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發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺(tái)面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實(shí)際情況或客戶要求設(shè)計(jì))將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴(kuò)散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強(qiáng)力抽風(fēng)1個(gè)風(fēng)道口裝置(每個(gè)藥劑槽對(duì)應(yīng)一個(gè)),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動(dòng)調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時(shí)調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門:?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對(duì)人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動(dòng)控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機(jī)界面為觸摸屏,接口中有手動(dòng)操作、故障報(bào)警、安全保護(hù)等功能,各工作位過程完成提前提示報(bào)警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨(dú)立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨(dú)立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計(jì),方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報(bào)警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動(dòng)搬運(yùn)方式,通過對(duì)硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個(gè)用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機(jī)           設(shè)備型號(hào):CSE-SC-NZD254整機(jī)尺寸(參考):自動(dòng)設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動(dòng)各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計(jì)“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個(gè)全自動(dòng)的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測(cè) / 操作每個(gè)槽前上方對(duì)應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺(tái)面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級(jí)凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機(jī)臺(tái)后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報(bào)警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機(jī)、RCA清洗機(jī)、去膠機(jī)、外延片清洗機(jī)、酸堿腐蝕機(jī)、顯影機(jī)等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機(jī)Marangoni、單腔...
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封裝最早的集成電路使用陶瓷扁平封裝,這種封裝很多年來因?yàn)榭煽啃院托〕叽缋^續(xù)被軍方使用。商用電路封裝很快轉(zhuǎn)變到雙列直插封裝,開始是陶瓷,之后是塑料。1980年代,VLSI電路的針腳超過了DIP封裝的應(yīng)用限制,最后導(dǎo)致插針網(wǎng)格數(shù)組和芯片載體的出現(xiàn)。表面貼著封裝在1980年代初期出現(xiàn),該年代后期開始流行。它使用更細(xì)的腳間距,引腳形狀為海鷗翼型或J型。以Small-Outline Integrated Circuit(SOIC)為例,比相等的DIP面積少30-50%,厚度少70%。這種封裝在兩個(gè)長邊有海鷗翼型引腳突出,引腳間距為0.05英寸。Small-Outline Integrated Circuit(SOIC)和PLCC封裝。1990年代,盡管PGA封裝依然經(jīng)常用于高端微處理器。PQFP和thin small-outline package(TSOP)成為高引腳數(shù)設(shè)備的通常封裝。Intel和AMD的高端微處理器現(xiàn)在從PGA(Pine Grid Array)封裝轉(zhuǎn)到了平面網(wǎng)格陣列封裝(Land Grid Array,LGA)封裝。球柵數(shù)組封裝封裝從1970年代開始出現(xiàn),1990年代開發(fā)了比其他封裝有更多管腳數(shù)的覆晶球柵數(shù)組封裝封裝。在FCBGA封裝中,晶片(die)被上下翻轉(zhuǎn)(flipped)安裝,通過與PCB相似的基層而不是線與封裝上的焊球連接。FCBGA封裝使得輸入輸出信號(hào)陣列(稱...
發(fā)布時(shí)間: 2019 - 01 - 09
