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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言為了實現(xiàn)微粒子的x射線熒光分析(XRF),需要單色色的x射線化和聚焦。作為一種器件,有一種具有雙曲率和單色聚焦x射線。但是,它要求晶體的表面沒有缺陷。作為制備雙彎曲晶體材料的硅單晶的方法,我們提出了采用化學(xué)反應(yīng)的數(shù)控局部濕蝕刻(NC-LWE)。本文報道了NC-LWE機對五軸硅單晶的加工性能。通過利用以SPring―8為代表的大型放射光設(shè)施的X射線, 雖然得到了較高的空間分辨率, 必須將測量試料帶入設(shè)施, 不能發(fā)揮迅速、簡便的優(yōu)點,為了發(fā)揮這一優(yōu)點, 希望在研究室水平開發(fā)具有亞微米級空間分解能的微小部分熒光X射線分析裝置。因此,本文提出了數(shù)控局部濕蝕刻法(NC―LWE:Numerically Controlled Local Wet Etching)作為其加工法2)。本加工法的特征是,通過雙重結(jié)構(gòu)的加工噴嘴頭供給蝕刻劑。加工成厚度為30µm的圓筒狀,之后,對于曲率半徑R,2Rsin2円的臺座,研究了雙重彎曲,使之粘結(jié)的2階段的程序。 實驗NC-LWE中硅的加工特性:為了通過LWE進行NC加工, 通過對目標(biāo)去除形狀和單位加工痕跡形狀進行反卷積模擬, 有必要求出加工噴嘴頭的停留時間分布,因此,首先, 采用吸口徑φ5mm的加工噴嘴頭獲取單位加工痕跡, 測定了其形狀。測定中, 使用了掃描型白色顯微干涉儀(ZYGO公司制造New Vi...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 26
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      本文報道了1wt%氫氧化鉀溶液中Si{100}濕蝕刻的蝕刻特性。蝕刻速率隨著溫度在90度以下的升高而逐漸增加 C. 接近沸溫度(100℃)時蝕刻速率低于90℃ C. 在1wt%KOH溶液中的最大蝕刻速率約為1µm/min。研究發(fā)現(xiàn),這個比率是切實可行的。然而,微金字塔出現(xiàn)在蝕刻的表面。作為硅各向異性濕法蝕刻的代表性蝕刻液, 使用氫氧化鉀(KOH:毒物)或氫氧化四甲基銨(TMAH:毒物)水溶液。      這次,評價了使用1wt%KOH水溶液時的蝕刻速度及蝕刻表面外觀,把握了加工特性的特征,因此進行報告。 實驗      實驗方法蝕刻裝置是將蝕刻槽、加熱器、溫度計以及攪拌器的表面作為聚四氟乙烯材料,直接浸入液體中的構(gòu)造。      通過該裝置,可以將蝕刻液的溫度控制調(diào)整到±0.2℃以內(nèi)。作為試料,使用了將P型Si{100}晶圓切成1邊1cm的四角形的小片。在芯片上,蝕刻部分形成了1邊約1mm的四角形圖案等。蝕刻前浸入1%HF水溶液中,除去表面的自然氧化膜。之后,進行了所希望的時間的蝕刻。蝕刻完成后,水洗,干燥,用激光顯微鏡評價蝕刻深度,用光學(xué)顯微鏡評價蝕刻表面外觀。蝕刻液使用1wt%K...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 26
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法,該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點燃等離子體以形成含氟蝕刻溶液;(b)從硅源向等離子體提供硅;以及(c)將氮化硅暴露于蝕刻物質(zhì),以相對于襯底上的其他含硅材料選擇性地蝕刻氮化硅。硅源可以提供給襯底上游的等離子體。在一些實施例中,硅源被提供給遠程等離子體發(fā)生器中的等離子體。替代地或附加地,硅源可以被提供給襯底和容納襯底的腔室的前端之間的等離子體。硅源可以在容納襯底的室的噴頭處或附近提供給等離子體。      硅源可以包括兩個或多個硅源。在各種實施例中,硅源是固體。硅源的例子包括含硅化合物,例如石英、硅、硅鍺、碳化硅和氧化硅。在一些實施例中,硅源是包括硅的適配器環(huán)。在一些實施例中,硅源是包括硅的氣體擴散器。襯底可以容納在包括噴頭的腔室中,噴頭可以包括硅。在一些實施例中,硅源附著到等離子體發(fā)生器的壁上。      在各種實施例中,硅源是硅源,并且可以是含硅化合物。例如,進入容納襯底的腔室的氣體總流量的至少約0.5%(體積)可以是硅源。流體硅源的例子包括硅烷、乙硅烷、四氟化硅、四氯硅烷、正硅酸乙酯和四甲基硅烷。實驗      進行了...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 26
