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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據(jù)實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據(jù)情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信。獲取更多半導體相關資料什么是化學鍍?        化學鍍是在不使用外部電能的情況下,用金屬離子溶液生產(chǎn)鍍層的過程。 它是制造工業(yè)中使用最廣泛的化學鍍層,也是工程用途中最普遍的。化學鍍鎳的優(yōu)點       1. 優(yōu)良的耐腐蝕性能       2. 優(yōu)異的耐磨性和耐磨性       3. 良好的延展性、潤滑性和電性能       4. 高硬度,尤其在熱處理時       5. 良好的可焊性      6. 在深孔和凹槽,以及角落和邊緣,厚度均勻均勻      7. 涂層可以作為最終的生產(chǎn)操作,并能滿足嚴格的尺寸公差      8. 可用于金屬和非金屬襯底,前提是它們經(jīng)過適當?shù)念A處理  化學鍍鎳的浴液成分       化學鍍依賴于在特定溫度下進行的反應,通常在90°C左右,當適當活化的基底浸...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 21
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料文摘   薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。 需要更薄的模具來適應更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標準的機械背面磨削相比,應力更小。 硅的各向同性濕蝕刻通常是用硝酸和氫氟酸的混合物,并添加化學物質來調整粘度和單晶圓旋轉加工的表面潤濕性。  當硅被蝕刻并并入蝕刻溶液時,蝕刻速率將隨時間而降低。 這種變化已經(jīng)建模。 這些模型可以延長時間,補充化學物質,或者兩者兼而有之。硅蝕刻:       硅的各向同性濕蝕刻最常用的化學方法是硝酸和氫氟酸的結合。 它通常被稱為海航體系(HF:硝酸:乙酸)與醋酸添加作為濕工作臺應用的緩沖。 硝酸作為氧化劑將表面轉化為二氧化硅,然后HF腐蝕(溶解)氧化物。 其反應過程如下所示Si + 4HNO3 SiO2 + 4NO2 + 2H2O 略實驗:        實驗是在SSEC 3300系列單片自旋處理器系統(tǒng)上進行的。 所采用的化學方法是氫氟酸、硝酸、硫酸和磷酸按1:6:1:2的比例混合。 化學再循環(huán)采用SSEC的收集環(huán)技術。 在蝕刻過程中有許多工藝參數(shù)可以改變,從以前的工作中選擇...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 21
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要        本文提供了一種通過濕工作臺法清洗硅片的方法,該方法可提高清洗效率,且不會產(chǎn)生氧化物。 在該方法中,晶圓可以首先在包括堿或酸的第一清洗液中清洗,然后在包括去離子水和臭氧的第二溶液中清洗。 去離子水中的臭氧濃度可在約1ppm至約20ppm之間,最好在約3ppm至約10ppm之間。 在臭氧/DI水漂洗步驟之后,在最后的漂洗步驟和干燥步驟之前,可以使用稀釋的HF清洗步驟來去除硅表面上可能形成的任何氧化物。 圖1                                             圖2發(fā)明背景        在半導體器件的制造中,硅片的加工需要大量的去離子水。 隨著晶圓尺寸的增大,去離子水的消耗增加。 例如,加工200毫米的晶圓消耗至少是加工150毫米晶圓消耗的兩倍。      去污水最常用于槽和洗滌器,用于過程中硅片的頻繁...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 21
