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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達(dá)到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料作為用于高壽命藍(lán)色LD (半導(dǎo)體激光器)、高亮度藍(lán)色LED (發(fā)光二極管)、高特性電子器件的GaN單晶晶片,通過hvpe (氫化物氣相)生長法等進行生長制造出了變位低的自立型GaN單晶晶片。GaN單晶晶片生長后不久通常為圓形,厚度、外徑有偏差。 另外,在外延器件工序中,不是剛剛生長后晶片,而是通常為平坦的面、傳感器為了判斷放置在接頭上的均勻外徑、結(jié)晶方位,與結(jié)晶面平行加工的OF(定位平面)、為了識別表背面而實施了IF (索引平面)加工的晶圓和背面為梨皮狀(粗糙化面)的晶圓。因此,通常為了調(diào)整晶片形狀,使用NC (數(shù)控)加工機和仿形式的加工機進行外徑倒角加工,此外,為了得到平坦的面,還進行磨削研磨進行蝕刻研磨加工。作為加工后的清洗,進行以除去重金屬為目的的酸清洗。一般來說是半導(dǎo)體晶片的清洗時,以除去表面上顆粒為目的進行堿清洗,GaN單晶晶片在這種情況下,n面被堿液蝕刻,引起表面粗糙,因此避免使用。但是,傳統(tǒng)的清洗方法不能使用堿清洗,因此不能說顆粒去除能力充分,存在難以得到清潔的GaN單晶晶片表面的問題。在GaN單晶晶片中,GaN單晶晶片的Ga表面的顆粒被去除,但是N表面的粗糙度很大,并且不能使用堿清潔。本發(fā)明提供了一種GaN單晶晶片的清潔方法,該GaN單晶晶片具有足夠的顆粒去除能力,并規(guī)定了堿性化學(xué)品的種類、濃度和清潔條件,以防止表面粗糙化,本發(fā)明...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 16
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言太陽能電池利用太陽輻射發(fā)電,其中半導(dǎo)體材料被用作太陽能轉(zhuǎn)換的吸收材料。盡管有許多吸收材料的替代品,硅太陽能電池仍然主導(dǎo)著市場。硅的帶隙為1.1電子伏,單結(jié)硅太陽能電池的極限量子效率為29.1%。人們一直在努力提高太陽能電池的效率,不僅通過開發(fā)新的器件結(jié)構(gòu),而且通過減少光的反射。在商用太陽能電池中,這是分兩步完成的——表面紋理化,然后沉積抗反射涂層。有很多種方法使表面具有紋理,例如機械雕刻,激光治療,等離子蝕刻,和濕化學(xué)蝕刻,其中最后一種技術(shù)由于其易于加工、成本低和產(chǎn)量高而被廣泛使用。表面紋理化是通過增強硅太陽能電池的光捕獲能力來提高其效率的一種途徑。在本文中,太陽能級、單晶、未拋光的硅片在織構(gòu)化之前通過不同的途徑進行化學(xué)處理。用掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡和紫外-可見分光光度計系統(tǒng)地研究了這種預(yù)織構(gòu)化處理對形態(tài)演變和相應(yīng)光學(xué)性質(zhì)變化的影響。已經(jīng)發(fā)現(xiàn),金字塔結(jié)構(gòu)的均勻性和尺寸分布以及紋理化表面的反射率取決于預(yù)紋理化化學(xué)處理。此外,還發(fā)現(xiàn)在紋理化之前用HF蝕刻氧化物層不會影響紋理化硅襯底的光學(xué)特性。 實驗在我們的工作中,我們使用了大面積(130mm×130mm)摻硼、p型、(100)取向、單晶、太陽級、未拋光的硅晶片,電阻率為1Ωcm-3Ωcm,厚度為190μm-210μm作為基底材料。本文所進行的化學(xué)處理可分為兩個步驟:(1...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 16
