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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護,免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言在所有金屬污染物中,鐵和銅被認(rèn)為是最有問題的。它們不僅可以很容易地從未優(yōu)化的工藝工具和低質(zhì)量的氣體和化學(xué)物質(zhì)轉(zhuǎn)移到晶片上,而旦還會大大降低硅器件的產(chǎn)量。用微波光電導(dǎo)衰減和表面光電壓研究了p型和n型硅中微量鐵和銅的影響。這些晶片受到了與超大規(guī)模集成技術(shù)相關(guān)的受控量的鐵和銅表面污染。襯底摻雜類型對金屬雜質(zhì)的影響很大。正如所料,F(xiàn)e會大大降低p型襯底的少數(shù)載流子壽命。另一方面,鐵對n型硅的影響至少比p型低一個數(shù)量級。相比之下,銅對n型材料非常有害,但對于所研究的污染水平,對p型硅的少數(shù)載流子特性沒有顯著影響。 實驗 首先,對p型硅中鐵污染情況的表征技術(shù)進(jìn)行了全面的研究。為此,CZ、p型、、6至10和24至36±2cm、125mm直徑的硅片,含中氧含量,從鐵添加(0.25:1:5)NH4OH:H、O、:H、O(SC1)溶液中得到均勻的Fe污染。通過氣相沉積得到的鐵表面濃度。表面N2環(huán)境中熱處理30分鐘,污染物被驅(qū)入晶片。氧化環(huán) 境中處理的升溫是在5%氧氣中進(jìn)行的。在N2所有情況下的冷卻都以5℃/分鐘的速度進(jìn)行到650 ℃,然后在 10分鐘內(nèi)將樣品從毛皮中取出至室溫。我們還進(jìn)行了第二組實驗,其中同時使用n型和p型底物(表1)來解決摻雜類型對硅中雜質(zhì)活性的影響。如前所述,從添加的SC1溶液中以控制和均勻的方式沉積。銅從稀釋的...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 03
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言基于氮化鎵(GaN)的半導(dǎo)體已經(jīng)被廣泛研究,因為它們在光電應(yīng)用中具有潛力,例如在藍(lán)色和紫外波長區(qū)域工作的發(fā)光二極管。為了提高氮化鎵基發(fā)光二極管的可靠性,研究了在乙二醇溶液中,用氫氧化鉀+氫氧化鈉對氮化鎵基發(fā)光二極管中的p-氮化鎵表面進(jìn)行選擇性濕法化學(xué)刻蝕。與未蝕刻的發(fā)光二極管相比,蝕刻的發(fā)光二極管在正向和反向偏壓下的泄漏電流要低得多。蝕刻的發(fā)光二極管也顯示出改善的光提取效率,并且在300毫安的高注入電流下光輸出功率的退化速率比未蝕刻的發(fā)光二極管慢。這些結(jié)果可歸因于表面缺陷的減少、空穴濃度的增加和蝕刻的p-GaN的表面粗糙度的增加。在這項工作中,我們研究了蝕刻發(fā)光二極管在高注入電流下的可靠性。為了檢查進(jìn)入由表面缺陷形成的陷阱中心的漏電流,在發(fā)光二極管上采用了溫度相關(guān)的電流電壓測量。與未蝕刻的發(fā)光二極管相比,選擇性蝕刻的發(fā)光二極管的漏電流顯著降低。 實驗使用金屬-有機化學(xué)氣相沉積法在c面藍(lán)寶石襯底上生長了InGaN-GaN多量子阱(MQW)發(fā)光二極管。發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)由硅摻雜的氮氮化鎵層(2米)、五周期的銦鎵氮(3納米)/氮化鎵(7納米)MQW有源層和鎂摻雜的磷氮化鎵層(0.2米)組成。p-GaN層的霍爾效應(yīng)測量顯示空穴濃度為厘米。樣品用三氯乙烯、丙酮、甲醇和去離子水清洗。然后將發(fā)光二極管樣品在乙二醇(KNE)中的氫氧化鉀(5M)和氫氧化...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 03
