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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數;?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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半導體制造工藝 —— 晶圓表面電路的設計(中)↑  此文件僅供參考學習,勿用于商業(yè)用途延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產品中心★華林科納人才招聘★半導體小課堂
發(fā)布時間: 2018 - 12 - 03
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半導體制造工藝 —— 晶圓表面電路的設計(上)↑  此文件僅供參考學習,勿用于商業(yè)用途在半導體制造中,許多芯片工藝步驟采用光刻技術,用于這些步驟的圖形“底片”稱為掩膜,其作用是:在硅片上選定的區(qū)域中對一個不透明的圖形模板遮蓋,繼而下面的腐蝕或擴散將只影響選定的區(qū)域以外的區(qū)域?!?#160; 掩膜通常在光罩上形成圖形的基本步驟和硅片相似,一般來說光罩的制作分為數據處理部分和工藝制造部分。↑  光掩膜制作流程1、數據轉換:將如GDSII版圖格式分層,運算,格式轉換為光刻設備所知的數據形式;2、圖形產生:通過電子束或激光進行圖形曝光;3、光阻顯影:曝光多余圖形, 以便進行蝕刻;4、鉻層刻蝕對鉻層進行刻蝕, 保留圖形;5、去除光阻去除多余光刻膠;6、尺寸測量測量關鍵尺寸和檢測圖形定位;7、初始清洗清洗并檢測作為準備;8、缺陷檢測檢測針孔或殘余未蝕刻盡的圖形;9、缺陷補償對缺陷進行修補;10、再次清洗清洗為加保護膜版作準備;11、加保護膜保護膜加在主體之上, 這防止灰塵的吸附及傷害;12、最后檢查對光掩膜作最后檢測工作, 以確保光罩的正確。延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產品中心★華林科納人才招聘★半導體小課堂
發(fā)布時間: 2018 - 12 - 03
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半導體制造工藝 —— 硅片的生產過程↑  此文件僅供參考學習,勿用于商業(yè)用途單晶硅片制備階段,需要將硅單晶棒加工成具有高面型精度和表面質量的原始硅片或光片,為IC前半制程中的光刻等工序準備平坦化超光滑無損傷的襯底表面。對直徑Φ≤ 200mm的硅片,傳統(tǒng)的硅片加工工藝流程為:單晶生長→切斷→外徑滾磨→切片→倒角→研磨→腐蝕→拋光→清洗→包裝?!?#160; 硅片加工工藝流程延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產品中心★華林科納人才招聘★半導體小課堂
發(fā)布時間: 2018 - 11 - 26
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華林科納生產的清洗機中,QDR 快排沖洗槽是不可缺少的一部分,它主要用于去除晶圓表面微粒雜質和殘留化學藥液,使晶圓表面潔凈。QDR 是晶圓濕法清洗中最重要的一個清洗工藝模塊,主要由噴淋槽、溢流槽、勻流板、快排汽缸體、噴嘴噴管、管路和管件等組成?!?QDR 示意圖槽體由進口 NPP 板材焊接加工而成,由安裝在槽體底部的快排汽缸、底部 DI 水注入孔及頂部左右兩側的 DI 水噴嘴實現(xiàn)槽體的快速注入與排放,有氮氣鼓泡功能。在溢流排放口安裝有 DIW 電阻率檢測儀,可對沖洗溢流的水質適時檢控。一、噴淋管路上噴淋管路共有兩路, 形成相互交叉噴淋,但去離子水不宜直接噴淋沖洗晶圓表面,因晶圓在水蝕作用下直接噴淋晶圓表面,易產生微粒污泥而污染晶圓表面,因此,在去離子水的噴淋過程中,需要對沖洗水壓、水量、方向和角度作出調整測試,以達到微粒污染少的最佳效果。 良好的噴嘴所噴淋范圍涵蓋全部晶圓及片盒; 而不良的噴淋沖洗形狀,沒有涵蓋全部晶圓及片盒, 未被噴淋沖洗的死角地帶,微粒、雜質及化學藥液殘留含量仍然很高,而達不到良好的清洗效果。二、氮氣鼓泡上噴淋同時, 下噴淋管路由底部兩側不斷進水,而后由內槽上沿四周溢出,這樣,每個晶圓片縫、各處邊角的去離子水都能連續(xù)得到更新。 同時,純凈氮氣由下噴淋管路進入槽體。 氮氣鼓泡有以下幾個作用:(1)增加了去離子水的沖刷力,對槽體本身有很好的自清洗作用;(2)晶圓在水...