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料太陽能電池的效率可以分為四個關(guān)鍵要素:最大限度地收集光線,最大化pn結(jié)載流子的數(shù)量,降低正向偏置暗電和有效的電流從單元格傳輸?shù)侥K。硅片上的金屬污染對載流子的壽命和電池的性能有很大的影響。污染物可以暴露于硅體中,或在暴露在受污染的過程浴中被引入晶圓中。作為一種提高載體壽命和提高電池效率的手段,消除擴散前濕化學(xué)系統(tǒng)的污染至關(guān)重要。這些浴缸中的污染可能導(dǎo)致:不均勻或未蝕刻的晶片,降低蝕刻效率,降低清潔效率,污染物質(zhì)會從一個浴室轉(zhuǎn)移到下一個浴室,增加了水和化學(xué)品的消耗量。本文將幾種流體處理材料作為擴散前化學(xué)物質(zhì)的污染源和它們對化學(xué)浴的理論污染貢獻。利用技術(shù)和理論來測量殘留厚度,以及晶圓上的液體污染水平,可以量化液浴中雜質(zhì)導(dǎo)致的污染水平增加。利用從各種濕材料中提取的實際數(shù)據(jù),以及與這些材料接觸的流體量,計算了理論管道系統(tǒng)的污染量。然后研究了減少再循環(huán)浴中化學(xué)物質(zhì)和成分引入的污染物水平的方法。污染來源:濕式處理系統(tǒng)的施工材料:管道、軟管、管道、閥門、配件、流量計、容器和過濾器。晶圓硅片加工中使用的化學(xué)物質(zhì)和硅,錯誤的過濾器可能會由于化學(xué)物質(zhì)、溫度或流動不相容而造成污染。制造清潔度會產(chǎn)生更清潔的組件。廣泛的清潔濕過程是必要的,以實現(xiàn)超清潔的產(chǎn)品。從管道材料中提取的污染物:圖1比較了預(yù)擴散工藝管道中用作濕表面的各種材料的可提取的污染水平。這些數(shù)據(jù)是基于微克/平...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 16
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言硅異質(zhì)結(jié)(SHJ)太陽能電池結(jié)合了高轉(zhuǎn)換效率、低熱預(yù)算、短工藝流程、良好的低光性能和較低溫度系數(shù)帶來的更好的年產(chǎn)量的優(yōu)點。為了制造硅異質(zhì)結(jié)(SHJ)太陽能電池,氫化非晶硅層沉積在織構(gòu)化的碳硅晶片的兩側(cè)。需要紋理襯底來增強光捕獲。這些電池的高轉(zhuǎn)換效率依賴于非晶硅層提供的優(yōu)異表面鈍化。因此,沒有有機和金屬雜質(zhì)的完美光滑表面是SHJ電池制造中最重要的方面之一。為了制造硅異質(zhì)結(jié)(SHJ)太陽能電池,氫化非晶硅(a-Si:H)層沉積在織構(gòu)化的c-Si晶片的每一側(cè)。這些電池的高轉(zhuǎn)換效率在很大程度上依賴于這些層提供的優(yōu)異表面鈍化。因此,一個完全干凈的表面,沒有有機和金屬雜質(zhì),是制造SHJ電池的一個非常重要的方面。此外,對于未來的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),例如在鈍化觸點中使用金屬氧化物,良好的表面質(zhì)量控制將是重要的。本文研究了氫氧化鉀隨機金字塔紋理化后的濕化學(xué)清洗步驟。 實驗我們使用180微米厚,6英寸n型直拉c-Si 晶片,電阻率為6Ω。厘米在氫氧化鉀蝕刻溶液中形成紋理。使用酸性蝕刻工藝,或者通過單面蝕刻,使金字塔的頂端變圓。通過單面蝕刻(SSE)工具或在浴槽工藝中,之后進行脫色清洗。在整個實驗中,一次準(zhǔn)備一批100個有紋理的晶片。清洗步驟之后,通過使用等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)在晶片的兩側(cè)沉積7納米厚的本征非晶硅:氫層。在沉積之后,立即使用壽命測...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 16
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      隨著器件尺寸縮小到深亞微米級,半導(dǎo)體制造中有效的濕法清洗工藝對于去除硅晶片表面上的殘留污染物至關(guān)重要。GOI強烈依賴于氧化前的晶片清潔度,不同的污染物對器件可靠性有不同的影響,硅表面上的顆粒導(dǎo)致低擊穿場和低產(chǎn)量,而有機污染物降低了氧化速率和氧化物質(zhì)量。此外,金屬污染將導(dǎo)致低擊穿場和高結(jié)漏電流、增加的氧化物陷阱,這導(dǎo)致少數(shù)載流子壽命降低、閾值電壓偏移以及由此導(dǎo)致的熱載流子退化。本文研究了含有NH4OH和H2O2,和/或四甲基氫氧化銨(TMAH)和乙二胺四乙酸(EDTA)的一步清洗溶液對硅表面粗糙度和刻蝕速率的影響。討論了TMAH溶液與硅表面的相互作用機理。此外,還分析了顆粒、有機物和金屬雜質(zhì),以評估清潔效率。還評價了用這種新型清洗液清洗后柵氧化層的電特性。 實驗      洗溶液和電容器制造工藝?!懈呒兌仁褂玫脑僦苿┚鶠槟说碾娮蛹壔蚋呒墑e。表一列出了不同堿清洗溶液的各種配方,通過測試找到了硅表面的清潔效率的最佳配方。清洗液中使用了三甲基氯化銨和乙二胺四乙酸。      圖1描述了電容器的制造過程和清潔程序。金屬氧化物半導(dǎo)體電容器是在一個4英寸的襯底上制作的。電阻率為14-21Ω·cm的diam(100)取向p型晶片。...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 16
