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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴(kuò)散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強(qiáng)力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門:?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機(jī)界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護(hù)等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨(dú)立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨(dú)立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運(yùn)方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機(jī)           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機(jī)尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機(jī)臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機(jī)、RCA清洗機(jī)、去膠機(jī)、外延片清洗機(jī)、酸堿腐蝕機(jī)、顯影機(jī)等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機(jī)Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān),從而提供了簡化和可靠的系統(tǒng)布局。            隨著新行業(yè)和產(chǎn)品采用電子和半導(dǎo)體,設(shè)計師和制造商正在尋找改進(jìn)和更智能的方法來構(gòu)建這此關(guān)鍵元素。碳化硅(SiC)半導(dǎo)體不同于普通的硅半導(dǎo)體。當(dāng)使用動力電子設(shè)備和電力系統(tǒng)時,它表現(xiàn)出有限的導(dǎo)熱性、在某些應(yīng)用中難以改變頻率、低帶隙能量以及更多的功率損耗然而,它也有好處。以下是碳化硅供電半導(dǎo)體的兩大優(yōu)勢:  1.碳化硅可以在更高的溫度下運(yùn)行全球?qū)﹄娮赢a(chǎn)品日益增長的需求推動了對不同類型設(shè)備在不斷變化或惡劣的條件(如更高的溫度)下運(yùn)行的需求。碳化硅半導(dǎo)體可以在200“℃或更高的溫度下工作,因為其導(dǎo)熱性比標(biāo)準(zhǔn)硅好三倍。但應(yīng)該理解的是,大多數(shù)商業(yè)級半導(dǎo)體的推薦溫度額定值為 175C。更高的額定溫度可最大限度地降低系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜性,增強(qiáng)可靠性,并降低制造商的成本。系統(tǒng)設(shè)計人員可以在Sic半導(dǎo)體的幫助下使用越來越少的電容器和存儲電感器,從而降低電氣系統(tǒng)的總體成本。 2.碳化硅可以承受更高的電壓與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān)...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 12
