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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數;?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要       MEMS已被認為是最有前途的技術之一。在21世紀,它具有革命性的工業(yè)和結合以硅為基礎的微電子產品微加工技術。 它的技術和微系統(tǒng)電子設備有可能極大地影響我們的生活。本文介紹了微機電系統(tǒng)領域的概況,重點介紹其商業(yè)應用和器件制造方法。它還描述了MEMS傳感器和執(zhí)行器的范圍可被MEMS器件感知或作用的現象 概述了該行業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn)。   介紹         本報告涉及微電子機械系統(tǒng)或MEMS的新興領域。MEMS是一種用于制造微型集成設備或系統(tǒng)的工藝技術機械及電子元件。 它們是用集成電路(IC)批量制造的加工技術,大小從幾微米到幾毫米不等。 這些設備(或系統(tǒng))具有在微尺度上感知、控制和驅動的能力。在宏觀尺度上產生影響,MEMS的跨學科性質利用了設計、工程和制造具有集成電路等廣泛的技術領域的專業(yè)知識制造技術、機械工程、材料科學、電氣工程、 化學和化學工程,以及流體工程,光學,儀器儀表和包裝。 MEMS的復雜性也體現在廣泛的市場和集成MEMS設備的應用程序。 MEMS可以在各種系統(tǒng)中找到汽車、醫(yī)療、電子、通信和國防應用。 當前MEMS 設備包括用于安全氣囊傳感器的加速度計...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 19
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料   1.  目的和應用  緩沖氧化物蝕刻(BOE)或僅僅氫氟酸用于蝕刻二氧化硅在硅上晶片。 緩沖氧化蝕刻是氫氟酸和氟化銨的混合物。含氟化銨的蝕刻使硅表面具有原子平滑的表面高頻。 由于這一過程中所涉及的酸具有很高的健康風險,建議用戶使用在執(zhí)行工藝之前,請仔細閱讀材料安全數據表。   BOE / HF的三個主要用途是:  1)去除硅表面懸浮微結構的犧牲氧化層晶片。  2)去除圖案硅片上多余的二氧化硅。  3)去除硅片上的原生寄生二氧化硅 4) 40%的HF用于快速去除氧化物。  5) BOE對氧化物的去除速度較慢,但可以延長光刻膠掩模的壽命。 腐蝕速率通常為30 - 80 nm/min。  6)稀釋HF蝕刻——比如5% HF——用于在大約30秒內去除天然氧化物。  BOE過程基于絡合反應:  SiO2 + 6 HF à H2SiF6 + 2h2o其中H2SiF6溶于水。該反應是在稀HF溶液中進行的,用NH4F緩沖,以避免耗盡氟離子。 也有報道說,這也減少了光抗蝕劑的攻擊氫氟酸。熱生長的SiO2和沉積的SiO2都可以在緩沖氫氟酸中蝕刻或直接蝕刻氫氟酸。&...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 19
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料       光刻是在掩模中轉移幾何形狀圖案的過程,是覆蓋在表面的一層薄薄的輻射敏感材料(稱為抗輻射劑) ,也是一種半導體晶片。 圖5.1簡要說明了光刻用于集成電路制造的工藝。 如圖5.1(b)所示,輻射為通過口罩的透明部分傳播,使其暴露光刻膠不溶于顯影劑溶液,從而使之直接將掩模圖案轉移到晶圓上。 在定義模式之后,需要采用蝕刻工藝選擇性地去除屏蔽部分基本層。光刻曝光的性能由三個參數決定: 分辨率、注冊和吞吐量。 分辨率定義:半導體晶圓上的薄膜。 注冊是衡量其準確性的一個指標連續(xù)掩模上的模式可以對齊或疊加在同一晶圓片上先前定義的圖案。 吞吐量是數量每小時可以暴露在給定掩模水平下的晶圓。 潔凈室  集成電路制造設備需要一個潔凈室,特別是在光刻領域,沉積在半導體晶圓和光刻掩模上的灰塵顆??赡茉斐稍O備缺陷。 如圖5.2所示,空氣中的顆粒附著在掩模表面的圖案可以是不透明的隨后轉移到電路模式,從而導致不好的后果。 例如,圖5.2中的粒子1可能導致底層有一個針孔 粒子2可能引起的收縮電流在金屬流道中流動,而粒子3可能導致短路從而使電路失效。   光學平板刻法    ...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 18
