一、概述電阻器作為三大被動(dòng)元器件之一，是電子電路中不可缺少的元件，而傳統(tǒng)直插的薄膜電阻器目前已經(jīng)逐漸的退出了舞臺(tái)，取而代之的是性能更加穩(wěn)定的片式薄膜電阻器。ＮiＣr 合金薄膜具有高電阻率、低溫飄、高精度、高穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)，因此廣泛應(yīng)用于制作精密薄膜電阻器。目前，行業(yè)內(nèi) ＮiＣr 合金薄膜的沉積主要方法有真空蒸發(fā)、氣相沉積、磁控濺射與離子濺射等。片式薄膜電阻的制造，是在平面磁控濺射下完成在三氧化二鋁陶瓷基片上的 ＮiＣr 膜沉積，然后通過(guò)光刻工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)電阻圖形，因此研究 ＮiＣr 薄膜的沉積及濕法刻蝕對(duì)于片式薄膜電阻器的加工來(lái)說(shuō)具有重要意義，本文通過(guò)使用掃描電子顯微鏡觀(guān)察不同濺射功率、濺射時(shí)間下的 ＮiＣr 膜層形貌，分析了濺射功率、濺射時(shí)間對(duì)濺射的影響，同時(shí)使用濕法刻蝕做出所需要的電阻圖形。二、NiCr 薄膜的沉積片式薄膜電阻器的 ＮiＣr 薄膜的沉積，采用平面磁控濺射技術(shù)，通過(guò)機(jī)械泵抽低真空，再通過(guò)低溫泵冷凝表面氣體繼續(xù)抽高真空，最終使得真空室內(nèi)達(dá)到 10-4 帕，充入反映氣體，一般使用高純氬氣。在陰極（濺射靶材）和陽(yáng)極（三氧化二鋁陶瓷基片）之間施加一定電壓，電子在電場(chǎng) E 的作用下，會(huì)向在陽(yáng)極的基片運(yùn)動(dòng)，在這個(gè)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中，電子與氬氣發(fā)生碰撞，形成輝光放電，從而使其產(chǎn)生 Ar＋和新的電子。Ar＋在電場(chǎng)的作用下加速向在陰極的 ＮiＣr 靶材運(yùn)動(dòng)，并以高能量撞擊 ＮiＣr 靶材表面，將一...
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一、主要生產(chǎn)設(shè)備 二、工藝流程簡(jiǎn)述 2工藝流程簡(jiǎn)述(1)清洗工序簡(jiǎn)述在硅晶圓片加工過(guò)程中，幾乎每一道工藝進(jìn)行前或完成后都必須要對(duì)硅晶圓片清洗以有效去除前一工序造成的污染，做到表面清潔，為下一工序創(chuàng)造條件。在進(jìn)行前需預(yù)清洗的工藝有：氧化、光刻、擴(kuò)散、化學(xué)氣相沉積、濺射等。在完成后需后清洗的工藝有：刻蝕、去膠、劃片。芯片清洗是完全清除芯片表面的塵埃顆粒、殘留的有機(jī)物和吸附在表面的金屬離子。本項(xiàng)目采用物理清洗和化學(xué)清洗內(nèi)種方式，同時(shí)也結(jié)合使用。物理清洗主要是利用去離子水對(duì)殘留物的物理沖刷作用來(lái)清除表面殘留物，主要方式有刷洗、淋洗、高壓水噴射流動(dòng)水浸泡、高溫蒸汽、低溫噴激以及使用超聲波等。化學(xué)清洗是利用清洗劑與殘留物的化學(xué)反應(yīng)，形成易揮發(fā)或易溶解的產(chǎn)物來(lái)清除污染物，本項(xiàng)目采用的化學(xué)清洗介質(zhì)有無(wú)機(jī)酸堿清洗液、有機(jī)清洗液。對(duì)不同的去除對(duì)象，典型方式如下：去除有機(jī)污染物：H2SO4+H2O2(4:1)、丙酮、異丙醇；去除微塵和一些金屬雜質(zhì)：NH4OH+H2O2+H2O(1:1:5):去除氧化膜：HF+H2O(1:50)去除殘留清洗液：純水、高純水。芯片最主要的清洗方式是將芯片浸在液體槽內(nèi)或使用液體噴霧清洗，清洗工藝流程示意見(jiàn)圖7。清洗過(guò)程中，當(dāng)高濃度清洗液難以滿(mǎn)足使用要求時(shí)，作為廢液收集處理；低濃度的清洗廢水排到廢水處理系統(tǒng)；較干凈的清洗排水檢測(cè)回用；部分清洗液揮...
