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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實(shí)際情況或客戶要求設(shè)計(jì))將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴(kuò)散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強(qiáng)力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門:?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機(jī)界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報(bào)警、安全保護(hù)等功能,各工作位過程完成提前提示報(bào)警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨(dú)立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨(dú)立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計(jì),方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報(bào)警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運(yùn)方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機(jī)           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機(jī)尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計(jì)“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機(jī)臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報(bào)警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機(jī)、RCA清洗機(jī)、去膠機(jī)、外延片清洗機(jī)、酸堿腐蝕機(jī)、顯影機(jī)等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機(jī)Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))和集成電路的一體化,正如通過電容型傳感器和靜電電容檢測電路的集成化來降低寄生電容和噪聲,實(shí)現(xiàn)噴墨打印頭和紅外線區(qū)域傳感器等大規(guī)模陣列一樣 這樣的集成化是構(gòu)成MEMS核心的技術(shù)之一。由于使用多晶Si的表面微加工技術(shù)在控制應(yīng)力時需要1100°C的高溫退火,因此一體化的LSI將采用老一代的設(shè)計(jì)規(guī)則和特殊材料。 但是,這樣的LSI不適合高速信號處理。對此,有人提出了分別準(zhǔn)備用最尖端技術(shù)制造的LSI晶圓和MEMS晶圓,將兩者在晶圓級接合的方法。 這種集成化方法具有可以用最合適的工藝和材料分別制作MEMS和LSI的優(yōu)點(diǎn)。以上述集成化為代表,晶圓接合對于MEMS來說將成為越來越重要的技術(shù)。作為晶片接合方法,經(jīng)常使用陽極接合和金屬膜間的擴(kuò)散接合。 這些接合法需要光滑且正常的接合面,但由于MEMS的復(fù)雜化,粒子污染的可能性增加,同時也增加了清洗的難度。      在去除MEMS晶圓上的粒子時,與LSI制造工序相同,也利用了以過氧化氫(H2O2)為基礎(chǔ)的RCA清洗,但隨著應(yīng)去除的粒子的細(xì)微化,RCA清洗的粒子去除率降低,另外,對于形成金屬電極的晶圓,腐蝕性RCA清洗的應(yīng)用變得困難。 實(shí)驗(yàn)      作為清洗評價用的晶圓...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 19
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      近年來,應(yīng)用超聲波的精密清洗法被用于光學(xué)透鏡、液晶用玻璃板、半導(dǎo)體晶圓等的清洗。 本文概述了超聲波精密清洗法和玻璃表面的清洗度評價方法。 超聲波的發(fā)生法      超聲波也可以通過流體空洞內(nèi)的共振和機(jī)械快門引起的流體斷續(xù)(警報(bào)器)得到,現(xiàn)在主要使用的產(chǎn)生方法是,如圖1所示,首先通過振蕩器產(chǎn)生電振動能,將其加入到被稱為振動子的電聲轉(zhuǎn)換器中,轉(zhuǎn)換成機(jī)械振動能,向與該振動子接觸的音響傳遞介質(zhì)中輻射超聲波的方法。 超音波精密洗浄方法      作為光學(xué)透鏡、玻璃板、液晶用玻璃板等的清洗,以及半導(dǎo)體晶圓、玻璃掩膜等的清洗,近年來在精密清洗領(lǐng)域使用了應(yīng)用超聲波的多槽式清洗系統(tǒng)。作為編入清洗系統(tǒng)的裝置,有手動進(jìn)給式和自動進(jìn)給方式。清洗裝置的系統(tǒng)因其被清洗物的清洗目的不同而不同,作為光學(xué)透鏡、玻璃板等多槽式清洗工序,表2~4工序使用最多。 另外,外觀如照片1所示。  表2 多槽式洗浄工程 表4 多槽式洗浄工程      清洗工序的主要液體組成和液體管理如下所示:      有機(jī)溶劑。作為溶解力優(yōu)異的有機(jī)溶劑,一般使用三氯乙烯、全氯乙烯、1.1.1-三氯乙烷、二...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 19
