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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據(jù)實際情況或客戶要求設計)將設備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風通道內(nèi)設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調(diào)節(jié)風門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要幾乎所有的直接晶圓鍵合都是在化學機械拋光的基板之間或在拋光基板頂部的薄膜之間進行的。在晶圓鍵合中引入化學機械拋光將使大量材料適用于直接晶圓鍵合,這些材料在集成電路、集成光學、傳感器和執(zhí)行器以及微機電系統(tǒng)中已經(jīng)發(fā)現(xiàn)并將發(fā)現(xiàn)更多應用。介紹化學機械拋光 (CMP) 是一種經(jīng)常用于制造高質(zhì)量透鏡和反射鏡以及用于集成電路 (IC) 工藝的硅晶片制備的技術。自 1990 年代初以來,CMP 正成為現(xiàn)代亞微米 (0.35 |±m) 超大規(guī)模集成 (VLSI) 電路中層間電介質(zhì) (ILD) 平面化和/或金屬層平面化的關鍵工藝。DWB 中表面形態(tài)學的影響典型的 DWB 工藝包括三個步驟:晶圓清潔、室溫鍵合和退火。為了實現(xiàn)自發(fā)、無空隙的室溫鍵合,晶片表面應該平坦、干凈且極其光滑。 CMP的表面平滑度工藝                                CMP 與 DWB 的關系                        ...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 25
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要通過離子注入在二氧化硅犧牲層中產(chǎn)生損傷,以提高二氧化硅在液相和氣相氫氟酸中的蝕刻速率。在蒸汽氫氟酸 (VHF) 中,注入和未注入二氧化硅之間的蝕刻速率比大于 150。這個特征對于大大減少微機電系統(tǒng)錨的底蝕很有意義?;趯嶒炋崛〉奈醋⑷牒妥⑷攵趸璧奈g刻速率,可以通過模擬來預測犧牲層的圖案化。介紹制造微機電系統(tǒng) (MEMS) 的兩種主要方法是體微加工技術和表面微加工技術。在體微加工的情況下,可移動結構的制造是通過選擇性蝕刻掉結構層下方的處理基板來實現(xiàn)的,而在表面微加工中,一系列薄膜沉積和選擇性蝕刻堆疊的特定層(稱為犧牲層)導致最終所需的懸浮微結構。 圖1  (a) 釋放懸臂梁示意圖,(b) 在錨墊下方蝕刻。底部蝕刻的寬度是釋放光束寬度的一半,(c) 結構材料在預定犧牲層上的階梯覆蓋注入二氧化硅的 VHF 蝕刻    略       樣品制作    略文章全部詳情,請加華林科納V了解:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 25
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言      半導體技術必須持續(xù)發(fā)展,以増 加IC性能與功能,同時減小芯片尺 寸,降低耗電量與成本?,F(xiàn)在發(fā)展出具創(chuàng)新性、小尺寸、成本效益 之三維導線互連技術,可滿足以上需求。其中,技術由于采取三維互連方法, 可加速晶片堆疊技術上之應用,尤其在異質(zhì)元件整合上,具有重要地位。 封裝技術之演進      晶圓級封裝(WLP)與三維技術(3 D Technology)是兩種截然不同之技術, 絕不可相混淆。有許多三維工藝技術 被應用于晶圓級封裝,但不可歸類于晶圓級封裝。真正的電子封裝趨勢, 是由二維結構(2D Configuration)進展 到三維工藝技術(3D Process Technology),然后發(fā)展到三維集成電 路。系統(tǒng)級封裝    略發(fā)展三維整合技術   促使三維整合技術發(fā)展的首要驅(qū)動力,主要是尺寸的縮小,也就是使 封裝體盡量縮小到最小體積。然而, 使用并列封裝(Side by Side)、封裝體 與封裝體之間的堆疊(Stacked Packages)和晶片堆疊(Stacked Die)等方 案,其導線連接長度仍然太長。因?qū)?線連接長度太長,則會導致訊號傳輸 速度變慢,以及増加電力消耗。發(fā)展硅導孔 &...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 25
