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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據(jù)實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據(jù)情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料介紹小氣泡顯示出與普通氣泡不同的行為。普通氣泡在水中急速浮起,在表面破裂消失。但是,如果成為直徑小于50μm的氣泡,則會慢慢浮起并縮小,最終在水中消失。在水中變小消失(或者看起來消失)的氣泡在這里被稱為微氣泡。微氣泡在水中急劇縮小的原因是,由于它是小氣泡,內部的氣體有效地溶解在周圍的水中。氣泡的這種縮小意味著“氣液界面”的變化,具有重要的工程學意義,即氣泡內部壓力的上升和表面電荷的濃縮,以及對發(fā)揮作用的固體表面的洗滌效果的表現(xiàn)。 臭氧微泡清洗半導體晶片半導體是支撐現(xiàn)代社會最重要的電子零部件。在該制造中使用了被稱為光刻機的技術,在該制造中清洗是非常重要的工序之一。一直以來,半導體晶圓的清洗中使用了強力的藥液。其中,在光刻膠(感光性有機物)的去除中使用了硫酸過水(SPM:硫酸+過氧化氫/150℃)。該藥液雖然發(fā)揮了強力的清洗力,但由于存在廢液處理和安全上的問題,因此在接近室溫的條件下以“水”為基礎進行清洗被認為是夢想中的技術。因此,我們一直在推進利用微氣泡的半導體晶圓清洗技術的開發(fā)。圖2所示的是用微泡清洗處理非常困難的半導體晶圓的照片。在制造工序中注入非常大量的離子時,在光刻膠的表面附近形成被稱為外殼的硬化層。如果形成這樣的硬化層,除去光刻膠就變得非常困難。即使是強藥液的硫酸過水,除去也不容易。但是,如果利用含有臭氧的微泡,僅用水就能將其除...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 22
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言在電子器件用半導體單晶的表面加工中,要求在平坦、光滑的同時,盡可能地減少晶體缺陷的導入。一般來說,在研磨等機械加工中,由于從表面的凸部選擇性地進行去除,因此可以高效率地改善表面的平坦度,但是在加工面上殘留加工劣化層。另一方面,在濕法蝕刻和等離子蝕刻等化學加工的情況下,雖然沒有加工變質層的殘留,但是由于沒有積極的平坦化結構,所以一般不能進行平坦、平滑化。另外,在表面層有結晶缺陷的情況下,其高能點被選擇性地蝕刻,也有粗糙化的情況。我們在新的化學蝕刻中引入了基準面,設計了實現(xiàn)無損傷且高效率的平坦·平滑化的催化劑表面基準蝕刻法。在此,對該概念進行介紹,并介紹適用于單晶SiC和單晶GaN基板加工的例子。 SiC的加工和加工后表面的觀察在SiC的CARE中,作為催化劑材料使用鉑,作為反應溶液使用氫氟酸水溶液。目前,通過對表面Si的背面結合的HF分子的解離吸附進行蝕刻,可以認為是鉑促進了該反應。根據(jù)CARE法的研磨裝置的例子如圖2所示。通過使被加工物表面與浸入加工溶液中的催化劑表面接觸,同時使其相對運動,進行加工。對4H―SiC(0001)表面(n型,0.02~0.03`cm)的加工結果進行論述。使用刮擦和微裂紋存在于整個表面的研磨面,通過CARE進行約1mm和約2mm的加工,觀察加工前后的表面。圖3是觀察60 mm×80 m...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 22
