HIT電池具有發(fā)電量高、度電成本低的優(yōu)勢(shì)，具體特點(diǎn)如下：（1）低溫工藝HIT電池結(jié)合了薄膜太陽(yáng)能電池低溫（900℃）擴(kuò)散工藝來(lái)獲得p-n結(jié)。這種技術(shù)不僅節(jié)約了能源，而且低溫環(huán)境使得a_Si：H基薄膜摻雜、禁帶寬度和厚度等可以較精確控制，工藝上也易于優(yōu)化器件特性；低溫沉積過(guò)程中，單品硅片彎曲變形小，因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值（約80μm）；同時(shí)低溫過(guò)程消除了硅襯底在高溫處理中的性能退化，從而允許采用“低品質(zhì)”的晶體硅甚至多晶硅來(lái)作襯底。 高溫環(huán)境下發(fā)電量高，在一天的中午時(shí)分，HIT電池的發(fā)電量比一般晶體硅太陽(yáng)電池高出8-10%，雙玻HIT組件的發(fā)電量高出20%以上，具有更高的用戶附加值。（2）雙面電池HIT是非常好的雙面電池，正面和背面基本無(wú)顏色差異，且雙面率（指電池背面效率與正面效率之比）可達(dá)到90%以上，最高可達(dá)96%，背面發(fā)電的優(yōu)勢(shì)明顯。（3）高效率HIT電池獨(dú)有的帶本征薄層的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，在p-n結(jié)成結(jié)的同時(shí)完成了單晶硅的表面鈍化，大大降低了表面、界面漏電流，提高了電池效率。目前HIT電池的實(shí)驗(yàn)室效率已達(dá)到23%，市售200W組件的電池效率達(dá)到19.5%。（4）高穩(wěn)定性HIT電池的光照穩(wěn)定性好，理論研究表明非品硅薄膜/晶態(tài)硅異質(zhì)結(jié)中的非晶硅薄膜沒(méi)有發(fā)現(xiàn)Staebler-Wronski效應(yīng)，從而不會(huì)出現(xiàn)類(lèi)似非晶硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率因光照而衰退的現(xiàn)象；H...
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![微納光學(xué)]( "微納光學(xué)")
微納光學(xué)是目前新型光電子產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展方向，在光通信、光互聯(lián)、光存儲(chǔ)、半導(dǎo)體器件等諸多領(lǐng)域，發(fā)揮了巨大的作用。微納光學(xué)的結(jié)構(gòu)技術(shù)是指通過(guò)將微納光學(xué)結(jié)構(gòu)引入到相關(guān)的材料中，制成新型光學(xué)功能器件。微納光學(xué)就是利用微結(jié)構(gòu)材料作為光學(xué)元件的光學(xué)分支。它的結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)和制造是微納光學(xué)技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵性問(wèn)題，所以微納光學(xué)成為了新型光電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵性突破。它的主要優(yōu)點(diǎn)就是能在局域電磁相互作用的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)許多全新的功能，成為21世紀(jì)國(guó)家不可或缺的關(guān)鍵科學(xué)和技術(shù)。微納光學(xué)現(xiàn)有技術(shù)與特點(diǎn)微納光學(xué)制造技術(shù)以LIGA工藝為基礎(chǔ)，主要經(jīng)過(guò)光刻、電鑄制模和微納米壓印三個(gè)主要工藝步驟。（1）光刻光刻是半導(dǎo)體技術(shù)中晶圓制造的關(guān)鍵工藝，通過(guò)表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測(cè)等一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去，在晶圓表面留下帶有微圖形結(jié)構(gòu)的薄膜。這些所有成果都必須建立在一片干凈的晶圓上。可想而知，半導(dǎo)體清洗設(shè)備就發(fā)揮了非常大的作用。國(guó)內(nèi)也是有多家濕法清洗設(shè)備廠商，其中熟知的華林科納就是一家濕制程設(shè)備專(zhuān)業(yè)制造商，主要從事半導(dǎo)體濕制程設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售。目前光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小到亞微米級(jí)，已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。微納光學(xué)制造技術(shù)采用光刻技術(shù)在激光原版上形成具有微納尺寸的細(xì)微結(jié)構(gòu)，即...
