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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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RENA前后清洗工藝什么是太陽能電池?1. 太陽能電池的原理太陽電池是利用光生伏特效應(yīng),把光能直接轉(zhuǎn)換成電能的一種器件。它的工作原理可以概括成下面幾個主要過程:第一,必須有光的照射,可以是單色光,太陽光或我們測試用的模擬太陽光源。第二,光子注入到半導(dǎo)體后,激發(fā)出電子—空穴對。這些電子空穴對必須有足夠的壽命保證不會在分離前被附和。第三,必須有個靜電場(PN結(jié)),起分離電子空穴的作用。第四,被分離的電子空穴,經(jīng)電極收集輸出到電池體外,形成電流。2. 制造太陽能電池的基本工藝流程二、前清洗(制絨)1. 制絨工藝的分類:制絨按工藝不同可分為堿制絨和酸制絨:    利用堿溶液對單晶硅不同晶面有不同的腐蝕速率(各向異性腐蝕),對(100)面腐蝕快,對(111)面腐蝕慢。如果將(100)作為電池的表面,經(jīng)過腐蝕、在表面會出現(xiàn)以 (111)面形成的錐體密布表面(金字塔狀),稱為表面織構(gòu)化。但是對于多晶硅,由于晶體排列方式雜亂,如果利用堿液,無法進行腐蝕得到良好的金字塔織構(gòu)化表面,此時只能用酸溶液進行各向同性腐蝕,獲得表面存在許多凹坑的表面結(jié)構(gòu),也能起到良好的陷光作用。2. 陷光原理:當(dāng)入射光入射到一定角度的斜面,光會反射到另一角度的斜面形成二次吸收或者多次吸收,從而增加吸收率。腐蝕深度在4.4± 0.4...
發(fā)布時間: 2020 - 12 - 17
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GaN材料介紹1.1GaN的晶體結(jié)構(gòu)一般地說,GaN具有三類晶體結(jié)構(gòu),分別為:纖鋅礦,閑鋅礦和巖鹽礦。閃鋅礦和巖鹽礦是比較少見的。它們的晶體結(jié)構(gòu)示意圖有下圖1.1所示。人們所制各的GaN的結(jié)構(gòu),一般來說都是纖鋅礦結(jié)構(gòu),因此著重介紹一下Gab]的纖鋅礦結(jié)構(gòu)。GaN晶體是可以看作山兩套六角密堆積的晶格相互嵌套的纖鋅礦結(jié)構(gòu)。這就是說.這種結(jié)構(gòu)相當(dāng)于兩套格子沿著C軸(0001)方向錯了3/8的晶格常數(shù)位簧,而兩套格子中任何一個格子都由一類原子(N原子或者Ga原子)構(gòu)成,如1.1圖所示。在纖鋅礦結(jié)構(gòu)的GaN中沿C軸(0001)方向的原子排序:Ga^N^OaeNBC3a^N^GaBNB等等依次延續(xù)。H.P.Marusaka和J.J.Tietjen[26】等人給出了被廣泛的接受GaN的晶格常數(shù),分別為a=0.3l89nm,c--0.5185nm。1.2GaN的化學(xué)性質(zhì)GaN的化學(xué)性質(zhì)十分穩(wěn)定,在室溫下,幾乎不與酸和堿的溶液反應(yīng)1271。到現(xiàn)階段為止,只有熔融的KOH能比較有效的與GaN反應(yīng)【2引.而這個方法被人們用來檢測(3aN外延膜的缺陷【29】。另外,還有電化學(xué)濕法刻蝕,本文會在后面講到。由于GaN的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,難以通過常用的化學(xué)反應(yīng)手段進行腐蝕。因此,在GaN器件的制作過程中常用干法刻蝕。主要是感應(yīng)耦臺等離子刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕的兩類刻蝕方法。這兩類的干法刻蝕所用的刻蝕氣體一般是氯元素的化...
