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推薦產品 / 產品中心
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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藍寶石窗口片研磨拋光階段的工藝流程為:粗磨(一致化)--精磨(平坦化)--拋光(鏡面化)。其中,粗磨和精磨階段都是采取磨料沖擊破碎藍寶石表面的方式進行,為純物理作用,拋光一般采用堿性二氧化硅溶膠,一邊對藍寶石表面進行輕微腐蝕,一邊通過拋光墊掃除的方式達到鏡面效果,為CMP拋光,即化學物理拋光法。由以上流程可知,藍寶石拋光是一個腐蝕—掃除的過程,其中,腐蝕的厚度僅僅達到埃米級。藍寶石拋光完結應該是鏡片的所有部分都達到鏡面效果。在日常加工中,經常碰到藍寶石拋光異常加長的現(xiàn)象,時間太長的表象為以下幾點:1、 長方形特別是長條形的四個角拋不透;2、 表面有坑點;3、 橘皮水紋等缺陷;4、 表面發(fā)蒙,霧化。以上現(xiàn)象,除第三點外,基本都由前道研磨所產生。誠如前文所述,拋光是逐漸腐蝕的過程,而腐蝕的深度非常細微,藍寶石拋光時間長,無非就是腐蝕還沒達致全局,要想達致全局,只能延長拋光時間。那么造成腐蝕難以短時間達致全局的原因是什么呢?毫無疑問是研磨過后的鏡片的平坦度問題造成的。我們來逐步分析以上幾種現(xiàn)象。1、 角不透。雙面研磨是通過行星輪固定鏡片并隨著行星輪的運轉方式在研磨機的研磨盤上運動,通過研磨盤對研磨砂的帶動來進行沖擊破碎表面,達到研磨目的。但是長方形特別是長條形的鏡片在行星輪里是位置相對固定,無法自轉,即使產生表面不平整,也無法像圓片一樣通...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06
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一、引言(學習藍寶石襯底的用意及用處)近二十年來,氮化鎵基發(fā)光二極管取得了飛躍式發(fā)展,并實現(xiàn)了大規(guī)模的產業(yè)化生產。氮化鎵基發(fā)光二極管由于其高效、節(jié)能、環(huán)保等優(yōu)越性能,將取代現(xiàn)有的白熾燈、熒光燈、鹵化燈等而成為主流的固態(tài)照明工具。然而,同質外延生長所需的高質量GaN襯底的價格昂貴且遠不能滿足大規(guī)模生產的需求?,F(xiàn)有的外延襯底大部分仍是藍寶石,由于藍寶石與GaN材料存在晶各失配和熱失陪等缺點,這阻礙了GaN晶體質量的提高,從而導致了GaN的發(fā)光器件性能的進一步提高。大量研究表明,圖形化藍寶石襯底有利于降低晶體的位錯密度和應力釋放,從而大大改善GaN晶體的質量和GaN的發(fā)光器件性能。二、藍寶石襯底的常規(guī)清洗方法在正常的室溫下,有機溶劑超聲清洗,以及加熱條件下,丙酮浸泡。實施本發(fā)明的藍寶石襯底清洗方法,取消了傳統(tǒng)清洗方法中使用的三氯乙烯試劑,減少了環(huán)境污染,避免人員中毒,在清洗過程中,使用超聲波和加熱清洗,可節(jié)省清洗時間,提高清洗效率和質量。工藝簡單、操作方便,滿足環(huán)保要求。然而,使用超聲波清洗機清洗藍寶石襯底,是利用了超聲波在液體中的空化作用、加速度作用及直進流作用對液體和污物直接、間接的作用,使污物層被分散、乳化、剝離而達到清洗目的。三、藍寶石襯底清洗用超聲波設備類型中的光學超聲波清洗機深圳威固特VGT-1403FH為光學超聲波清洗機,設備共有14個功能槽,配置有循環(huán)過濾系統(tǒng)、有機溶劑蒸...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06
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1、表面清洗2、初次氧化3、CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層Si3N4 (Hot CVD 或LPCVD) 。(1)常壓CVD (Normal Pressure CVD) (2)低壓CVD (Low Pressure CVD) (3)熱CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) (4)電漿增強CVD (Plasma Enhanced CVD) (5)MOCVD (Metal Organic   CVD) & 分子磊晶成長(Molecular Beam Epitaxy) (6)外延生長法 (LPE) 4、涂敷光刻膠 (1)光刻膠的涂敷 (2)預烘(pre bake) (3)曝光(4)顯影(5)后烘(post bake) (6)腐蝕(etching) (7)光刻膠的去除5、此處用干法氧化法將氮化硅去除6 、...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06
