系統(tǒng)等構(gòu)成一個(gè)多功能的完整設(shè)備。該設(shè)備適用的硅片規(guī)格：125mm×125mm，156mm×156mm。如圖1所示。2.1機(jī)架和槽體的設(shè)計(jì)：考慮到太陽能硅片清洗時(shí)所用的溶劑為堿溶液，為了提高設(shè)備的耐腐蝕性，槽體所用的材質(zhì)為優(yōu)質(zhì)不銹鋼。機(jī)架的整體材質(zhì)為碳鋼，并用瓷白色PP板進(jìn)行包覆，不僅滿足了設(shè)備的強(qiáng)度要...
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１ 水下激光傳輸特性：圖１是純凈水對不同波長激光吸收的曲線［９］。橫坐標(biāo)為激光的波長，縱坐標(biāo)為吸收長度，吸收長度即激光被完全吸收所穿過的溶液長度。 當(dāng)激光射入水中時(shí)，水會吸收一部分激光而造成其能量的衰減，這可以由Ｌａｍｂｅｒｔ－Ｂｅｅｒ定律計(jì)算得到［１０］：Ｉｘ（λ）＝Ｉ０（λ）ｅｘｐ［－μ（λ）ｘ］（１）式中，Ｉ０（λ）為傳輸前的激光初始輻照度，Ｉｘ（λ）為在液體中傳輸路程為ｘ后的激光輻照度；μ（λ）為光束衰減系數(shù)，表示激光傳輸１ｍ距離后能量衰減的對數(shù)值（自然對數(shù)），單位是ｍ－１。Δ＝１／μ（λ），Δ為激光在溶液中的吸收長度，即激光被完全吸收穿過的溶液長度，則Ｂｅｅｒ－Ｌａｍｂｅｒｔ法則還可寫為： （２）由（２）式可以方便地估算出不同水深激光的衰減比例。從圖１中可以看出，對不同波長的激光，水的吸收長度Δ不同。對３５５ｎｍ紫外光的吸收長度約為５ｍ，本文中采用的水深為５ｍｍ，此時(shí)紫外激光被吸收了約０．１％。相對于其它多數(shù)波長水對紫外激光的吸收率較小，因此紫外激光較適合做水下激光加工的光源。２ 實(shí)驗(yàn)研究２．１ 實(shí)驗(yàn)材料和設(shè)備實(shí)驗(yàn)中采用的激光加工設(shè)備為多功能紫外激光微加工系統(tǒng)。紫外激光加工系統(tǒng)主要由激光器、冷卻系統(tǒng)、紫外光學(xué)系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、ＣＣＤ定位系統(tǒng)和機(jī)械系統(tǒng)構(gòu)成。激光器是美國ＯＰＴＯＷＡＶＥ（光波）公司的ＡＷａｖｅ３５５系列３５５ｎｍ三倍頻全固態(tài)調(diào)Ｑ紫外激光器，...
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1.2、異質(zhì)結(jié)電池工藝流程簡潔，擁有更高開路電壓：異質(zhì)結(jié)的工藝流程更為簡潔，獨(dú)特工藝是非晶硅薄膜沉積和TCO膜沉積。異質(zhì)結(jié)電池全稱為本征薄膜異質(zhì)結(jié)電池（HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer），又稱HIT、HJT或SHJ電池。其工藝流程十分簡潔，主要是清洗制絨、非晶硅薄膜沉積、TCO膜沉積以及絲網(wǎng)印刷四道工序。與需要10余項(xiàng)流程的PERC+以及TOPCon相比，HJT工藝流程相當(dāng)簡潔。而且其中清洗制絨和絲網(wǎng)印刷都是傳統(tǒng)硅晶電池的工藝，HJT獨(dú)特的工藝在于非晶硅薄膜沉積以及TCO膜沉積。 從技術(shù)原理來看，HIT擁有更低的載流子復(fù)合速率和更低的接觸阻抗造就了更高的開路電壓。獲得更高開路電壓的兩個(gè)重要條件是避免少數(shù)載流子與多數(shù)載流子發(fā)生復(fù)合，同時(shí)還要降低電阻促進(jìn)多數(shù)載流子更有效運(yùn)輸。PERC技術(shù)由于其不可避免的開槽工藝造成了多子橫向輸運(yùn)損耗，同時(shí)在開槽處金屬極與Si局域接觸仍然有較高的復(fù)合。而ITO薄膜（氧化銦錫薄膜，TCO薄膜中性能最好的材料）的特性是載流子復(fù)合速率高，但其接觸電阻率低，而非晶硅薄膜（a-Si:H）的特性是載流子復(fù)合速率低，但接觸電阻率高。異質(zhì)結(jié)電池中薄膜沉積的順序是非晶硅薄膜偏中間而ITO在最外層，這一順序決定了異質(zhì)結(jié)電池完美地結(jié)合了兩者的優(yōu)點(diǎn)。具體而言，非晶硅薄膜在偏中間位置，當(dāng)光照到電池內(nèi)時(shí)，光生伏特效應(yīng)下產(chǎn)生了電子-...
