久久国产亚洲精品超热碰_日本福利在线观看_亚洲AV永久无码5G_女生私密在线一区二区_国产精品视频大全_三级国产亚洲_无码人妻中文二区_岳装睡到我房间和我做_影音先锋精品网址_黄色污污视频网站

歡迎訪問華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司官網(wǎng)
手機網(wǎng)站
始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

--- 全國服務(wù)熱線 --- 0513-87733829



新聞資訊 新聞中心
400-8798-096
聯(lián)系電話
聯(lián)系我們
掃一掃
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推薦產(chǎn)品 / 產(chǎn)品中心
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達(dá)到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
新聞中心 新聞資訊
掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      微波光子學(xué)利用光通過光子鏈路傳輸和處理微波信號。然而,光可以替代地用作直接控制微波信號的微波設(shè)備的刺激。這種光控幅度和相移開關(guān)被研究用于可重新配置的微波系統(tǒng),但是它們的缺點是占用空間大、開關(guān)所需的光功率高、缺乏可擴展性和復(fù)雜的集成要求,限制了它們在實際微波系統(tǒng)中的實現(xiàn)。在這里,我們報告單片光學(xué)可重構(gòu)集成微波開關(guān)(莫里姆斯)建立在互補金屬氧化物半導(dǎo)體兼容硅光子芯片上,解決所有嚴(yán)格的要求。我們的可擴展微米級開關(guān)提供了更高的開關(guān)效率,所需的光功率比現(xiàn)有技術(shù)水平低幾個數(shù)量級。此外,它為集成微波電路的硅光子平臺開辟了一個新的研究方向。這項工作對于未來通信網(wǎng)絡(luò)的可重構(gòu)微波和毫米波器件具有重要意義。 實驗       多晶硅薄膜晶體管在SOI晶片上制造,SOI晶片由250納米厚的器件層和3微米厚的掩埋氧化物層組成,如圖5a所示。第一步是形成硅光電導(dǎo)貼片。16微米×12微米矩形氫硅倍半氧烷(HSQ)通過電子束光刻形成圖案。具有SF6和C4F8氣體混合物的反應(yīng)離子蝕刻(RIE)用于硅蝕刻,如5b所示,接下來,通過電子束光刻的另一個步驟來限定鋁傳輸線,該步驟使用聚甲基丙烯酸甲酯作為抗蝕劑,隨后是800納米鋁電子束沉積。然后進行剝離工藝以形成圖5c所示的傳輸線。為...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 18
瀏覽次數(shù):7
掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      電子工業(yè)中用于集成電路的典型硅片是由直拉法生長的硅單晶錠切割而成的。這種單晶是從石英坩堝中的熔體中拉出的,該坩堝將氧原子結(jié)合到硅晶體中。氧原子占據(jù)硅晶格中的間隙位置,并能形成二氧化硅團簇的核。這種硅晶體的熱處理引起氧擴散和氧沉淀物的生長。晶體生長過程中每個晶片的熱歷史負(fù)責(zé)晶體不同部分中間隙氧和氧化物核的各種分布。本文研究了不同溫度工藝后直拉硅單晶中的氧沉淀,研究了不同溫度預(yù)退火對氧沉淀的影響,其中溫度歷史沒有完全消除,只是達(dá)到了不同的抑制階段。通過紅外(IR)吸收光譜測量使用不同溫度和時間的沒有和具有TR預(yù)退火的樣品,并將結(jié)果與化學(xué)蝕刻和透射電子顯微鏡(TEM)進行比較。本文還討論了從錠頭和錠尾觀察到的晶片溫度歷史的影響。 實驗      我們探討了從兩個1.5毫米厚的硅晶片上切下的樣品中氧的沉淀過程。一個樣本是靠近直徑為150毫米的直拉法生長晶錠的起點{S}和另一個靠近終點{E}切片。該晶錠摻硼,電阻率為3-5Ω·cm,晶片表面的晶體取向為(111)。      兩個晶片{S,E}被一起分成10個系列的矩形樣品(尺寸約為20 mm × 15 mm):五個系列的樣品來自錠頭{S},另外五個系列的樣品來自錠尾{E}...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 18