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      本文研究了通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非??焖俚仨憫?yīng)選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性,以保護下面的膜不被降解。如今,大多數(shù)材料圖案化是用等離子蝕刻而不是濕法蝕刻來進行的。事實上,與通常的各向同性濕法蝕刻條件相比,由于非常高的各向異性,反應(yīng)離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此,當(dāng)使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當(dāng)尺寸放寬時,使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護的完整性。給出了確保這種保護的一些提示,以及評估這種保護的相關(guān)新方法。 實驗      這里測試的所有聚合物都是248納米深紫外線商用光敏抗蝕劑。選定的濕蝕刻劑取決于要蝕刻掉的材料。SC1(標(biāo)準(zhǔn)清潔1)在室溫下以1 / 4 / 27的比例(NH4OH / H2O2 / H2O)用于蝕刻TiN膜。測試的氮化鈦薄膜厚度為7納米,由PVD公司沉積。氫氟酸或BOE(緩沖氧化物蝕刻劑)用于二氧化硅。BOE比是1 / 7 / 160 (HF / NH4F / H2O),在樣品中僅使用了熱氧化物。濕法蝕刻系統(tǒng)由300毫米旋轉(zhuǎn)干燥單晶片工具或浸沒式批量工具組成。非接觸C (V)(電容(電壓))測量在來自Semilab的FAaST工具上進行。 結(jié)果和討...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 26
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料半導(dǎo)體器件的制造是在半導(dǎo)體襯底或其它襯底上形成特征的多步驟過程。步驟可以包括材料生長、圖案化、摻雜、沉積、蝕刻、金屬化、平坦化等。形成在襯底上的特征可以包括各種晶體管。晶體管可以是平面的或非平面的,也可以有單柵極或多柵極。非平面晶體管(有時稱為3D晶體管)包括鰭式場效應(yīng)晶體管等。這種非平面晶體管通常包括垂直取向的或者用作源極和漏極之間的溝道的凸起鰭片。柵極也是垂直定向或凸起的,并且位于鰭片上方(鰭片頂部和鰭片側(cè)壁周圍)。這種非平面晶體管可以具有多個鰭和/或多個柵極。平面晶體管也具有相關(guān)的高度,盡管非平面特征的相對高度通常大于平面晶體管的相對高度。半導(dǎo)體器件的制造通常包括放置隔離物和/或虛擬材料,以幫助構(gòu)造給定的特征設(shè)計,包括非平面晶體管上的特征。為了改善柵極功能,通常在非平面晶體管上指定側(cè)壁隔離物。隨著晶體管柵極的尺寸繼續(xù)縮小,柵極和觸點之間以及柵極和源極/漏極面之間的邊緣電容已經(jīng)增加。為了抵消邊緣電容的增加,低k介電材料被用作隔離材料。間隔物的成功受到間隔物蝕刻工藝的影響,該工藝可以影響間隔物的介電常數(shù)以及間隔物覆蓋圖1是各種襯底上保護層生長的橫截面示意圖 圖2是示出根據(jù)本文公開的實施例的蝕刻技術(shù)的曲線圖 圖3是這里描述的示例方法的流程圖 包括增加材料間蝕刻選擇性的方法。這里的技術(shù)包括氮化硅(SiN)隔離物和硅(例...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 26