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      一種以可控的成本效益和最小的化學消耗來細化硅片的方法。 將晶圓放入工藝室,隨后將臭氧氣體和HF蒸氣送入工藝室,與晶圓的硅表面發(fā)生反應。 臭氧和HF蒸氣可以按順序輸送,也可以在進入工藝室之前相互混合。使硅變薄的方法-使用hf和臭氧的晶圓       硅片薄化是半導體器件和微電子機械系統(tǒng)(MEMS)制造中的重要一步。 晶圓變薄是至關重要的,因為它有助于防止晶圓在制造和使用過程中產(chǎn)生熱量,也使晶圓更容易處理和更便宜的包裝。 發(fā)明的簡要說明       本發(fā)明涉及一種使用臭氧和HF細化硅片的方法。 臭氧氧化晶圓表面的一層或多層硅,HF腐蝕掉氧化硅層,從而使晶圓變薄。      晶圓減薄過程是通過研磨和拋光操作(通常稱為“反研磨”)或使用含有強氧化劑(如硝酸(HNO3)和/或氫氟酸(HF))的溶液來完成的。 這兩種工藝也經(jīng)常結合在一起,因為機械磨削操作會在硅表面產(chǎn)生大量的應力。這種應力可以通過化學蝕刻來減輕,化學蝕刻可以去除應力和損壞的層。 這個過程的化學反應一般如下:  4HF + SiO2 - SiF4 + 2H2O (...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 20
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要        在晶片雙面拋光過程中能夠有意地使所要求的邊緣滾轉,一種使用該載體的晶片拋光方法,并使用經(jīng)過這種雙面拋光處理的晶片增加背面的平整度。 提供了一種制造能夠制造外延晶片的外延晶片的方法。  描述        一種晶圓兩面的拋光方法,一種使用該拋光方法制造外延晶圓的方法,以及一種外延晶圓。本發(fā)明涉及一種用于晶片雙面拋光過程的雙面拋光載體及使用該載體的晶片雙面拋光方法。 本發(fā)明還涉及一種外延片及其制造方法,該外延片使用該雙面拋光方法拋光的晶片作為襯底材料。   平坦度      根據(jù)本發(fā)明,在晶圓的雙面拋光過程中,可以在晶圓的背面有意地做出所要求的滾邊。 因此,當該晶片用作外延硅晶片的襯底材料時,在形成外延膜后,就有可能增加最終外延晶片產(chǎn)品的平坦度。  外延薄膜      第二外延薄膜具有薄膜厚度分布以消除在晶圓背面的邊緣滾轉是更好的。 通過抵消外延生長引起的晶圓外延部分厚度的增加,可以抑制外延片外延部分平整度的惡化。 外延層  略文章全部詳情,請加華林科納V了解:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 20
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      在硅片上形成電路的各種傳感器、通信、存儲設備等半導體設備(芯片)是必不可少的。一般來說,“細化”和“最小化”都是必需的。另一方面,模具強度的提高對于提高制造工藝的良率和提高最終產(chǎn)品的耐久性也非常重要。介紹      在半導體器件的前端生產(chǎn)過程中,電子電路如晶體管是在硅片表面形成的。隨后,在后端生產(chǎn)中,對晶圓背面進行薄化,并對晶圓進行切丁模擬。近年來,對更薄芯片的需求一直在增長,以支持較低的封裝高度,并允許多個芯片堆疊和封裝在封裝中。 圖1鋸齒圖像 圖2 DBG工藝流程評價方法      半導體設備與材料國際(SEMI)將三點彎曲的標準規(guī)定為G86-0303[1],作為測量模具強度的方法。在三點彎曲試驗中,如圖4所示,切屑是簡單支撐,兩端不固定,用壓頭連續(xù)施加垂直載荷,直至切屑斷裂。 圖5三點彎曲模強度(鋸痕角度對比)應力緩解效應      評估了消除鏡面磨削損傷和鋸痕的應力消除效果。利用上述CMP和DP去除磨后的鏡面,DBG大大減少了后側切屑,提高了模具強度。背面切屑的影響      最后,評估了芯片背面四邊產(chǎn)生的切屑對芯片的影響。對比樣品采用DBG工藝...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 20
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料評價蝕刻和清洗過程蝕刻和清洗許多現(xiàn)代制造的表面,如硅片,會給制造商帶來許多問題。 許多濕法蝕刻工藝使用腐蝕性和危險液體,如硫酸氫銨和氫氟酸,可能對用戶和環(huán)境造成危害。毒性較低的方法,如機械研磨和噴砂,耗時較長,精確度較低,更適合創(chuàng)建宏觀蝕刻——當電子元件需要更小、更復雜的電路時,用處較小。 光燒蝕使用高能激光來制造微蝕刻,但這一過程被限制在高度局域化、較小的區(qū)域,很難用于處理整個表面。 用等離子技術解決問題簡單地生產(chǎn)質量較低的部件,在允許的污染水平下,滿足特定市場、應用或價格點的要求。 然而,仍然存在一些風險,特別是如果低質量導致產(chǎn)品徹底失敗。另一種方法是首先消除導致部件污染的因素。 這將涉及到要么完全消除制造步驟(可能由于成本或技術問題不可能),要么完全返工或搬遷生產(chǎn)線,這可能會非常昂貴和耗時。半導體也許最不具吸引力的解決方案就是簡單地把臟零件的問題交還給供應商。 這本質上把確保所有部件完全不受污染的責任推給了部件供應商。   文章全部詳情,請加華林科納V了解:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 20
