久久国产亚洲精品超热碰_日本福利在线观看_亚洲AV永久无码5G_女生私密在线一区二区_国产精品视频大全_三级国产亚洲_无码人妻中文二区_岳装睡到我房间和我做_影音先锋精品网址_黄色污污视频网站

歡迎訪問華林科納(江蘇)半導體設備技術有限公司官網(wǎng)
手機網(wǎng)站
始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

--- 全國服務熱線 --- 0513-87733829



新聞資訊 新聞中心
400-8798-096
聯(lián)系電話
聯(lián)系我們
掃一掃
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推薦產(chǎn)品 / 產(chǎn)品中心
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據(jù)實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據(jù)情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
新聞中心 新聞資訊
掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料      本方法一般涉及半導體的制造,更具體地說,涉及在生產(chǎn)最終半導體產(chǎn)品如集成電路的過程中清洗半導體或 硅晶片,由此中間清洗步驟去除在先前處理步驟中沉積在相關硅晶片表面上的污染物。      典型的,在生產(chǎn)復雜的半導體產(chǎn)品,例如集成電路器件時,需要數(shù)千個加工步騾來獲得最終產(chǎn)品。為了提高利潤,重要的是在加工期間從單個硅晶片獲得的有用集成電路器件的產(chǎn)量或數(shù)量最大化。因此,半導體制造商在半導體器件的制造過程中需要提供最長的壽命。這種器件通常在潔凈室條件下制造,以便在加工過程中基本上消除任何空氣污染物到達硅晶片表面,并降低產(chǎn)量。      此外,在硅晶片的實際加工過程中,某些其它加工步驟本身可能導致污染物沉積在晶片表面上,使得在預定的加工步驟完成之后,有必要在進行后續(xù)加工或制造步驟之前清潔晶片表面,以確保所生產(chǎn)的器件具有最高的可能產(chǎn)量。      半導體產(chǎn)品制造過程中的典型清洗周期包括濕晶片清洗,其通常包括多個清洗步驟。最初的步驟通常包括將化學制品和水的混合物噴灑到晶片表面上,或者將晶片浸入這種混合物中,隨后是水沖洗步驟和干燥步驟,之后硅晶片進行進一步的器件處理。在半導體制造中經(jīng)常使用本領域中通常稱為“RCA-clean”的清洗順序...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 29
瀏覽次數(shù):41
掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言      氮化硅鈍化層的選擇性去除在半導體器件的失效分析中非常重要。典型的應用有:光學顯微鏡和去除表面污染物的模具表面清潔、電子顯微鏡、液晶、電壓對比、電子束測試、機械微探針和選擇性逐層剝離。      開發(fā)了一種新的氮化硅鈍化層濕法腐蝕工藝,這種工藝比鋁金屬化工藝具有更高的選擇性,并且在鈍化去除后保留了器件的全部功能。在失效分析文獻中,首次詳細給出了化學配方和腐蝕過程。這種蝕刻劑已經(jīng)在許多故障分析實驗室中對廣泛的分立和集成半導體器件進行了兩年多的實驗,并且總是獲得優(yōu)異的結果。兩個失效分析實例說明了其能力和效率。實驗      大多數(shù)集成電路的鈍化層是由氮化硅制成的。由于其優(yōu)越的物理和化學性質(抗氧化和耐腐蝕、化學惰性、對離子污染物和濕度的低滲透性),氮化硅實際上是集成電路最合適的鈍化層?,F(xiàn)在只有少數(shù)集成電路仍然用磷摻雜的氧化硅鈍化。電子順磁共振,因為氮化硅對紫外線不透明)。      氮化硅通常通過硅烷、氨和一氧化二氮的反應,在約850/650℃的溫度下通過化學氣相沉積,在約600℃下通過金屬有機化學氣相沉積,以及在低至350℃的溫度下通過等離子體沉積而沉積。氮化硅的理想化學計量組成是Si3N4.實際上,氮化硅是一種類似...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 29
