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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數;?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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純鈦及鈦合金的表面改性一直是研究的熱點。鈦表面陽極氧化技術因其操作簡單、臨床效果顯著,成為鈦表面改性的常用方法之一。目前研究多集中于通過鈦表面陽極氧化以提高種植體-骨結合性能,增強抗菌性,種植修復體周圍形成良好的軟組織封閉,或與其他表面改性方法結合以提高鈦生物活性等方面。微弧氧化是在陽極氧化基礎上發(fā)展起來,可明顯提高鈦表面生物活性。本文對鈦表面陽極氧化參數及其在口腔種植中的應用進行分析。1.鈦的特性鈦為銀灰色金屬,因其在空氣中易被氧化形成1.8~17nm的氧化膜,具有良好的生物相容性及抗腐蝕性而廣泛應用于口腔種植中。鈦表面化學元素組成、形貌、表面能均影響其生物相容性和活性。學者們一直致力于對鈦表面改性以提高其生物學性能,常用的方法包括:酸蝕處理法、陽極氧化法、噴砂法、羥基磷灰石涂層法等。20世紀30年代出現的鈦表面陽極氧化技術操作簡單、成本較低、臨床效果明顯,成為常用的改性方法。微弧氧化因能明顯提高鈦表面的生物學性能而被廣泛應用。2.陽極氧化影響因素2.1電壓電壓是影響傳統(tǒng)陽極氧化及微弧氧化的指標之一。傳統(tǒng)陽極氧化階段,隨電壓升高氧化膜厚度隨之增加,且氧化膜厚度與電壓成線性關系,增長速度為1.4~2.78nm/V。此氧化膜為透明膜,可發(fā)生光的干涉現象,使鈦表面呈現不同顏色。因此可通過氧化膜的顏色評定氧化膜厚度。當氧化膜達到一定厚度時,繼續(xù)增加電壓,鈦表面發(fā)生介質擊穿現象,此時傳統(tǒng)陽...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 16
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光罩清洗的流程以及優(yōu)化摘 要:光罩清洗的流程以及優(yōu)化,需要在實際生產運用中來完善,要保證在不影響清洗能力的情況下來優(yōu)化各個工藝參數,在各種工藝清洗時的時間和MASKStage的轉速來縮短清洗光罩的時間,而這個參數需要在不斷地實驗中完善。該文針對目前液晶面板在正常生產的過程中光罩(MASK)日常清洗的流程及工藝,介紹了目前光罩清洗機中使用的幾種主要的清洗工藝,清洗光罩時需根據不同原因來選擇所需要的工藝來清洗,以及對清洗工藝的優(yōu)化。關鍵詞:光罩光罩清洗機曝光機1清洗MASK的類別1.1拆包清洗在首次光罩到廠后進行,要將光罩從光罩盒中取出,并進行檢查確認,若檢查沒有問題再使用正常的清洗工藝清洗,清洗后放置于MASKStocker內,以備使用。1.2日常清洗在產線切換產品或者連續(xù)生產達到一定數量時,為了防止光罩被污染而產生MASK共通缺陷,需要對光罩進行清洗。主要是因為液晶生產中所使用的光阻特性,有的光阻比較容易揮發(fā)產生升華物滴落在基板的表面,在基板進入曝光機曝光時由于曝光的GAP較小,從而部分升華物會接觸到光罩表面,產生MASK共通缺陷,而使生產出的產品在相同的位置有著同樣的不良缺陷。1.3出現MASK共通時清洗特別是接近式曝光機,曝光時光罩與玻璃基板的GAP較小,曝光時的GAP可能只有100~200μm(如圖1所示)。如果基板上有光阻或其他異物,有可能在曝光時將異物粘到光罩上或者異物有...