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料當(dāng)今半導(dǎo)體制造中最熱門的趨勢之一是晶圓級封裝 (WLP)。根據(jù)Allied Market Research 的數(shù)據(jù),到 2022 年,全球 WLP 市場規(guī)模預(yù)計將達(dá)到 78 億美元,2016 年至 2022 年的復(fù)合年增長率 (CAGR) 為 21.5%。廣義上講,WLP 包含不同的集成方法,例如扇入和扇出,以及從 2D 和 2.5D 到 3D IC 甚至納米 WLP 的一系列封裝類型。它還包括互連工藝,如凸塊、硅通孔 (TSV) 和混合鍵合。WLP 是異構(gòu)集成 (HI) 的基石,這是半導(dǎo)體制造的另一個主要趨勢。許多人認(rèn)為 HI 是在功率、性能、面積和成本 (PPAC) 方面擴(kuò)展摩爾定律的途徑。HI 包括晶圓級系統(tǒng)級封裝 (SiP) 架構(gòu)、2.5 內(nèi)插器、3D 集成電路 (IC) 堆棧,以及最近的小芯片架構(gòu)。是什么推動了半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的 WLP 趨勢?       正如大流行向我們展示的那樣,世界比以往任何時候都更加依賴數(shù)字技術(shù)。不僅如此,我們還希望能夠通過手掌來管理我們的生活。我們使用移動設(shè)備進(jìn)行通信、開展業(yè)務(wù)、購物、監(jiān)控我們的健康和我們的家庭等等。異構(gòu)集成 WLP 使將 5G、人工智能 (AI)、內(nèi)存、電源、傳感器等打包到這些工具中成為可能。        這推動了...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 12
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料有許多晶片清潔技術(shù)或步驟用于確保半導(dǎo)體晶片在經(jīng)歷晶片制造過程時始終沒有污染物和異物。不同的污染物具有不同的特性,因此對從晶片上去除的要求也不同。以下是晶圓清洗常用方法的一些示例。    光刻膠剝離,或簡稱“光刻膠剝離”,是從晶片上去除不需要的光刻膠層。其目的是盡快從晶片上去除光刻膠材料,而不會讓光刻膠下的任何表面材料受到所用化學(xué)品的侵蝕??刮g劑剝離可分為:1)有機(jī)剝離;2)無機(jī)剝離;3) 干法剝離。    有機(jī)剝離 使用有機(jī)剝離劑,有機(jī)剝離劑是破壞抗蝕劑層結(jié)構(gòu)的化學(xué)品。最廣泛使用的市售有機(jī)汽提劑曾經(jīng)是苯酚基有機(jī)汽提劑,但它們的適用期短和苯酚處理困難,使得低酚或無酚有機(jī)汽提劑成為當(dāng)今更受歡迎的選擇。  濕式無機(jī)剝離劑,也稱為氧化型剝離劑,用于 無機(jī)剝離,通常用于去除非金屬化晶圓上的光刻膠,以及后烘烤和其他難以去除的抗蝕劑。無機(jī)汽提劑是硫酸和氧化劑(如過硫酸銨)的溶液,加熱至約 125 攝氏度。干法剝離 涉及使用等離子蝕刻設(shè)備通過干法蝕刻去除光刻膠。與使用有機(jī)或無機(jī)剝離劑進(jìn)行濕法蝕刻相比,它的優(yōu)勢包括更好的安全性、無金屬離子污染、減少污染問題以及更不易附著在下面的基板層。  化學(xué)去除薄膜污染物,污染材料的...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料EUV光刻技術(shù)為半導(dǎo)體制造商提供一個前所未有的速度開發(fā)最強(qiáng)大芯片的機(jī)會。現(xiàn)在半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了大規(guī)模的改造,這可以歸因于技術(shù)的演進(jìn)和熱情,以滿足不斷增加的市場預(yù)期。傳統(tǒng)上,芯片制造商依賴于在每個芯片的表面添加更多的晶體管。在當(dāng)今時代,實現(xiàn)這種發(fā)展變得越來越具有挑戰(zhàn)性。制造商正在關(guān)注稱為極紫外(EUV) 光刻的先進(jìn)制造技術(shù)。EUV光刻可用于制造比以前更小規(guī)模的芯片。該技術(shù)可以導(dǎo)致微處理器的發(fā)展,其速度比目前最強(qiáng)大的芯片快十倍。