瀏覽次數(shù):49
掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      在半導(dǎo)體熱處理應(yīng)用中,批處理在工業(yè)的早期階段被采用,并且仍然非常流行。我們研究了直徑為200毫米和300毫米的硅(100)晶片在單晶片爐中高溫快速熱處理過程中的熱行為,該熱行為是溫度、壓力、處理時間、晶片處理方法和速度的函數(shù)。在晶片溫度上升期間觀察到顯著的彈性晶片形狀變形。在1050℃以上處理的晶片中經(jīng)常觀察到滑移的產(chǎn)生。使用光學(xué)顯微鏡和x光形貌來表征在RTP期間產(chǎn)生的晶體缺陷的尺寸、形狀和空間分布。發(fā)現(xiàn)在給定的工藝條件下,晶片處理方法和速度對于減少RTP期間的缺陷產(chǎn)生非常重要。通過優(yōu)化晶片處理方法和速度,在1100℃下處理的200毫米和300毫米直徑的硅(100)晶片中獲得了高度可再現(xiàn)的、無滑動的實時處理結(jié)果。 實驗      用大尺寸(直徑200 mm和300mm)Si(100)晶片在預(yù)熱的SWF處理室中在800–1150℃的溫度范圍內(nèi)退火。眾所周知,si晶片的機械強度受雜質(zhì)類型和濃度的強烈影響。詳細(xì)研究并發(fā)表了硅中氧和硼對機械強度的影響。在本方法中,使用低氧濃度的硅晶片作為對照樣品。硅晶片在退火過程中產(chǎn)生的晶體缺陷通過視覺檢測和光學(xué)顯微鏡作為溫度、壓力、處理時間、晶片處理方法和速度的函數(shù)進行研究。      對于200毫米直徑...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 17
瀏覽次數(shù):94
掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言拋光液中的污染物和表面劃痕、挖掘和亞表面損傷(固態(tài)硬盤)等缺陷是激光損傷的主要前兆。我們提出了在拋光后使用HF/HNO3或KOH溶液進行深度濕法蝕刻,以提高熔融石英光學(xué)器件在351 nm波長下的抗激光損傷能力。這種比較是在高損傷閾值拋光熔融石英光學(xué)器件上設(shè)計的劃痕上進行的。我們證明氫氧化鉀和氫氟酸/硝酸溶液都能有效鈍化劃痕,從而提高其損傷閾值,達(dá)到拋光表面的水平。還研究了這些濕蝕刻對表面粗糙度和外觀的影響。我們表明,在測試條件下,氫氧化鉀溶液顯示出比氫氟酸/硝酸溶液更好的整體表面質(zhì)量。 實驗      我們使用六個熔融石英樣品,采用優(yōu)化的研磨工藝制造,減少了表面下的損傷,隨后進行預(yù)拋光和超拋光。因此,它們在紫外光下具有高的初始LIDT。然后用圖1和2中總結(jié)的兩種方案制備兩批三個樣品。第一批(命名為樣品A1至A3)用于拋光表面表征,而第二批(命名為樣品B1至B3)用于劃痕表征。所以第二批需要中間步驟來制造劃痕并顯示出來。劃痕是使用單面拋光機拋光造成的。拋光為30龍敏,漿料由膠體二氧化硅中的氧化鈰顆粒組成。為了去除拋光層并露出劃痕,在室溫下用氫氟酸HF(2.7重量%)和硝酸HNO 3(22.8重量%)的混合物對這些樣品進行輕度濕法蝕刻(2米深),系統(tǒng)如圖3所示。這兩批樣品在自動洗衣機中清洗。在60℃下使用堿...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 17
瀏覽次數(shù):41
掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      太陽能發(fā)電被期待為實現(xiàn)性最高的新能源之一。但是,太陽能發(fā)電存在效率低的問題。硅晶系太陽能電池(單晶、多晶)的表面平坦,反射入射光的約1/3(不進行能量轉(zhuǎn)換),向周圍發(fā)散,產(chǎn)生了很大的損失(反射損失)。降低這種反射損失,使太陽光發(fā)電高效化的技術(shù)被稱為“光鎖定技術(shù)”。在硅太陽能電池中,已經(jīng)開發(fā)出了用蝕刻液處理表面,形成微觀凹凸(紋理),從而抑制反射的技術(shù)。      本研究討論了以下兩個課題,嘗試了對基板清洗原理的研究。課題(1)紋理的表面分析、觀察課題(2)清洗液的化學(xué)變化 實驗      作為溶液A,直接使用了Si(100)面的太陽能電池用的單晶晶圓。作為觀察試樣的未處理硅片用金剛石筆切斷為約5mm見方,用溶劑a清洗.作為觀察試樣的紋理完畢的硅片用金剛石筆切斷為約5mm見方。在表面分析中,使用了X射線光電子分光分析裝置(ESCA)和附帶掃描電子顯微鏡的X射線分析器。作為X射線光電子分光分析裝置,使用了未處理的硅片,比較了基板清洗前后。用SEM―EDS映射未處理的硅片和紋理,嘗試了“微掩?!钡奶剿?。      作為密閉容器,使用了玻璃制干燥器(容積3L)。在50mL螺旋管中加入50mL鹽酸,釋放蓋子,使其...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 17
瀏覽次數(shù):15
掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言隨著器件的高集成化,對高質(zhì)量硅晶片的期望。高質(zhì)量晶片是指晶體質(zhì)量、加工質(zhì)量以及表面質(zhì)量優(yōu)異的晶片。此外,芯片尺寸的擴大、制造成本的增加等問題受到重視,近年來,對300mm晶片的實用化進行了研究。隨著半導(dǎo)體器件的高集成化,硅晶圓表面的高清潔度化成為極其重要的課題。在本文中,關(guān)于硅晶圓表面的金屬及粒子的附著行為,對電化學(xué)的、膠體化學(xué)的解析結(jié)果進行解說,并對近年來提出的清洗方法進行介紹?,F(xiàn)在的半導(dǎo)體(晶圓及器件)的制造工序,遇到金屬雜質(zhì)的機會非常多,特別是利用等離子和離子的裝置,光刻膠,濺射靶等材料,存在高濃度的金屬污染。雖然抑制這些金屬產(chǎn)生的開發(fā)也在進行中,但是為了有效地除去金屬雜質(zhì)的技術(shù)開發(fā)也在被期待。另外,還存在著除去的金屬從洗滌液中再次附著在硅表面,從藥品等混入的金屬附著在硅表面的問題。因此,為了在溶液中除去這些金屬或者抑制附著,首先需要把握洗滌液中的金屬的行為。清洗液中金屬的附著大致可分為2種機理,一個是以堿性溶液中的金屬附著為代表的化學(xué)吸附引起的,另一個是酸性溶液中的電化學(xué)附著。 堿性溶液中金屬的附著機理:首先,對堿性溶液中金屬的附著機理進行論述。氨·過氧化氫混合水溶液,由于具有優(yōu)良的顆粒去除能力,被廣泛使用。但是,眾所周知,如果溶液中存在微量的金屬,其金屬就會附著在晶圓表面。如圖2所示,APM溶液中即使存在1μmo...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 17
瀏覽次數(shù):84
掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      CMP裝置被應(yīng)用于納米級晶圓表面平坦化的拋光工藝。 拋光顆粒以各種狀態(tài)粘附到拋光后的晶片表面。必須確實去除可能成為產(chǎn)品缺陷原因的晶圓表面附著物,CMP后的清洗技術(shù)極為重要。在本文中,關(guān)于半導(dǎo)體制造工序之一的CMP后的晶圓清洗工序,通過可視化實驗,從流體工程學(xué)的觀點出發(fā),闡明其機理,以構(gòu)筑能夠在各種條件下提出最佳清洗方法的現(xiàn)象的模型化為目的。因此,我們進行了可視化實驗、流動特性、剪切流動特性、液體置換特性、液滴的蒸發(fā)除去特性等基礎(chǔ)研究。 實驗      藥液清洗過程:由于CMP后的晶圓表面附著有多個磨粒,因此通過刷子清洗等施加物理外力,使磨粒剝離,通過液流(藥液)排出。由于轉(zhuǎn)數(shù)、流量等條件會受到怎樣的影響,至今還沒有得到確認(rèn)。因此,對向旋轉(zhuǎn)的晶圓上供給沖洗水時的沖洗水的流動特性進行了可視化觀察。具體來說,我們觀察了將溶解了白色顏料的純凈水供給到旋轉(zhuǎn)的晶圓表面時液膜的擴散方式,調(diào)查了根據(jù)晶圓的種類、旋轉(zhuǎn)數(shù)、供給流量,液膜的擴散狀態(tài)是如何變化的。      通過旋轉(zhuǎn)圓盤上的液流去除晶片附著粒子:通過由晶片的旋轉(zhuǎn)引起的剪切液流來估計可以去除粘附到晶片表面的細(xì)顆粒的細(xì)顆粒直徑。首先,圖4表示液膜內(nèi)速度分布的定義以及作用于晶圓上微粒子的力的模式...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 17
瀏覽次數(shù):30
掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言隨著LSI集成度的顯著增加,各元件的斷面構(gòu)造從平面型向以溝槽(溝)構(gòu)造的出現(xiàn)為代表的三維構(gòu)造變遷。在以極限微細(xì)化為指向的LSI技術(shù)中,為了能夠?qū)?yīng)凹凸嚴(yán)重的復(fù)雜微細(xì)的構(gòu)造表面,并且確保元件的可靠性和成品率,開發(fā)比以往更加顯著地降低殘留污染量的清洗、干燥技術(shù)變得越來越重要。即使在各種干燥化發(fā)展的今天,半導(dǎo)體器件表面的清洗,無塵化技術(shù)也被廣泛采用使用超純水及高純度藥品水溶液的所謂濕式清洗工藝,其重要性也很高。另外,濕處理后,為了除去附著在表面的水,必須進行干燥過程。清洗過程的最后工序是用除去雜質(zhì)到極限的超純水進行硅晶圓的水洗處理,其次必須有完全除去附著在晶圓上的超純水的干燥技術(shù)。 清洗技術(shù)清洗的目的是除去附著在晶圓表面上的有害污染物質(zhì),但同時也要求不對晶圓表面造成損傷。晶圓的清洗方法分為用高壓水或刷子等手段機械地摩擦晶圓表面除去顆粒的機械清洗和將晶圓浸入清洗溶液中化學(xué)地除去污染物質(zhì)的化學(xué)清洗兩種,在此提及化學(xué)清洗。對器件特性產(chǎn)生重大不利影響的污染物質(zhì)的代表性可分為粒子、有機物、金屬類、自然氧化膜四大類。目前,濕式清洗對所有這些污染物質(zhì)都有效,而且操作容易,所以專門采用。遺憾的是,在干式清洗的情況下,還沒有確立有效去除所有這些污染物質(zhì)的方法。一般來說,濕式清洗操作是單獨使用酸、堿的水溶液或者與過氧化氫水(以下簡稱過水)混合使用。此時,為了...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 17
瀏覽次數(shù):25
掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言硅片在大口徑化的同時,要求規(guī)格的嚴(yán)格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴(yán)格,因此超精密磨削技術(shù)得以開發(fā),實現(xiàn)了無蝕刻化,無拋光化。雖然在單晶SiC晶片上晶片磨削技術(shù)的開發(fā)也在進行,但在包括成本在內(nèi)的綜合性能方面還留有課題。因此,與硅不同,沒有適當(dāng)?shù)娜コ庸p傷的蝕刻技術(shù),擔(dān)心無法切實去除搭接后的殘留損傷。