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一、單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅,然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒,則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。       單晶硅棒是生產單晶硅片的原材料,隨著國內和國際市場對單晶硅片需求量的快速增加,單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。   單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直徑越大的圓片,所能刻制的集成電路越多,芯片的成本也就越 低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。單晶硅按晶體生長方法的不同,分為直拉法(CZ)、區(qū)熔法(FZ)和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長單晶硅棒材, 外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區(qū)熔法單晶主要 用于高壓大功率可控整流器件領域,廣泛用于大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電一體化、節(jié)能燈、電視機等系列產品。目前晶體直徑可控制在Φ3~6英 寸。外延片主要用于集成電路領域。   由于成本和性能的原因,直拉法(CZ)單晶硅材料應用最廣。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲器電路通常使用CZ拋光片,因成...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06
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簡介硅片的準備過程從硅單晶棒開始,到清潔的拋光片結束,以能夠在絕好的環(huán)境中使用。期間,從一單晶硅棒到加工成數(shù)片能滿足特殊要求的硅片要經過很多流程和清洗步驟。除了有許多工藝步驟之外,整個過程幾乎都要在無塵的環(huán)境中進行。硅片的加工從一相對較臟的環(huán)境開始,最終在10級凈空房內完成。工藝過程綜述硅片加工過程包括許多步驟。所有的步驟概括為三個主要種類:能修正物理性能如尺寸、形狀、平整度、或一些體材料的性能;能減少不期望的表面損傷的數(shù)量;或能消除表面沾污和顆粒。硅片加工的主要的步驟如表1.1的典型流程所示。工藝步驟的順序是很重要的,因為這些步驟的決定能使硅片受到盡可能少的損傷并且可以減少硅片的沾污。在以下的章節(jié)中,每一步驟都會得到詳細介紹。硅片加工過程步驟1.       切片2.       激光標識3.       倒角4.       磨片5.       腐蝕6.       背損傷7.    ...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06
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1. 引言目前半導體IC產業(yè)進入大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路時代,集成電路的特征向著納米尺寸發(fā)展,這就要求集成電路用表面質量越來越高的單晶硅片或者外延硅片,表面如有加工過程的機械損傷等,會造成外延表面的缺陷或者層錯,這也會給后續(xù)器件加工帶來良率損失。根據目前硅片加工技術看,拋光襯底或者外延襯底表面粗糙度基本在納米級別,微電子技術從微米級進入到納米級,甚至到14或者7 nm級別,對硅片表面的微粗糙度或者顆粒的特征粒徑尺寸要求越來越小 ,150 mm或者200 mm重摻單晶生長外延后,需要嚴格管控表面顆粒和缺陷水平,如果顆粒過多,會造成外延缺陷,影響產品成品率和表層質量,一般要求硅片顆粒小于特征線寬的三分之一。通常情況下,由于襯底原因或者外延原因造成的外延層霧狀缺陷,通過清洗的方式是去除不掉的,所以一般會考慮襯底或者外延工藝改進。有些學者也利用原子力顯微鏡進行微觀分析霧狀微觀形態(tài),霧狀區(qū)域起伏較大 。對于影響外延片表面顆粒質量的,我們需要從襯底片表面和外延反應機理進行探討,襯底表面粗糙度增大,會嚴重影響外延片的表面質量 ,同時外延工藝中合適氣體的選擇使用也會進一步提高外延片表面的質量。 本文發(fā)現(xiàn)部分拋光硅片在外延后出現(xiàn)0.12 um顆粒聚集分布現(xiàn)象,外延爐同爐其他批次外延后均未發(fā)現(xiàn)有類似現(xiàn)象。為解決此類問題,我們對拋光片襯底微粗糙度進行分析,并外延驗證。 2. 實驗部分...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06
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高純多晶硅是電子工業(yè)和太陽能光伏產業(yè)的基礎原料,在未來的50年里,還不可能有其他材料能夠替代硅材料而成為電子和光伏產業(yè)主要原材料。近年來,全球太陽能電池產量快速增加,直接拉動了多晶硅需求的迅猛增長。多晶硅市場需求經歷了由“半導體產業(yè)主導”向“光伏產業(yè)主導”的轉變。光伏行業(yè)很快出現(xiàn)高速發(fā)展的局面,硅材料生產過程中必需的清洗設備的市場需求仍然非常大。這些設備分別用于半導體材料行業(yè)中多晶硅塊料、棒料和硅芯的清洗。我公司結合多年電子行業(yè)清洗機制造經驗,針對該工藝的生產特點,開發(fā)出針對以上產品的專用全自動清洗設備,并已在多家硅材料生產廠家得以成功應用。1、工藝研究在多晶硅生產過程中,清洗的作用是在盡量減小材料損失的前提下,有效去除晶片表面的有機物、顆粒、金屬雜質、自然氧化層及石英器Ⅲ的污染物。采用酸液剝離表面沾污層,再通過純水進行沖洗的方法達到洗凈效果。在規(guī)模生產中,一般采用HF+HNO3,作為腐蝕液與硅材料發(fā)生化學反應。為了降低剝離層厚度,對于反應溫度、時間的控制非常關鍵。對于塊狀料,由于其形狀不規(guī)則且處理過程互相堆疊,增加了清洗及干燥的難度,我們在經過多次試驗后發(fā)現(xiàn):對腐蝕槽溶液降溫能有效控制反應速度、降低材料損失并可以獲得更好的表面質量。通過QDR、階梯溢流、加熱超聲的依次水洗,可以將殘留酸液去除。熱氮吹掃去除水滴,真空加熱干燥對于堆疊工件(塊狀料)的干燥效果良好。2、結構設計基于上述...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06