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言       隨著器件的集成化,對Si晶片的要求也變得更加嚴(yán)格,降低晶片表面的金屬污染變得重要,這是因?yàn)镾i晶片表面的金屬污染被認(rèn)為是氧化膜耐壓和漏電流等電特性劣化的原因。在Si晶圓的清洗中RCA清洗被廣泛使用,為了提高表面的清潔度,進(jìn)行了清洗法的改良,降低使用的超純水、藥品中的污染等方面的努力。今后為了進(jìn)一步提高表面清潔度,有必要比以前更多地減少工藝中的污染,但這并不是把污染金屬集中起來處理,而是考慮到每個元素在液體中的行為不同,在本文中,介紹了關(guān)于Si晶圓表面金屬在清洗液中的行為的最近的研究例子。 RCA洗凈      除去Si晶圓表面污染的RCA清洗是由NH4OH/H2O2/H20,HF/H2 O,HCl/H2O2/H2O組合而成的。通過NH4OH/H2O2/H2O除去Si晶圓表面的有機(jī)物污染以及粒子(微粒子),通過HF除去自然氧化膜和膜中的污染,通過HGl/H2 O2/H2O除去金屬污染,形成純凈的自然氧化膜。對于金屬污染的除去能力,在各個液體中是不同的。酸系的清洗對Fe,Al,Zn的去除能力很高。與此相對,氨系的清洗對Ni,Cu的去除效果很高 晶圓表面金屬污染評價法      Si晶圓表面金屬污染降低到現(xiàn)在的101...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 19
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言18世紀(jì)第一次工業(yè)革命以來,創(chuàng)新技術(shù)的進(jìn)步呈指數(shù)級迅猛發(fā)展。 進(jìn)入本世紀(jì),以數(shù)字化為象征的第四次工業(yè)革命預(yù)計(jì)將于2045年展開(技術(shù)奇點(diǎn))1),有必要認(rèn)識其動向(圖1 )。 聚焦于物半導(dǎo)體,考慮被稱為其代表的SiC、GaN或終極的金剛石基板的加工工藝。 這些半導(dǎo)體基板具有優(yōu)異耐電場、耐溫度等耐環(huán)境性,高效長壽命發(fā)光特性。 介紹本文就超難加工化合物半導(dǎo)體的加工工藝中超精密加工(研磨)清洗和評價的一系列工藝技術(shù)的關(guān)系進(jìn)行闡述。 首先,了解現(xiàn)狀的研磨/CMP,追溯新奇的加工提案技術(shù)的足跡。 在此基礎(chǔ)上,以應(yīng)對當(dāng)今課題的新思路為線索,提出新一代半導(dǎo)體工藝技術(shù)的突破。實(shí)驗(yàn)      硅半導(dǎo)體和CMP的發(fā)展,以及化合物半導(dǎo)體的超精密加工。Si的CMP的起源和熟化加工工藝、化合物半導(dǎo)體的現(xiàn)狀加工技術(shù)僅通過以往的機(jī)械研磨(拋光)作用,難以無限無干擾地使Ge和Si等單晶的原子排列成為平滑的鏡面,無法發(fā)揮晶體所具有的特異特性,因此無法得到期望的器件特性。 因此,作為新加工方法,有化學(xué)(溶解)作用機(jī)械作用復(fù)合化的CMP被提出來,通過這種CMP技術(shù)的誕生成為了現(xiàn)在ICT社會的驅(qū)動力。 該CMP是20世紀(jì)60年代中期由美國的IBM、貝爾研究所等提出的,被稱為CMP或MCP。 到了20世紀(jì)70年代以后,以Moore定律為象征的半導(dǎo)...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 19
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      近年來,由于以移動性為中心的生活方式,將其處理的大數(shù)據(jù)作為云,物聯(lián)網(wǎng)、機(jī)器人領(lǐng)域開始顯示出活躍的面貌。這種新的技術(shù)創(chuàng)新也對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)業(yè)務(wù)產(chǎn)生了巨大的影響,因此需要符合目的的產(chǎn)品。因此,作為電子介質(zhì)的半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)也變得復(fù)雜,包括從微粉化一邊倒到三維化,半導(dǎo)體制造工藝也變得多樣化。其中使用的材料也被迫發(fā)生變化,用于制造的半導(dǎo)體器件和材料的技術(shù)革新還沒有停止。為了解決作為半導(dǎo)體制造工藝之一的CMP技術(shù)需要更嚴(yán)格地管理半導(dǎo)體芯片中使用的材料的變化、平坦度和缺陷的問題,盡管用于嵌入和平坦化的基本工藝保持不變。