發(fā)布時間: 2020 - 12 - 17
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光學材料的干法刻蝕研究摘?要:本文對化學材料二氧化硅的干法刻蝕工藝進行研究,運用反應離子刻蝕設備對二氧化硅進行了刻蝕實驗,通過對不同工藝條件下二氧化硅的刻蝕速率、均勻性等參數對比,最終得出了二氧化硅等同類光學材料最佳的干法刻蝕工藝條件。關鍵詞:光學材料;干法刻蝕;二氧化硅;工藝條件 1.反應離子刻蝕的基本原理分析射頻輝光放電后會使反應氣體被擊穿從而產生刻蝕所需要的等離子體,等離子體中不僅包含正離子和負離子,同時也含有可以與刻蝕樣品表面發(fā)生反應的游離基和自由電子,這便是反應離子刻蝕中應用化學作用進行刻蝕的基本原理。而陰離子和陽離子在電場作用下可以射向刻蝕樣品的表面,從而實現對刻蝕樣品的物理轟炸,這便是反應離子刻蝕中應用物理作用的基本原理,而通過物理作用和化學作用的結合便可以完成對樣品的刻蝕。2.反應離子刻蝕工藝研究內容及方法關于光學材料在不同工藝條件下的反應離子刻蝕研究,在實驗過程中將實驗硅片作為基礎材料,并通過CVD技術使實驗硅片生成實驗所需要的二氧化硅層,在一定的沉積工藝條件下保證所制備的二氧化硅薄膜具有實驗所需要的各種性質,并保證其致密性、折射率等都可以達到光學材料所具備的相應標準,這樣才能確保實驗結果在光學材料干法刻蝕應用中的有效性。二氧化硅膜在滿足標準后要對其均勻性進行檢測,可以運用橢偏儀對二氧化硅膜的厚度與折射率進行測量,這樣才能使實驗結果完全可以代表硅片表面在...
發(fā)布時間: 2020 - 12 - 17
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氮化鎵干法刻蝕研究進展摘要:對比了RIE,ECR,ICP等幾種GaN7干法刻蝕方法的特點?;仡櫫耍牵幔危狈涛g領域的研究進展。以ICP刻蝕GaN和AIGaN材料為例,通過工藝參數的優(yōu)化,得到了高刻蝕速率和理想的選擇比及形貌。在優(yōu)化后的刻蝕工藝條件下GaN材料刻蝕速率達到340nm/min,側墻傾斜度大于8O。且刻蝕表均方根粗糙度小于3nm。對引起干法刻蝕損傷的因索進行了討論,并介紹了幾種減小刻蝕損傷的方法。關鍵詞:氮化鎵;下法刻蝕;等離子體;刻蝕損傷1引言氮化鎵(GaN)材料具有良好的電學特性?,如寬的禁帶寬度(3.4eV)、高擊穿電場(3×106V/Cm)、較高的熱導率(1.5w/Cm?K)、耐腐蝕、抗輻射等,是制作高頻、高溫、高壓、大功率電子器件和短波長光電子器件的理想材料??涛g是GaN電子器件制造工藝中非常重要的一步,但是GaN材料是極穩(wěn)定的化合物,其鍵能達到8.92eV,在室溫下GaN不溶于水、酸和堿,在熱的堿溶液中以非常緩慢的速度溶解,所以用濕法刻蝕很難獲得滿意的刻蝕速率,可控性較差『21。與傳統(tǒng)的濕法刻蝕比較,干法刻蝕技術具有各向異性、對不同材料選擇比差別較大、均勻性與重復性好、易于實現自動連續(xù)生產等優(yōu)點,所以反應離子刻蝕(RIE)、電子回旋共振等離子體(ECR)、感應耦合等離子體(ICP)等多種干法刻蝕方法被應用于GaN材料的刻蝕中。ICP以其廉價的等離子體...
發(fā)布時間: 2020 - 12 - 17
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氮(氧)化硅濕法刻蝕后清洗方式的改進摘要:在半導體制造工藝的濕法刻蝕中,用熱磷酸刻蝕氮化硅和氮氧化硅是其中一個相對復雜又難以控制的工藝。在這個工藝中,熱磷酸刻蝕后的去離子水(DIW)清洗更是一個非常重要的步驟。主要分析了由于去離子水清洗不當造成的表面缺陷的形成機理,并通過合理的實驗設計和分析,給出了具體的解決方案。關鍵詞:半導體制造;氮化硅;濕法刻蝕;濕法清洗;1引言熱磷酸濕法刻蝕已經在半導體制造工藝中應用了幾十年了。由于熱磷酸對氮化硅和氮氧化硅刻蝕具有良好的均勻性和較高的選擇比,一直到了90nm的最先進制程也是采用熱磷酸來刻蝕氮化硅與氮氧化硅。常用的熱磷酸刻蝕液是由85%濃磷酸和15%去離子水(DIW)配合而成,并保持在160℃的溫度下進行刻蝕。熱磷酸刻蝕之后的芯片一般采用熱去離子水清洗。當芯片從160℃的磷酸槽進入水槽時,芯片表面殘余磷酸的粘度極劇增加,并且形成一層帶有磷酸和副產物的薄層緊貼于芯片表面。如果不將這層殘余物質清洗干凈,將嚴重影響芯片的后續(xù)制程,造成芯片成品率的損失和可靠性問題。所以熱磷酸后清洗比其他酸液(如SC2,SPM,HF等易去除的試劑)之后的清洗更關鍵,也更具有挑戰(zhàn)性[1]。2清洗缺陷產生機理分析隨著工藝尺寸的逐漸縮小,定義和刻蝕精準的多晶硅線條變得越來越困難。工業(yè)界常采用在多晶硅表面覆蓋一層由化學汽相沉積的氮氧化硅(SiON)來解決這個問題。在定義多晶硅線...
