濕法腐蝕清洗設(shè)備是集成電路、LED、太陽(yáng)能、MEMS等芯片制造中必不可少的工藝設(shè)備,而為了更好的達(dá)到腐蝕效果,在各種腐蝕工藝中往往要配合藥液的循環(huán)完成,從而達(dá)到更好的腐蝕均勻性。華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE工程師介紹了幾種常用的腐蝕工藝循環(huán)原理及在濕法腐蝕清洗設(shè)備的典型應(yīng)用。 關(guān)鍵詞：工藝槽循環(huán)過(guò)濾; 濕法腐蝕清洗; 硅腐蝕;隨著芯片制造特征尺寸的縮小，工藝水平的不斷提高，對(duì)晶片腐蝕的均勻性，晶片表面顆粒及金屬污染等潔凈度指標(biāo)提出了更高的要求，因此，濕法腐蝕清洗設(shè)備在采用晶片旋轉(zhuǎn)、抖動(dòng)、超聲清洗、兆聲清洗等的同時(shí)，業(yè)內(nèi)普遍采用工藝槽循環(huán)過(guò)濾方式，來(lái)凈化槽內(nèi)藥液，同時(shí)均勻流場(chǎng)保證藥液濃度和溫度的均勻性。1 濕法腐蝕的關(guān)鍵問(wèn)題硅的濕法腐蝕在選擇腐蝕工藝和腐蝕劑時(shí)，需考慮諸多因素影響（如濃度、時(shí)間、溫度、攪拌等）的同時(shí)，需考慮以下幾方面的問(wèn)題：（1）腐蝕速率。較高的腐蝕速率將有效的縮短腐蝕時(shí)間，但所得到的腐蝕表面較粗糙。腐蝕液的濃度與腐蝕速率及腐蝕表面質(zhì)量有關(guān)，當(dāng)腐蝕液濃度較小時(shí)，腐蝕速率較大。（2）腐蝕選擇性。選擇性是指要腐蝕材料的腐蝕速率與不希望腐蝕的材料（如掩模）的腐蝕速率的比率。一般地，選擇比越大越好。（3）腐蝕均勻性。在硅腐蝕表面各處，腐蝕速率常常不相等，造成腐蝕表面出現(xiàn)起伏等，腐蝕尺寸比較大時(shí)表現(xiàn)尤為明顯。這與腐蝕液濃度有關(guān)，反應(yīng)槽中腐蝕液的濃度...
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在太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中，制絨是晶硅電池的第 一道工藝。華林科納CSE的工程師提到對(duì)于單晶硅來(lái)說(shuō)，制絨的目的就是延長(zhǎng) 光在電池表面的傳播路徑，從而提高太陽(yáng)能電池對(duì)光的吸收效率。單晶硅制絨的主要方法是用堿 （NaOH、KOH）對(duì)硅片表面進(jìn)行腐蝕。由于硅片的 內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，各向異性的堿液制絨主要是使晶 向分布均勻的單晶硅表面形成類(lèi)似“金字塔”狀的 絨面，有效地增強(qiáng)硅片對(duì)入射太陽(yáng)光的吸收，從而 提高光生電流密度。對(duì)于既可獲得低的表面反射 率，又有利于太陽(yáng)能電池的后續(xù)制作工藝的絨面， 應(yīng)該是金字塔大小均勻，單體尺寸在 2～10 μm 之間，相鄰金字塔之間沒(méi)有空隙，即覆蓋率達(dá)到 100%。理想質(zhì)量絨面的形成，受到了諸多因素的 影響，如硅片被腐蝕前的表面狀態(tài)、制絨液的組 成、各組分的含量、溫度、反應(yīng)時(shí)間等。而在工業(yè)生 產(chǎn)中，對(duì)這一工藝過(guò)程的影響因素更加復(fù)雜，例如 加工硅片的數(shù)量、醇類(lèi)的揮發(fā)、反應(yīng)產(chǎn)物在溶液中 的積聚、制絨液中各組分的變化等。為了維持生產(chǎn) 良好的可重復(fù)性，并獲得高的生產(chǎn)效率。就要比較 透徹地了解金字塔絨面的形成機(jī)理，控制對(duì)制絨 過(guò)程中影響較大的因素，在較短的時(shí)間內(nèi)形成質(zhì) 量較好的金字塔絨面。單晶制絨的工藝比較復(fù)雜，不同公司有各自 獨(dú)特的制絨方法。一般堿制絨有以下幾種方法： NaOH+IPA、NaOH+IPA+NaSiO3、NaOH+CH3CH2OH 等。一般使用到的化學(xué)添加劑有兩種，一...