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料近年來,作為取代SPM(硫酸/過氧化氫)清洗的有機物去除法,通過添加臭氧的超純水進行的清洗受到關(guān)注,其有效性逐漸被發(fā)現(xiàn)。在該清洗法中,可以實現(xiàn)清洗工序的低溫化、操作性的提高、廢液處理的不必要化、封閉系統(tǒng)的實現(xiàn)。另一方面,動態(tài)自旋清洗法解決了現(xiàn)在普遍使用的靜態(tài)分批清洗法中存在的交叉污染、藥液使用量的減少化、清洗時間的縮短化問題,而且還可以抑制自然氧化膜的生成,因此受到了人們的關(guān)注。將自旋清洗法與添加臭氧的超純水相結(jié)合的新清洗法,與以往的方法相比,具有更好的清洗能力,在抑制自然氧化膜生成的同時,可以在短時間內(nèi)完全除去晶片表面的有機物。有機物的影響和除去方法有機物污染是必須從晶片表面除去的污染物之一。作為污染源,被認(rèn)為是涉及潔凈室內(nèi)的空氣、晶片載體、晶片盒、藥品、清洗工具等多種多樣的污染源。物理吸附在晶片表面的有機物分子以粒子或薄膜狀復(fù)蓋表面,為了遮擋與清洗藥液的接觸,清洗效率(金屬、粒子除去)降低,表面的不均勻蝕刻,以及外延硅層的生長、柵極氧化膜的擊穿,因此,一般認(rèn)為晶片表面上的有機物除去在清洗工序中必須首先在完全壁上進行。有機物去除機理根據(jù)利用FT-ⅠR的觀察,已經(jīng)推測有機物具有島狀或至少不均勻的厚度,是物理吸附的。有機物的除去使用的是利用氧化分解的清洗法,但是由于清洗后的晶片表面會形成氧化硅膜,所以一般組合進行用于除去氧化膜的清洗(稀氫氟酸清洗等...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 15
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料      熱氧化的目的:Si晶片在大氣中自然氧化,表面非常薄,但被SiO2膜復(fù)蓋。 Si和在其上產(chǎn)生的SiO2膜的密合性很強。 在高溫下進行氧化,會產(chǎn)生厚而致密且穩(wěn)定的膜。 Si的熔點為1412℃,但SiO2的熔點為1732℃,復(fù)膜具有非常高的耐熱性。 并不是所有的金屬和半導(dǎo)體都具有被密合性高的致密的氧化膜容易被復(fù)的特性,而是作為將Si組裝到半導(dǎo)體元件上的實用上非常有益的效果被利用。最初發(fā)明的Ge晶體管代替了Si晶體管,也是因為它通過熱氧化形成了與Si相容性好的電、機械、熱、化學(xué)特性優(yōu)良的絕緣體SiO2,可以應(yīng)用于MOS晶體管結(jié)構(gòu)和鈍化。      熱氧化溫度在800~1100℃下進行,但該溫度區(qū)域?qū)儆诰谱鞴ば虻钠渌麩崽幚頊囟鹊淖罡邷囟确秶?因此,在進行熱氧化的同時,同時進行幾個熱處理效果。 另外,在本來應(yīng)該在比其更低的溫度下進行的處理之后進行熱氧化的話,之前的處理就會無效。 因此,熱氧化是晶片工藝初期、晶體管形成以前( FEOL )使用的工藝技術(shù)。 金屬布線中使用的Al的熔點為660℃,布線處理后不能使用熱氧化,所以SiO2絕緣膜用堆積法形成。圖5-1比較表示各種熱處理工藝及其溫度。 圖5-1 晶片制作工序中的各種熱處理工藝及其溫度    ...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 15