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![“芯片之城”地標(biāo)產(chǎn)業(yè)來(lái)了！]( "“芯片之城”地標(biāo)產(chǎn)業(yè)來(lái)了！")
“芯片之城”地標(biāo)產(chǎn)業(yè)來(lái)了！日前，江北新區(qū)舉行“芯片之城”地標(biāo)產(chǎn)業(yè)簽約儀式。市委常委、江北新區(qū)黨工委專(zhuān)職副書(shū)記羅群，新區(qū)管委會(huì)副主任陳潺嵋，東南大學(xué)首席教授、南京集成電路產(chǎn)業(yè)服務(wù)中心主任時(shí)龍興，金雨茂物投資管理股份有限公司董事長(zhǎng)段小光， 南京中安半導(dǎo)體責(zé)任有限公司董事長(zhǎng)曾安，江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)劉欣宇出席活動(dòng)?；顒?dòng)中，超芯星半導(dǎo)體項(xiàng)目和中安半導(dǎo)體項(xiàng)目與新區(qū)簽約，未來(lái)都將落戶新區(qū)研創(chuàng)園。據(jù)了解，江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司主要從事6-8英寸SiC碳化硅芯片襯底研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅材料供應(yīng)商，碳化硅作為三代半導(dǎo)體材料，將在軌道交通、5G、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。目前公司已推出大尺寸碳化硅擴(kuò)徑晶體，實(shí)現(xiàn)厚度突破，屬于技術(shù)領(lǐng)先的三代半產(chǎn)品。總部遷入研創(chuàng)園后將推動(dòng)上市計(jì)劃，項(xiàng)目規(guī)劃三年實(shí)現(xiàn)6英寸碳化硅襯底年產(chǎn)3萬(wàn)片，未來(lái)還將在SiC襯底產(chǎn)品的基礎(chǔ)上，將進(jìn)一步研發(fā)SiC切磨拋工藝，打造國(guó)內(nèi)SiC行業(yè)標(biāo)桿企業(yè)。另外，中安半導(dǎo)體作為先進(jìn)的半導(dǎo)體材料檢測(cè)設(shè)備研發(fā)商，擁有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的檢測(cè)設(shè)備研發(fā)能力。項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)擁有硅片檢測(cè)核心技術(shù)，并且具備工程應(yīng)用、生產(chǎn)管理以及銷(xiāo)售服務(wù)等各方面的管理經(jīng)驗(yàn)以及多年所累積的市場(chǎng)資源。此次項(xiàng)目主要是開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體硅片平整度和三維形貌檢測(cè)設(shè)備，從事開(kāi)發(fā)200mm和300mm硅片平整度和三維形貌檢測(cè)設(shè)備，目前已獲得金茂資本首期風(fēng)險(xiǎn)投資，未來(lái)將通過(guò)開(kāi)發(fā)擁有獨(dú)立知...