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料超發(fā)光二極管(SLDs)既具有激光二極管(LDs)的高定向輸出功率,又具有發(fā)光二極管(LED)的相對較寬的光譜發(fā)射和較低的相干性。sld利用沿著波導(dǎo)的受激發(fā)射來放大自發(fā)發(fā)射,但抑制其在各個方面的反饋,并防止凈往返增益,否則將導(dǎo)致激光。如果沒有激光,就沒有模態(tài)選擇或高度相干的發(fā)射。LDs和led之間的中間特性使sld非常適合于各種應(yīng)用。微微投影儀利用高功率定向發(fā)射,而相對寬的光譜寬度降低了與LDs相關(guān)的眼睛損傷風(fēng)險,低相干性降低了相干噪聲或“散斑”。SLD具有高光纖耦合,允許在光纖耦合照明和光纖陀螺儀中的應(yīng)用。這些裝置也可用于光學(xué)相干斷層掃描和視網(wǎng)膜掃描顯示器。隨著低擴展缺陷密度獨立氮化鎵基底的出現(xiàn),在半極性和非極性晶體平面上生長的量子阱(QW)結(jié)構(gòu)由于可以抑制或消除QCSE而引起了人們的關(guān)注。不平衡的雙軸平面內(nèi)應(yīng)變導(dǎo)致重孔和光孔價帶的分裂,導(dǎo)致理論上預(yù)測沿非極平面和半極平面相對于c平面有更高的增益。非極性m平面LDs已經(jīng)在紫色、藍(lán)色、和藍(lán)綠色的光譜區(qū)域得到了證實。m平面QWs中QCSE的缺失隨著驅(qū)動電流的增加而減少了藍(lán)移,并允許更厚的QWs,這增加了光學(xué)限制,而不損失輻射重組效率。 在圖1中,示出了氫氧化鉀處理后c面和c面的掃描電子顯微照片。僅在c面上觀察到六邊形金字塔的形成。六角錐直徑范圍從0.3到n型GaN上為1.6 m,p型GaN...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 03
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言最近在外延膜的導(dǎo)電率控制和高質(zhì)量塊狀氧化鋅襯底的可用性方面的進(jìn)展重新引起了我們對用于紫外光發(fā)射器和透明電子器件的氧化鋅/氧化鋅/氧化鋅異質(zhì)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的興趣。雖然GaN/AlN/InN系統(tǒng)被用于這些相同的應(yīng)用,但氧化鋅有一些特殊的優(yōu)勢,如在玻璃等廉價的底物上相對較低的生長溫度,以及比氮化鎵大得多的激子結(jié)合能。后者對于在高溫下實現(xiàn)強大的光發(fā)射非常重要。與氮化鎵相比,氧化鋅系統(tǒng)也有更簡單的處理,在安全溫度下不能在傳統(tǒng)的酸混合物中濕蝕刻。如果使用非導(dǎo)電基底,在LED器件形成時需要濕蝕刻。二元氧化鋅可以在許多常見的酸溶液中蝕刻,包括HNO3/HCl和HF。我們發(fā)現(xiàn),在Zn0.9Mg0.1O/ZnO系統(tǒng)中,鹽酸在水中的高稀釋因子下,ZnMgO對氧化鋅的濕蝕刻選擇性可以超過400。在本文中,我們報道了使用稀釋的鹽酸和磷酸混合物選擇性蝕刻ZnCdO超過氧化鋅的成就。 實驗在c面藍(lán)寶石基底上對氧化鋅和ZnCdO單層進(jìn)行MBE生長。用低溫細(xì)胞蒸發(fā)6n純度的Zn、Cd和Mg。原子氧通量由射頻射頻等離子體源產(chǎn)生。該源的O2流量為2-5標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘,根據(jù)鋅通量和正向功率為150w。藍(lán)寶石表面熱清洗后,基底溫度降低至400-600°C。氧化鋅的生長是通過同時打開鋅和原子氧百葉窗來啟動的,以確保隨著生長的薄膜的鋅的極性。為了減少可變生長參數(shù)的數(shù)量,...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 03
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言單晶硅的各向異性蝕刻是硅器件和微結(jié)構(gòu)加工中經(jīng)常使用的技術(shù)。已經(jīng)制造的三角形和矩形凹槽、棱錐體、薄膜和微孔,它們在器件中有很大的應(yīng)用。通過堿性蝕刻劑對硅(100)的單晶結(jié)構(gòu)進(jìn)行的表面紋理化被稱為“隨機金字塔”。晶體硅的表面紋理化通過使用不同的蝕刻溶液來進(jìn)行。最近,有發(fā)現(xiàn)可以成功地使用了強氧化劑氫氧化鈉來對硅表面進(jìn)行紋理化。本文研究了溶液組成等刻蝕參數(shù)對硅表面形貌的影響。用掃描電鏡、分光光度法和二次離子質(zhì)譜分析了腐蝕樣品的表面。結(jié)果清楚地表明,乙醇在溶液中的存在導(dǎo)致金字塔的形成,而其不存在誘導(dǎo)納米結(jié)構(gòu)的形成(納米線或納米針)。 實驗堿性蝕刻實驗是在電阻率為1–10Ω厘米的p型(100)取向鏡面拋光硅片上進(jìn)行的。在實驗之前,首先用丙酮、乙醇和去離子水清洗尺寸為20×20毫米的硅襯底,以去除吸附的灰塵和表面污染物,然后通過在稀釋的氫氟酸(5%氫氟酸)中蝕刻去除晶片上的天然氧化物。紋理化過程是在干凈的表面上產(chǎn)生直的直立金字塔。首先,將晶片浸入5%氫氧化鈉(重量比)和10% CH3CH 2(體積比)的混合溶液中,溫度為80℃,精確度為±1℃。晶片在溶液中保持所需的時間為5至45分鐘。最后,將紋理晶片在去離子水中洗滌,并用氮氣干燥。在本實驗中,一些晶片也在次氯酸鈉溶液(13%的重量比例)中蝕刻,以評估乙醇添加對次氯酸鈉單晶硅表...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 03