在此,從CMP裝置的基本變遷,特別闡述CMP清洗的基本技術(shù)。 各CMP的清洗目的和技術(shù)      將CMP設(shè)備和清洗設(shè)備集成在一起的Dry-in/Dry-out技術(shù)不僅有助于考慮下一工藝的晶圓,而且有助于考慮潔凈室。此外,可以穩(wěn)定地縮短從拋光到清潔裝置的時間,并且增加了容易粘附的漿料的去除效果,從而改善了晶片表面的清潔度。本文描述了從基本作用到設(shè)備的發(fā)展,以考慮在第二代中對每個CMP要執(zhí)行的清潔方法和設(shè)備中的機(jī)制。 藥液和裝置的基本      圖2對拋光后晶圓的表面狀態(tài)和后續(xù)清洗,用一個簡單的圖展示了比較復(fù)雜的Cu-CMP工...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 19
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      VLSI制造過程中,晶圓清洗球定義的重要性日益突出。這是當(dāng)晶片表面存在的金屬、粒子等污染物對設(shè)備的性能和產(chǎn)量(yield)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響時的門。在典型的半導(dǎo)體制造工藝中,清潔工藝在工藝前后反復(fù)進(jìn)行。半導(dǎo)體清洗過程主要使用化學(xué)溶劑和超純水(deionized water)的濕清洗房間法以及等離子體、高壓氣溶膠(aerosol)和激光。在本文中,我將了解半導(dǎo)體設(shè)備制造過程變遷中晶片清洗過程的重要性和熱點(diǎn)問題,概述目前半導(dǎo)體設(shè)備制造企業(yè)使用的清洗技術(shù)和新一代清洗技術(shù),并對每種方法進(jìn)行比較考察。 晶片清洗問題      近年來,隨著電路線寬的精細(xì)化、銅和低介電膜等新材料的招聘、圖案的大長寬比等半導(dǎo)體制造工藝的變遷,清洗工藝的重要性日益突出。現(xiàn)實(shí)是,應(yīng)對的清洗步驟數(shù)的增加、先進(jìn)的清潔技術(shù)的開發(fā)、集成清洗解決方案等各種技術(shù)需求都在面臨。最近,作為半導(dǎo)體布線材料,銅正在取代現(xiàn)有的鋁,現(xiàn)有的絕緣材料硅氧化膜(SiO2)正在被低介電材料取代。銅提高布線速度“I”,但對腐蝕相當(dāng)敏感,使用強(qiáng)化學(xué)液的傳統(tǒng)濕洗方法難以清潔表面,急需開發(fā)新的化學(xué)液。另外,低介電膜的情況也是由于膜質(zhì)的多孔性和延展性特性,容易對現(xiàn)有化學(xué)液造成損傷的缺點(diǎn),因此,盡管有優(yōu)秀的絕緣特性,但其使用受到限制。 ...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 18
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      隨著LSI的精細(xì)化,晶片的清洗技術(shù)越來越重要。晶片清洗技術(shù)的一個重要特性是如何在整個過程中去除刨花板或重金屬,以及在這個清洗過程本身中抑制刨花板的去除和缺陷的發(fā)生。作為晶片的清洗技術(shù),目前也在使用水槽式清洗,用于清洗的藥品從鐘來看,RCA清洗是主流。      本文為了防止晶片暴露在大氣中,使用從清洗到干燥的方法——封閉系統(tǒng)和IPA Vapor的干燥方法,對該gate氧化前的清洗進(jìn)行可用性確認(rèn),同時評估系統(tǒng)作為晶片清洗的性能。 封閉系統(tǒng)      晶片所有藥液的處理都是用一組完全封閉的狀態(tài)進(jìn)行的。圖1(a)是藥液處理和純水引起的LINS時的狀態(tài),藥液從組的下部進(jìn)入,向上排出。藥液處理過程中,喬上下安裝的閥門交叉,以此狀態(tài)維持一定時間。藥液的置換是從下半部向純水推出的形式,晶片從洗滌丸料到洗滌丸料都不會接觸到所有大氣。圖1(b)處于干燥狀態(tài),加熱到45℃的IPA的Vapor由萬億上部供應(yīng),同時純的排水(drain)從萬億下部開始,純數(shù)和IPA蒸發(fā)(vapor)的界面形成IPA的層寬約1.5厘米。隨著這一層IPA穿過晶片表面,晶片表面的純價值被IPA取代。最后,喬內(nèi)部被氮?dú)馔谧?,晶片表面完全干燥。像這樣,晶片從清潔開始到干燥結(jié)束,不暴露...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 18