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文一般涉及處理光掩模的領(lǐng)域,具體涉及用于從光掩模上剝離光致抗蝕劑和/或清洗集成電路制造中使用的光掩模的設(shè)備和方法。光掩模是涂有金屬層的透明陶瓷襯底,該金屬層形成電子電路的圖案。在集成電路的制造過程中,薄膜通常用于密封光掩模使其免受顆粒污染,從而隔離和保護光掩模表面免受來自光掩模圖案焦平面的灰塵或其他顆粒的影響。為了以高成品率生產(chǎn)功能性集成電路,光掩模和薄膜需要無污染。光掩模的污染可能發(fā)生在光掩模本身的制造過程中,也可能發(fā)生在光掩模的使用過程中集成電路制造過程中的光掩模,特別是光掩模加工和/或處理過程中的光掩模40。一種類型的污染是光掩模表面的有機/分子污染。光掩模表面上的有機/分子污染物,例如化學(xué)污漬或殘留物,降低并降低了透射率特性45和/或光掩模的特性,最終影響被制造的半導(dǎo)體器件的質(zhì)量。光刻過程中影響集成電路質(zhì)量的另一種污染是微粒污染。顆粒污染物可以包括任何小顆粒,例如灰塵顆粒,它們可以在光掩模上或者夾在光掩模和薄膜之間。光刻過程中投射的是從光掩模表面剝離光刻膠。類似于集成電路器件的制造,在光掩模的制造過程中,光致抗蝕劑被施加到光掩模的表面,并且光和/或紫外線輻射以期望的電路圖案被施加到光掩模表面。在光掩模制造過程中和作為集成電路維護的一部分,光掩模的制作和清潔10個晶圓廠。常規(guī)方法使用硫酸和過氧化氫的高溫混合物(“SPM”)來在第二步中剝離...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 25
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      超臨界二氧化碳(COC)由于其低成本、低毒性、不燃性和環(huán)境可接受性,已被確定為各種精密清潔應(yīng)用中氟氯化碳的有前途的溶劑替代品。本文介紹了最近使用COC作為清洗溶劑的經(jīng)驗,以將該技術(shù)應(yīng)用于商業(yè)實踐。      超臨界流體在精密清洗中的應(yīng)用源于過去十年該技術(shù)的發(fā)展。超臨界流體的新的溶劑特性,特別是二氧化碳,已經(jīng)在食品、制藥和石油工業(yè)中得到商業(yè)利用。最近,超臨界流體技術(shù)已被商業(yè)應(yīng)用于從工業(yè)廢水中提取有害有機化學(xué)品。目前,二氧化碳正被用于多種精密清潔應(yīng)用,第一批商用系統(tǒng)正在運行中。 實驗      典型的一氧化碳清洗過程是使用多個清洗容器作為間歇操作或半連續(xù)過程進行的。典型的間歇系統(tǒng)由兩個主壓力容器、一個清洗室和一個分離器組成。其他主要設(shè)備包括期間很少或沒有操作員注意清潔周期。在后一種情況下,一組預(yù)編程的操作參數(shù)。針對正在清洗的材料進行了優(yōu)化,可控制過程中的流程示意圖Figure1說明了基本的批量清洗操作。      使用合適的籃子、容器或固定裝置將待清潔的材料裝入清潔室。然后,使用為操作人員和工作環(huán)境設(shè)計的快速開啟關(guān)閉機構(gòu)來密封腔室。清潔過程開始于將液態(tài)一氧化碳從儲存容器泵入清潔室,并將清潔室加壓至工作條件。...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 25
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      隨著超精密加工技術(shù)的發(fā)展,在機械加工中也需要納米級的加工控制技術(shù),從這個觀點出發(fā),近年來,利用掃描型探針顯微鏡(SPM)的極微細加工技術(shù)被廣泛研究1)~5)。為了確立納米級的機械加工技術(shù), 考慮到化學(xué)效果,理解加工現(xiàn)象是重要的研究課題。 實驗      圖1是利用FFM機制進行的極微細機械加工(以下稱FFM加工)的概略圖。      圖2是實驗方法的概略圖。首先,使用安裝了加工用懸臂梁的FFM機構(gòu),對單晶硅的拋光面((100)面,Ra5nm)進行正方形領(lǐng)域的凹痕形成加工,其次,用KOH水溶液對該試料進行蝕刻處理。為了提高蝕刻處理后的試料表面的粗糙度,將異丙醇(IPA)作為添加劑混合在蝕刻液中使用。加工條件如表1和表2所示。經(jīng)過一定時間后,充分進行流水沖洗,使表面干燥后,用觀察用懸臂梁對加工部的變化進行AFM觀察。 圖2實驗方法的示意圖      以垂直負荷789μN,加工速度120μm%s進行機械加工的試料表面的AFM觀察像。形成了深度約34nm的凹痕。圖1是用15wt%KOH水溶液進行20分鐘蝕刻處理的加工部的AFM觀察像。加工部表面顯示出很強的掩膜作用,其周圍被選擇性地蝕刻。其結(jié)果,殘留形...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 25
