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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門:?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護(hù)等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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柴可拉斯基法柴可拉斯基法(簡稱柴氏法 英語:Czochralski process),又稱直拉法,是一種用來獲取半導(dǎo)體(如硅、鍺和砷化鎵等)、金屬(如鈀、鉑、銀、金等)、鹽、合成寶石單晶材料的晶體生長方法。這個方法得名于波蘭科學(xué)家揚·柴可拉斯基,他在1916年研究金屬的結(jié)晶速率時,發(fā)明了這種方法。后來,演變?yōu)殇撹F工廠的標(biāo)準(zhǔn)制程之一。直拉法最重要的應(yīng)用是晶錠、晶棒、單晶硅的生長。其他的半導(dǎo)體,例如砷化鎵,也可以利用直拉法進(jìn)行生長,也有一些其他方法(如布里奇曼-史托巴格法)可以獲得更低的晶體缺陷密度。硅的直拉法生長高純度的半導(dǎo)體級多晶硅在一個坩堝(通常是由石英制成)中被加熱至熔融狀態(tài)。諸如硼原子和磷原子的雜質(zhì)原子可以精確定量地被摻入熔融的硅中,這樣就可以使硅變?yōu)镻型或N型硅。這個摻雜過程將改變硅的電學(xué)性質(zhì)。將晶種(或稱“籽晶”)置于一根精確定向的棒的末端,并使末端浸入熔融狀態(tài)的硅。然后,將棒緩慢地向上提拉,同時進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。如果對棒的溫度梯度、提拉速率、旋轉(zhuǎn)速率進(jìn)行精確控制,那么就可以在棒的末端得到一根較大的、圓柱體狀的單晶晶錠。通過研究晶體生長中溫度、速度的影響,可以盡量避免不必要的結(jié)果。上述過程通常在惰性氣體(例如氬)氛圍中進(jìn)行,并采用坩堝這種由較穩(wěn)定的化學(xué)材料制成的反應(yīng)室。
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 15
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單晶單晶是指其內(nèi)部微粒有規(guī)律地排列在一個空間格子內(nèi)的晶體。其晶體結(jié)構(gòu)是連續(xù)的,或者可以說,在宏觀尺度范圍內(nèi)單晶不包含晶界。與單晶相對的,是眾多晶粒(Crystallite)組成的多晶(Polycrystal)。單晶材料是一種應(yīng)用日益廣泛的新材料,由單獨的一個晶體組成,其衍射花樣為規(guī)則的點陣。相對普通的多晶體材料性能特殊,一般采用提拉法制備。單晶根據(jù)晶體生長法制作分為:1、借由柴克勞司基法(Czochralski):將復(fù)晶晶體提煉成對稱的、有規(guī)律的、成幾何型的單晶晶格結(jié)構(gòu)。2、浮區(qū)法(Floating zone):可將低純度硅晶體提煉成對稱的、有規(guī)律的、成幾何型的單晶晶格結(jié)構(gòu)。
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 15
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晶種晶種是一小塊單晶或多晶(通常是單晶),像種子般用來成長與自身相同材料、相同晶體結(jié)構(gòu)的大晶體。無論把晶種浸入過飽和溶液,或使晶種與熔融材料接觸并冷卻,或者讓材料蒸氣在晶種表面沉積,皆能成長出大晶體。晶種效果背后的理論,從化合物與過飽和溶液(或與蒸氣)的分子間物理交互作用衍生而來。在溶液中,自由的可溶分子(溶質(zhì))在隨機流動中自由移動。此隨機流動允許兩個或更多的化合物分子有機會交互作用。這種交互作用可以強化分離的分子之間的分子間作用力并形成晶格的基礎(chǔ)。然而將晶種置入溶液會使隨機分子間的碰撞與交互作用減少,促進(jìn)再結(jié)晶過程。 借由引入已有秩序的晶體,分子間不用太仰賴隨機流動就可以很容易地進(jìn)行交互作用。在溶液中這種溶質(zhì)發(fā)展出晶格的相變化被稱為成核。簡言之,晶種效果就是縮短了再結(jié)晶過程中的成核時間。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,常用的柴可拉斯基法與布里奇曼-史托巴格法就是用小晶種長出大人造胚晶或晶錠的運用實例。