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言在半導體器件的制造過程中,由于需要去除被稱為硅晶片的硅襯底上納米級的異物(顆粒),1/3的制造過程被稱為清洗過程。在半導體器件中,通常進行RCA清潔,其中半導體器件以一批25個環(huán)(盒)為單位,依次浸入氨水,過氧化氫溶液,鹽酸等加熱的化學品中。然而,最近,為了降低環(huán)境負荷的目的和半導體器件的多品種化,需要片葉式的清洗方法,噴射純水的清洗工序正在增加。 在單片式清洗中,超聲波振動體型清洗裝置是一種有效的清洗方法,目前已被許多工藝所使用。通過超聲波振動器的清潔是通過從超聲波振動器向純水施加超聲波振動來加速水分子的清潔方法。本方法的目的是利用頻率在5MHz-10MHz的超聲波振動體技術,達到下一代半導體器件清洗技術的目標。我們使用樣品基板,在硅晶片上涂覆直徑為1µm的聚苯乙烯膠乳(PSL)顆粒,對超聲波振動型清洗裝置的清洗能力進行了驗證。 實驗PSL顆粒附著模型:圖1顯示的是附著在基板上的聚乙烯膠乳(PSL)粒子的模型。當亞微米的PSL顆粒粘附到襯底表面時,范德華力、重力、液體交聯(lián)力、靜電量和雙電層的排斥力作用在PSL顆粒上,但是范德華力被認為是PSL顆粒粘附到硅晶片的主要因素。PSL顆粒的附著力由式1給出。 圖1 PSL粘附模型超音波洗浄裝置:粘附在硅基板上的PSL粒子的去除模型如圖2所示。當僅考慮流體動力學的作用時,...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 22
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言在半導體和LED的制造中,需要研磨以使晶片的厚度變薄,以及拋光以使表面成為鏡面。 在半導體器件的制造中,半導體制造工藝包括:(1)從晶體生長開始切割和拋光硅等,并將其加工成晶片形狀的工藝(晶片制造工藝);(2)在晶片上形成IC的工藝(前一工藝);以及(3)切割、組裝、檢查和安裝芯片的工藝(后一工藝)。 在晶片制造過程中,通過雙面研磨、單面研磨、蝕刻等對從晶錠切片的晶片進行厚度調節(jié),以消除加工表面的變形,然后將晶片加工成鏡面。此外,存在用于使在前一工藝中制造的具有圖案的晶片的厚度均勻且薄的后研磨工藝。 在背面研磨之后,在切割過程中進行芯片化,并且在后處理中進行安裝。 研磨工藝和切割工藝是前一工藝和后一工藝之間的中間工藝,是提高附加值的中間工藝,如晶片減薄,應力消除,以MEMS(微機電系統(tǒng))晶片制造為代表的深挖蝕刻,減薄和重新布線。本文介紹了硅片的研磨,拋光和清洗技術,這是中間工藝的需要。 此外,我們還將介紹LED照明用藍寶石襯底和功率器件用碳化硅(SiC)襯底的研磨,拋光和清洗技術,這些技術有望成為下一代半導體,并已開始投入實際使用。 前工序和后工序的中間工序      加速度傳感器和壓力傳感器等MEMS技術圖1利用半導體器件制造工藝的器件采用半導體制造技術在晶圓上大量制作。在制造器件之后,進行重新布線或...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 22
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言      為了使器件動作高速化,盡可能地抑制布線延遲變得很重要。為此,需要使用布線電阻低的Cu布線和降低布線間容量的低介電常數(shù)層間膜。最近,Cu布線搭載的器件相繼發(fā)表,層間膜使用通常的氧化膜的結構的產品已經上市,全世界Cu布線的開發(fā)急速加速。而且,Cu布線被認為只有與低介電常數(shù)層間膜(Low―K)相結合才有高速化的意義,關于Cu/Low―K的發(fā)表也在增加。      為了實現(xiàn)Cu布線,必須使用Cu―CMP來形成溝槽布線結構,并且在CMP之后,由于大量的顆粒和金屬污染殘留在晶片上,因此需要在CMP之后進行清洗。在Cu膜和Low―K膜中被認為是有希望的HSQ膜的英特化結構的CMP中,由于Cu膜和HSQ膜的耐藥液性低,因此很難用傳統(tǒng)上在硅工藝中使用的清洗液進行清洗。此外,在使用清洗液時,必須考慮環(huán)境負荷。因此,在不損壞金屬布線和Low―K膜的情況下,作為環(huán)境負荷低的清洗液,進行電解離子水和有機酸的研究。 Cu/HSQ-CMP后清洗的課題      Cu―CMP之后的Cu/HSQ溝接線構造如圖1所示。不僅是氧化鋁和二氧化硅等的研磨粒子,Cu等的金屬污染也大量殘留在晶圓的表面。一直以來用于CMP后清洗的利用氨水的粒子除去和利用稀釋氫氟酸的金屬污染除去,...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 22