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      濕化學(xué)蝕刻硅體微加工是制造不同類型微機械結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵步驟。對各種形狀的三維結(jié)構(gòu)有很高的需求。然而,可能獲得的結(jié)構(gòu)范圍是有限的。限制主要來自于有限數(shù)量的適用蝕刻溶液。這種解決方案強加了蝕刻速率的各向異性,最終決定了最終蝕刻圖形的形狀。由于合理的(1 0 0)面刻蝕速率和令人滿意的表面光潔度,有機溶液中的TMAH和無機溶液中的KOH具有最大的實際意義。      我們研究了不同醇類添加劑對氫氧化鉀溶液的影響。據(jù)說醇導(dǎo)致硅蝕刻各向異性的改變。具有一個羥基的醇表現(xiàn)出與異丙醇相似的效果。它們導(dǎo)致(hh 1)型平面的蝕刻速率大大降低,通常在蝕刻凸形圖形的側(cè)壁處發(fā)展。這就是凸角根切減少的原因。具有一個以上羥基的醇不影響蝕刻各向異性,并導(dǎo)致表面光潔度變差。 實驗       實驗中使用了電阻率為5 ~ 10o·cm的n型(1 0 0)取向硅片。晶片覆蓋有熱生長的1毫米厚的氧化物,該氧化物在光刻工藝中被有意地圖案化,以便限定邊緣垂直于特定晶體方向的圖形圖案。在蝕刻過程中形成的凹凸圖形使得能夠?qū)λ纬傻木孢M(jìn)行蝕刻速率評估。我們討論了掩模圖案的布局和基于顯影圖形形狀的蝕刻速率估計方法。圖1顯示了臺面結(jié)構(gòu)的掃描電鏡俯視圖,其邊緣垂直于晶...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 02
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言堿性溶液中硅的各向異性刻蝕廣泛用于微機電系統(tǒng)(MEMS)中的體微加工。單晶硅的各向異性濕法刻蝕依賴于其晶面的不同刻蝕速率,已被用于制造各種微機電系統(tǒng)器件。在所有的各向異性蝕刻劑中,無機氫氧化鉀(氫氧化鉀)是最常用的,因為它易于制備且毒性較小。在硅與KOH溶液發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的過程中,刻蝕過程中產(chǎn)生的氫氣泡在被刻蝕表面堆積,形成“偽掩膜”現(xiàn)象,會阻礙刻蝕劑與表面硅原子的化學(xué)反應(yīng),降低刻蝕速率,同時增加表面粗糙度,甚至形成小丘。在半導(dǎo)體工業(yè)中,磁力攪拌是單晶硅濕法刻蝕過程中降低硅器件表面粗糙度的常用方法。但這種方法的局限性在于溶液會分層,溫度分布不均勻,難以實現(xiàn)微結(jié)構(gòu)尺寸的精確控制和粗糙度的均勻分布。最近的研究表明,超聲波攪拌可以提高蝕刻速率。 實驗我們實驗中使用的硅片是高純度浮子區(qū)硅棒,直徑達(dá)76.2mm,厚度達(dá)1mm,電阻率約為2000Ωcm。不同工藝后,硅片表面會受到有機雜質(zhì)和金屬離子污染的影響。在此基礎(chǔ)上,分別使用SC-1液體(H2O:H2O2:氫氧化銨=5:1:1)和SC-2液體(H2O:H2O2:HCl=6:1:1)清洗有機雜質(zhì)和金屬離子。利用熱生長技術(shù)在硅片上去除厚度為70nm的二氧化硅層。在制作掩模之前,根據(jù)甲苯、丙酮、酒精和水的順序清洗晶片。光刻膠的涂覆方法為旋轉(zhuǎn)涂布,旋轉(zhuǎn)速度、涂覆時間和光刻膠厚度分別為3000rpm、3...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 02