發(fā)布時間: 2018 - 11 - 20
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濕法腐蝕是半導體行業(yè)生產加工中不可或缺的工藝,是利用化學反應腐蝕特定區(qū)域的硅進行刻蝕,其中,SiO2的腐蝕是用HF來實現(xiàn)的,藥液一般有BOE、HF、DHF等。由于腐蝕速度快,因而均使用 NH4F(氟化銨)作為緩沖劑來減慢腐蝕速度。普通叫做緩沖腐蝕。此種工藝在常溫下進行,而根據我國南北方生產的需要為了維持常溫,在北方,往往要配合小功率(200~300 W)的投入式加熱器,以防止反應結晶;而在南方則需加入冷卻盤管,以適當控制溫度。一般工藝槽體材質選用 PVDF 材質。除此之外,管路中還需接入泵來提供藥液的循環(huán)動力。由于隔膜泵在連續(xù)不間斷工作時膜片使用壽命較短,更換膜片頻繁,目前這種應用方式逐漸被風囊泵所取代。因此藥液的循環(huán)過濾:由風囊泵、過濾器、循環(huán)溢流槽、閥門、管件等組成藥液的循環(huán)系統(tǒng)。實現(xiàn)藥液的循環(huán)過濾,保證工藝槽藥液溫度和濃度的均勻性。↑ 二氧化硅腐蝕的循環(huán)管路示意圖近幾年來,伴隨著硅片的大直徑化,器件結構的超微小化、高集成化,華林科納適應著時代的發(fā)展,在不斷的競爭中,有廣泛的市場前景和發(fā)展空間。延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產品中心★華林科納人才招聘★半導體小課堂
發(fā)布時間: 2018 - 11 - 19
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華林科納研發(fā)的單片清洗設備已升級為單腔多層的機臺類型,可以支持多種溶液在一個反應腔里相繼進行腐蝕清洗工作。該設備里配有承接晶片的承片臺,它載著硅片變換不同的高度。在不同高度處,會有不同的溶液噴到正在旋轉的晶片表面,完成特定的功能后按不同的溶液回收到不同的回收區(qū)域,酸液即可被循環(huán)使用?!?單腔多層腔體結構示意圖延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產品中心★華林科納人才招聘★半導體小課堂
發(fā)布時間: 2018 - 11 - 15
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旋轉噴淋清洗是浸入型清洗的變型。系統(tǒng)中一般包括自動配液系統(tǒng)、清洗腔體、廢液回收系統(tǒng)。噴淋清洗在一個密封的工作腔內一次完成化學清洗、去離子水沖洗、旋轉甩干等過程,減少了在每一步清洗過程中由于人為操作因素造成的影響。在噴淋清洗中由于旋轉和噴淋的效果,使得硅片表面的溶液更加均勻,同時,接觸到硅片表面的溶液永遠是新鮮的,這樣就可以做到通過工藝時間設置,精確控制硅片的清洗腐蝕效果,實現(xiàn)很好的一致性。密封的工作腔可以隔絕化學液的揮發(fā),減少溶液的損耗以及溶液蒸氣對人體和環(huán)境的危害。各系統(tǒng)分別貯于不同的化學試劑,在使用時到達噴口之前才混合,使其保持新鮮,以發(fā)揮最大的潛力,這樣在清洗時會反應最快。用N2噴時使液體通過很小的噴口,使其形成很細的霧狀,至硅片表面達到更好的清洗目的。此方法適用于除去氧化膜或有機物。因為化學物質在硅片表面停留的時間比較短,對反應需要一定時間的清洗效果不好。在噴洗過程中所使用的化學試劑很少,對控制成本及環(huán)境保護有利。延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產品中心★華林科納人才招聘★半導體小課堂
發(fā)布時間: 2018 - 11 - 12
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作為我市集成電路產業(yè)“一園三基地”的重點園區(qū),“芯港小鎮(zhèn)”再次迎來重大發(fā)展機遇。11月2日上午,中芯寧波200毫米特種工藝(晶圓/芯片)N1產線正式投產,小鎮(zhèn)內中芯寧波N2項目、南大光電與安集微電子也將正式動工。自2017年開園以來,“芯港小鎮(zhèn)”已簽約落戶14個集成電路企業(yè)項目,總投資200億元?!?一批集成電路龍頭企業(yè)在我市加速集聚寧波瞄準集成電路發(fā)展機遇,搶項目、爭創(chuàng)新、擴規(guī)模,全市集成電路產業(yè)發(fā)展進入新拐點,一批支撐項目開工投產,取得明顯效益。數據顯示,2018年前三季度,我市集成電路及相關產業(yè)完成工業(yè)總產值127.6億元,同比增長9.8%;實現(xiàn)利潤13.36億元;實現(xiàn)利稅16.48億元。60余個項目落戶 “芯光”照亮創(chuàng)業(yè)路“目前,我們的設備正準備打包發(fā)往國內,如果一切順利,預計2019年9月可實現(xiàn)量產。”在近日舉行的中國半導體材料和零部件創(chuàng)新發(fā)展大會上,已在國外生活、工作30余年的華菲難掩回國創(chuàng)業(yè)的激動之情。2018年3月,看好寧波集成電路產業(yè)發(fā)展前景與氛圍的華菲來到故土,并在余姚成立了寧波華芯電子科技有限公司。華菲說,在國內,小于100微米的高端半導體焊球以及高可靠性焊球的制造技術仍屬空白。如果在甬發(fā)展順利,她將加大投資,將研發(fā)及生產的觸角伸至更多集成電路領域。“芯港小鎮(zhèn)”開園未滿一年,便吸引了中科院寧波微電子應用研究院、集成電路材料和零部件聯(lián)盟寧波產業(yè)促進中心等兩個技術...