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一、主要生產(chǎn)設(shè)備 二、工藝流程簡(jiǎn)述 工藝流程簡(jiǎn)述：(1)清洗外購(gòu)的硅片（經(jīng)過(guò)拉單品、切割、研磨等）,需先經(jīng)清洗，除去沾污的硅片表面的金屬與油污。清洗的方法是：先用H2S04去除金屬雜質(zhì)，然后用有機(jī)溶劑(異丙醇、丙酮）去除油污，再用純水反復(fù)沖洗，以得到潔凈的硅片表面。清洗后的硅片用氮?dú)獯蹈珊螅拖碌拦ば蜓趸?。清洗工序貫穿于整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程。清洗工藝與LED基片清洗工藝相同。(2)氧化氧化工藝是通過(guò)氧氣與硅發(fā)生反應(yīng)，在硅片表面生成一層二氧化硅膜。原料硅片經(jīng)清洗吹干后，放入加熱反應(yīng)爐，在高溫條件下，與氧氣作用，在上面生長(zhǎng)一層Si02氧化層，起到器件保護(hù)和隔離、表面純化、柵氧電介質(zhì)、摻雜阻擋層等作用。(3)光刻光刻是集成電路芯片制造的核心工藝，光刻的本質(zhì)是要把臨時(shí)電路結(jié)構(gòu)復(fù)制到以后要進(jìn)行蝕刻或離子注入的硅片上。光刻工藝按其先后順序主要分為氣相成底膜、勻膠、軟烘、曝光、曝光后烘焙、顯影、堅(jiān)膜烘焙、顯影檢查這八個(gè)步驟，以上步驟都將在光刻區(qū)內(nèi)完成。清洗后的硅片先在表面均勻涂上一層光刻膠，光刻膠主要由對(duì)光與能量非常敏感的高分子聚合物和有機(jī)溶劑組成，前者是光刻膠的主體，主要成分為酚醛樹(shù)脂、丙二醇愁酯等，后者是光刻膠的介質(zhì)，主要成分為丙酮、丁酮等，由于光刻膠涂層很薄，為了使涂覆的光刻膠層絕對(duì)均勻，涂覆的方法是讓硅片旋轉(zhuǎn)，使光刻膠在其表面形成薄層。因而大量的光刻膠被離心力帶出...
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所謂Lift-Off工藝，即揭開(kāi)一剝離工藝，是一種集成電路工藝，可以用來(lái)省略刻蝕步驟。圖1、普通光刻工藝示意圖我們先來(lái)看一下普通的光刻工藝（如圖1所示)：首先進(jìn)行成膜，然后將涂布在基板上的光刻膠進(jìn)行圖形化曝光，顯影除去曝光的光刻膠，接著進(jìn)行刻蝕，最后將剩余光刻膠剝離，留在基板上的就是需要的成膜圖形。圖2、Lift-Off工藝示意圖然后看一下Lift-Off工藝（如圖2所示）：首先將涂布在基板上的光刻膠進(jìn)行圖形化曝光，顯影除去曝光的光刻膠，然后進(jìn)行成膜，最后將剩余光刻膠和上面的成膜一起剝離，剩余在基板上的就是需要的成膜圖形。Lift-Off工藝在理論上可以省掉刻蝕步驟，降低成本，但在顯示中卻并沒(méi)有被使用。這是因?yàn)榘雽?dǎo)體膜厚很低(納米級(jí)），圖形也很小(納米級(jí))，可以通過(guò)剝離來(lái)揭掉，而顯示的膜厚很高（亞微米級(jí))、圖形很大(微米級(jí)），會(huì)有殘留。免責(zé)聲明：文章來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系本網(wǎng)站刪除。