發(fā)布時間: 2020 - 12 - 17
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摘要:化學(xué)機械拋光(CMP)技術(shù)是目前廣泛采用的幾乎唯一的高精度全局平面化技術(shù)。拋光后表面的清洗質(zhì)量直接關(guān)系到CMP技術(shù)水平的高低。介紹了各種機械、物理及化學(xué)清洗方法與工藝技術(shù)優(yōu)缺點,指出了清洗荊、清洗方式是CMP后清洗技術(shù)中的關(guān)捷要素。綜述了CMP后清洗技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀,分析了CMP后清洗存在的問題,并對其發(fā)展趨勢進行了展望。關(guān)鍵詞:化學(xué)機械拋光;原子級精度表面;清洗技術(shù)0引言目前因拋光后表面清洗不干凈引起的電子器件產(chǎn)品合格率降低,占次品率的50%左右,清洗質(zhì)量的高低已嚴(yán)重影響到先進電子產(chǎn)品的性能、可靠性與穩(wěn)定性。工藝中si片表面吸附的微粒、有機和無機粘污會破壞極薄氧化層的完整性,導(dǎo)致微結(jié)構(gòu)缺陷,引起低擊穿、管道擊穿、軟擊穿、漏電流增加以及芯片短路等問題?1。計算機硬盤技術(shù)中,隨著硬盤存儲密度的快速上升,磁頭的飛行高度已降低到10姍以下L2J。原子級表面粗糙度(原子直徑小于0.3nm)、無微觀缺陷、潔凈的高精表面已成為高技術(shù)電子產(chǎn)品制造中的共同要求,也是關(guān)系其性能的關(guān)鍵因素。目前一般采用CMP技術(shù)進行片子表面的高精度全局平坦化。由于拋光后新鮮表面活性高,以及CMP拋光液中大量使用高濃度的納米磨粒(如納米Si02、納米AIO粒子)、多種化學(xué)品等因素,工件表面極易吸附納米顆粒等污染物,導(dǎo)致CMP后清洗極其困難。集成電路技術(shù)中,對0.35pm及以下的CMOS工藝,要求后清洗提供的片子上0...
發(fā)布時間: 2020 - 12 - 17
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半導(dǎo)體濕法工藝實驗平臺于2019年完成建設(shè),實驗室提供濕法工藝實驗驗證和核心功能模塊演示服務(wù)。由于工藝實驗涉及納米尺度的工藝,對實驗環(huán)境有特定的需要,因此配備了專門的隔離空間及回風(fēng)過濾系統(tǒng),也配備了超純水DIW、壓縮干燥空氣CDA以及廢氣處理系統(tǒng)等工藝輔助設(shè)施,已能夠滿足用戶產(chǎn)品及工藝的快速驗證。濕法刻蝕清洗可以提供2”-12”晶圓的濕法刻蝕實驗臺、超聲兆聲清洗實驗臺、IPA干燥慢提拉實驗機、甩干機(立式、臥式)、CDS供液系統(tǒng)等不同類型的設(shè)備,能夠滿足絕大多數(shù)用戶在刻蝕、清洗、電(化學(xué))鍍、干燥的工藝驗證需求。具體可進行驗證工藝實驗名稱見下表:核心功能模塊演示包括超聲兆聲功能、自動配液功能、循環(huán)功能、過濾功能、加熱功能、制冷功能、恒溫功能、拋動晃動功能等。?自動配液:主要用于濕法腐蝕清洗等工序需要使用的腐蝕液集中進行配送,經(jīng)管道配送至使用端;具有自動化程度高、配比精確(達到2‰)、操作簡便等特點,具有耐腐蝕性,可適用于:HF、HNO3、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、H2O2、IPA等。CDS自動配液機?恒溫控溫:采用電子冷熱交換器,當(dāng)設(shè)定好制程藥液所需溫度,由控制單元精準(zhǔn)控制,則無需別的操作。通過外接循環(huán)水的溫度,將藥液溫度控制精度達到±0.5℃,電子冷熱器內(nèi)部溫度控制精度達到±0.1℃,保證多批次清洗、刻蝕效果一致。電子冷熱交換器工作原理...