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2、HIT電池工藝流程HIT電池的一大優(yōu)勢(shì)在于工藝步驟相對(duì)簡(jiǎn)單，總共分為四個(gè)步驟：制絨清洗、非晶硅薄膜沉積、TCO制備、電極制備。 圖表2：HIT太陽(yáng)能電池工藝流程制備的核心工藝是非晶硅薄膜的沉積，其對(duì)工藝清潔度要求極高，量產(chǎn)過(guò)程中可靠性和可重復(fù)性是一大挑戰(zhàn)，目前通常用PECVD法制備。 HIT電池的制備工藝步驟簡(jiǎn)單，且工藝溫度低，可避免高溫工藝對(duì)硅片的損傷，并有效降低排放，但是工藝難度大，且產(chǎn)線與傳統(tǒng)電池不兼容，設(shè)備資產(chǎn)投資較大。
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AR光波導(dǎo)隨著光纖通信的飛速發(fā)展，作為光纖傳輸?shù)睦碚摶A(chǔ)—光波導(dǎo)理論也趨于完善與系統(tǒng)化。光波導(dǎo)，因其輕薄和外界光線的高穿透特性而被認(rèn)為是消費(fèi)級(jí)AR眼鏡的必選光學(xué)方案，又因其價(jià)格高和技術(shù)門(mén)檻高讓人望而卻步。隨著主流AR設(shè)備微軟HoloLens2、Magic Leap One等對(duì)光波導(dǎo)技術(shù)的采用和設(shè)備量產(chǎn)，以及AR光學(xué)模組廠商DigiLens、耐德佳、靈犀微光等近期融資消息的頻繁披露，導(dǎo)致光波導(dǎo)的討論熱度也持續(xù)增加了不少。光波導(dǎo)是如何工作的其實(shí)，波導(dǎo)技術(shù)并不是什么新發(fā)明，我們熟悉的光通信系統(tǒng)中，用來(lái)傳輸信號(hào)的光纖組成了無(wú)數(shù)條連接大洋彼岸的海底光纜，就是波導(dǎo)的一種，只不過(guò)傳輸?shù)氖俏覀兛床灰?jiàn)的紅外波段的光。 光波導(dǎo)是集成光學(xué)重要的基礎(chǔ)性部件，它能將光波束縛在光波長(zhǎng)量級(jí)（微米納料級(jí)）尺寸的介質(zhì)中，目前硅基/石英基沉積二氧化硅光波導(dǎo)晶圓是應(yīng)用最廣泛的，雖然各種光波導(dǎo)晶圓工藝過(guò)程較為簡(jiǎn)單，沒(méi)有半導(dǎo)體晶圓的套刻多層等工藝，但光波導(dǎo)晶圓由于要將光在波導(dǎo)中傳播，任何細(xì)小的微變都是使光傳播出現(xiàn)變化，目前國(guó)內(nèi)外光波導(dǎo)晶圓生產(chǎn)都集中在生產(chǎn)四寸或六寸，這是由于晶圓越大，應(yīng)力分布產(chǎn)生的翹曲使晶圓的良率不高從而無(wú)法進(jìn)行生產(chǎn)，但是晶圓無(wú)論大小，生產(chǎn)過(guò)程的工藝步驟基本差不多，但單片大尺寸的晶圓的芯片顆粒大大多于單片小尺寸晶圓顆粒，所以大尺寸晶圓成本優(yōu)勢(shì)明顯，用大尺寸晶圓生產(chǎn)的芯片成本是小尺寸晶圓生產(chǎn)的芯片成...
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在許多大學(xué)、研究所，研究員在實(shí)驗(yàn)室做實(shí)驗(yàn)時(shí)，往往需要配比很多不同類(lèi)型的溶液。這些溶液有酸堿液、有機(jī)液，人工配液時(shí)接觸，不僅存在安全隱患，還經(jīng)常存在配液比例不準(zhǔn)確，效率低下的問(wèn)題。同時(shí)，由于人工反復(fù)不斷的配比，人在疲倦的時(shí)候容易出錯(cuò)，還易造成藥液的浪費(fèi)?！ ∪A林科納公司設(shè)計(jì)的CSE-LIQOUR-II自動(dòng)配液機(jī)，專(zhuān)為解決以上問(wèn)題而研發(fā)，可以適用于各類(lèi)化學(xué)生物制藥工藝實(shí)驗(yàn)室，是用來(lái)滿足藥液自動(dòng)配比的設(shè)備，通過(guò)稱(chēng)重、流量計(jì)準(zhǔn)確計(jì)量、氣壓輸送或注塞抽取等方式將藥液按照比例輸送，配液精確度能夠達(dá)到2‰。 該配液機(jī)由配液控制單元與配液稱(chēng)量單元兩部分組成。配液控制單元由顯示操作區(qū)域、外接原液桶裝置與計(jì)算控比裝置組成，通過(guò)操作區(qū)域輸入化學(xué)藥液的濃度、配比比例與需要的藥液量，經(jīng)過(guò)計(jì)算控比裝置的精確計(jì)算，將幾種藥液進(jìn)行混合配比，從而實(shí)現(xiàn)藥液的精確配比。同時(shí)，配有精確的配液稱(chēng)量單元，最高配液分辨率可達(dá)到0.01g。除了可以用量杯進(jìn)行大規(guī)格的調(diào)制之外，還可以配備標(biāo)準(zhǔn)試管支架，以用來(lái)固定試管，進(jìn)行精確地試管配比。 該配液機(jī)能夠達(dá)到高精準(zhǔn)、高效率的配液，并具有抗腐蝕性、毒性、耐壓、防燃防爆等功能，保證操作者安全；通過(guò)計(jì)算控比單元與機(jī)臺(tái)界面自動(dòng)化，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制操作的運(yùn)轉(zhuǎn)；接觸部分與絕大多數(shù)化學(xué)品（如硫酸H2SO4、硝酸HNO3、磷酸H3PO4、鹽酸HCL、氫氟酸HF、緩沖氧化物刻蝕液BOE等酸性溶液；氨水N...