EUV光刻的本質(zhì)也可以歸因于當(dāng)前芯片印刷技術(shù)的物理限制。EUV光刻技術(shù)可以使制造商打印寬度為01微米的電路,相當(dāng)于人類頭發(fā)寬度的1/1000。EUV光刻利用波長非常短的光來更快、更準(zhǔn)確地生成精細(xì)圖案。該技術(shù)可以生產(chǎn)更小尺寸的晶體管,使處理器和其他電子設(shè)備更強(qiáng)大、更便宜、更節(jié)能。EUV光刻的兩個關(guān)鍵市場包括用于智能手機(jī)和服務(wù)器的處理器,其中尺寸、功率和效率是必不可少的因素。盡管 EUV光刻技術(shù)前景廣闊,但這項技術(shù)的普及仍有一些障礙。其中之一是需要大功率光源,這是照亮光刻膠所必需的。然而,世界領(lǐng)先的公司正在投資這項技術(shù)。許多公司正在投資研發(fā),以實現(xiàn) EUV技術(shù)的更大進(jìn)步。此類投資肯定會在未來提高半導(dǎo)體和電子產(chǎn)品的運(yùn)營效率。 注意:此處包含的信息、建議和意見僅供參考,僅供您考慮,查詢和驗證,不以任何方式 保證任何材料在特定...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料摘要半導(dǎo)體晶片在從裸硅晶片轉(zhuǎn)變?yōu)檠b有數(shù)百萬個晶體管電路的晶片之前,要經(jīng)過多種工藝。此類工藝包括物理或化學(xué)氣相沉積(PVD、CVD)、化學(xué)機(jī)械平面化 (CMP)、等離子蝕刻、快速熱處理 (RTP) 和光刻。隨著特征尺寸不斷縮小,過程控制在這些過程中的每一個中都扮演著越來越重要的角色?;谀P偷目刂品椒ㄊ菫橄冗M(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備設(shè)計商業(yè)控制器的有效手段。我們將概述先進(jìn)控制在半導(dǎo)體行業(yè)中的應(yīng)用。根據(jù)我們的經(jīng)驗,控制設(shè)計的最佳模型大量借鑒了過程的物理學(xué)。這些模型用于特定控制應(yīng)用的方式取決于性能目標(biāo)。在某些情況下,例如 RTP 和光刻,閉環(huán)控制完全取決于系統(tǒng)具有非常好的物理模型。對于 CMP 等其他過程,物理模型必須與經(jīng)驗?zāi)P徒Y(jié)合或完全是經(jīng)驗?zāi)P汀K玫亩嘧兞靠刂破骺梢允窃磺梆伔答伝蛑鸫芜\(yùn)行控制器,或其組合。本文中介紹的三個案例研究(RTP、CMP 和光刻)代表了先進(jìn)控制在半導(dǎo)體行業(yè)的前沿應(yīng)用。對于 CMP 等其他過程,物理模型必須與經(jīng)驗?zāi)P徒Y(jié)合或完全是經(jīng)驗?zāi)P?。所得的多變量控制器可以是原位前饋反饋或逐次運(yùn)行控制器,或其組合。本文中介紹的三個案例研究(RTP、CMP 和光刻)代表了先進(jìn)控制在半導(dǎo)體行業(yè)的前沿應(yīng)用。對于 CMP 等其他過程,物理模型必須與經(jīng)驗?zāi)P徒Y(jié)合或完全是經(jīng)驗?zāi)P?。所得的多變量控制器可以是原位前饋反饋或逐次運(yùn)行控制器,或其組合。本文中介紹的三個案例...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料        硅基電子元件的開發(fā)與生產(chǎn)要求材料在所有階段的化學(xué)表征,從原材料,最后是成品。分析工作包括測定兩者的體積濃度和空間分布雜質(zhì)和攙雜劑的厚度和成分的測定沉積在硅等上的薄膜?,F(xiàn)代要求的高可靠性半導(dǎo)體產(chǎn)品需要廣泛的控制程序。經(jīng)常必須測定極低濃度的雜質(zhì)。因此低檢測限和污染自由度是該標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵要求分析工作。需要和使用許多不同的分析技術(shù)。在這幾種核分析技術(shù)是很重要的。中子(NAA),帶電粒子活化分析(CPA)、核反應(yīng)分析(NRA)、瞬變伽馬活化分析(PGAA)和盧瑟福后向散射光譜學(xué)(RBS)是最常用的方法。