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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數;?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言      在鑲嵌集成方案中,銅被用作互連材料。在鑲嵌集成方案中,通過等離子體工藝的蝕刻處理導致形成聚合物殘留物、在電介質側壁上濺射的銅、通孔底部的銅氧化以及硬掩模表面的銅沉淀。為了去除這些雜質,必須進行通孔后蝕刻清洗。      我們測試了幾種由稀釋的氟化氫和有機酸組成的含水清洗溶液。稀釋的氟化氫主要用于去除聚合物殘留物和有機酸,以清潔銅表面。這些混合物已經被研究過,并且與幾種多孔和致密的ULK材料相容。本文研究了稀氫氟酸溶液中有機酸和氣泡對銅和氧化銅溶解速率的影響。首先,通過X射線反射儀表征確定的銅溶解動力學獲得氧化銅和銅蝕刻速率和粗糙度。其次,進行形態(tài)計算以解釋作為溶液和氣體鼓泡的函數的銅蝕刻速率差異。 實驗      通過在硅襯底上100-150的TiN層上沉積500的銅(PVD)層來制備200 mm樣品。將銅晶片暴露在潔凈室氣氛中,以獲得幾埃(35至40埃)的氧化銅膜。測試了幾種含有3.5重量%有機酸或稀釋的0.05重量%氟化氫加3.5重量%有機酸的溶液(水基化學)(表1)。通過O2或N2氣體鼓泡來調節(jié)溶液中的氣體含量。 表1 測試的清洗溶液      對于動力學研究,將相同的銅樣品在25℃的溶...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 09
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料在過去的幾十年中,結晶硅基聚乙烯醇縮丁醛由于其低成本、稀土豐富和可靠性而在商業(yè)聚乙烯醇縮丁醛中占主導地位;然而,差的紅外線由于其間接帶隙的吸收,以及由表面紋理化工藝產生的高反射率,損害了電池效率,因此對硅基光伏模塊的大規(guī)模部署提出了令人生畏的挑戰(zhàn)。此外,努力更有效地利用陽光的新思想也在發(fā)展中。一種有前途的高效硅光伏技術是使用黑硅太陽能電池,這種電池基于具有微/納米結構表面的晶體硅(c-Si)晶片,它可以有效地捕獲寬范圍波長和入射角的太陽光。硼硅卓越的光俘獲能力允許顯著減小晶片厚度,即使沒有應用抗反射涂層;因此,它是具有成本效益銀圖標聚乙烯吡咯烷酮的有前途的候選材料。迄今為止,硼硅生產中最強的趨勢之一是在氧化氟化氫溶液中利用金屬催化的硅蝕刻,因為它具有以下優(yōu)點:簡單、快速、多功能和可擴展性。近年來,通過浸漬法可規(guī)?;a硼硅的進展促進了其在高效硅太陽能電池中的實際應用。MacEtch制造b-Si的成功與其簡單性和與現有工業(yè)硅太陽能電池生產設施的兼容性密切相關。 硅浸漬法制備黑硅:浸漬黑硅表面的微/納米結構取決于金屬催化劑的種類、蝕刻時間、蝕刻劑的組成和處理溫度。圖10a–d顯示了鍍銀硅片在含氧化性硝酸鹽的HF水溶液中的形態(tài)演變。隨著蝕刻時間的推移,銀顆粒逐漸深入大塊硅中,并導致在硅表面形成排列整齊的SiNW陣列。在氧化HF溶液中,硅的金浸...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 08
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言隨著半導體器件不斷向越來越小的尺寸發(fā)展,保持硅表面無污染以提高器件功能、產量和可靠性變得越來越重要?;赗CA的濕法化學清洗仍然廣泛用于半導體器件制造工藝。經過SC-1和SC-2處理后,硅表面具有約1納米厚的化學氧化層。對于預浸清洗,低質量的化學氧化層最好在生長高質量的熱柵氧化層之前去除。這可以通過稀氟化氫(DHF)處理來實現。在本方法中,我們結合電位測量技術、TXRF技術和電感耦合等離子體質譜法來測定不同添加劑在DHF溶液中對硅表面超壓銅輸出的影響。