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集成電路集成電路(英語:integrated circuit,縮寫作 IC;德語:integrierter Schaltkreis),或稱微電路(microcircuit)、微芯片(microchip)、晶片/芯片(chip)在電子學(xué)中是一種把電路(主要包括半導(dǎo)體設(shè)備,也包括被動(dòng)組件等)小型化的方式,并時(shí)常制造在半導(dǎo)體晶圓表面上。前述將電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱薄膜(thin-film)集成電路。另有一種厚膜(thick-film)集成電路(hybrid integrated circuit)[1][注 1]是由獨(dú)立半導(dǎo)體設(shè)備和被動(dòng)組件,集成到襯底或線路板所構(gòu)成的小型化電路[注 2]。本文是關(guān)于單片(monolithic)集成電路,即薄膜集成電路。從1949年到1957年,維爾納·雅各比(Werner Jacobi)、杰弗里·杜默(Jeffrey Dummer)、西德尼·達(dá)林頓(Sidney Darlington)、樽井康夫(Yasuo Tarui)都開發(fā)了原型,但現(xiàn)代集成電路是由杰克·基爾比在1958年發(fā)明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎(jiǎng),但同時(shí)間也發(fā)展出近代實(shí)用的集成電路的羅伯特·諾伊斯,卻早于1990年就過世。
發(fā)布時(shí)間: 2019 - 01 - 09
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刻蝕刻蝕(英語:etching)是半導(dǎo)體器件制造中利用化學(xué)途徑選擇性地移除沉積層特定部分的工藝??涛g對(duì)于器件的電學(xué)性能十分重要。如果刻蝕過程中出現(xiàn)失誤,將造成難以恢復(fù)的硅片報(bào)廢,因此必須進(jìn)行嚴(yán)格的工藝流程控制。半導(dǎo)體器件的每一層都會(huì)經(jīng)歷多個(gè)刻蝕步驟。[1] 刻蝕一般分為電子束刻蝕和光刻,光刻對(duì)材料的平整度要求很高,因此,需要很高的清潔度。 但是,對(duì)于電子束刻蝕,由于電子的波長極短,因此分辨率與光刻相比要好的多。 因?yàn)椴恍枰谀0澹虼藢?duì)平整度的要求不高,但是電子束刻蝕很慢,而且設(shè)備昂貴。對(duì)于大多數(shù)刻蝕步驟,晶圓上層的部分位置都會(huì)通過“罩”予以保護(hù),這種罩不能被刻蝕,這樣就能對(duì)層上的特定部分進(jìn)行選擇性地移除。在有的情況中,罩的材料為光阻性的,這和光刻中利用的原理類似。而在其他情況中,刻蝕罩需要耐受某些化學(xué)物質(zhì),氮化硅就可以用來制造這樣的“罩”。
發(fā)布時(shí)間: 2019 - 01 - 08
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摻雜 (半導(dǎo)體)摻雜(英語:doping)是半導(dǎo)體制造工藝中,為純的本征半導(dǎo)體引入雜質(zhì),使之電氣屬性被改變的過程。引入的雜質(zhì)與要制造的半導(dǎo)體種類有關(guān)。輕度和中度摻雜的半導(dǎo)體被稱作是雜質(zhì)半導(dǎo)體,而更重度摻雜的半導(dǎo)體則需考慮費(fèi)米統(tǒng)計(jì)律帶來的影響,這種情況被稱為簡并半導(dǎo)體。載流子濃度摻雜物濃度對(duì)于半導(dǎo)體最直接的影響在于其載流子濃度。在熱平衡的狀態(tài)下,一個(gè)未經(jīng)摻雜的本征半導(dǎo)體,電子與空穴的濃度相等,如下列公式所示:n=p=ni對(duì)于非本征半導(dǎo)體在熱平衡的狀態(tài)下,這個(gè)關(guān)系變?yōu)?對(duì)輕摻雜而言):n0 · p0=ni2其中n0是半導(dǎo)體內(nèi)的電子濃度、p0則是半導(dǎo)體的空穴濃度,ni則是本征半導(dǎo)體的載流子濃度。 ni會(huì)隨著材料或溫度的不同而改變。對(duì)于室溫下的硅而言, ni大約是1.5×1010cm-3 。通常摻雜濃度越高,半導(dǎo)體的導(dǎo)電性就會(huì)變得越好,原因是能進(jìn)入導(dǎo)帶的電子數(shù)量會(huì)隨著摻雜濃度提高而增加。摻雜濃度非常高的半導(dǎo)體會(huì)因?yàn)閷?dǎo)電性接近金屬而被廣泛應(yīng)用在今日的集成電路制程來取代部分金屬。高摻雜濃度通常會(huì)在n或是p后面附加一上標(biāo)的“+”號(hào),例如 n+ 代表摻雜濃度非常高的n型半導(dǎo)體,反之例如 p-則代表輕摻雜的p型半導(dǎo)體。需要特別說明的是即使摻雜濃度已經(jīng)高到讓半導(dǎo)體退化為導(dǎo)體,摻雜物的濃度和原本的半導(dǎo)體原子濃度比起來還是差距非常大。以一個(gè)有晶格結(jié)構(gòu)的硅本征半導(dǎo)體而...
發(fā)布時(shí)間: 2019 - 01 - 08
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半導(dǎo)體光刻工藝 ——  光刻工藝步驟↑  此文件僅供參考學(xué)習(xí),勿用于商業(yè)用途延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
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半導(dǎo)體清洗工藝 ——  RCA濕法清洗工藝↑  此文件僅供參考學(xué)習(xí),勿用于商業(yè)用途延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
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半導(dǎo)體制造工藝 —— 光刻是如何進(jìn)行的(下)↑  此文件僅供參考學(xué)習(xí),勿用于商業(yè)用途延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
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半導(dǎo)體制造工藝 —— 光刻是如何進(jìn)行的(中)↑  此文件僅供參考學(xué)習(xí),勿用于商業(yè)用途延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
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半導(dǎo)體制造工藝 —— 光刻是如何進(jìn)行的(上)↑  此文件僅供參考學(xué)習(xí),勿用于商業(yè)用途延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
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半導(dǎo)體制造工藝 —— 晶圓表面電路的設(shè)計(jì)(下)↑  此文件僅供參考學(xué)習(xí),勿用于商業(yè)用途延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
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