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1.清洗機(jī)概述在發(fā)動機(jī)的生產(chǎn)線上，清洗機(jī)是非常重要的輔機(jī)設(shè)備，主要的功能就是清洗發(fā)動機(jī)的每個(gè)零部件。清洗機(jī)分為三種，通常分為中間清洗機(jī)、CMM清洗機(jī)以及最終清洗機(jī)。著重分析發(fā)動機(jī)的缸體缸蓋的最終清洗機(jī)的相關(guān)功能以及作用。下圖為一種缸體缸蓋清洗機(jī)和工序節(jié)拍:2.缸體缸蓋最終清洗機(jī)各個(gè)工位的功能及作用2.1浪涌清洗工位工件通過機(jī)動滾道進(jìn)入到本工位的浪涌水箱中，有到位裝置被設(shè)置在輸送裝置上，對工件的是否到位進(jìn)行檢測，同時(shí)發(fā)令，停止?jié)L道的輸送，關(guān)閉浪涌水箱的插門。有浪涌儲水箱被配備在這個(gè)工位當(dāng)中，打開浪涌清洗泵電磁閥之后，供水到浪涌水箱內(nèi)，在供水工作完畢之后減速機(jī)驅(qū)動鼓輪回轉(zhuǎn)裝置就會旋轉(zhuǎn)工件270度，固定攪水噴嘴就會噴水，通過膠水噴嘴以及工件旋轉(zhuǎn)的攪水，就會讓水紊流和翻騰，就可以利用涮洗功能對工件的內(nèi)表面以及水道腔進(jìn)行清洗；在完成清洗之后，將排水插門打開，進(jìn)行防水，對工件不斷進(jìn)行倒水操作，這樣就能夠讓下一個(gè)工位的吹干工作更加方便的進(jìn)行，然后打開出料插門，輸送工件到下一個(gè)工位上。2.2升降清洗工位在工件完成浪涌清洗工位的清洗之后，就會進(jìn)入到升降清洗工位當(dāng)中，到位檢測開關(guān)檢測到工件之后就會停止?jié)L道，同時(shí)伸出止回器，根據(jù)PLC的指令讓噴嘴和水箱進(jìn)行有規(guī)律的升降運(yùn)動，清洗工件三面的表面和孔隙。為了讓清洗效果能夠得到保證，水箱會不斷的上升和下降來進(jìn)行清洗的工作。在這樣的工作循環(huán)過幾次之后，就會停止水...
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引線鍵合工藝MEMS芯片的引線鍵合的主要技術(shù)仍然采用IC芯片的引線鍵合技術(shù)，其主要技術(shù)有兩種，即熱壓鍵合和熱超聲鍵合。引線鍵合基本要求有：（1）首先要對焊盤進(jìn)行等離子清洗；（2）注意焊盤的大小，選擇合適的引線直徑；（3）鍵合時(shí)要選好鍵合點(diǎn)的位置；（4）鍵合時(shí)要注意鍵合時(shí)成球的形狀和鍵合強(qiáng)度；（5）鍵合時(shí)要調(diào)整好鍵合引線的高度和跳線的成線弧度。 常用的引線鍵合設(shè)備有熱壓鍵合、超聲鍵合和熱超聲鍵合。 （1）熱壓鍵合法：熱壓鍵合法的機(jī)制是低溫?cái)U(kuò)散和塑性流動(PlasticFlow)的結(jié)合,使原子發(fā)生接觸,導(dǎo)致固體擴(kuò)散鍵合。鍵合時(shí)承受壓力的部位，在一定的時(shí)間、溫度和壓力的周期中，接觸的表面就會發(fā)生塑性變形(PlasticDeformation)和擴(kuò)散。塑性變形是破壞任何接觸表面所必需的,這樣才能使金屬的表面之間融合。在鍵合中,焊絲的變形就是塑性流動。該方法主要用于金絲鍵合。（2）超聲鍵合法：焊絲超聲鍵合是塑性流動與摩擦的結(jié)合。通過石英晶體或磁力控制，把摩擦的動作傳送到一個(gè)金屬傳感器(Metal“HORN”)上。當(dāng)石英晶體上通電時(shí)，金屬傳感器就會伸延；當(dāng)斷開電壓時(shí)，傳感器就會相應(yīng)收縮。這些動作通過超聲發(fā)生器發(fā)生，振幅一般在4-5個(gè)微米。在傳感器的末端裝上焊具，當(dāng)焊具隨著傳感器伸縮前后振動時(shí)，焊絲就在鍵合點(diǎn)上摩擦，通過由上而下的壓力發(fā)生塑性變形。大部分塑性變形在鍵合點(diǎn)承受超...
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