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言半導體晶片和器件清洗工序中使用的清洗藥液和超純水的純度要求隨著半導體的微細化而變得嚴格。 在使用該藥液的半導體清洗工序中,使用以RCA清洗為基礎的、混合了各種酸和堿與過氧化氫水( H2O2水)的清洗液。 目前市場上的工業(yè)H2O2水大部分采用蒽衍生物的自動氧化法生產。該制法是將蒽醌溶解于疏水性芳香族有機物中作為工作液使用的方法,合成的H2O2水中殘留有少量疏水性有機物。 另外,由于制造設備由不銹鋼和鋁等金屬材料構成,因此來源于其的金屬雜質也同樣存在于H2O2水中。用于半導體的H2O2水通過膜處理和離子交換等以工業(yè)H2O2水為原料純化,并將金屬雜質的含量濃度純化至ppt水平,但實際上有機物質以TOC的形式保留了幾ppm。為了解決在半導體的清潔過程中重復化學液體清潔和超純水沖洗的問題,因此可以通過超純水去除的親水性有機物質不會引起太大的問題,但是存在化學液體中包含的疏水性有機物質粘附到半導體晶片上并對半導體晶片產生不利影響的問題。本方法對超臨界二氧化碳(SC-CO2)純化H2O2水的方法進行了實驗研究,以制備不含疏水性有機物的H2O2水。 實驗實驗裝置的流程如圖1所示。 實驗裝置由用于連續(xù)混合SC―CO2和H2O2水的Micro―mixer和用于分離溶解有有機物的SC―CO2和H2O2水的Separator(容量:500 ml)組成。 S...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 20
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言以DRAM及CPU為代表的超大規(guī)模集成電路硅半導體器件,近年來成為個人電腦熱潮的導火索,預計今后器件的需求也會擴大。 那么,該硅半導體器件的基板材料幾乎都是通過直拉法(CZ)法培育的單晶硅。 通過對單晶硅錠進行切割、研磨、蝕刻、鏡面拋光以及濕法清洗工序,制作出厚度為700-800μm的鏡面晶圓。 隨著半導體器件的微細化及高性能化,晶圓表面的高品質化被進一步要求。晶圓表面質量有粒子、金屬雜質、有機物、微粗糙度及自然氧化膜。在本文中,在CZ法硅鏡面晶圓的加工中,關注表面的粒子及各種污染,對除去這些粒子的濕法清洗工序的概要及相關技術進行了敘述。 硅片清洗技術我們已知清洗對鏡面拋光后的晶圓表面質量有很大的影響,隨著超大規(guī)模集成電路器件的微細化及高性能化的發(fā)展,人們逐漸認識到清洗的重要性,近十年來,研究也開始盛行起來。目前的鏡面拋光晶圓的清洗大部分采用RCA法或其改良法。RCA法的基礎是NH、OH/H202/H、O(稱為SC-1清洗)以及HCI/H、O、/H、0(稱為SC-2清洗),分別具有去除顆粒和金屬污染的效果。 在實際的清洗技術中,根據(jù)用途組合這些,有效地去除粒子、金屬雜質以及有機物。 下面就粒子、金屬雜質以及干燥技術進行說明。如圖1所示,由于256MDRAM以后的世代采用了0.25μm的設計規(guī)則,因此在這些器件中使用的φ300mm晶片...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 20
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言在當今最先進的科學和技術領域中,有許多需要以原子級的順序控制形狀的表面。例如,可以舉出下一代半導體晶圓,用于同步輻射的X射線反射鏡,用于軟X射線光刻的成像的非球面鏡等。然而,在傳統(tǒng)的加工技術中,還沒有找到能夠應用于這些工件并實現(xiàn)所需性能的加工方法。本方法是利用分散在超純水中的微細粉末粒子表面和加工物表面之間的化學反應的超精密加工法。該方法是利用在加工液中與加工物表面相對的旋轉球產生的超純水的流動,將微細粉末粒子供給到加工物上的規(guī)定場所,使微細粉末粒子和加工物表面之間產生化學性的結合狀態(tài),并且,根據(jù)該流動,從加工物表面除去微細粉末粒子時,粉末粒子表面帶走加工物表面原子,從而進行加工。 