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 14
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半導(dǎo)體半導(dǎo)體(英語:Semiconductor)是一種電導(dǎo)率在絕緣體至導(dǎo)體之間的物質(zhì)。電導(dǎo)率容易受控制的半導(dǎo)體,可作為信息處理的元件材料。從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性非常巨大。很多電子產(chǎn)品,如計算機、移動電話、數(shù)字錄音機的核心單元都是利用半導(dǎo)體的電導(dǎo)率變化來處理信息。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等,而硅更是各種半導(dǎo)體材料中,在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。材料的導(dǎo)電性是由導(dǎo)帶中含有的電子數(shù)量決定。當(dāng)電子從價帶獲得能量而跳躍至導(dǎo)電帶時,電子就可以在帶間任意移動而導(dǎo)電。一般常見的金屬材料其導(dǎo)電帶與價電帶之間的能隙非常小,在室溫下電子很容易獲得能量而跳躍至導(dǎo)電帶而導(dǎo)電,而絕緣材料則因為能隙很大(通常大于9電子伏特),電子很難跳躍至導(dǎo)電帶,所以無法導(dǎo)電。一般半導(dǎo)體材料的能隙約為1至3電子伏特,介于導(dǎo)體和絕緣體之間。因此只要給予適當(dāng)條件的能量激發(fā),或是改變其能隙之間距,此材料就能導(dǎo)電。半導(dǎo)體通過電子傳導(dǎo)或空穴傳導(dǎo)的方式傳輸電流。電子傳導(dǎo)的方式與銅線中電流的流動類似,即在電場作用下高度電離的原子將多余的電子向著負(fù)離子化程度比較低的方向傳遞??昭▽?dǎo)電則是指在正離子化的材料中,原子核外由于電子缺失形成的“空穴”,在電場作用下,空穴被少數(shù)的電子補入而造成空穴移動所形成的電流(一般稱為正電流)。材料中載流子(carrier)的數(shù)量對半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性極為重要。這可以通過在半導(dǎo)體中有選...
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 14
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集成電路的發(fā)展最先進(jìn)的集成電路是微處理器或多核處理器的核心,可以控制計算機到手機到數(shù)字微波爐的一切。存儲器和特定應(yīng)用集成電路是其他集成電路家族的例子,對于現(xiàn)代信息社會非常重要。雖然設(shè)計開發(fā)一個復(fù)雜集成電路的成本非常高,但是當(dāng)分散到通常以百萬計的產(chǎn)品上,每個集成電路的成本最小化。集成電路的性能很高,因為小尺寸帶來短路徑,使得低功率邏輯電路可以在快速開關(guān)速度應(yīng)用。這些年來,集成電路持續(xù)向更小的外型尺寸發(fā)展,使得每個芯片可以封裝更多的電路。這樣增加了每單位面積容量,可以降低成本和增加功能-見摩爾定律,集成電路中的晶體管數(shù)量,每1.5年增加一倍??傊S著外形尺寸縮小,幾乎所有的指標(biāo)改善了-單位成本和開關(guān)功率消耗下降,速度提高。但是,集成納米級別設(shè)備的IC不是沒有問題,主要是泄漏電流。因此,對于最終用戶的速度和功率消耗增加非常明顯,制造商面臨使用更好幾何學(xué)的尖銳挑戰(zhàn)。這個過程和在未來幾年所期望的進(jìn)步,在半導(dǎo)體國際技術(shù)路線圖中有很好的描述。越來越多的電路以集成芯片的方式出現(xiàn)在設(shè)計師手里,使電子電路的開發(fā)趨向于小型化、高速化。越來越多的應(yīng)用已經(jīng)由復(fù)雜的模擬電路轉(zhuǎn)化為簡單的數(shù)字邏輯集成電路。集成電路的普及僅在其開發(fā)后半個世紀(jì),集成電路變得無處不在,計算機、手機和其他數(shù)字電器成為現(xiàn)代社會結(jié)構(gòu)不可缺少的一部分。這是因為,現(xiàn)代計算、交流、制造和交通系統(tǒng),包括互聯(lián)網(wǎng),全都依賴于集成電路的存在。甚至很多學(xué)...