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      介紹了摩擦力顯微鏡下的懸臂梁對單晶硅表面(100)正方形進行微加工的研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn),用氫氧化鉀溶液蝕刻工件后,加工區(qū)域變?yōu)橥雇埂A私饬送姑娴母叨热Q于加工條件,特別是氫氧化鉀溶液的濃度的關(guān)系。為了了解相反的刻蝕處理結(jié)果,采用透射電鏡(發(fā)射電子顯微鏡)和激光拉曼法對加工表面的結(jié)構(gòu)進行了分析,得到了表面的厚氧化和下劣化。此外,還驗證了超聲波清洗結(jié)合刻蝕提高粗糙度和去除殘留物的效率。并應(yīng)用實驗結(jié)果,提出了無掩模形成微結(jié)構(gòu)的方法。 實驗      在加工部位發(fā)現(xiàn)了很強的面罩作用, 發(fā)現(xiàn)了凸?fàn)罱Y(jié)構(gòu)殘留形成的情況。這個掩膜作用是加工條件, 特別是顯示了對KOH水溶液濃度的強烈依存,即, 如圖1D所示, 用濃度約20wt%以下的KOH水溶液蝕刻FFM加工區(qū)域后,加工區(qū)域會有選擇地呈凸?fàn)睿ㄑ诒涡Ч?明確了在20wt%以上的情況下反而變成凹狀(蝕刻促進效果)。      通過用濃度不同的KOH水溶液蝕刻FFM加工后的試料,產(chǎn)生掩蔽效果或蝕刻促進效果。這表明,在FFM加工區(qū)域的表層存在結(jié)晶性紊亂,與大氣中的氧結(jié)合,化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化的層。因此,為了闡明這兩種相反的化學(xué)效果的機理,F(xiàn)FM; 對加工表面層進行了結(jié)構(gòu)分析。 圖1氫氧化鉀濃度與結(jié)構(gòu)...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 25
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      單晶S1, 作為IC、LSI的電子材料, 用于微小機械部件的材料,也就是說,作為結(jié)構(gòu)材料的新用途已經(jīng)開發(fā)出來了。其理由是, 除了單晶SI或機械性強之外,還在于通過利用僅可用于單晶的晶體取向的各向異性烯酸,精密地加工出微細的立體形狀。以各向異性烯酸為契機的半導(dǎo)體加工技術(shù)的發(fā)展,在晶圓上形成微細的機械結(jié)構(gòu)體,進而機械地驅(qū)動該結(jié)構(gòu)體,在20世紀(jì)70年代后半期的Stanford大學(xué),IBM公司等的研究中,這些技術(shù)的總稱被使用為微機械。在本稿中,關(guān)于在微機械中占據(jù)重要位置的各向異性烯酸技術(shù),在敘述其研究動向和加工例子的同時,還談到了未來微機械的發(fā)展方向。 實驗      作為用于化學(xué)各向異性蝕刻的蝕刻劑,已知有KOH水溶液、乙烯胺水溶液等1}。當(dāng)使用這些進行蝕刻時,具有輪胎蒙特晶體結(jié)構(gòu)的S1的(111)的蝕刻率與其他晶面的蝕刻率相比顯示出極小的值。例如,在40℃下對40%KOH水溶液的所有方向的蝕刻率進行測量的結(jié)果如圖1所示2)。用等高線表示布。全方位中表示蝕刻速率的最大值的是(110),表示最小值的是(111)。兩者的蝕刻速率的比約達到1801.另一方面,S1的氧化膜(S102),氮化膜(S13N4),另外摻雜了大量雜質(zhì)的S1的蝕刻速率與S1相比也非常小。利用這樣的性質(zhì)...
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