瀏覽次數(shù):273
掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言      單晶片兆頻超聲波清洗機的聲音分布通過晶片清洗測試、視覺觀察、聲音測量和建模結果來表征。該清潔器由一個水平晶圓旋轉器和一個兆頻超聲波換能器/發(fā)射器組件組成。聲音通過液體彎月面從換能器組件傳輸?shù)剿绞舻骄?。聲音可以從石英棒沿徑向和軸向傳播。通過改變換能器和傳輸部件的參數(shù),可以控制來自石英棒的徑向和軸向聲音傳輸?shù)某潭取?#160;     雖然兆頻超聲波清洗在半導體工業(yè)中被廣泛使用,但是基本的物理過程還沒有被完全理解。除了了解顆粒去除的機理,還通過實驗和建模研究了清潔室內的聲音分布。 實驗      清洗實驗是在VERTEQ金手指,一個單一的晶片,兆頻超聲波清洗機(圖1和2)中完成的。 圖2 巨氣子能量傳播和液體分布示意圖      該模塊包括:(1)晶片卡盤和旋轉器,(2)兆頻超聲波換能器組件和(3)化學輸送系統(tǒng)。兆頻超聲波組件由壓電換能器組件組成,該組件連接到石英棒上。      晶圓制備:漿料污染的氧化物晶片通過以下方法制備:(1)在水中預濕晶片,(2)在Cabot SS-25漿料浴中浸漬10秒,(3)去除并置于稀釋的表面活性劑溶液(Wako)中10秒,和(4)使用前...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 29
瀏覽次數(shù):22
掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料      本方法涉及清洗除去牢固附著在玻璃基板表面的聚有機硅氧烷固化物。一般粘合劑等中含有的、附著在玻璃等基板上的有機硅樹脂等有機物或無機物,可以使用酸、堿、有機溶劑等藥液除去。例如,已知使用苯、甲苯 、二甲苯、煙、工一硫等有機溶劑除去有機物等,但固化物的剝離性不充分,另外,有時在剝離后產(chǎn)生的廢液中含有毒性強的化合物和會導致環(huán)境污染的化合物。因此,作為常規(guī)清潔液,主要使用氫氟酸鹽溶液或堿金屬氫氧化物溶液。      然而,由于氫氟酸鹽會腐蝕玻璃,因此在玻璃基板上使用時需要小心。 因此,在硅晶片制造商和器件制造商中,進行各種清潔以去除粘附在諸如硅晶片的襯底上的污染物。例如,一種名為RCA清洗的典型清洗方法是將氨水,過氧化氫和超純水的混合液(有時稱為A P M)加熱至60-90℃,除去硅片上的顆粒和有機物,然后再將鹽酸,過氧化氫和超純水的混合液(有時稱為H P M)加熱至60-90℃用于去除硅晶片上的金屬雜質的方法的組合。將硫酸和過氧化氫溶液(有時稱為SPM)的混合溶液加熱到80-150°C,用于分解和去除有機物質,如泡沫,或去除金屬雜質。      玻璃基板的表面通過用強堿洗滌來溶解和去除牢固地粘附到玻璃基板上的硬化材料,并且同時,玻璃基板的表面也...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 29
瀏覽次數(shù):274
掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言      在使用濕化學硅體微機械加工制造微機電系統(tǒng)時,使用堿性溶液,如氫氧化鉀、氫氧化四甲銨和氫氧化銨。除了微機械加工之外,堿性溶液還用于單晶硅的表面紋理化,以降低反射率并改善高效硅太陽能電池的光捕獲。在堿性溶液中,TMAH和KOH最廣泛地用于濕法各向異性蝕刻。當考慮到互補金屬氧化物半導體的兼容性,并且熱氧化物被用作掩模層時,使用解決方案。為了獲得和氫氧化鉀之間的高蝕刻選擇性。      即R和Si的顯著蝕刻速率,氫氧化鉀優(yōu)于 在約18重量%的濃度下觀察到硅的最大蝕刻速率。當氫氧化鉀的濃度增加或減少超過該濃度時,蝕刻速率降低。隨著濃度的增加,蝕刻的表面形態(tài)改善。濃度接近或大于30重量%時獲得高度光滑的表面。氮化硅顯示出對硅的優(yōu)異蝕刻選擇性,因此如果蝕刻進行更長時間,則優(yōu)選氮化硅作為掩模材料。熱生長的二氧化硅非常便于沉積和圖案化,如果進行短時間蝕刻,可以用作蝕刻掩模。氧化物的溶解速度隨著氫氧化鉀溶液的濃度而增加。 實驗      每次使用1升新鮮蝕刻劑。特氟隆容器部分插入恒溫水浴中。蝕刻在60至76℃的不同溫度下進行,沒有任何攪拌/攪動。在所有實驗中,樣品被垂直固定在包含多個槽的PFA芯片支架中,以一次蝕刻許多樣品,從而確保相同的蝕刻條件。在浸...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 28