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1理論分析化合物半導(dǎo)體器件絕大多數(shù)都是采用外延層做有源層,單晶做襯底。影響晶片表面質(zhì)量的拋光及拋光后表面的清洗處理成為影響外延質(zhì)量的重要因素。高質(zhì)量的免洗拋光片的表面應(yīng)當(dāng)具備以下要素:表面無(wú)顆粒、有機(jī)物、金屬離子沾污;表面氧化層必須能夠在高溫處理下完全去除;拋光片表面去除氧化層后必須平坦均一。微粒往往被認(rèn)為是表面污染源的點(diǎn)源,表面顆粒會(huì)引起圖形缺陷、影響外延質(zhì)量布線(xiàn)的完整性以及鍵合強(qiáng)度和表層質(zhì)量。研究表明,當(dāng)表面顆粒度小于10@013μm時(shí),不會(huì)影響外延質(zhì)量。金屬離子沾污會(huì)破壞薄氧化層的完整性,增加漏電流密度,影響器件的穩(wěn)定性,增加暗電流,造成結(jié)構(gòu)缺陷或霧狀缺陷。Cu、Au、Fe等重金屬元素形成深能級(jí)而降低少數(shù)載流子的壽命,并產(chǎn)生晶格缺陷。因此,清除這些金屬雜質(zhì)是十分必要的。在晶片中,金屬離子污染物個(gè)數(shù)必須被控制在1010/cm2甚至更少。表面有機(jī)沾污容易使外延片表面出現(xiàn)白斑,蠟和有機(jī)試劑是重要的污染源,因此表面去蠟和去除有機(jī)試劑必須徹底。盡管拋光片包裝在惰性氣氛下,但晶片表面自然氧化層早已在包裝前形成。當(dāng)外延生長(zhǎng)溫度加熱到580℃以上時(shí),GaAs晶片表面的自然氧化層便會(huì)自動(dòng)分解去除。但當(dāng)溫度高于450℃時(shí),由于As2O3的揮發(fā),原來(lái)的Ga2O3和As2O3按化學(xué)計(jì)量比組成的混合物將變成純凈的Ga2O3。研究表明,在去除表面氧化層的過(guò)程中有揮發(fā)性的Ga2O的產(chǎn)生,反應(yīng)過(guò)程為...
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一、主要生產(chǎn)設(shè)備 二、工藝流程簡(jiǎn)述GaN基倒裝LED芯片制造流程包括清洗、光刻、刻蝕、PECVD、蒸鍍、退火、SiO2沉積、減薄研磨、劃裂、測(cè)試、分選和表面檢驗(yàn)等。生產(chǎn)流程如圖2.2-1所示。(1)清洗：清洗工作是在不破壞外延片表面特性的前提下，有效的使用化學(xué)溶液清除外延片表面的各種殘留污染物。將外延片先經(jīng)過(guò)酸洗（硝酸）、超純水洗。酸洗槽20L,每批可酸洗4英寸外延片24片，通常酸洗56批次（即2天）更換一次酸洗液：以下各類(lèi)無(wú)機(jī)和有機(jī)清洗槽尺寸和更換頻率同硝酸清洗槽。沖洗槽用純水沖洗，將其表面粘附的酸洗液沖洗干凈。本項(xiàng)目沖洗槽清洗方式為使用大量高純水對(duì)外延片進(jìn)行沖洗清潔，沖洗次數(shù)為8遍，常溫。清洗干凈后再次經(jīng)過(guò)酸洗（硫酸和雙氧水混合液）、超純水洗等。清洗干凈后甩干并烘干后進(jìn)入下一道工序。產(chǎn)污環(huán)節(jié)：無(wú)機(jī)清洗工序有G:氮氧化物、G2硫酸霧揮發(fā)，酸洗槽約兩天更換一次，產(chǎn)生S1廢硝酸和S2廢硫酸。水洗工序產(chǎn)生酸性廢水。(2)N區(qū)光刻：N區(qū)光刻及刻蝕主要是在外延片上制作出N電極圖形。光刻是通過(guò)光刻膠的感光性能，外延片表面涂膠后，在紫外光的照射下將光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移至外延片上，最終加工成所需要的產(chǎn)品圖形。包括涂膠、軟烤、曝光、顯影。1)涂膠、軟烤：涂敷光刻膠之前，將洗凈的外延片表面涂上附著性增強(qiáng)劑，可增加光刻膠與基片間的粘附能力，防止顯影時(shí)光刻膠圖形的脫落以及防止?jié)穹ǜg...