所涉及的分析問題是困難的和質(zhì)量要求高。常是非核的定量校準(zhǔn)技術(shù)是很困難的。很少,如果有的話,參考資料是公正的分析方法的準(zhǔn)確性存在控制。該局與國家標(biāo)準(zhǔn)局合作召開了會議這次顧問會議的目的如下。1. 概述分析化學(xué)的要求電子工業(yè)和所使用的分析技術(shù)。2. 探討核分析技術(shù)在這一領(lǐng)域的作用。3.討論國際組織質(zhì)量控制的必要性所用的分析方法。該報告包含三個報告討論分析的必要性硅電子化學(xué),分析技術(shù)的應(yīng)用和分析標(biāo)準(zhǔn),并對質(zhì)量需求的討論進(jìn)行總結(jié)報告控制。對分析化學(xué)的需求硅電子科技。摘要        對原材料質(zhì)量控制的分析和缺陷特性的廣泛需求討論了硅器件制造的材料、工藝和環(huán)...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料摘要在這項研究中,干膜光刻膠使用 UV 光刻進(jìn)行圖案化,并優(yōu)化側(cè)壁輪廓以實現(xiàn)垂直側(cè)壁。干膜的側(cè)壁垂直度對于更好的圖案轉(zhuǎn)移非常重要。部分因子設(shè)計 (FFD) 方法用于確定側(cè)壁優(yōu)化的重要變量。重要的因素是曝光能量。其他因素在改善側(cè)壁垂直度方面不顯著。側(cè)壁角度范圍從 64 ± 5° 到 86 ± 5°。發(fā)現(xiàn)側(cè)壁斜率隨著曝光能量的降低而增加。光刻圖案化干膜的反應(yīng)離子蝕刻(RIE)在干膜掩模的制造中是必要的。使用 Ar 等離子體和 CF4-O2 等離子體進(jìn)行具有優(yōu)化側(cè)壁的干膜 RIE。全因子實驗設(shè)計用于確定影響過程的關(guān)鍵因素。氧氣流速和射頻功率是使用 CF4-O2 等離子體的干膜 RIE 的重要變量。蝕刻速率范圍從 ~150 nm/min 到 ~5000 nm/min。蝕刻速率隨著射頻功率和氧氣流速的增加而增加。發(fā)現(xiàn) RF 功率和時間對 Ar 等離子體很重要。制造的具有幾乎垂直側(cè)壁的干膜模具用于電鍍銅和 Ti 剝離應(yīng)用。使用部分因子設(shè)計優(yōu)化電鍍工藝。正如預(yù)期的那樣,發(fā)現(xiàn)電流密度和電鍍時間很重要。與較高的電流密度相比,較低的電流密度導(dǎo)致更光滑、細(xì)粒度的沉積物。然而,鍍液pH值對干膜的影響還有待研究。具有增加側(cè)壁斜率的干膜模具在電鍍銅和 Ti 剝離方面表現(xiàn)出更好的圖案轉(zhuǎn)移。 介紹光刻膠光刻膠是一種用于微電子行業(yè)的...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料介紹晶圓表面污染,尤其是顆粒污染物,自半導(dǎo)體行業(yè)誕生以來一直是主要問題之一。完全加工的硅晶片的良率與晶片的缺陷密度成反比。降低缺陷密度的一種方法是使用有效的清潔技術(shù)來有效去除顆粒污染物。由于顆粒和基板之間的強(qiáng)靜電力,小顆粒特別難以從晶片上去除。因此,迫切需要找到一種有效的方法來有效地去除晶片上的顆粒,并且不會損壞晶片。現(xiàn)代晶圓制造設(shè)施使用嚴(yán)格的污染控制協(xié)議,包括使用潔凈室防護(hù)服、乳膠手套和高度凈化的通風(fēng)系統(tǒng)。結(jié)合這些協(xié)議,現(xiàn)代制造設(shè)施使用各種清潔晶片的方法,通常涉及加壓水噴射擦洗、旋轉(zhuǎn)晶片洗滌器、濕化學(xué)浴和沖洗以及類似系統(tǒng)。然而,這些工藝容易損壞晶片。此外,化學(xué)過程具有與使用化學(xué)品相關(guān)的固有危險,例如硫酸、氫氧化銨和異丙醇。......結(jié)論      已經(jīng)提出了一種使用超聲波頻率范圍內(nèi)的聲能清潔硅晶片的新穎而有效的技術(shù)。這種新方法已經(jīng)證明,可以使用超聲波能量從裸硅晶片表面有效去除各種尺寸的顆粒。   略 本文簡述了半導(dǎo)體晶圓,污染物顆粒,造型等問題 文章全部詳情,請加華林科納V了解:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 11