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料概述氫氧化鉀是一種濕法蝕刻,優(yōu)先在平面侵蝕硅,產(chǎn)生特征性的各向異性垂直蝕刻,側壁與表面形成54.7°角(與法線成35.3°)。該蝕刻工藝與砷、磷和銻的摻雜濃度無關。對于硼,在高摻雜濃度下蝕刻速率迅速下降。這是一個一級流程,需要基本的INRF安全認證。危險化學品的使用要求用戶不得單獨執(zhí)行該過程。所需時間對于40米蝕刻,氫氧化鉀工藝通常需要1小時:20分鐘的準備時間,然后是40分鐘的蝕刻。光刻和反應離子蝕刻需要額外的時間。所需材料o 100個帶有熱生長氧化物或氮化物層的硅片(~ 2000–3000)o KOH顆粒(可從化學商店獲得)o玻璃容器o溫度計o熱板準備戴上防護性丁腈手套和眼睛保護裝置。按照以下方式制備新鮮氫氧化鉀溶液。將1份氫氧化鉀顆粒(按重量)稱量到塑料燒杯中。加入2份去離子水。例如,使用100克氫氧化鉀和200毫升水。在溫暖的表面混合,直到氫氧化鉀溶解。向溶液中加入40毫升異丙醇。異丙醇增加了蝕刻中的各向異性。儲存在標有“30%氫氧化鉀溶液”的塑料瓶中,然后加上你的名字、日期和靶器官標簽。氫氧化鉀配方(30%)在溫暖的表面上混合70克氫氧化鉀顆粒和190毫升去離子水,直到氫氧化鉀完全溶解。o加入40毫升異丙醇氫氧化鉀蝕刻需要二氧化硅或氮化硅的“硬掩?!?氮化物是優(yōu)選的,因為氧化物被氫氧化鉀緩慢蝕刻)。制作硬掩膜的細節(jié)可...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 19
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要       縮小特征尺寸的另一種選擇是增加集成電路(IC)封裝的密度和功能。模具尺寸和模具厚度已經(jīng)大大減少。 推動薄模具需求的主要因素包括便攜式通信和計算設備、存儲卡、智能卡、以及CMOS圖像傳感器、混合、箔式柔性系統(tǒng)、led、MEMS、太陽能和電源設備。關鍵詞:化學減薄、蝕刻、應力消除、波蝕、線性掃描、超薄晶片、處理、非接觸卡盤。介紹       研磨、拋光和稀釋技術;以及將晶圓與載體結合以進行處理、細化或加工的許多方法。因此,有一種新的化學稀釋技術,它可以將晶片稀釋到50µm或更少, 具有更好的均勻性,而且成本比傳統(tǒng)的稀釋更低。減薄和應力消除      化學稀釋是消除亞表面損傷和減輕磨削和拋光留下的應力的必要步驟?;瘜W稀釋也是一種替代拋光(磨削后)的方法。  圖2。材料去除均勻性(總厚度變化或TTV)典型的波蝕線性掃描減薄過程如上所示。在去掉75µm后,最終的厚度為112µm, TTV的范圍從4”晶片的±1.5µm到8”晶片的±2.5µm。 文章全部詳情,請加華林科納V了解:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 19
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料介紹        通過對硅表面的清洗和表面處理制備超凈硅。集成電路(IC)在制造條件下發(fā)生了相當大的變化,在1993年。 這些變化的驅動力是不斷增長的,生產(chǎn)高性能先進硅器件的要求,可靠性和成本。 這些電路的特征尺寸已經(jīng)被放大了。在100納米以下,器件結構可以包含多能級 金屬化層與銅(銅)和特殊介質材料。表面清潔和調理晶圓片的重要性         在半導體微電子器件的制造過程中,清潔襯底表面的重要性從固體出現(xiàn)之初就得到了認識。20世紀50年代的國家設備技術......因此,超凈硅晶片的制備已成為一項重要的技術 。 前端加工表面制備技術要求(1):近期工藝  晶圓清洗和表面處理技術   略  文章全部詳情,請加華林科納V了解:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 19
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