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料一直以來,對于粒子的洗滌效果,以去除率(PRE:Particle Removal Efficiency)為指標(biāo)進行討論。 通過使用由顆粒測量儀器測量的晶片上的顆粒數(shù)量、柱(清潔后)值和初始(清潔前)值來描述PRE。本指標(biāo)對于討論洗滌方法之間的差異是有效的,但是為了調(diào)查相同洗滌條件下的微粒子去除效果的粒徑依賴性,需要在樣品上下功夫。我們采用了一種方法,即使用微粒涂覆裝置改變粒徑,在同一晶片上只涂覆已知量的顆粒。  圖1顯示了2300 NPT-1器件示意圖和在300mm晶圓上涂覆40、60、80、100、200nm的PSL(聚苯乙烯膠乳)顆粒,用SP2測量的結(jié)果。 圖2顯示了使用SURF monitor的同一晶圓的PRE計算方法的概念圖??紤]到SP2測量環(huán)境和洗滌效率,設(shè)定了顆粒直徑和顆粒數(shù)量(密度)的條件。 此外,雖然這次采用了PSL球,但是該涂覆裝置具有可以引入其他顆粒(例如二氧化硅和氮化硅)的優(yōu)點。 雙流體清洗:圖3顯示了一個典型的單片雙流體清洗的PRE.1氮流量為14L/min.圖3所示結(jié)果的最大要點是,即使是PSL顆粒,由于容易去除,被認(rèn)為不適合清洗評價中的強制污染顆粒,隨著顆粒直徑的減小,PRE也會降低。特別是在60nm以下,PRE會顯著降低。圖4顯示了PRE對40nm和200nm兩個PSL粒子的氮流量依賴性。200n...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 15
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      電解是一種能夠通過向液體通電,在陰極發(fā)生還原反應(yīng) ,在陽極發(fā)生氧化反應(yīng),從而制造新物質(zhì)的有趣的方法 o特別是在陽極的氧化反應(yīng)中,由于不穩(wěn)定,可以通過 電能生成通常存在比率小的過氧化物。例如,如果是硫 酸溶液的話,可以從硫酸生成H9SOs或H9S90g這樣的 過硫酸(過氧化物}。其他還有過乙酸、過硼酸、過碳酸 、過磷酸、高氯酸等。 實驗      電解硫酸顧名思義就是電解硫酸溶液。電解硫酸后,如式(1)和(2)所示,生成硫酸根離子硫酸氫離子釋放出電子,變成過硫酸(HS, Og)。通過使用鉗電極的電解法詳細(xì)說明了反應(yīng)機理。硫酸濃度從1摩爾/升( 9wt % )變化到13摩爾/升( 76wt % ),過硫酸的生成效率是從4摩爾/升( 32wt % )到12摩爾/升( 72wt % )左右。 在本文中也得到了同樣的結(jié)果,其理由也是考慮到圖1的解離平衡可以接受的。過氧化氫與硫酸反應(yīng)因為會變成乙酸和水,所以每次添加都會稀釋藥液中的硫酸,光致抗蝕劑去除能力也逐漸降低。與此相對,電解硫酸只要電解具有所需硫酸濃度的硫酸即可, 并且如式(1)和(2)所示,可以通過電量控制過硫酸濃度。圖2總結(jié)了SPM及電解硫酸的處理時間和各種濃度的變化示意圖。電解硫酸可以使硫酸濃度及氧化劑濃度保持一...
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料使用超臨界流體去除污染物的過程,即高于其臨界溫度和壓力的類氣體物質(zhì)。超臨界流體具有類液體溶劑化特性和類氣體擴散和粘度,使其能夠快速穿透縫隙和邊界層膜,并完全去除其中包含的有機和無機污染物。此外,通過在超臨界和亞臨界值之間循環(huán)壓力,顆粒可以在脈動的膨脹階段被非常有效地排出。超臨界流體的定義可以通過查看相圖來充分理解。 圖2中的一氧化碳。關(guān)鍵特性是在任何壓力下都不能出現(xiàn)超過臨界溫度(T)的冷凝。T右側(cè)和P上方的區(qū)域定義了超臨界狀態(tài)。超臨界流體的密度可以非常高。二氧化碳作為清洗液:超臨界CO被選為主要清洗液,因為其低粘度(0.05厘米泊)、高擴散率、非常低的表面張力,以及其他環(huán)境、安全和成本考慮。對于CO,臨界溫度T為31℃,臨界壓力也在實際范圍內(nèi)(Pc=73bar=1050psi)。圖3顯示了略高于臨界溫度的等溫線的密度與壓力。密度隨著臨界點附近的壓力而顯著變化。例如,在31℃時,在環(huán)境壓力下,密度僅為0.002g/cm3,而在PC下,密度為0.468g/cm3(增加了234倍)。高于Pc的CO2具有與有機液體相當(dāng)?shù)拿芏群腿軇┗芰Ατ诤愣ǖ臏囟?,CO2的溶劑濃度隨壓力而變化。物理化學(xué)性質(zhì)可以在Pc以上和以下使用,即超臨界和亞臨界性質(zhì)在設(shè)計良好的清洗過程中都很重要。在這一過程中,流體在兩個壓力之間循環(huán),如圖3所示。  圖3晶圓清...
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