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一、主要生產(chǎn)設(shè)備 二、工藝流程簡述 晶體、合成莫桑寶石生產(chǎn)工藝流程1、粉料研磨:本項目外購的硅粉有的時候粒徑較大,為了后續(xù)合成,需利用粉料研磨機(jī)將其進(jìn)行研磨。整個研磨過程全部在密閉倉內(nèi)進(jìn)行。由于需要研磨的硅粉一般粒徑均較大,因此研磨投料過程中無粉塵產(chǎn)生。研磨好后的細(xì)硅粉由密閉輸送管道送至塑料包裝袋內(nèi)儲存?zhèn)溆?,在物料輸送至塑料包裝袋的過程中可能會有少量硅粉散逸。全部為無組織排放。2、粉料合成:將研磨好的粉料裝入 SIC 粉料合成爐配套的石墨堆塌內(nèi)(每次可投加物料約1公斤),蓋好蓋,然后將爐內(nèi)抽真空至0.5*10-3pa,同時為了進(jìn)一步防止粉料合成過程中碳粉被氧化,還需通入氧氣進(jìn)行保護(hù)。SIC粉料合成爐加熱溫度約為2000℃,采用電加熱,加熱時間約20個小時。經(jīng)粉料合成后的碳粉和硅粉就基本已經(jīng)成為碳化硅小晶體了,只是晶體粒徑較小,完全不能滿足客戶的需求,還需將小的晶體進(jìn)一步生長使其成為一塊大的碳化硅晶體。該工序污染物主要為粉狀物料在使用過程中散逸的少量粉塵。3、晶體生長:品體生長的方法是在高溫和真空條件下,在石墨堆塌中心放入一顆很小的籽晶作為種子,然后在籽晶周圍放入粉料合成爐合成的小的碳化硅品體。在這種環(huán)境下,小的碳化硅晶體會不斷生長變大,從而形成成塊的碳化硅品體,尺寸約為2英寸、三英寸,厚20mm左右的圓柱體。品體生長所需溫度約為2200度,加熱采用電加熱,真空度...
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 13
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一、主要生產(chǎn)設(shè)備 二、工藝流程簡述: PVD真空鍍膜生產(chǎn)工藝流程圖1.五金配件:項目中的五金配件均為客戶提供的已檢驗合格的產(chǎn)品,在廠區(qū)內(nèi)進(jìn)行表面鍍膜后加工,不產(chǎn)生生產(chǎn)廢料。2.人工擦拭:項目的人工擦拭工序為用于擦拭五金配件中的污潰,污漬可直接用手套擦拭,此環(huán)節(jié)產(chǎn)生的污染物主要為廢手套。3.烘烤:項目的烘烤工序所使用的烤箱,工作溫度約為200℃,以電為能源,管狀的五金配件中空心的地方由于工人操作失誤,沾染廢機(jī)油后,進(jìn)入烤箱烘烤將廢機(jī)油烤干,干凈的五金配件無需進(jìn)行烘烤,為防止烘箱的溫度太高,需對其進(jìn)行冷卻,項目采用水冷,冷卻水循環(huán)使用,不外排。5.真空鍍膜:項目的真空鍍膜工序是指在真空環(huán)境中利用粒子轟擊靶材(鈦塊)產(chǎn)生的濺射效應(yīng),使得靶材原子或分子從固體表面射出,在基片上沉積形成薄膜的過程。在真空設(shè)備中(立式真空爐)通入惰性氣體(氯氣、氮?dú)猓?在兩極加上一定電壓使其電離產(chǎn)生等離子體,靶材表面加上一定的負(fù)偏壓,使得等離子體中的正離子飛速向靶材表面運(yùn)動,撞擊靶材表面使其產(chǎn)生濺射效應(yīng)產(chǎn)生靶原子,靶材原子在真空室中自由運(yùn)動,于工件表面沉積,從而形成薄膜。鍍膜過程在密閉真空設(shè)備內(nèi)進(jìn)行,鍍膜過程中無氣體排放,在下次鍍膜之前對濺射腔內(nèi)沉積靶材進(jìn)行清理,清理的靶材回收利用。鍍膜結(jié)束后,用對設(shè)備進(jìn)行降溫,此時電源關(guān)閉,靶材不再被蒸發(fā)產(chǎn)生金屬原子。在下次鍍膜之前對濺射腔內(nèi)沉積靶材進(jìn)行清...
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