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      半導(dǎo)體技術(shù)及產(chǎn)業(yè)反復(fù)急劇發(fā)展。這也需要在高度計(jì)算、大量多媒體的數(shù)據(jù)和精密測量、制導(dǎo)等領(lǐng)域有更高性能的計(jì)算機(jī),因此不斷要求器件的高密度化技術(shù)。器件密度的提高意味著線寬變窄。也就是說,生產(chǎn)芯片的工藝變得更加精細(xì)和精密。在晶片上制造半導(dǎo)體牛字的過程中,經(jīng)過逐步的過程,表面的污染物將呈幾何級數(shù)增長,受這些污染物的影響,半導(dǎo)體器件的數(shù)量率將急劇下降。為了應(yīng)對這種情況,雖然最理想的方法是逐步采用清潔工藝,完美地清除晶片表面的所有污染物,但這幾乎是不可能的。因此高密度電路的性能。信賴性和生產(chǎn)良品率是由制作時使用的晶片或制作后元件表面存在的物理化學(xué)中不必要的雜質(zhì)決定的。即使超精細(xì)化技術(shù)發(fā)達(dá),如果清潔工藝不完善,發(fā)揮功能的元件也無法得到。也就是說。清潔技術(shù)不是半導(dǎo)體器件的清潔,而是半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)。 半導(dǎo)體晶片清洗技術(shù)      半導(dǎo)體制造工藝可以大致分為硅片制造工藝、氧化和沉積工藝、光刻工藝、蝕刻工藝、離子注入工藝、等離子燒結(jié)工藝和光子晶體剝離工藝,工藝和工藝之間需要大量的清洗工藝(FIGUREST)。蝕刻和離子注入過程需要30次以上,具體取決于半導(dǎo)體的高密度聚集,每個過程后必須進(jìn)行清洗和沖洗3次以上,以清除殘留的波多黎各或污染物。單獨(dú)的干燥過程必不可少。半導(dǎo)體晶片上有很多...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 18
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料清潔基板的重要性      隨著半導(dǎo)體元件的超集成化,制造工序數(shù)在每道工序后,表面會留下許多殘留物或污染物,因此,清除這些殘留物的清潔工藝的重要性日益突出(cleaning process)。 再半導(dǎo)體元件制造工藝具有弱階段的制造工藝,其中紅400度以上的工藝由20%的清潔工藝和表面處理工藝組成,以防止晶片污染 半導(dǎo)體元件制造過程中產(chǎn)生的污染物是元件的結(jié)構(gòu)型。 由于降低相畸變和電氣特性,對該元件的(electrical characteristics)性能可靠性及收率等影響特別大,因此必須消除。 表面清潔技術(shù)      目前半導(dǎo)體制造工藝中,在硅基板上生成的主要污染物是:刨花油;金屬污染物自然氧化膜等,對產(chǎn)品的收率質(zhì)量和可靠性影響較大。目前大多數(shù)半導(dǎo)體工藝使用的是典型濕法洗凈工藝。也就是說,使用堿性溶液的清洗可以通過氧化和蝕刻反應(yīng)有效地清除有機(jī)污染物或粒子,而使用酸性溶液的SC-2清洗可以溶解金屬雜質(zhì),形成為絡(luò)合劑時,用于從硅基底表面解吸金屬雜質(zhì)。      這種濕式洗脫法是目前半導(dǎo)體器件制造工藝中使用最廣泛的洗脫法,因?yàn)樗哂幸韵聝?yōu)點(diǎn)。 DI water rinse的優(yōu)點(diǎn)是可以,干燥后殘留物很少,并且可以根據(jù)要去除的污染物使用適當(dāng)?shù)亩喾N化學(xué)溶液等...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 18
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      由于電子和計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突飛猛進(jìn)。但是,世界范圍內(nèi)對半導(dǎo)體制造工藝中必需使用的各種環(huán)境污染物的限制正在加強(qiáng),如果半導(dǎo)體行業(yè)沒有積極的環(huán)境應(yīng)對措施,就很難避免發(fā)達(dá)國家對半導(dǎo)體出口的制裁。因此,本方法在清潔技術(shù)層面,對改善半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境影響的清潔工藝技術(shù)替代方案進(jìn)行了調(diào)查。作為洗凈工藝的替代方案,調(diào)查了氣相洗凈工藝UV使用工藝、等離子體使用工藝,比較了各工藝的優(yōu)缺點(diǎn)。 半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝與環(huán)境危害性:      半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝可分為從硅砂制作半導(dǎo)體用硅晶圓片的工藝和通過連續(xù)化學(xué)工藝在晶圓片表面實(shí)現(xiàn)復(fù)雜電路的工藝。兩種方法,都是在多晶溶解后,通過浸泡單晶的種子(Seed),得到與種子晶體具有相同結(jié)晶方位的棒補(bǔ)洋單晶的方法。另一方面,切片是將這種制造出來的Si棒進(jìn)行有針對性的切割的過程,大約一英寸長,可以產(chǎn)生28個晶片。照相石板工藝是在晶片上噴涂光刻膠后,是利用設(shè)計(jì)的掩模實(shí)現(xiàn)所希望的電路,雜質(zhì)擴(kuò)散工藝是將雜質(zhì)擴(kuò)散到Si層內(nèi)部,使其成為P型或N型的半導(dǎo)體。除這些基本工序外,還需要對制造的半導(dǎo)體進(jìn)行包裝和產(chǎn)品化的組裝檢查工序,以及在工序之間對晶片表面進(jìn)行清潔的清潔工序。在半導(dǎo)體工業(yè)排放的主要環(huán)境污染物中,過氟化合物多用于蝕刻工藝,Deionized Water(D...
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