發(fā)布時間: 2019 - 07 - 09
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在半導(dǎo)體濕制程、生物制藥、冶金化工等諸多行業(yè),制程工藝往往需要藥液的高精確控溫,若采用傳統(tǒng)的加熱與外水冷卻的方式來實現(xiàn)控溫,藥液溫度精度誤差大、控溫速率低、防腐性能低等等。而華林科納半導(dǎo)體型電子冷熱器正好彌補以上缺陷?! 鳠岬娜N基本方式是:熱傳導(dǎo)、對流和輻射。華林科納半導(dǎo)體型電子冷熱器的傳熱方式是屬于熱傳導(dǎo),熱量從物體內(nèi)溫度較高的部分傳遞到溫度較低的部分或者傳遞到與之接觸的溫度較低的另一物體的過程稱為熱傳導(dǎo)。通過冷熱交替從而實現(xiàn)熱液-冷液間溫度的傳遞,最終達到用戶需要的溫度(冷熱都可以實現(xiàn))。  然而,在上述提及的行業(yè)中,很多控溫的藥液往往帶有腐蝕性,制程工藝要達到100℃以上高溫,這就需要冷熱交換器用不同的材質(zhì)來適應(yīng)不同的材質(zhì)。作為濕制程設(shè)備專業(yè)制造商,經(jīng)過多年研發(fā)及更新?lián)Q代,華林科納公司研發(fā)的新型CSE-CHEC-VI電子冷熱器能夠?qū)崿F(xiàn)各行業(yè)95%以上的不同濕制程要求下的精確控溫?! ±錈峤粨Q取熱器,包括冷熱交換單元與控制系統(tǒng)兩個部分。冷熱交換單元根據(jù)藥液的不同特性,可采用PVDF、PTFE、不銹鋼等不同材質(zhì)制造。冷熱交換單元內(nèi)置半導(dǎo)體冷熱交換片、超溫保護單元、漏液保護單元、藥液防腐隔離單元等等。工藝槽的藥液經(jīng)過防腐泵、過濾器后、半導(dǎo)體冷熱控制單元形成一個閉環(huán)控制。根據(jù)槽體內(nèi)的溫度傳感器采集,PID數(shù)字閉環(huán)調(diào)節(jié),重新注入處理槽內(nèi)。由此,經(jīng)過不斷循環(huán)交換冷熱,將藥液溫度實時控...
發(fā)布時間: 2019 - 07 - 01
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衍射光學(xué)是基于光的衍射原理,利用計算機設(shè)計衍射圖,并通過微電子加工技術(shù)在光學(xué)材料只做表面浮雕的元件,由于衍射光學(xué)元件及其靈活的控制波前,集多功能與一體和可復(fù)制的優(yōu)良特性視光學(xué)系統(tǒng)及器件向輕型化,微型化和集成化發(fā)展。到了90年代至今,衍射光學(xué)元件的研究已成為光學(xué)界的前沿工作。隨著衍射光學(xué)元件應(yīng)用領(lǐng)域的拓展,大面積衍射元件的需求越來越多。濕法刻蝕技術(shù)是低成本制作特征尺寸及寬深比較大衍射光學(xué)元件較好的方法之一,特別在解決大口徑元件的刻蝕均勻性方面具有很大優(yōu)勢。衍射光學(xué)自身具有許多優(yōu)點使得它廣泛地應(yīng)用于各種光學(xué)系統(tǒng)或微光機電系統(tǒng)中,各種衍射光學(xué)元件目前已成為光通訊和光互聯(lián)中的關(guān)鍵元件,對它們的性能分析和設(shè)計具有重要的理論意義和應(yīng)用價值。與傳統(tǒng)折反射光學(xué)元件比較,衍射光學(xué)元件(DOE)的光學(xué)處理功能非常靈活。DOE可以在極小的體積內(nèi),集成多種光學(xué)功能于一體,產(chǎn)生傳統(tǒng)光學(xué)難以實現(xiàn)的各種光場分布。針對衍射光學(xué)元件的濕法刻蝕工藝,華林科納研究了濕法刻蝕的化學(xué)機理,摸索了相關(guān)的規(guī)律,得到了有效控制刻蝕速率的方法,不同腐蝕條件下所對應(yīng)的刻蝕速率。為基于工藝條件的優(yōu)化設(shè)計方法提供依據(jù),得到了制作工藝中的加工依據(jù)。公司具備獨立的設(shè)計、制造及應(yīng)用技術(shù),能夠為客戶提供從咨詢、設(shè)計、到制造的專業(yè)化、定制化整體解決方案。