發(fā)布時間: 2018 - 11 - 05
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硅晶圓大廠合晶今(26)日舉行鄭州新廠啟用典禮,第一階段為月產能20萬片的8吋產能,明年正式量產后,全年產值可望達5億人民幣,第二階段則規(guī)畫12吋產能20萬片、磊晶產能7萬片,部分資金已到位,待兩階段產能均啟用后,年產值可望上看20億人民幣。合晶今日舉行啟用典禮,鄭州合晶為合晶與鄭州空港經濟綜合實驗區(qū)合資成立,為鄭州地方政府取得的首個半導體投資案,其中,合晶持股約6成,雙方合資投資額共12億人民幣,第一階段為一條月產能20萬片的8吋產線,12月開始送樣,合晶鄭州董事長劉蘇生表示,明年正式量產后,全年產值可望達5億人民幣。在第一階段鄭州8 吋廠啟用后,合晶第二階段計劃透過具有磊晶生產能力的12 吋廠,擴大產業(yè)布局。合晶12 吋廠也將采取合資形式,董事長焦平海就提到,「跨足12 吋是必然的」。據悉,12吋廠資金預計投入45億人民幣,目前部分資金已到位,月產能規(guī)劃為12吋產能20萬片、磊晶產能7萬片,最快可望于2020年量產,劉蘇生表示,待兩階段產能均到位后,年產值可望上看20億人民幣。目前合晶臺灣楊梅廠為6 吋重摻硅晶圓產能,月產能為33 萬片;龍?zhí)稄S為8 吋硅晶圓產能,將由目前的30 萬片逐月增加至年底的32 萬片。在中國的產能部分,揚州廠主力為8 吋以下單晶晶棒;上海晶盟磊晶廠將在明年農歷年前,月產能達20 萬片。合晶總經理陳春霖表示,第一期產能預計12 月初送樣客戶端認證,認證時...
發(fā)布時間: 2018 - 10 - 29
瀏覽次數:162
隨著集成電路制造工藝不斷進步,半導體器件的體積正變得越來越小,這也導致了非常微小的顆粒也變得足以影響半導體器件的制造和性能,槽式清洗工藝已經不能滿足需求,單片式設備可以利用很少的藥液達到槽式工藝不能達到的水準,因此單片式刻蝕、清洗設備開始在半導體制造過程中發(fā)揮越來越大的作用?!?單片式刻蝕清洗在全自動單片清洗設備中,由于大而薄的硅片對夾緊力較為敏感,再加上硅片的翹曲率不同,因此對于硅片的抓取、傳輸提出了更高的要求。華林科納研發(fā)的全自動單片式清洗設備采用伯努利非接觸式抓取,不接觸wafer,做到有效的傳送,確保不破片。什么是“伯努利原理”?丹尼爾·伯努利,是瑞士物理學家、數學家、醫(yī)學家,他是伯努利這個數學家族中最杰出的代表。伯努利成功的領域很廣,除流體動力學這一主要領域外,還有天文測量、引力、行星的不規(guī)則軌道、磁學、海洋、潮汐等。伯努利在1726年首先提出:“在水流或氣流里,如果速度小,壓強就大;如果速度大,壓強就小”。我們稱之為“伯努利原理”。↑ 伯努利(Daniel Bernouli,1700~1782)小時候的課堂上,做過這樣的小實驗。我們拿著兩張紙,往兩張紙中間吹氣,會發(fā)現(xiàn)紙不但不會向外飄去,反而會被一種力擠壓在了一起。因為兩張紙中間的空氣被我們吹得流動的速度快,壓力就小,而兩張紙外面的空氣沒有流動,壓力就大,所以外面力量大的空氣就把兩張紙“壓”在了一起。這就是“伯...
發(fā)布時間: 2018 - 10 - 24
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