用光散射和透射電鏡研究了溶液中表面活性劑與銅離子的相互作用。用掃描電鏡研究了表面活性劑對減少硅表面銅成核的影響。硅表面吸附的表面活性劑層用原子力顯微鏡進行了驗證。在此基礎上,總結了DHF清潔生產中對銅產出的表面影響。 實驗我們選用鹽酸、雙氧水、硝酸、陽離子表面活性劑和陰離子表面活性劑等不同添加劑,研究它們對銅輸出的影響。我們使用的陽離子表面活性劑是烷基四甲基溴化銨(CTAB),陰離子表面活性劑是含硫表面活性劑。它們具有相似的鏈結構和分子量。我們之前的結果表明,這兩種方法在稀釋過程中都有效地防止了顆粒的再沉積。用一個2英寸(100)電阻率為1-10ωcm的n型硅片(Silicon Quest International)在安裝到定制的特氟隆電化學電池之前,經過SC-1清洗、DHF清洗和去...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 08
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言      硅晶片在晶片制造工藝或元件制作工藝過程中,會受到各種污染物、表面特性的影響。 這些污染物是導致半導體元件產出率下降的原因,可以在晶圓制造工序后的最后階段進行清潔處理,也可以在元件制造工序前和工序中間進行清潔處理。進行清潔工程,使污染物濃度最小化。      使用HF清洗后,必須對重新吸入的微粒進行清除。BOE溶液是NH4F和HF混合的溶液,與DHF溶液一樣,NH4F溶液有助于酸的貨物去除和NH4F溶液去除微粒,NH4F和HF混合使效果比HF顫抖。本方法對廣泛應用于通用器件的Polished Si晶片和用于邏輯器件的Epitaxially-grown Si晶片進行了表面處理時表面的化學物理變化,確定了相互之間的三個定過程后特性差異。 實驗      本方法對直徑為300mm的拋光晶片和EpiLayer晶片采用不同的清潔液進行表面處理后,表面的變化進行了鑒定。晶片為P-type興奮劑,以抑制雜質為1016cm?3濃度,在1200攝氏度高溫下進行離子注入摻雜。 切成10 mm×10 mm大小的雕塑試片后,用清潔液進行了表面處理。 選用SC-1作為RCA洗脫方法; SC-1洗脫方法是由氨水及過氧化氫水、超純水按1:1:5的比例混合...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 08
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言      晶圓-機械聚晶(CMP)過程中產生的漿體顆粒對硅晶片表面的污染對設備工藝中收率(Yield)的下降有著極大的影響。      為了去除氧化后CMP晶片表面的顆粒,通過與DHF(稀釋HF)、非離子表面活性劑PAAE(聚氧乙烯烷氧芳基醚)、DMSO(二甲基亞砜)和D.I.W.混合制備了新的清洗溶液。硅酮晶片故意被硅、氧化鋁和PSL(聚苯乙烯乳膠)污染。與傳統(tǒng)的AMP(氫氧化銨、過氧化氫和D.LW的混合物)相比,這種大氣輻照下的清洗溶液可以在室溫下同時去除顆粒和金屬,而不會增加微粗糙度、金屬線腐蝕和有機污染物沉積等副作用。這表明這種清洗溶液在銅刷清洗工藝和傳統(tǒng)的銅刷后清洗工藝中具有廣闊的應用價值。 實驗      本方法采用直徑在0.1 nm~0.5 im之間的二氧化硅顆粒、鋁礬土顆粒和polystylene latex(PSL)顆粒。 在人為污染的清潔槽中加入晶片,吸附量調整到表面約30000個左右,該數值在本實驗期間保持恒定使用。 所用超聲波采用的是間接方式的1000 KHz/600 W,本方法研究的清潔液A-HF(DHF,Polyoxyethylene Alkyl Aryl Ether和Dimethylsulfoxide的混合物)的...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 08