發(fā)布時間: 2020 - 05 - 08
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濕法化學(xué)腐蝕是最早用于微機械結(jié)構(gòu)制造的加工方法。所謂濕法腐蝕,就是將晶片置于液態(tài)的化學(xué)腐蝕液中進行腐蝕,在腐蝕過程中,腐蝕液將把它所接觸的材料通過化學(xué)反應(yīng)逐步浸蝕溶掉。用于化學(xué)腐蝕的試劑很多,有酸性腐蝕劑,堿性腐蝕劑以及有機腐蝕劑等。濕法腐蝕工藝由于其低成本,高產(chǎn)出,高可靠性以及其優(yōu)良的選擇比是其優(yōu)點而仍被廣泛接受和使用。華林科納經(jīng)過多年的生產(chǎn)經(jīng)驗及技術(shù)的不斷改良,使得我們的設(shè)備在工藝路徑及技術(shù)要求上得到穩(wěn)步的提高,濕法腐蝕設(shè)備正朝著以下方向發(fā)展:a.自動化b.在微處理器控制下提高在腐蝕狀態(tài)下的重復(fù)性,以幫助工藝工程師提供更良好的控制,阻止人為因素的影響。c.點控制過濾控制,以減小腐蝕過程中缺陷的產(chǎn)生d.自動噴淋設(shè)備的開發(fā)。所有這些,都使?jié)穹ǜg有一個更美好的前景。濕法腐蝕機理濕法腐蝕的產(chǎn)生一般可分為3步:1:反應(yīng)物(指化學(xué)藥劑)擴散到反應(yīng)表面2:實際反應(yīng)(化學(xué)反應(yīng))3:反應(yīng)生成物通過擴散脫離反應(yīng)表面在實際應(yīng)用中,濕法腐蝕通常用來在SI襯底或薄膜上生成一定的圖形,光刻版是典型的被用于覆蓋所期望的表面區(qū)域防止被腐蝕液腐蝕掉,而光刻版在腐蝕后常被去掉,因此在線擇濕法腐蝕工藝時,必須線擇腐蝕液,合適的形成版的材料(光刻膠)必須具有良好的抗腐蝕能力,良好的完整覆蓋特性,光刻膠常被用來作為版層材料,但有時邊緣的黏附性差,常采用HMDS以增強其黏附性濕法腐蝕反應(yīng)時可能存在多種反應(yīng)機理,許多反應(yīng)...
發(fā)布時間: 2020 - 05 - 08
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RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA實驗室首創(chuàng)的,并由此而得名。CSE華林科納RCA清洗是一種典型的、普遍使用的濕式化學(xué)清洗法,是去除硅片表面各類玷污的有效方法,所用清洗裝置大多是多槽處理式清洗系統(tǒng)。該清洗系統(tǒng)主要包括以下幾種藥液:(1)SPM:H2SO4 /H2O2 120~150℃ SPM具有很高的氧化能力,可將金屬氧化后溶于清洗液中,并能把有機物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有機沾污和部分金屬,但是當(dāng)有機物沾污特別嚴(yán)重時會使有機物碳化而難以去除。(2)HF(DHF):HF(DHF) 20~25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中,同時DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al,F(xiàn)e,Zn,Ni等金屬,DHF也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用DHF清洗時,在自然氧化膜被腐蝕掉時,硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。(3)APM (SC-1):NH4OH/H2O2 /H2O 30~80℃ 由于H2O2的作用,硅片表面有一層自然氧化膜(SiO2),呈親水性,硅片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的Si被NH 4OH腐蝕,因此附著在硅片表面的顆粒便落入清洗液中,從而達到去除粒子的目的...