發(fā)布時間: 2020 - 12 - 17
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單晶硅片KOH堿刻蝕工藝研究在太陽能電池片制造行業(yè)中,通常單晶硅片需要進行清洗,去除各種雜質,或者利用化學品對硅片行刻蝕后形成特定的表面狀態(tài),這樣才能夠繼續(xù)進行后續(xù)工藝生產。其中,利用堿溶液KOH進行刻蝕清洗,是一種重要的硅片處理方式。在濕法設備中集成多種化學品后,可以在單個設備上完成刻蝕、清洗等不同工藝,達到對硅片進行綜合處理的目的。KOH溶液的質量分數、刻蝕時間等對硅片表面狀態(tài)有重要影響。KOH刻蝕過程中需要使用大量的化學品,近年來隨著技術的進步,出現了KOH堿刻蝕輔助添加劑,通過在KOH溶液中混合輔助添加劑,不僅能夠達到原先的工藝要求,還能夠有效減少化學品用量,降低化學品廢液的處理量和難度,為今后KOH堿刻蝕大規(guī)模用提供了條件1 實驗材料和工藝實驗中,使用砂漿切割和金剛線切割的單晶硅片外觀尺寸為156mm×156mm,厚度為200um,電阻率為1-3Q·cm。該單晶硅片為市場常見硅片。電池片生產工藝采用車間量產的PERC(射極純化及背電極)單晶生產工藝。各類化學品原液質量分數如表1所示。2 實驗結果與討論2.1KOH預清洗砂漿切割的硅片表面有大量的切割損傷和各種雜質等“,需要進行清洗才能開展下一步擴散工藝。通常采用KOH刻蝕的方式來對硅片進行預清洗,去除硅片表面各種臟污雜質等,達到清洗效果。清洗工藝中,通常刻蝕時間對工藝效果影響較大。實驗中,保持KOH溶液...
發(fā)布時間: 2020 - 12 - 17
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單晶硅片的制造技術摘要:隨著IC技術的進步,集成電路芯片不斷向高集成化、高密度化及高性能化方向發(fā)展。傳統(tǒng)的硅片制造技術主要適應小直徑( ̄<200 mm)硅片的生產;隨著大直徑硅片的應用,硅片的超精密磨削得到廣泛的應用。文章主要論述了小直徑硅片的制造技術以及適應大直徑硅片生產的硅片自旋轉磨削法的加工原理和工藝特點。關鍵詞:IC 硅片研磨拋光磨削 集成電路(IC)是現代信息產業(yè)的基礎。IC所用的材料主要是硅、諸和碑化嫁等,全球90%以上IC都采用硅片。制造IC的硅片,不僅要求具有極高的平面度和極小的表面粗糙度,而且要求表面無變質層、無劃傷。目前硅單晶制備技術可使晶體徑向參數均勻,體內微缺陷減少,0.1~0.3um大小的缺陷平均可以少于0.05個/cm2;對電路加工過程中誘生的缺陷理論模型也有了較為完整的認識,由此發(fā)展了一整套完美晶體的加工工藝。此外,隨著半導體工業(yè)的飛速發(fā)展,為滿足現代微處理器和其它邏輯芯片要求,一方面,為了增大芯片產量,降低單元制造成本,要求硅片的直徑不斷增大;另一方面,為了提高IC的集成度,要求硅片的刻線寬度越來越細。IC制造技術已經跨入0.13和300mm時代,這對單晶硅片的制造技術提出了新的要求。1硅片直徑及集成電路的發(fā)展趨勢按照美國半導體工業(yè)協會(SIA)提出的微電子技術發(fā)展構圖,到2008年,將開始使用直徑450mm的硅片(硅片直徑的發(fā)展趨勢如圖1...