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1、HIT電池結(jié)構(gòu)和原理HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin-layer的縮寫(xiě)，意為本征薄膜異質(zhì)結(jié)，因HIT已被日本三洋公司申請(qǐng)為注冊(cè)商標(biāo)，所以又被稱(chēng)為HJT或SHJ（Silicon Heterojunction solar cell）。該類(lèi)型太陽(yáng)能電池最早由日本三洋公司于1990年成功開(kāi)發(fā)，當(dāng)時(shí)轉(zhuǎn)換效率可達(dá)到14.5%（4mm2的電池），后來(lái)在三洋公司的不斷改進(jìn)下，三洋HIT電池的轉(zhuǎn)換效率于2015年已達(dá)到25.6%。2015年三洋的HIT專(zhuān)利保護(hù)結(jié)束，技術(shù)壁壘消除，是我國(guó)大力發(fā)展和推廣HIT技術(shù)的大好時(shí)機(jī)。下圖是HIT太陽(yáng)能電池的基本構(gòu)造，其特征是以光照射側(cè)的p-i型a-Si：H膜（膜厚5-l0nm）和背面?zhèn)鹊膇-n型a-Si：H膜（膜厚5-l0nm）夾住晶體硅片，在兩側(cè)的頂層形成透明的電極和集電極，構(gòu)成具有對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)的HIT太陽(yáng)能電池。 圖表：HIT太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)示意圖在電池正表面，由于能帶彎曲，阻擋了電子向正面的移動(dòng)，空穴則由于本征層很薄而可以隧穿后通過(guò)高摻雜的p+型非晶硅，構(gòu)成空穴傳輸層。同樣，在背表面，由于能帶彎曲阻擋了空穴向背面的移動(dòng)，而電子可以隧穿后通過(guò)高摻雜的n+型非晶硅，構(gòu)成電子傳輸層。通過(guò)在電池正反兩面沉積選擇性傳輸層，使得光生載流子只能在吸收材料中產(chǎn)生富集然后從電池的一個(gè)表面流出，從而實(shí)現(xiàn)兩者的分離...