實驗EEM采用的是將與加工物表面具有反應性的微細粉末粒子懸浮在超純水中的加工液。但是,在本研究中,為了純粹地評價加工液中的溶解氣體的影響,觀察了在不含微細粉末粒子的超純水中產生的現(xiàn)象。圖1是實驗中使用的裝置的概略。實驗裝貴與此前報告的EEM加工裝置相同,由與試料表面相對配置了聚氨酯制旋轉球的水槽和溶解氣體濃度控制部構成。試料使用比電阻為10Ωcm的p型Si(100)。溶解氣體濃度控制部通過泵在超純水循環(huán)的流路內設置氣體交換膜,通過使高純度氮氣在氣體交換膜的外部流動,超純水中的溶解氧被氮氣取代,并且通過將外部抽空,可以去除包括溶解氧的全部溶解氣體。圖2是為...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 20
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言半導體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的,一般使用硫酸和過氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是,這些廢液的處理是極其困難的,與環(huán)境污染有很大的關系,因此希望引進環(huán)保的清洗技術。因此,作為環(huán)保的清洗技術之一,以蒸餾水、臭氧為基礎,利用微氣泡的清洗法受到關注。因此,作為其基礎性研究,本研究的目的是,通過使用普通氣泡的臭氧氣泡和臭氧微氣泡,測量各種光刻膠的去除速度,評價微氣泡的清洗效果。 實驗實驗裝置的概略為圖1所示,實驗裝置是無金屬制的加壓溶解型。裝置的機理是用泵吸入水槽的水,同時使其吸入氣體。對其加壓后,通過減壓釋放使其產生微氣泡。試料中,使用了只涂有光刻膠的狀態(tài)的半導體晶圓。尺寸約為30四方,厚度約為1.將試料浸入水槽內的液體中,通過臭氧微氣泡進行光刻膠的去除。同時,作為比較對象也進行了臭氧氣泡的去除。此時,供試液體為蒸餾水。水溫分別為27.7~30.3℃,30.0~30.9℃,氣泡源使用臭氧氣體。微氣泡的排出壓力為0.4 kPa.臭氧流量為1L/min。 圖2 微氣泡發(fā)生器在清洗評價方法中,使用了能量分散型熒光X射線分析裝置,通過分析向試料照射X射線產生的熒光X射線的能量,將光刻膠的除去量換算成除去速度。 結果和總結圖2顯示的是臭氧鼓泡和臭氧微氣泡對光刻膠的去除速度。水中臭氧濃度的平均...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 20
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料在新一代晶體管的開發(fā)中,作為溝道材料,高遷移率的鍺( Ge )備受矚目。但是,如何高質量地加工柵極絕緣膜形成前的Ge表面,特別是濕式清洗時的各種污染物的行為和除去特性、Ge表面的微粗糙度和鈍化所代表的原子水平上的結構控制方面還有很多不清楚的地方。圖1(a)是在Ge(100)表面上散布直徑約20nm的Ag微粒后獲得的電子顯微鏡(SEM)照片。將該表面浸入儲存的純水中(溶解氧濃度約為9 ppm),24小時后如圖(b)所示發(fā)生變化。 也就是說,以細顆粒為中心進行局部蝕刻,并且出現(xiàn)暴露(111)微面的凹坑標記。這是因為溶解在純水中的氧(O2)分子被還原成Ag細粒上的水分子(H2O),并且Ag細粒附近的Ge表面被優(yōu)先氧化。由于Ge的氧化物(GeO2)是水溶性的,因此以Ag細粒為中心的Ge表面的各向異性蝕刻進行。另一方面,當將Ge(100)浸入溶解氧濃度降低至3ppb的純水中時,Ge(100)表面的結構沒有顯著變化(見圖(d))。 這表明上述各向異性蝕刻機制是合理的。此外,圖1顯示了控制Ge晶片濕法清洗過程中使用的純水的溶解氧濃度的重要性。 圖1 將吸附有ag微粒的Ge(100 )表面吸附在純水中,浸泡前后的電子顯微鏡照片
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