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一、主要生產(chǎn)設(shè)備 二、工藝流程簡(jiǎn)述工藝流程說(shuō)明：(1)檢測(cè)：利用顯微鏡對(duì)襯底進(jìn)行檢測(cè)，看有無(wú)雜質(zhì)。檢測(cè)合格的襯底進(jìn)入下一工序。(2)沉積：①將藍(lán)寶石襯底放入由石英管和石墨基座組成的反應(yīng)器中；②再按照NH3和H2比（5:95)通入NH3和H2混合氣體；③將載氣H2(N2保護(hù)）通入三甲（乙）基諒、三甲基鋼、三甲基鋁液體罐中將有機(jī)金屬蒸汽以及少量二環(huán)戊基鎂夾帶進(jìn)反應(yīng)器中，在密閉條件下進(jìn)行金屬有機(jī)物化學(xué)沉積反應(yīng)。主要沉積反應(yīng)有：Ga(CH3)3+NH3→GaN+3CH4如果欲生長(zhǎng)三元固溶體晶體，如Gaj-xAI,N時(shí)，可在反應(yīng)系統(tǒng)中再通入三甲基鋁，反應(yīng)式為：XAI(CH3)3+(1-x)Ga(CH3)3+NH3=Ga1-XAlxN+3CH4MOCVD的主要作用是在襯底上生長(zhǎng)GaN、InGaN、InGaAIN單品膜。④反應(yīng)廢氣處理：反應(yīng)氣體中有機(jī)氣體（三甲（乙）基嫁、三甲基鋁、三甲基鋼）在高溫條件下絕大部分分解：氨氣有41%反應(yīng)或分解（2NH3=N2+3H2),還有59%尚未完全分解，因此尾氣G6中含有大量氨氣，不能直接排放到大氣中，必須先進(jìn)行回收處理。上述沉積過(guò)程按要求形成GaN、InCaN(或InGaAIN)雙層疊合膜⑤處延片清洗：將長(zhǎng)晶后的外延片用H2SO4+雙氧水清洗后經(jīng)純水沖洗，清除表面附著的離子和有機(jī)物金屬。清洗后外延片在烘烤箱中烘干。本工序產(chǎn)生酸性清洗水W4、硫酸霧廢...
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![LED半導(dǎo)體器件生產(chǎn)工藝流程]( "LED半導(dǎo)體器件生產(chǎn)工藝流程")
一、主要生產(chǎn)設(shè)備 二、工藝流程簡(jiǎn)述 (1)固晶：將LED芯片通過(guò)固晶機(jī)固定在底坐支架指定位置，此過(guò)程主要用到的材料為銀膠，主要設(shè)備為固晶機(jī)，此過(guò)程不產(chǎn)生污染物。(2)固晶檢驗(yàn)：將固晶成品置放于顯微鏡下觀(guān)察，主要觀(guān)察晶體是否破碎完整、支架是否變形生銹等。此過(guò)程會(huì)產(chǎn)生不合格的固晶品（固廢）。(3)固晶烘烤：將檢驗(yàn)合格的固晶品送至固晶烤箱室，對(duì)其進(jìn)行烘烤，此過(guò)程主要用到的設(shè)備為固晶烤箱，此過(guò)程會(huì)產(chǎn)生少許的有機(jī)廢氣，在固晶烤箱室設(shè)置排氣扇，產(chǎn)生的少量廢氣通過(guò)排氣扇排出，因產(chǎn)生的廢氣量較少，固對(duì)環(huán)境影響較小。(4)焊線(xiàn)：人工將固晶好的支架加入金線(xiàn)，采用焊線(xiàn)機(jī)完成產(chǎn)品內(nèi)外引線(xiàn)的連接工作。本項(xiàng)目使用的是超聲波焊，采用金線(xiàn)作為焊接材料。其主要原理為由發(fā)生器產(chǎn)生20KHz(或者15KHz)的高壓、高頻信號(hào)，通過(guò)換能系統(tǒng)，把信號(hào)轉(zhuǎn)換為高頻機(jī)械振動(dòng)，加于工件上，通過(guò)工件表面及在分子間的摩擦而使傳遞到接口的溫度升高，當(dāng)溫度達(dá)到此工件本身的熔點(diǎn)時(shí)，使工件接口迅速融化，繼而填充于接口間的空隙，當(dāng)震動(dòng)停止，工件同時(shí)早一定的壓力下冷卻定型，便達(dá)成完美的焊接。因此，焊線(xiàn)過(guò)程不會(huì)有粉塵產(chǎn)生，亦不會(huì)有焊渣產(chǎn)生。(5)焊線(xiàn)檢驗(yàn)：在顯微鏡下檢驗(yàn)金線(xiàn)是否斷線(xiàn)、芯片是否崩裂、金線(xiàn)是否殘留、焊墊是否脫落。此過(guò)程主要在顯微鏡下操作，此過(guò)程會(huì)產(chǎn)生不合格品（固廢）。(6)點(diǎn)膠：點(diǎn)膠機(jī)采用硅膠將LED芯片及線(xiàn)路封裝于...