發(fā)布時間: 2020 - 04 - 29
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刻蝕是把進行光刻前所淀積的薄膜中未被光 刻膠覆蓋的部分用化學(xué)或物理的方式去除,用以完成掩模圖像的轉(zhuǎn)移??涛g是半導(dǎo)體器件和集成 電路的基本制造工藝,分為濕法刻蝕和干法刻蝕。 濕法刻蝕是通過化學(xué)刻蝕液和被刻蝕物質(zhì)之間的 化學(xué)反應(yīng)將被刻蝕物質(zhì)剝離下來的方法;干法刻 蝕的刻蝕劑是等離子體,是利用等離子體和表面 薄膜反應(yīng),形成揮發(fā)性物質(zhì),或直接轟擊薄膜表面 使之被腐蝕的工藝。雖然濕法刻蝕在保證細小圖 形轉(zhuǎn)移后的保真性方面不如干法刻蝕,但由于生 產(chǎn)成本低、產(chǎn)能高、適應(yīng)性強、表面均勻性好、對硅片損傷少、其優(yōu)良的選擇比在去氧化硅、去除殘留 物、表層剝離以及大尺寸圖形刻蝕等方面有著廣 泛的應(yīng)用。濕法刻蝕的特點是:反應(yīng)生成物必須是氣體或能溶于刻蝕劑的物質(zhì),否則會造成反應(yīng)物沉 淀,影響刻蝕的正常進行;濕法刻蝕一般為各向同性,即水平方向和垂直方向的速率是相同的,這樣會導(dǎo)致側(cè)向出現(xiàn)腐蝕。因此,刻蝕后得到的圖形結(jié)構(gòu)不是理想的垂直墻;濕法刻蝕過程常伴有放熱和放氣現(xiàn)象,影響刻蝕速率,使得刻蝕效 果變差。  提高濕法設(shè)備刻蝕均勻性的方法 刻蝕均勻性是一種衡量刻蝕工藝在晶片內(nèi)及晶片之間刻蝕一致性的參數(shù),是保證芯片產(chǎn)品質(zhì) 量的關(guān)鍵指標(biāo)之一??涛g速率和刻蝕剖面與圖形 尺寸及密度是影響刻蝕均勻性的原因,刻蝕均勻性與選擇比有密切的關(guān)系,非均勻性刻蝕會產(chǎn)生額外的過刻蝕??涛g溶液的溫度控制 刻蝕溶液溫度是硅濕...
發(fā)布時間: 2020 - 05 - 08
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超聲波清洗技術(shù)的基本原理,大致可以認為是利用超聲場產(chǎn)生的巨大作用力,在洗滌介質(zhì)的配合下,促使物質(zhì)發(fā)生一系列物理、化學(xué)變化以達到清洗目的的方法。當(dāng)高于音波(28~ 40KHz)的高頻振動傳給清洗介質(zhì)后,液體介質(zhì)在高頻振動下產(chǎn)生近乎真空的空腔泡,空腔泡在相互間的碰撞、合并、消亡的過程中,可使液體局部瞬間產(chǎn)生幾千大氣壓的壓強,如此大的壓強使得周圍的物質(zhì)發(fā)生一系列物理、化學(xué)變化。這種作用稱為“空化作用”: 1. 空化作用可使物質(zhì)分子的化池鍵斷裂,引起各種物理變化(溶解、吸附、乳化、分散)和化學(xué)變化(氧化、還原、分解、化合)等;2. 當(dāng)空腔泡的固有頻率和超聲頻率相等時,可產(chǎn)生共振,共振的空腔泡內(nèi)聚集了大量的熱能, 這種熱能足以使周圍物質(zhì)化學(xué)鍵斷裂而引起物理、化學(xué)變化。3. 當(dāng)空腔泡形成時,兩泡壁間因產(chǎn)生極大的電位差而引起放電,致使腔內(nèi)氣泡活化進而引起周圍物質(zhì)的活化,從而使物質(zhì)發(fā)生物理、化學(xué)變化。 超聲場為清洗提供了巨大的能量,但還需化學(xué)洗劑作為介質(zhì)。一般將化學(xué)洗劑分為兩類,一類是有機溶劑,主要是根據(jù)相似相溶的化學(xué)原理,對有機物如:黏結(jié)劑(瀝青、松香等)、保護性材料(瀝青、樹脂等)、磨邊潤滑油進行溶解。在光學(xué)洗凈中,最初用三氯乙烯、芳香烴、氟里昂等作為清洗劑,這類物質(zhì)雖然溶解性強,但有的易揮發(fā),毒性大,有的對大氣臭氧層有破壞作用,被逐步禁用。現(xiàn)...
發(fā)布時間: 2020 - 05 - 08
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