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言最近,作為替代能源,太陽能電池在世界范圍內受到很大的管道種植。太陽能電池是將太陽能轉換為電能的無污染和半永久性裝置,其發(fā)展性備受期待。在多種太陽能電池中,晶體硅太陽能電池占整個太陽能電池市場的80%以上,正處于太陽產業(yè)的核心。據預測,這種晶體硅太陽能電池的產業(yè)發(fā)展戰(zhàn)將持續(xù)一段時間??梢哉f,太陽能電池產業(yè)最重要的是提高效率,降低制造單價。為了減少光的表面反射損失,形成了表面組織和防反射膜,形成了防止太陽電池背面電子-專業(yè)對團聚損失的背面電場,提高了短波長區(qū)域光能的吸收率。在表面鈍化的情況下,減少晶體硅片表面的dangling bonds等引起的電子-專業(yè)對團聚。在HF處理引起化學鈍化的情況下,由于晶圓表面的dangling bonds等鍵的氫種團,期待鈍化效果。Si3N4膜由于最小的氫(hydrogen)減少了dangling bonds等缺陷、固定電荷(fixed positive charge)的電場效應減少了團聚等原因,正被用作或正在研究太陽能電池前/后的鈍化膜。本文采用光引起的礦化度carrier lifetime測量方法,考察了N型硅片的化學HF(以下簡稱HF)處理效果。 實驗表1顯示了本研究中的實驗方法。樣品采用4等分法使用了無電阻3-5ωCM、厚度500-550 m的N型(100) 4inch單晶硅基板。樣品的基本清洗采...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 08
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言半導體生產過程中,蝕刻工藝是非常重要的工藝。蝕刻工藝中使用的方法通常有浴式和枯葉式兩種。浴式是用傳統(tǒng)的方法,在藥液浴中一次性加入數十張晶片進行處理的方法。但是隨著半導體技術的發(fā)展,開發(fā)出了一張?zhí)幚砭目萑~式。在常溫的藥液中,浴式的均勻度在3%以上,而每葉式的均勻度在1%以下,非常優(yōu)秀。另外,與浴式相比,枯葉式的超純用量少1/15左右,在Cu工藝等擔心金屬污染的工藝中處理晶片一張,從而防止反向污染??萑~式是一次性展示晶片時噴射書藥液的方法。這時噴射噴嘴可以從偉珀中心向邊框方向來回轉動,通過boom swing均勻地冷卻。本方法將batch和batch結合起來,用沒有boom swing的方法評價了蝕刻工藝。在進行蝕刻工藝時,以消除boom swing為基礎,用晶片上有板的結構制作了枯葉式裝置,進行了蝕刻評價。在沒有Boom Swing的枯葉式結構中,將常溫的藥液從晶片中央噴射出來進行了蝕刻評價,并進行了評價,以了解使用高溫藥液時的結果果。使用高溫藥液時,出現了口感不均勻的問題。對此時發(fā)生的問題進行了這一理論考察,并在理論計算結果的基礎上,改進了高溫藥液的噴射方法。 實驗利用枯葉式裝置,用晶片上有板的詞組制作了裝置,進行了評價。圖2是有桌面制作的枯葉式裝置的外觀。晶片的旋轉最高可達2000RPM,使用晶片的大小為300 mm。...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 06
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言隨著集成電路器件制造工業(yè)追求更小和更先進的技術,其制造工藝的效率和精度變得越來越重要。微細加工的關鍵工序之一是特征的蝕刻和清洗。隨著特征尺寸的擴大,清洗化學品的潤濕對于去除亞45納米結構中的蝕刻碎片至關重要。這些化學物質及其潤濕行為如何隨時間變化,將關系到清洗過程的效率。為了獲得成功的潤濕行為,必須了解三個因素:基底的表面化學性質(和表面能),氟化氫溶液和基底之間的化學相互作用,以及氟化氫溶液的有效蒸發(fā)。這襯底的表面化學性質受到先前應用的等離子體灰化的影響。這些灰可以通過去除疏水基團而降低基材對濕法蝕刻工藝的抵抗力,因此,使得親水表面更容易受到HF的侵蝕。氟化氫溶液的蒸發(fā)也會影響基材的潤濕行為。