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![LED封裝生產(chǎn)線(xiàn)工藝]( "LED封裝生產(chǎn)線(xiàn)工藝")
LED封裝資料整理一、主要生產(chǎn)設(shè)備 二、工藝流程簡(jiǎn)述工藝流程說(shuō)明：現(xiàn)有LED封裝生產(chǎn)線(xiàn)工藝流程如下：①固晶人工將芯片、膠水、支架采用固晶機(jī)進(jìn)行固晶。本項(xiàng)目所用膠水為硅膠，其理化性質(zhì)穩(wěn)定，固晶在常溫下進(jìn)行，不會(huì)有揮發(fā)性有機(jī)物產(chǎn)生。②焊線(xiàn)人工將固晶好的支架加入金線(xiàn)，采用焊線(xiàn)機(jī)完成產(chǎn)品內(nèi)外引線(xiàn)的連接工作。本項(xiàng)目使用的是超聲波焊，采用金線(xiàn)作為焊接材料。其主要原理為由發(fā)生器產(chǎn)生20KHz(或15KHz)的高壓、高頻信號(hào)，通過(guò)換能系統(tǒng)，把信號(hào)轉(zhuǎn)換為高頻機(jī)械振動(dòng)，加于工件上，通過(guò)工件表面及在分子間的磨擦而使傳遞到接口的溫度升高，當(dāng)溫度達(dá)到此工件本身的熔點(diǎn)時(shí)，使工件接回迅速熔化，繼而填充于接日間的空隙，當(dāng)震動(dòng)停止，工件同時(shí)在一定的壓力下冷卻定形，便達(dá)成完美的焊接。因此，焊線(xiàn)過(guò)程不會(huì)有粉塵產(chǎn)生。該過(guò)程僅產(chǎn)生少量焊渣。3點(diǎn)膠人工將焊完線(xiàn)的支架、膠水、熒光粉采用點(diǎn)膠機(jī)固定。硅膠主要起固定作用，其理化性質(zhì)穩(wěn)定，點(diǎn)膠在常溫下進(jìn)行，不會(huì)有揮發(fā)性有機(jī)物產(chǎn)生。④分光人工將點(diǎn)完膠的支架采用分光機(jī)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行測(cè)試分光，將同一類(lèi)顏色的產(chǎn)品測(cè)試出來(lái)進(jìn)行分類(lèi)。⑤編帶人工將分好類(lèi)的產(chǎn)品采用編帶機(jī)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行初步包裝，將產(chǎn)品至于面帶和載帶中間。⑥包裝入庫(kù)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行通電檢測(cè)，合格產(chǎn)品進(jìn)入最后一道工序包裝入庫(kù)；不合格產(chǎn)品進(jìn)行返修。LED封裝生產(chǎn)工藝流程及污染源分布見(jiàn)下圖。 免責(zé)聲明：文章來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系本...
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鐵電薄膜鋯鈦酸鉛鑭(PLZT)具有較強(qiáng)的電光效應(yīng)，自發(fā)極化以及在可見(jiàn)光和紅外范圍內(nèi)的高透過(guò)率]，是理想的電光器件材料。制作縱向PLZT電光器件需要透明導(dǎo)電薄膜作為它的上下電極。銦錫氧化物(ITO)薄膜具有電阻率低，透光性好，高溫穩(wěn)定性好及制備和圖形加工工藝簡(jiǎn)單[3等諸多優(yōu)點(diǎn)[3]，是一種理想的透明電極材料。LengL1等在IT0／石英玻璃基底上制備出了電學(xué)光學(xué)性能優(yōu)良的PLZT鐵電薄膜，驗(yàn)證了ITO作為PLZT的透明電極的可行性。制作PLZT鐵電薄膜光電子學(xué)和集成光學(xué)器件常需要ITO電極圖形化。常用的ITO薄膜微圖形化法包括濕法化學(xué)刻蝕和干法刻蝕(如超短激光脈沖刻蝕和CH／H：等離子刻蝕[7等)。干法刻蝕ITO薄膜具有圖形轉(zhuǎn)化精度高和各向異性好等優(yōu)點(diǎn)，但所需設(shè)備昂貴，刻蝕速率低，且易導(dǎo)致光刻膠掩膜的炭化而難去除；濕法刻蝕成本低，且刻蝕速率較快。但由于HF、HC1、HNO。、H2SO和H3PO都可能刻蝕PLZT薄膜J，往往刻蝕ITO時(shí)對(duì)PLZT薄膜也會(huì)刻蝕。因此，如何選擇刻蝕液配方和刻蝕條件，確保在ITO與PLZT薄膜間具有足夠大的刻蝕選擇性是研制基于PLZT薄膜的光電子器件和集成光學(xué)器件所面臨的問(wèn)題。1實(shí)驗(yàn)采用射頻磁控濺射法用組分為8／65／35(La／Zr／Ti)的PLZT陶瓷靶在玻璃基片上沉積PLZT薄膜，襯底溫度400℃，射頻功率密度0．58W／cm。，濺射氣氛V(Ar)：V...
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