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要污染的控制在微電子組件制造過程中,這是一項不容忽視的關鍵問題。迄今半導體業(yè)界已投入許多心血,在減低制造環(huán)境中顆粒(Particle) 和殘留物(Residue)的數(shù)量,進而防止 缺陷(Defect)產(chǎn)生和提高良率(Yield)。 除了致力于防止工藝中之污染物入侵 到電子組件外,清洗工藝仍然持續(xù)占據(jù)整個微電子制造過程之很大成分。 典型污染物及其影響      先進構裝清洗工藝要去除之典型 污染物,包括:表面氧化物、有機膜、 離子性污染物、錫鉛助熔劑殘留物、 光阻層、以及一般殘留物與微粒等。氧化物、有機膜和離子性污 染物     略錫鉛助熔劑(Solder Flux)之殘 留物    略濕式清洗和蝕刻之化學機制      清洗工藝是指選擇性地 (Selectively)去除不需要的材料,并且 盡可能不要損害到電子組件本身的材 料。蝕刻也可考慮為清洗工藝的一 種,其目的在選擇性移除不需要材 料,以形成一種預期需要的圖案,或 者制造一個功能組件。晶圓級構裝之濕式清洗和蝕刻工藝  略結論      有關晶圓級構裝之濕式工藝和設 備,在本文中已針對:污染物種類、清 洗...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 25
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料氮化鈦硬膜和蝕刻殘留物去除公開了從 28/20nm 圖案晶片去除 PVD等的組合物、方法和系統(tǒng)。該組合物使用過氧化物作為氧化劑,在微堿性條件下去除 PVD,TiN 硬掩模。背景隨著尺寸越來越小,集成電路 (IC) 的可靠性越來越受到 IC 制造技術的關注。跟蹤互連故障機制對器件性能和可靠性的影響需要更多來自集成方案、互連材料和工藝。一種最佳的低 k 介電材料形成雙鑲嵌互連圖形需要其相關的沉積、圖形光刻、蝕刻和清洗?;ミB圖案晶圓制造的硬掩模方案方法是能夠以最嚴格的最佳尺寸控制將圖案轉移到底層。蝕刻工藝已經(jīng)開發(fā)出組合物來從基板拉回或去除這些類型的金屬硬掩模。以下專利具有代表性    略詳細說明隨后的詳細描述僅提供優(yōu)選的示例性實施例,并不旨在限制本發(fā)明的范圍、適用性或配置。相反,優(yōu)選示例性實施例的隨后詳細描述將為本領域技術人員提供實現(xiàn)優(yōu)選示例性實施例的可行描述。 文章全部詳情,請加華林科納V了解:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 25
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料通過增強微觀蝕刻劑濃度均勻性和減少氫氣泡粘附來形成亞微米級基本無缺陷硅結構的方法。蝕刻劑混合物經(jīng)受超聲波的應用。超聲波促進在微觀水平上混合蝕刻劑混合物的空化,并且還有助于促進氣泡脫離。將潤濕劑添加到蝕刻劑混合物中以增強硅表面的親水性,從而減少氣泡粘附。還公開了執(zhí)行形成硅結構的方法的裝置。  隨著對更小硅器件的需求不斷增加,并且分辨率持續(xù)低于亞微米水平,對均勻和精確的微加工的需求也在增加。半導體器件和掃描探針顯微鏡中使用的微器件和微結構需要光滑的 2Q 表面和亞微米級的精確蝕刻。此外,在微器件的形成過程中,需要無缺陷的表面將微加工零件粘合在一起。發(fā)明內(nèi)容這是一種在通過使含有潤濕劑的濕蝕刻溶液經(jīng)受超聲波來蝕刻硅微結構時提高蝕刻均勻性和圖案清晰度的方法。潤濕劑使氣泡粘附最小化,而超聲波用于在微觀水平上混合溶液,以提高濃度的均勻性,并從待蝕刻的表面去除氣泡。還提供了一種進行超聲波輔助濕蝕刻的裝置。本方法的優(yōu)點和特征將從以下詳細說明和圖示本發(fā)明優(yōu)選實施例的附圖中變得明顯。 文章全部詳情,請加華林科納V了解:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 25
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要        提出了一個完整的FinFET蝕刻模塊的工藝流程,作為實驗,以確保目標薄膜以適當?shù)乃俣染鶆虻匚g刻。 提出的工藝流程是在RIT開發(fā)的,旨在緊密復制了半導體行業(yè)使用的自對齊雙模式 (SADP)過程模塊,同時推進了RIT目前的潔凈室設施能力。 圖形蝕刻研究的動機         圖1.1:兩種類型的MOSFET:平面FET(a)和FinFET(b)   圖形蝕刻研究的動機 圖1.2:通過SADP簡化FinFET的形成光刻、等離子體沉積與蝕刻理論        半導體技術是由生產(chǎn)更小的功能驅(qū)動的。 減小源波長是獲得更小特征的最簡單的方法。  文章全部詳情,請加華林科納V了解:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 25