瀏覽次數(shù):35
掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料介紹       信息技術給我們的現(xiàn)代社會帶來了巨大的轉變。為了提高信息技術器件的存儲密度,使用淺溝槽隔離技術將半導體制造成無漏電流的極端規(guī)模集成。在這個過程中,固相氮化硅(Si3N4)層在部分二氧化硅(SiO2)沉積中起到掩模的作用。通過這種沉積,形成了由數(shù)百個交替堆疊的Si3N4和二氧化硅原子層組成的垂直堆疊結構.Si3N4掩模必須在程序結束時去除,通常通過熱化學蝕刻。因此,在二氧化硅上選擇性和完全蝕刻Si3N4是STI技術中制造高性能半導體器件的關鍵步驟。      典型地,選擇性被定義為Si3N4和二氧化硅的蝕刻速率之間的比率。然而,由于傳統(tǒng)蝕刻劑對兩種硅材料的優(yōu)先化學親和力的邊際差異,選擇性蝕刻相當具有挑戰(zhàn)性。此外,這兩種材料在標準溫度和壓力下都是化學惰性的。在當代方法中,蝕刻在兩種不同的條件下進行:干蝕刻和濕蝕刻。干法蝕刻通過離子轟擊物理去除材料。眾所周知,由于底切的各向異性和可忽略的趨勢,產(chǎn)生高分辨率蝕刻。然而,由于不希望的低選擇性,這是不利的,因為離子隨機攻擊表面,甚至損壞基底。另一方面,濕法蝕刻顯示出比干法更高的選擇性,對襯底的損壞程度更小,更適合大規(guī)模生產(chǎn)。因此,在各種商業(yè)制造技術中通常采用濕法蝕刻。 討論      隨著溫度的...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 28
瀏覽次數(shù):615
掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言      分析化學小型化的一個方便的起點在于使用單晶硅作為起始材料,微加工作為使能技術,濕化學蝕刻作為關鍵的微加工工具。在這次可行性研究和學習中都起到了關鍵作用。       這項工研究的主要目的是評估不同的各向異性蝕刻劑,用于柱、分裂器和幾何圖案的其他變體的微機械加工,這些幾何圖案可以用作構建更復雜的微機械加工結構的構造,所以具被用于化學分析的應用。 實驗質量保證       二氧化硅或硅、鈉的蝕刻速率很小,蝕刻在透明溶液中進行,因此 可以對蝕刻過程進行可視化監(jiān)控。通過向蝕刻溶液中加入少量的硅可以抑制 鋁的蝕刻。祕、銘、鈦和飽沒有被蝕刻,但是銅、鐐和鋅被蝕刻。各向異性不如氫氧化鉀好。蝕刻必須在惰性氣體覆蓋下進行,甚至I非常薄的二氧化硅層也足以防止蝕刻。因此,有必要在蝕刻之前立即將晶片 浸入氫氟酸中。      KOH的主要缺點是它以可觀的速率攻擊二氧化硅掩模,因此需要SigNa掩模,特別是 如果要使用深度蝕刻。當試圖將片上電路與微加工結構結合時,會產(chǎn)生額外的問題?!袄?,鋁 金屬化和焊盤受到氫氧化鉀的侵蝕,必須受到保護(因此需要額外的掩?;蚴褂闷渌g刻劑), 蝕刻過程中釋放的Nat和K+可能會污染金屬...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 28
瀏覽次數(shù):15
掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言 近十年來,濕化學法制備超薄二氧化硅/硅和超薄二氧化硅/硅結構的技術和研究取得了迅速發(fā)展。這種結構最重要是與大尺寸硅晶片上氧化物層的均勻生長有關。在硝酸溶液中濕法制備的氧化物(通常標記為氫氧化鈉)的性質在于通過傅里葉變換紅外光譜測定的高氧化物密度,因此,產(chǎn)生了制備具有優(yōu)異絕緣性能的超薄氧化物層的可能性。 實驗我們使用了電阻率為10厘米的適度n型和p型硅(100)晶片。所有硅襯底的表面在氧化之前都用標準的RCA工藝清洗(即。浸泡在NH4OH+H2O2水溶液和然后用5wt %蝕刻氫氟酸。近十年來,濕化學法制備超薄二氧化硅結構的技術和研究得到了迅速發(fā)展。這種結構最重要的優(yōu)點之一與大尺寸硅晶片上氧化物層的均勻生長有關。當然,氧化層和氧化物/硅界面的質量也非常好。在硝酸溶液中濕法制備的氧化物(通常標記為氫氧化鈉)的非常有趣的性質在于通過傅里葉變換紅外光譜測定的高氧化物密度,因此,產(chǎn)生了制備具有優(yōu)異絕緣性能的超薄氧化物層的可能性。 討論      氫氧化鈉樣品的光學性質光譜橢偏法和原子力顯微鏡  略      采用后氧化退火和HCN處理的與NAOS相關的金屬氧化物半導體結構的電學特性。第一組制備好的樣品在N2氣氛中于700℃退火20分鐘。它們被標記為氧化后退火后的樣...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 28