延長潤濕時間會導致氟化氫溶液蒸發(fā)。隨著液體體積的損失,接觸角會受到影響。為了量化這種行為,從表面化學、粗糙度和輪廓方面測量和檢查在固液界面形成的接觸角。 實驗樣品采用化學蒸氣沉積的SiOCH低k薄膜(2700A沉積在硅片上),孔隙率約為25-30%,孔徑約為2nm,k值為2.3。薄膜在以下條件下進行等離子體清洗處理:N2/H2 (30 s、900sccm、2000W、2Torr、260C)、N2/H2(60s、900sccm、2000W、2Torr、260C)和O2(20s、25C)。這些薄膜被單獨安裝在濕度控制環(huán)境下的接觸角測角計上。通過在...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 06
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言近年來,小尺寸、輕重量、低生產成本和可再現的可制造性的器件變得非常重要。通過濕法蝕刻單晶硅或玻璃的微機械加工可以符合這些嚴格的要求。硅或玻璃的濕法蝕刻是體微機械加工的關鍵技術,用于生產微器件,如壓力傳感器的隔膜、光纖對準的V形槽和生物芯片的微通道。隨著微機電系統(tǒng)市場的增長,基于濕法刻蝕的體微操作的精確控制越來越受到關注。特別是,蝕刻表面的粗糙度變化可能是微機電系統(tǒng)器件商業(yè)化中最主要的因素之一。此外,為了通過使用粘合技術組裝微機械零件來制造微器件,需要光滑且無缺陷的表面。為了改善濕法刻蝕的特性,制作了兆頻超聲波攪拌組件。在本方法中,在有和沒有兆頻超聲波攪動的濕法蝕刻過程中,研究了MAM的特性。MAM的使用改善了濕法蝕刻的特性,例如蝕刻速率、蝕刻均勻性和表面粗糙度。特別地,在硅和玻璃兩種情況下,整個晶片上的蝕刻均勻性都小于1%。通常,單晶硅的初始均方根粗糙度(Rrms)小于0.5 nm。一些研究者通過磁力攪拌和超聲波攪拌分別獲得了566和66 nm的粗糙度。在這項研究中,蝕刻硅表面的粗糙度小于60納米。用兆頻超聲波攪拌濕法蝕刻硅可以在蝕刻過程中保持幾乎原始的表面粗糙度。結果表明,大氣攪拌是提高蝕刻率、蝕刻均勻性和表面粗糙度的有效途徑,所開發(fā)的微加工系統(tǒng)適用于制造復雜結構的器件。 實驗樣品的起始材料為6英寸。(100)的硅晶片和一個6英寸...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 06
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言在氨過氧化氫混合物(APM)(或SC1)清洗處理之前,硅晶片暴露于包含HF蝕刻步驟的清洗序列。這些晶片根據至少三種機制進行粗糙化。一種粗糙化機制是由于來自APM混合物的蒸汽,而另外兩種與金屬污染密切相關。首先,來自熱APM溶液的氨蒸汽將凝結在冷的疏水晶片表面上,并將蝕刻該表面。第二,鐵離子污染(以氫氧化鐵聚集體的形式存在于APM中)會催化過氧化氫的分解。在晶片浸入過程中,這些鐵離子聚集體會沉積在硅表面。因此,隨著這些聚集體繼續(xù)催化其分解,產生了局部過氧化氫損耗。這導致深度為2-5納米的典型環(huán)中的硅的局部蝕刻,而3-8納米的氧化硅邊緣被沉積在環(huán)旁邊。最后,諸如銅和鎳的金屬可以在APM步驟之前的HF步驟中鍍在硅晶片上。它們在原電池中充當陰極,而銅(或鎳)核周圍的硅正在陽極溶解。 實驗用于實驗的化學物質具有低金屬污染的過氧化氫(30%)和氨(25%)。將標準鐵(NO3)3 (1000重量ppm)溶液稀釋至1或10重量ppm儲備溶液。使用這些儲備溶液時,APM被添加到0.1-10重量ppb的水平。用沸騰的稀硝酸(5%)清洗石英容器和晶片容器1小時,然后用去離子水沖洗。監(jiān)控硅片(n型或p型,[100]取向,150 mm直徑)在噴霧處理器中清洗[硫酸過氧化氫混合物(SPM)-稀HF-APM-鹽酸過氧化氫混合物(HPM)序列],并在SPM浴中浸泡...
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