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      提供了一種用于半導體晶片清潔操作的系統(tǒng)。清潔系統(tǒng)具有頂蓋和底蓋。頂蓋密封在晶片的頂面接觸環(huán)上,底蓋密封在晶片的底面接觸環(huán)上。晶片保持在頂蓋和底蓋之間。邊緣清潔輥用于清潔晶片的邊緣。驅(qū)動輥被配置為旋轉晶片、頂蓋和底蓋。邊緣清潔輥以第一速度旋轉,驅(qū)動輥以第二速度旋轉,以便于邊緣清潔輥對晶片的邊緣清潔。  邊緣排除         眾所周知,在半導體芯片制造過程中,需要清潔晶片,其中已經(jīng)執(zhí)行了在晶片的表面、邊緣、斜面和凹口上留下不需要的殘留物的制造操作。這種制造操作的示例包括等離子蝕刻(例如,鎢回蝕(WEB))和化學機械拋光(CMP)。在 CMP 中,晶片被放置在支架中,支架將晶片表面推向滾動傳送帶。該傳送帶使用由化學品和研磨材料組成的漿料進行拋光。不幸的是,這個過程往往會在晶片的表面、邊緣、斜面和凹口處留下漿液顆粒和殘留物的堆積。如果留在晶圓上進行后續(xù)制造操作,多余的殘留材料和顆??赡軙е?,其中包括晶圓表面劃痕等缺陷以及金屬化特征之間的不適當相互作用。在某些情況下,此類缺陷可能會導致晶片上的器件無法運行。為了避免丟棄具有無法操作的裝置的晶片的過度成本,因此有必要在留下不需要的殘留物的制造操作之后充分而有效地清潔晶片。文章全部...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 25
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要  本文提出了一種新的室溫濕化學數(shù)字蝕刻砷化鎵技術,該技術采用雙氧水和酸兩步蝕刻工藝, 第二步用一種不攻擊未氧化砷化鎵的酸除去氧化層。 這些步驟依次重復,直到得到所需的蝕刻深度。介紹  現(xiàn)代生長技術如分子束和金屬有機化學氣相沉積已經(jīng)證明了以原子層精度、可控物質(zhì)摩爾分數(shù)和精確摻雜濃度來生長半導體能力。 這種可控性使得材料結構的生長具有最佳的器件性能,這是由器件理論和建模決定的。 因為數(shù)字蝕刻技術去掉了材料中的幾個原子層 ,這是一種可控的方式,可以為制造最佳器件提供蝕刻所需的材料。 一般來說,數(shù)字蝕刻技術由兩步化學過程組成去除固定厚度的材料。  標準的111-V半導體濕化學蝕刻  通過氧化半導體表面和蝕刻產(chǎn)生氧化。由氧化暈劑和絡合(氧化蝕刻)劑組成的液體混合物中的半導體。 因此,氧化和蝕刻同時發(fā)生反映,導致蝕刻深度取決于半導體暴露在蝕刻劑中的時間。  數(shù)字腐蝕實驗  介紹了幾種濕法化學數(shù)字蝕刻技術試圖確定一個能提供一致和可再生的效果是 蝕刻的一個重要步驟。 數(shù)字蝕刻實驗結果   略 文章全部詳情,請加華林科納V了解:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 25
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要在過去的30年里,基于硅的電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。 然而,在過去的幾年里,改進的速度已經(jīng)放緩,因為硅功率MOSFET已經(jīng)逐漸接近它的理論界限。 在硅襯底上生長的氮化鎵可以在電力管理市場的很大一部分取代硅。  介紹 這些大多數(shù)載波設備比它們的少數(shù)載波同行更快,更堅固,有更高的電流增益。 因此,開關電源轉換成為商業(yè)現(xiàn)實。 早期臺式電腦的AC/DC開關電源是功率的最早批量消費者,其次是變速電機驅(qū)動器、熒光燈或DC/DC轉換器。 多年來,幾家制造商已經(jīng)開發(fā)了許多代功率mosfet。 仍有改進之處。 例如,超結器件和igbt已經(jīng)實現(xiàn)了電導率的提高,超過了簡單垂直多數(shù)載流子MOSFET的理論極限。 這些創(chuàng)新可能還會持續(xù)相當長的一段時間,并且肯定能夠利用功率MOSFET的低成本結構和受過良好教育的設計師基礎。GaN在電力電子領域的開端  圖1:硅上的GaN器件有一個非常簡單的結構,類似于橫向DMOS,可以在標準CMOS鑄造廠進行處理  功率半導體 圖2:硅器件和氮化鎵器件在200V額定電壓下的尺寸比較  氮化鎵功率晶體管的新功能    圖3:Buck變換器效率vs電...
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