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2019年上半年接近尾聲，華林科納設(shè)備事業(yè)部喜訊頻頻。5月28日再次簽下上海12寸晶圓產(chǎn)線晶圓項(xiàng)目的slurry供應(yīng)系統(tǒng)千萬(wàn)大單，標(biāo)志著華林科納Slurry供應(yīng)系統(tǒng)在大尺寸晶圓項(xiàng)目上取得新的突破。究竟什么是Slurry供應(yīng)系統(tǒng)？在廠務(wù)化學(xué)系統(tǒng)中，與CMP制程關(guān)系最為密切的就是Slurry化學(xué)研磨液供應(yīng)系統(tǒng)。Slurry供應(yīng)系統(tǒng)是指無(wú)間斷（24小時(shí)/天，365天/年）為CMP提供制程所需要的化學(xué)研磨液的系統(tǒng)。一旦廠務(wù)Slurry供應(yīng)系統(tǒng)出現(xiàn)異常，將使CMP制程造成極為嚴(yán)重的損失，Slurry品質(zhì)至關(guān)重要。這次客戶選擇華林科納作為Slurry供應(yīng)系統(tǒng)項(xiàng)目的合作對(duì)象，是對(duì)我們產(chǎn)品品質(zhì)最大的認(rèn)可。接下來(lái)，我們?nèi)A林科納也將會(huì)以最大能力保障客戶Slurry供應(yīng)系統(tǒng)的穩(wěn)定性與安全性。
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近幾年，在政策和市場(chǎng)雙輪驅(qū)動(dòng)下，骨干企業(yè)加大了工藝研發(fā)和技改投入力度，生產(chǎn)工藝水平不斷進(jìn)步，高效電池技術(shù)不斷發(fā)展。 2018年，各種電池技術(shù)平均轉(zhuǎn)換效率方面，規(guī)?；a(chǎn)的多晶黑硅電池的平均轉(zhuǎn)換效率達(dá)到19.2%，使用PERC電池技術(shù)的單晶和多晶黑硅電池效率提升至21.8%和20.3%，較2017年分別提升0.5個(gè)百分點(diǎn)和0.3個(gè)百分點(diǎn)，N型PERT單晶電池平均轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)達(dá)到21.5%。雙面N型PERT電池和異質(zhì)結(jié)（HJT）電池已進(jìn)入量產(chǎn)，并且會(huì)成為未來(lái)發(fā)展的主要方向之一。下表給出了2018-2025年不同類(lèi)型電池轉(zhuǎn)換效率變化趨勢(shì)。 2018年，各種電池技術(shù)市場(chǎng)占比方面，BSF電池（常規(guī)電池及多晶黑硅電池結(jié)構(gòu)）仍占據(jù)大部分市場(chǎng)份額，但相比2017年83%的占比已下降了23個(gè)百分點(diǎn)，隨著新技術(shù)的發(fā)展其占比將逐年減少；PERC電池是當(dāng)前產(chǎn)能最大的高效電池，2018年市場(chǎng)份額占比大幅增加，達(dá)到33.5%左右，預(yù)計(jì)明年P(guān)ERC電池市場(chǎng)占比將反超BSF電池，成為市場(chǎng)占比最高的電池種類(lèi)。雙面N型PERT電池、背接觸（IBC）電池、異質(zhì)結(jié)（HJT）電池等新型高效電池市場(chǎng)份額將逐步提高，其中N-PERT電池未來(lái)將成為市場(chǎng)占比第二的電池種類(lèi)。下圖給出了2018-2025年不同電池技術(shù)市場(chǎng)占比的變化趨勢(shì)。 縱觀未來(lái)光伏市場(chǎng)發(fā)展，隨著高效電池技術(shù)的逐步成熟、成本的逐步下降，產(chǎn)品市場(chǎng)需求將繼續(xù)擴(kuò)大，...
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在華林科納公司領(lǐng)導(dǎo)和各部門(mén)員工的不懈努力下，經(jīng)過(guò)認(rèn)證機(jī)構(gòu)資深專(zhuān)家的現(xiàn)場(chǎng)審核，華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司環(huán)境管理體系各方面實(shí)施效果均已達(dá)到ISO14001:2015標(biāo)準(zhǔn)的要求，順利通過(guò)了ISO14001的認(rèn)證審核，向華林科納正式頒發(fā)ISO14001:2015環(huán)境管理體系認(rèn)證證書(shū)。 作為國(guó)內(nèi)著名的半導(dǎo)體濕制程設(shè)備供應(yīng)商，華林科納不僅追求在技術(shù)、產(chǎn)品質(zhì)量、服務(wù)等各方面領(lǐng)先，而且積極履行對(duì)環(huán)境保護(hù)的社會(huì)義務(wù)，為全球環(huán)境與可持續(xù)發(fā)展做出貢獻(xiàn)。 此次能順利通過(guò)ISO14001：2015環(huán)境管理體系認(rèn)證，是對(duì)華林科納環(huán)境體系管理工作的高度肯定，今后將嚴(yán)格按照環(huán)境管理體系認(rèn)證的要求，不斷完善優(yōu)化公司環(huán)境管理體系各項(xiàng)工作。
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