瀏覽次數(shù):21
掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言      半導體器件的制造是從半導體器件開始廣泛銷往市場的半個世紀 前到現(xiàn)在為止與粒子等雜質的戰(zhàn)斗。半個世紀初,人們已經(jīng)了解了什么樣的雜質會給半導體器件帶來什么樣的壞影響。      作為半導體器件制造中的雜質,大致可以分為粒子、殘渣、金屬 、有機物。粒子會妨礙布線圖案的正常形成,引起信號開路不 良和短路不良。另外,干蝕刻生成的聚合物生成物等殘渣,如 果沒有完全除去,同樣會引起信號開路不良、短路不良,還有配 線接觸電阻大導致的動作速度降低。關于金屬雜質,雖然重金 屬、堿金屬等對半導體器件的影響有差異,但一般來說,在柵極氧化膜的耐壓惡化結方面 引起線接觸電阻大導致的動作速度降低、布線圖案破壞導致的 開路短路不良、布線接觸電阻大導致的動作速度降低。      通過與半導體器件制造相關人員的巨大努力,關于金屬雜質和 有機物雜質,通過藥液清洗解決的部分很多,現(xiàn)在作為一個大 問題還沒有被公開特寫。但是,關于粒子(含有的殘渣),即使 在現(xiàn)在也是使半導體設備的成品率下降的最大原因。 實驗      半導體設備的制造是半個世紀前到現(xiàn)在與粒子的戰(zhàn)斗。坦然籠統(tǒng)地說是粒子,但其產(chǎn)生源卻是多方面的。關 于大氣中的塵埃,通過潔凈室建設、晶...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 28
瀏覽次數(shù):25
掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言      氫氧化鉀溶液中硅的各向異性刻蝕是微機械加工中的一項重要技術。氫氧化鉀蝕刻硅的殘留物沉積通常被認為是該技術的缺點。在這份報告中,我們利用這種殘留物作為第二掩模層來制造兩層復雜結構。設計并測試了尺寸在15-150米范圍內、間隙距離為5米的方形圖案。當襯底在氫氟酸溶液中被過度蝕刻超過閾值時,出現(xiàn)殘余掩蔽層。根據(jù)二氧化硅和殘留物兩種不同的掩蔽層,得到了由類壁結構包圍的兩層微錐結構。殘余掩蔽層是穩(wěn)定的,并且可以在氫氧化鉀蝕刻中存活很長時間,以實現(xiàn)深硅蝕刻。研究了刻蝕劑濃度、溫度、刻蝕時間和圖形尺寸等工藝參數(shù)。通過良好控制的兩層結構,可以設計有用的結構用于未來的等離子體和微流體裝置。 介紹      氫氧化鉀蝕刻硅的殘留物沉積是眾所周知的,這通常被認為是這種制造技術的缺點。在這項工作中,我們利用殘余物作為第二掩模層來制造兩層微結構。不同圖案尺寸的方形陣列微機械從15到150米和5米的間隙距離已經(jīng)被設計和測試。正常的微錐可以通過在氫氟酸和氫氧化鉀溶液中蝕刻控制良好的二氧化硅和硅來制造。當襯底在HF中被過度蝕刻以獲得更大的間隙時,第二層壁狀結構出現(xiàn)在第一層微錐體之間。仔細控制制造參數(shù),兩層結構尺寸可以精確調整。殘留物掩蔽層堅固穩(wěn)定,比氫氧化鉀蝕刻的二氧化硅掩蔽層存活時間更長,最...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 27
瀏覽次數(shù):170
1322頁次43/133首頁上一頁...  38394041424344454647...下一頁尾頁
Copyright ©2005 - 2013 華林科納(江蘇)半導體設備有限公司
犀牛云提供企業(yè)云服務
華林科納(江蘇)半導體設備有限公司
地址:中國江蘇南通如皋高新區(qū)桃金東路90號
電話:0513-87733829
Email:xzl1019@aliyun.com
regal-bio.cn

傳真:0513-87733829
郵編:226500


X
1

QQ設置

3

SKYPE 設置

4

阿里旺旺設置

2

MSN設置

5

電話號碼管理

  • 400-8798-096
6

二維碼管理

8

郵箱管理

展開