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 12
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集成電路的介紹晶體管發(fā)明并大量生產(chǎn)之后,各式固態(tài)半導(dǎo)體組件如二極管、晶體管等大量使用,取代了真空管在電路中的功能與角色。到了20世紀(jì)中后期半導(dǎo)體制造技術(shù)進(jìn)步,使得集成電路成為可能。相對于手工組裝電路使用個別的分立電子組件,集成電路可以把很大數(shù)量的微晶體管集成到一個小芯片,是一個巨大的進(jìn)步。集成電路的規(guī)模生產(chǎn)能力,可靠性,電路設(shè)計的模塊化方法確保了快速采用標(biāo)準(zhǔn)化集成電路代替了設(shè)計使用離散晶體管。集成電路對于離散晶體管有兩個主要優(yōu)勢:成本和性能。成本低是由于芯片把所有的組件通過照相平版技術(shù),作為一個單位印刷,而不是在一個時間只制作一個晶體管。性能高是由于組件快速開關(guān),消耗更低能量,因為組件很小且彼此靠近。2006年,芯片面積從幾平方毫米到350 mm²,每mm²可以達(dá)到一百萬個晶體管。第一個集成電路雛形是由杰克·基爾比于1958年完成的,其中包括一個雙極性晶體管,三個電阻和一個電容器,相較于現(xiàn)今科技的尺寸來講,體積相當(dāng)龐大。電子顯微鏡下碳納米管微計算機芯片體的場效應(yīng)畫面根據(jù)一個芯片上集成的微電子器件的數(shù)量,集成電路可以分為以下幾類:● 小型集成電路(SSI英文全名為Small Scale Integration)邏輯門10個以下或 晶體管100個以下?!?#160;中型集成電路(MSI英文全名為Medium Scale Integration)邏...
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 12
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半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體材料是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一類固體材料。發(fā)展● 1833年,英國的法拉第(Michael Faraday)發(fā)現(xiàn)的其中一種半導(dǎo)體材料:硫化銀,因為它的電阻隨著溫度上升而降低?!?#160;1874年,德國的布勞恩(Ferdinand Braun),注意到硫化物的電導(dǎo)率與所加電壓的方向有關(guān),這就是半導(dǎo)體的整流作用?!?#160;1947年12月23日,巴丁與布拉坦(Walter Brattain)進(jìn)一步使用點接觸晶體管制作出一個語音放大器,晶體管正式發(fā)明?!?#160;1958年9月12日,德州的基爾比(Jack Kilby),細(xì)心地切了一塊鍺作為電阻,再用一塊pn接面做為電容,制造出一個震蕩器的電路。● 1970年,超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研制成功。分類以原料分為:● 元素半導(dǎo)體材料:以單一元素組成的半導(dǎo)體,屬于這一材料的有硼、金剛石、鍺、硅、灰錫、銻、硒、碲等,其中以鍺、硅、錫研究較早,制備工藝相對成熟?!?#160;復(fù)合半導(dǎo)體材料:由兩種或兩種以上無機物化合成的半導(dǎo)體,種類繁多,已知的二元化合物就有數(shù)百種?!?#160;三五半導(dǎo)體:由Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb組成,比如砷化鎵(GaAs);它們都具有閃鋅礦結(jié)構(gòu),在應(yīng)用方面僅次于Ge、Si?!?#160;二六半導(dǎo)體:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元...