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料  摘要 使用具有極強腐蝕性的化學物質去除納米顆粒表面晶圓,導致襯底損耗。 這間接導致了megasonics的使用,提供聲學汽蝕去除小顆粒。 超音波確實會產生氣泡空化對晶片結構施加機械力,產生劇烈的空化現象,如過渡空化或微空化噴射會破壞圖案結構。 本文提出了一種新的超音波技術該技術穩(wěn)定地控制了氣泡空化現象,且在泡孔處無模式破壞不同的模式。 結果表明,該工藝具有較好的顆粒性能行業(yè)標準的雙流體噴嘴清洗技術。 這個及時通電的氣泡振蕩模式提供穩(wěn)定的空化與寬的動力窗口。 它不同于傳統(tǒng)的megasonic當氣泡內爆時,會產生過境空化和破壞。 這個新的megasonic該技術可用于清潔28nm及以下的“敏感”結構而不產生任何圖案損害。  關鍵詞:無損傷清洗,穩(wěn)定無劇烈空化,顆粒去除,超音波 技術,單片清洗 介紹  隨著特征尺寸的縮小和電路結構的密度的增加,“致命缺陷”的導致芯片在成品率測試中失敗的最小缺陷尺寸降低。 這就更難了從較小、密度較大的芯片上去除隨機缺陷,特別是當缺陷尺寸小于晶圓表面所謂“邊界層”的尺寸和清洗效率降至接近零。 使用超音波清洗可以減少對小顆粒的作用力邊界層的厚度。 超音波清洗主要是去除小顆粒...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 18
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料  批次SPM清洗不符合當前的清潔規(guī)范,以及單晶片清洗替代方案對環(huán)境造成嚴重破壞。 為了解決這個難題,ACM開發(fā)了Ultra-C作為植入后、cmp后和蝕刻后清潔的環(huán)保選擇。 收集的數據演示了Ultra-C Tahoe如何滿足28nm的要求,同時節(jié)省超過80%的SPM。 摘要  批處理SPM系統(tǒng)不滿足當前28nm以下的清潔規(guī)范/要求。 單晶圓SPM系統(tǒng)在滿足清洗要求的同時,使用大量的化學物質進行排水規(guī)格低于28 nm。 本文介紹了間歇式SPM系統(tǒng)的使用情況,并對SPM系統(tǒng)的性能進行了分析單一晶圓在集成系統(tǒng),結果滿足技術規(guī)格和使用少于80%的SPM化學成分用于單晶圓系統(tǒng)。數據收集結果表明,該系統(tǒng)符合規(guī)范要求。介紹  采用干法和濕法相結合的方法,開發(fā)了傳統(tǒng)的有機光刻膠帶材工藝治療方法。 然而,以反應性等離子體灰化為基礎的干燥處理已經出現問題,如等離子體誘導的損傷,抗爆裂,不完全的抗移除,副產品再次沉積,后續(xù)需要濕條/清潔。 為了避免等離子問題,濕剝離基于酸性化學反應的工藝,如硫酸和過氧化氫(SPM在80℃-150℃)在。目前的SPM純濕法工藝無法達到所需的清潔性能由于晶圓上的高顆粒和缺陷,使得SPM是單一的硅片加工是唯一的解決方案。 ...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 18
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料介紹晶圓的表面污染,特別是顆粒污染物,已經被污染半導體行業(yè)自誕生以來的主要問題之一。全加工硅片的成品率與缺陷密度成反比晶片。 降低缺陷密度的一種方法是使用有效的清潔技術有效去除顆粒污染物。 小顆粒尤其困難由于晶圓之間的強靜電力而從晶圓上除去 粒子和襯底。 因此,必須找到一種有效的方法有效去除晶圓上的顆粒,且不損壞晶圓?,F代晶圓制造設施使用嚴格的污染控制協(xié)議,包括使用潔凈室套裝、乳膠手套和高度凈化通風 系統(tǒng)。 結合這些協(xié)議,現代制造設施使用清洗晶片的各種方法,通常包括高壓水射流擦洗,  旋轉硅片洗滌器,濕化學浴和漂洗器,以及類似的系統(tǒng)。 然而,這些過程容易損壞晶圓片。 此外, 化學過程具有與使用化學品相關的固有危險,如硫酸、氫氧化銨和異丙醇超聲波清洗涉及多種復雜的機理,包括空化,機械振動等,取決于清洗時是否使用液體過程或不是。 典型的超聲源是一個在A處振蕩的平面單頻,產生縱波。 振動能量傳輸隨后在流體中傳播  在本文中,我們提出了一種有效的清潔裸硅片的方法借助低成本換能器產生的超聲波能量。 這項工作是基于一項專利(美國專利# 6,766,813),描述了一種清洗晶圓的方法該方法  本品中使用的真空吸盤可以并入一個改良的真空吸盤中聲波發(fā)射器。...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 18
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要雖然聽起來可能不像極紫外 (EUV) 光刻那么吸引人,但濕晶圓清洗技術可能比 EUV 更重要,以確保成功的前沿節(jié)點、先進的半導體器件制造。這是因為器件可靠性和最終產品良率都與晶圓在經過數百個圖案化、蝕刻、沉積和互連工藝步驟時的清潔度直接相關。晶片上的單個顆粒就足以導致致命的缺陷或偏移,最終導致設備故障。當今最先進的節(jié)點設備用于關鍵應用,例如智能汽車、醫(yī)療保健和工業(yè)應用。因此,設備可靠性比以往任何時候都更加重要。這意味著對設備進行更嚴格的分類和裝箱,這會影響產量。不幸的是,許多傳統(tǒng)的晶圓清潔方法不僅不足以滿足先進的節(jié)點技術,而且還會損壞精細結構,如 finFET 和硅通孔。因此,選擇正確的濕式晶圓清洗技術不應作為事后的想法,而應作為穩(wěn)健制造工藝流程的一部分進行仔細考慮??紤]到這一點,讓我們看看濕晶圓清洗技術如何從一門藝術演變?yōu)橐婚T科學,以及濕晶圓清洗技術是如何專門針對先進技術節(jié)點的需求而開發(fā)的。有多少清潔步驟?45 納米節(jié)點技術需要大約 150-200 個獨立的清潔工藝步驟。10nm 節(jié)點處理使用了該數字的 3 倍,約 800 個清潔工藝步驟,包括:· 光刻膠條· 蝕刻后條· 種植體條· 一般晶圓清洗· 用于多重圖案化和 EUV 的背面清潔縮小技...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 18