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      濕法化學(xué)工藝廣泛用于晶體硅太陽能電池生產(chǎn),主要用于表面紋理和清潔目的。盡管過去的研究主要集中在過程開發(fā)上,但是在過程控制技術(shù)方面幾乎沒有進(jìn)展。本文討論了當(dāng)前最先進(jìn)的濕化學(xué)生產(chǎn)工藝,并提出了工藝控制和質(zhì)量保證程序(晶片的化學(xué)、光學(xué)和電學(xué)特性)。先進(jìn)表征技術(shù)的目的是提高工藝質(zhì)量和高質(zhì)量產(chǎn)品產(chǎn)量。此外,未來的工業(yè)高效電池處理需要成本有效、高質(zhì)量的清潔工藝,尤其是在任何表面鈍化步驟之前。      在制造硅太陽能電池的工業(yè)生產(chǎn)鏈中,濕化學(xué)應(yīng)用的質(zhì)量保證和過程控制變得越來越重要。為了克服基于操作員經(jīng)驗的工藝操作以及延長普通蝕刻槽的總操作時間,在線表征和控制的新發(fā)展將是強制性的。這種質(zhì)量控制具有顯著降低成本的潛力,因為更換浴混合物或縮短加工時間之間的持續(xù)時間得到了優(yōu)化。對于工藝開發(fā),從實驗室規(guī)模向工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備轉(zhuǎn)移高效電池工藝出現(xiàn)了新的要求。尤其是在電池工藝的不同階段需要更高的晶片和表面清潔標(biāo)準(zhǔn);盡管如此,生產(chǎn)成本和工藝復(fù)雜性必須保持盡可能低。 實驗      對于不同的晶體取向,用氫氧化鈉(NaOH)或氫氧化鉀(KOH)進(jìn)行的堿性蝕刻具有不同的蝕刻速率,因此對于(100)取向的單晶硅晶片,這種各向異性導(dǎo)致具有隨機分布在晶片表面上的正方形基底的小...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 02
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清潔劑已經(jīng)使用多年來去除顆粒和有機污染物。盡管SC-1清潔劑(通常與施加的兆頻超聲波功率一起使用)被認(rèn)為對顆粒去除非常有效,但去除機制仍不清楚。對于去,除重有機污染物,piranha清洗是一個有效的過程;然而,piranha后殘留物頑強地粘附在晶片表面,導(dǎo)致顆粒生長現(xiàn)象。已經(jīng)進(jìn)行了一系列實驗來幫助理解這些過程與硅的相互作用。 實驗      為了評估piranha清洗后晶片上殘留的硫量,將150毫米n型裸硅和熱氧化晶片在95 °C下通過5:1或10:1(氫、硫、氫、氧)piranha處理10分鐘。對沖洗過程進(jìn)行各種修改后,飛行時間二次離子質(zhì)譜(TOF- SIMS)和全反射X射線熒光光譜法(TXRF)用于測量殘留硫。清洗和干燥晶片后,還測量了作為時間函數(shù)的光點缺陷。當(dāng)piranha被處理后晶片已經(jīng)顯示出顆粒生長現(xiàn)象。這些分析技術(shù)的數(shù)據(jù)用于評估各種沖洗技術(shù)的功效。 結(jié)果和討論      在對SC-1化學(xué)物質(zhì)的研究中,當(dāng)稀釋時,清潔效率與測量的開路電位或霧度增量之間沒有明顯的相關(guān)性。使用了SC-1化學(xué)物質(zhì)。圖1顯示了基于去除硅鈉顆粒的鉗去除效率。 這些實驗是在已知影響硅蝕...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 02
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料      分析化學(xué)小型化的一個方便的起點是使用單c:晶體硅作為起始材料,微加工作為使技術(shù),濕化學(xué)蝕刻作為關(guān)鍵的微加工工具。在本文中,我們回顧了硅微加工,并描述了形成可能用于化學(xué)分析應(yīng)用的通道、柱和其他幾何圖案的各向異性濕式化學(xué)蝕刻。      本文主要目的是評估不同的各向異性蝕刻劑,用于微加工柱、分裂器和其他幾何圖案的變體,可用作構(gòu)建更復(fù)雜的微加工結(jié)構(gòu)的構(gòu)建塊,并可能用于化學(xué)分析應(yīng)用。我們根據(jù)微加工,介紹各向異性濕式化學(xué)蝕刻的實驗要求,并將詳細(xì)討論蝕刻上述圖案類型后獲得的形狀。      有幾個因素會影響蝕刻劑的選擇,其中包括蝕刻成分、時間和溫度、攪拌速率、光照條件、晶片質(zhì)量、晶體取向和摻雜等。在本工作中,僅使用表1中列出的蝕刻成分和蝕刻溫度測試了n摻雜晶片,并簡要研究了攪拌的影響。此外,只有和晶片被測試,因為晶片通常蝕刻得太慢,沒有任何用途。 表一 所選擇的各向異性蝕刻劑的特征      硅晶片:本文中使用的硅晶片為n型摻雜(磷),標(biāo)稱厚度為376±25µm,電阻率為2-5Q.cm。在晶片上表面以1000-1200°C氧化生長一層二氧化硅(約1µm)。  ...
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