發(fā)布時間: 2020 - 12 - 17
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TSV基礎知識介紹硅通孔技術(TSV):第4代封裝技術硅通孔技術(TSV,Through -Silicon-Via)是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通,實現芯片之間互連的最新技術。與以往的IC封裝鍵合和使用凸點的疊加技術不同,TSV能夠使芯片在三維方向堆疊的密度最大,外形尺寸最小,并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。日月光公司集團研發(fā)中心總經理唐和明博士在Chartered上海2007技術研討會上將TSV稱為繼線鍵合(Wire Bonding)、TAB和倒裝芯片(FC)之后的第四代封裝技術。然而,TSV與常規(guī)封裝技術有一個明顯的不同點,TSV的制作可以集成到制造工藝的不同階段。在晶圓制造CMOS或BEOL步驟之前完成硅通孔通常被稱作Via-first。此時,TSV的制作可以在Fab廠前端金屬互連之前進行,實現core-to-core的連接。該方案目前在微處理器等高性能器件領域研究較多,主要作為SoC的替代方案。Via-first也可以在CMOS完成之后再進行TSV的制作,然后完成器件制造和后端的封裝。而將TSV放在封裝生產階段,通常被稱作Via-last,該方案的明顯優(yōu)勢是可以不改變現有集成電路流程和設計。目前,部分廠商已開始在高端的Flash和DRAM領域采用Via-last技術,即在芯片的周邊進行通孔,然后進行芯片或晶圓的層疊??涛g工藝是關鍵盡管TSV制程的集成...
發(fā)布時間: 2020 - 12 - 17
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SiC基芯片背面通孔刻蝕工藝研究摘要:通過對感應耦合等離子體(ICP)設備裝片夾具進行改進,提高了背氦的導熱效率,減小了下電極基底與晶圓表面之間的溫度差,提高了冷卻效果。對裝片夾具改進前后進行了對比實驗,并分析了射頻功率、ICP功率、下電極基底溫度、腔室壓力等參數對SiC背面通孔的刻蝕速率、選擇比、傾斜角及側壁光滑度的影響。通過裝片夾具改進及工藝條件優(yōu)化,開發(fā)出刻蝕速率為1μm/min、SiC與Ni的選擇比大于60∶1、傾斜角小于85°、側壁光滑的SiC通孔工藝條件,可用于SiC基GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)、SiC金屬半導體場效應管(MESFET)等大功率微波器件及其微波單片集成電路(MMIC)研制與生產的背面通孔刻蝕,并可縮短工藝時間降低生產成本。關鍵詞:碳化硅;背面通孔刻蝕;感應耦合等離子體(ICP);刻蝕速率;        引言SiC與GaN為繼Si和GaAs材料之后的第三代半導體材料的典型代表,用其制作的半導體微波功率器件及其微波單片集成電路(MMIC)具有工作溫度高、應用頻率高、功率輸出大、增益高等優(yōu)點[1-2]。由于SiC材料具有較高的熱導率和穩(wěn)定性及與GaN材料的晶格匹配較好,在SiC襯底上外延GaN材料成為當今GaN功率器件發(fā)展的主要方向,特別是在高性能GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)微波功率器件及其...
發(fā)布時間: 2020 - 12 - 17
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干法刻蝕之鋁刻蝕在集成電路的制造過程中,刻蝕就是利用化學或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區(qū)分,刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特點是各向同性刻蝕;后者是利用等離子體來進行各向異性刻蝕,可以嚴格控制縱向和橫向刻蝕。 干法的各向異性刻蝕,可以用表面損傷和側壁鈍化兩種機制來解釋。表面損傷機制是指,與硅片平行的待刻蝕物質的圖形底部,表面的原子鍵被破壞,擴散至此的自由基很容易與其發(fā)生反應,使得這個方向的刻蝕得以持續(xù)進行。與硅片垂直的圖形側壁則因為表面原子鍵完整,從而形態(tài)得到保護。側壁鈍化機制是指,刻蝕反應產生的非揮發(fā)性的副產物,光刻膠刻蝕產生的聚合物,以及側壁表面的氧化物或氮化物會在待刻蝕物質表面形成鈍化層。圖形底部受到離子的轟擊,鈍化層會被擊穿,露出里面的待刻蝕物質繼續(xù)反應,而圖形側壁鈍化層受到較少的離子轟擊,阻止了這個方向刻蝕的進一步進行。在半導體干法刻蝕工藝中,根據待刻蝕材料的不同,可分為金屬刻蝕、介質刻蝕和硅刻蝕。金屬刻蝕又可以分為金屬鋁刻蝕、金屬鎢刻蝕和氮化鈦刻蝕等。目前,金屬鋁作為連線材料,仍然廣泛用于DRAM和flash等存儲器,以及0.13um 以上的邏輯產品中。本文著重介紹金屬鋁的刻蝕工藝。  金屬鋁刻蝕通常用到以下氣體:Cl2、BCl3、Ar、 N2、CHF3和C2H4等。Cl2作為...
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