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要        在半導體制造業(yè),大量(美國500億加侖)  超純水(UPW)是用來沖洗的晶片經過濕化學處理,去除表面的離子污染物。 偉大的關注的是污染物在狹窄的(幾十納米),高縱橫比(5:1到20:1)  特征(溝槽、通道和接觸孔)。 國際技術路線圖半導體(ITRS)規(guī)定離子污染水平要降到~以下 1010個原子/平方厘米。 了解漂洗過程中的瓶頸將使節(jié)約沖洗用水。在COMSOL平臺上開發(fā)了一個綜合的過程模型初步預測了帶圖案SiO2襯底上窄結構的漂洗動力學摘要選用清潔。 該模型考慮了各種質量輸送的影響機制,包括對流和擴散/擴散,同時發(fā)生具有各種表面現象,如雜質的吸附和解吸。體塊和表面帶電物種的影響,以及它們的感應電影響運輸和表面相互作用的領域,已經被處理。 建模結果表明,脫附率對漂洗效果有很大影響吸附污染物,污染物的傳質從特征口到體積液體,溝槽縱橫比。檢測沖洗終點是另一種節(jié)約用水的方法濕處理后漂洗。 電化學阻抗的適用性用光譜法(EIS)監(jiān)測含銅和不含銅HF處理的硅的漂洗情況探討了污染物。 在第一項研究中,影響表面狀態(tài)的性質(研究了硅帶、耗盡或積累對洗滌速率的影響。 實驗結果表明,硅的狀態(tài)直接影響漂洗動力學離子...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 18
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掃碼添加微信,獲取更多濕法相關資料摘要研究了在半導體制造中的濕清潔過程中使用酸和堿溶液從硅片表面去除顆粒。它有 實驗證明,堿性溶液優(yōu)于酸性溶液對顆粒去除效率的影響。探討了堿性溶液中顆粒的去除機理確認如下:解決方案蝕刻晶圓表面舉起粒子,然后粒子被電排斥從晶圓片表面。 這是通過實驗確定的需要0.25 nm/min或更多的刻蝕速率才能提升顆粒吸附在晶圓表面。 的腐蝕速率當混合比為0.05:1:5 (NH40H: H2O2: HzO)時,NH40H- hzoz - hz0溶液為0.3 nm/min。 這種混合比,晶圓片的表面光滑度保持在 最初的水平。 因此,可以將NH40H- hzoz - hz0溶液中NH40H的含量降低到常規(guī)溶液的1 /20的水平。另外,已經證實,當pH值  NH40H-Hz0z-Hz0溶液變高,聚苯乙烯乳液球體和天然有機粒子被它們氧化表面變成凝膠,形狀改變。 結果表明,顆粒去除效率降低通過氧化有機粒子。有機物的氧化 NH40HHzO2-Hz0溶液中NH40H含量高于0.1:1:s (pH大于9.1)時,顆粒顯著增加。這些實驗結果表明,混合比NH40H-HzO2-H20溶液應設為0.05:1:5。 這混合比例對保持兩種顆粒的去除是有效的硅片的效率和表面光潔度。   本文還講述了...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 18
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料介紹         提高成品率是集成電路制造中面臨的最大挑戰(zhàn)。  最初,過程集中在用一個屈服模(即一個模)生產晶圓片根據IC規(guī)范工作的。 一旦獲得產量穩(wěn)步增加。 成品率的限制因素通常是晶圓片污染 在工廠。 這在現在變得更加重要,因為設備的尺寸目前在nm范圍內。 潔凈室技術被設計成 減少這種污染。 圖1顯示了兩個粒子的例子晶片。 兩條金屬線之間的微粒會引起短路信號。 圖2顯示了引起的兩種類型缺陷的SEM圖像。   圖1:晶圓片表面(a)金屬線與(b)之間的缺陷         表面缺陷可以影響新層的生長,而缺陷之間金屬線會導致短路。 表面上的顆粒會引起誤差通過干擾掩模過程進行光刻。 作為設備維  收縮,這些缺陷顆粒的最小尺寸也會收縮。 ......        本文講述了污染物類型,潔凈室設計,晶圓片表面清潔等問題文章全部詳情,請加華林科納V了解:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
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