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 11
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晶圓晶圓(英語:Wafer)是指制作硅(硅)半導(dǎo)體集成電路所用的硅芯片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓。晶圓是生產(chǎn)集成電路所用的載體,一般晶圓產(chǎn)量多為單晶硅圓片。晶圓是最常用的半導(dǎo)體材料,按其直徑分為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等規(guī)格,近來發(fā)展出12英寸甚至研發(fā)更大規(guī)格(14英寸、15英寸、16英寸、20英寸以上等)。晶圓越大,同一圓片上可生產(chǎn)的集成電路(integrated circuit, IC)就越多,可降低成本;但對材料技術(shù)和生產(chǎn)技術(shù)的要求更高,例如均勻度等等的問題。一般認(rèn)為硅(硅)晶圓的直徑越大,代表著這座晶圓廠有更好的技術(shù),在生產(chǎn)晶圓的過程當(dāng)中,良品率是很重要的條件。晶圓的制造過程很簡單的說,首先由普通硅(硅)砂拉制提煉,經(jīng)過溶解、提純、蒸餾一系列措施制成單晶硅棒,單晶硅棒經(jīng)過切片、拋光之后,就得到了單晶硅圓片,也即晶圓。1、將二氧化硅礦石(石英砂)與焦炭混合后,經(jīng)由電弧爐加熱還原,即生成粗硅(純度98%,冶金級)。SiO2 + C = Si + CO2 ↑ 2、鹽酸氯化并經(jīng)蒸餾后,制成了高純度的多晶硅(半導(dǎo)體級純度11個9,太陽能級7個9),因在精密電子元件當(dāng)中,硅晶圓需要有相當(dāng)?shù)募兌龋?9.999999999%),不然會產(chǎn)生缺陷。3、晶圓制造廠再以柴可拉斯基法將此多晶硅(硅)熔解,再于溶液內(nèi)摻入一小粒的硅(硅)晶體晶種,然后將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶...
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 11
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光刻膠光刻膠(英語:photoresist),亦稱為光阻或光阻劑,是指通過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料,是光刻工藝中的關(guān)鍵材料,主要應(yīng)用于集成電路和半導(dǎo)體分立器件的細(xì)微圖形加工。光刻膠根據(jù)在顯影過程中曝光區(qū)域的去除或保留可分為兩種-正性光刻膠(positive photoresist)和負(fù)性光刻膠(negative photoresist)?!?#160;正性光刻膠之曝光部分發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)會溶于顯影液,而未曝光部分不溶于顯影液,仍然保留在襯底上,將與掩膜上相同的圖形復(fù)制到襯底上。● 負(fù)性光刻膠之曝光部分因交聯(lián)固化而不溶于顯影液,而未曝光部分溶于顯影液,將與掩膜上相反的圖形復(fù)制到襯底上。
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 10
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光刻光刻(英語:photolithography)是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu),然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓,還可以是其他金屬層、介質(zhì)層,例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。下面以襯底上金屬連接的刻蝕為例講解光刻過程。首先,通過金屬化過程,在硅襯底上布置一層僅數(shù)納米厚的金屬層。然后在這層金屬上覆上一層光刻膠。這層光阻劑在曝光(一般是紫外線)后可以被特定溶液(顯影液)溶解。使特定的光波穿過光掩膜照射在光刻膠上,可以對光刻膠進(jìn)行選擇性照射(曝光)。然后使用前面提到的顯影液,溶解掉被照射的區(qū)域,這樣,光掩模上的圖形就呈現(xiàn)在光刻膠上。通常還將通過烘干措施,改善剩余部分光刻膠的一些性質(zhì)。上述步驟完成后,就可以對襯底進(jìn)行選擇性的刻蝕或離子注入過程,未被溶解的光刻膠將保護(hù)襯底在這些過程中不被改變。刻蝕或離子注入完成后,將進(jìn)行光刻的最后一步,即將光刻膠去除,以方便進(jìn)行半導(dǎo)體器件制造的其他步驟。通常,半導(dǎo)體器件制造整個過程中,會進(jìn)行很多次光刻流程。生產(chǎn)復(fù)雜集成電路的工藝過程中可能需要進(jìn)行多達(dá)50步光刻,而生產(chǎn)薄膜所需的光刻次數(shù)會少一些。
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 10
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