本方法以開發(fā)適合于去除加工損傷的濕蝕刻技術(shù)為目的,以往的濕蝕刻是評價結(jié)晶缺陷的條件,使用加熱到500℃以上的KOH熔體的,溫度越高,安全性存在問題,蝕刻速率高。 實驗      以低溫濕蝕刻為目的,使用以下3種藥液進行了浸漬實驗。藥液a :高錳酸鉀類藥液.藥液b :將鐵氰化鉀的水溶液和氫氧化鈉的水溶液混合而成。藥液c :用于參考比較的氫氧化鈉水溶液。      將藥液分別放入燒杯,在熱板上加熱,液溫達(dá)到100℃后,浸漬SiC晶片20分鐘(圖1 ) 。所使用的晶片為偏離角4°的單晶3英寸4H-SiC晶片,加工面狀態(tài)為金剛石拋光面。經(jīng)過規(guī)定的時間對表面狀態(tài)進行了觀察和測量。關(guān)于蝕刻效果,測量浸漬前后的重量,將其差值作為蝕刻速率求出。因此,蝕刻速率的計算值為Si面和c面之和。 圖1 實驗方法結(jié)果和討論      根據(jù)重量變化...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 17
瀏覽次數(shù):33
掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      在半導(dǎo)體制造工序的硅晶圓的清洗中,RCA清洗法被很多企業(yè)使用。RCA清洗方法是清洗硅片的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方法,其中清洗溶液的溫度控制對于穩(wěn)定的清洗性能很重要,但它涉及困難,許多清洗溶液顯示非線性和時變的放熱化學(xué)反應(yīng),由于清洗系統(tǒng)具有處理腐蝕性清洗溶液的特殊設(shè)備,系統(tǒng)具有長而波動的時間滯后等。在這里,我們首先提出了一個系統(tǒng)的熱模型,其中通過DSC(差分掃描量熱法)方法,我們分析了清洗溶液的放熱化學(xué)反應(yīng),如SPM(硫酸/過氧化氫混合物)、APM(氨/過氧化氫混合物)和HPM(鹽酸/過氧化氫混合物)。      為了控制解的溫度,我們使用自適應(yīng)預(yù)測控制器,其中使用自適應(yīng)方法來處理非線性和時變的放熱反應(yīng),預(yù)測方法是為了克服時間滯后上的問題。進一步,設(shè)計了限制超調(diào)和消除穩(wěn)態(tài)誤差的目標(biāo)軌跡,并引入了一種新的虛擬采樣方法,以減少所需的內(nèi)存大小和計算時間。我們展示了該熱模型的有效性,并通過計算機模擬和對實際系統(tǒng)的控制,驗證了該控制器的性能。 實驗在進行模擬實驗以及實機實驗之前,使用與圖3表示特性的SPM相對應(yīng)的控制對象模型,以控制區(qū)間8000秒為1次試行,進行了共計5次的控制模擬實驗。據(jù)此,進行了離散模型M的更新,以該更新后的M為初始值,進行了下述的模擬實驗以及實機實驗。在此,由于第2...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 16
瀏覽次數(shù):46
1322頁次34/133首頁上一頁...  29303132333435363738...下一頁尾頁
Copyright ©2005 - 2013 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
犀牛云提供企業(yè)云服務(wù)
華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
地址:中國江蘇南通如皋高新區(qū)桃金東路90號
電話:0513-87733829
Email:xzl1019@aliyun.com
regal-bio.cn

傳真:0513-87733829
郵編:226500


X
1

QQ設(shè)置

3

SKYPE 設(shè)置

4

阿里旺旺設(shè)置

2

MSN設(shè)置

5

電話號碼管理

  • 400-8798-096
6

二維碼管理

8

郵箱管理

展開