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本文主要介紹在鍍膜以前,快速清洗各種形狀和尺寸的單個基片的方法。對表面的清洗基本上可以分成清洗和干燥兩個階段:清洗的目的是清除零件表面嚴重污染,如水汽、油污、微粒等,進一步清除零件表面殘留物;最后是對零件進行干燥。在清洗和干燥階段,需盡量避免對零件造成重新污染。各種清洗方法介紹基片的清潔度對薄膜性能有很大影響。在鍍膜以前,最理想的情況是使用剛拋光完的基片,否則基片表面會變質。特別是當基片經受了不正確處理和貯存后,其情況變得更加嚴重。但是,即使是對剛拋光完的基片來說,有時也會由于存在氧化篩拋光粉的污染而使這種基片在鍍膜以后在某些地方出現(xiàn)較大的散射。只有在拋光以后,立即清洗基片表面,并且在鍍膜以前再次清洗才能消除這種影響。通常,只對基片重要表面進行拋光,共余表面,如基片邊綠部份保持研磨后狀態(tài)。清洗基片表面時,只需清洗基片拋光面就行了。清洗粗糙面的污染往往比較困難,有時會因為想清洗這些表面而影響到拋光面的清潔。1.清洗清洗方法的適用性取決于基片材料和基片原始表面狀態(tài)。通常是用一種陰離子介面活性劑的稀釋溶液來清洗基片表面。清洗時,用浸有這種溶液的脫脂棉輕輕擦洗基片表面。在清洗后,再將基片放在含有這種洗滌劑的稀釋溶液的超聲波槽里繼續(xù)進行清洗。1976年Mathewson介紹了先用全氯乙稀蒸汽脫脂,然后用堿性洗滌劑超聲波清洗的方法。上述預清洗方法,雖然能為基片進一步清洗打下良好的基礎。但是處理...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06
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1  介紹    化合物半導體材料的研究可以追溯到上世紀初,最早報導的是1910年由Thiel等人研究的InP材料。1952年,德國科學家Welker首次把Ⅲ-Ⅴ族化合物作為一種新的半導體族來研究,并指出它們具有Ge、Si等元素半導體材料所不具備的優(yōu)越特性。五十多年來,化合物半導體材料的研究取得了巨大進展,在微電子和光電子領域也得到了日益廣泛的應用。    砷化鎵(GaAs)材料是目前生產量最大、應用最廣泛,因而也是最重要的化合物半導體材料,是僅次于硅的最重要的半導體材料。由于其優(yōu)越的性能和能帶結構,使砷化鎵材料在微波器件和發(fā)光器件等方面具有很大發(fā)展?jié)摿?。目前砷化鎵材料的先進生產技術仍掌握在日本、德國以及美國等國際大公司手中,與國外公司相比國內企業(yè)在砷化鎵材料生產技術方面還有較大差距。2  砷化鎵材料的性質及用途    砷化鎵是典型的直接躍遷型能帶結構,導帶極小值與價帶極大值均處于布里淵區(qū)中心,即K=0處,這使其具有較高的電光轉換效率,是制備光電器件的優(yōu)良材料。  在300 K時,砷化鎵材料禁帶寬度為1.42 eV,遠大于鍺的0.67 eV和硅的1.12 eV,因此,砷化鎵器件可以工作在較高的溫度下和承受較大的功率。...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06
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1介紹半導體IC制程主要以20世紀50年代以后發(fā)明的四項基礎工藝(離子注入、擴散、外延生長及光刻)為基礎逐漸發(fā)展起來,由于集成電路內各元件及連線相當微細,因此制造過程中,如果遭到塵粒、金屬的污染,很容易造成晶片內電路功能的損壞,形成短路或斷路等,導致集成電路的失效以及影響幾何特征的形成。因此在制作過程中除了要排除外界的污染源外,集成電路制造步驟如高溫擴散、離子植入前等均需要進行濕法清洗或干法清洗工作。干、濕法清洗工作是在不破壞晶圓表面特性及電特性的前提下,有效地使用化學溶液或氣體清除殘留在晶圓上之微塵、金屬離子及有機物之雜質。華林科納(江蘇)半導體設備有限公司是國內比較早的從事晶圓濕法清洗設備的廠家?!?#39; O( O& o6 r7 [$ o6 S3 R! X2污染物雜質的分類8 ?. X8 k$ Y1 y+ [' F5 ^) \% f' dIC制程中需要一些有機物和無機物參與完成,另外,制作過程總是在人的參與下在凈化室中進行,這樣就不可避免的產生各種環(huán)境對硅片污染的情況發(fā)生。根據污染物發(fā)生的情況,大致可將污染物分為顆粒、有機物、金屬污染物及氧化物。   C$ a: E& t5 [6 B3 v- ~2.1顆粒,@/e&~,I/|#C$R& @# R' H+ X8 n& l6 U4 D& ...
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