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集成電路濕法工藝的目的半導(dǎo)體集成電路制程主要以20世紀(jì)50年代以后發(fā)明的四項(xiàng)基礎(chǔ)工藝（離子注入、擴(kuò)散、外延生長(zhǎng)及光刻）為基礎(chǔ)逐漸發(fā)展起來(lái)，由于集成電路內(nèi)各元件及連線相當(dāng)微細(xì)，因此制造過(guò)程中，如果遭到塵粒、金屬的污染，很容易造成晶片內(nèi)電路功能的損壞，形成短路或斷路等，導(dǎo)致集成電路的失效以及影響幾何特征的形成。濕法工藝作用是在不破壞晶圓表面特性及電特性的前提下，有效地使用化學(xué)藥液清除殘留在晶圓上之微塵、金屬離子、自然氧化層及有機(jī)物之雜質(zhì)。 批處理清洗設(shè)備 單晶圓清洗設(shè)備 集成電路工藝過(guò)程IC芯片主要工藝過(guò)程 濕法設(shè)備的應(yīng)用濕法設(shè)備在8寸IC芯片制造過(guò)程中的應(yīng)用集成電路濕法工藝IC芯片清洗工藝分類(lèi)1. 前段灰化后清洗 35% -硫酸過(guò)氧化混合液清洗(SPM Clean) 2. 熱氧化前預(yù)清洗 &#...
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![華林科納（江蘇）工程師分享半導(dǎo)體制備工藝]( "華林科納（江蘇）工程師分享半導(dǎo)體制備工藝")
中國(guó)政府“十三五“規(guī)劃草案，經(jīng)濟(jì)發(fā)展目標(biāo)包括半導(dǎo)體等先進(jìn)產(chǎn)業(yè)及在晶片材料、機(jī)器人、航空設(shè)備和衛(wèi)星的次世代領(lǐng)域成為世界領(lǐng)先，研發(fā)經(jīng)費(fèi)將達(dá)GDP2.5%。那么半導(dǎo)體是怎么制造出來(lái)的？這里我們并不是探究從沙子到芯片的過(guò)程，而是聚焦于半導(dǎo)體生產(chǎn)制造的環(huán)境和生產(chǎn)設(shè)備。半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)通常要經(jīng)歷以下過(guò)程：半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)工序這些高端精細(xì)的制備過(guò)程對(duì)芯片的生產(chǎn)環(huán)境和設(shè)備要求是極高的，這些機(jī)器設(shè)備會(huì)令硅芯片（如英特爾硅芯片）遭受超強(qiáng)真空處理、「化學(xué)浴」浸泡、高能等離子體加工、紫外光照射等一系列步驟，同時(shí)還要使硅芯片經(jīng)過(guò)數(shù)百個(gè)制造階段，從而將它們變成CPU、存儲(chǔ)器片、圖形處理器等。我們以美國(guó)應(yīng)用材料公司的梅坦技術(shù)中心半導(dǎo)體生產(chǎn)環(huán)境和制備設(shè)備為例。 1.無(wú)塵室在進(jìn)入研究中心以前，必須穿上防護(hù)服，戴上面具、護(hù)目鏡、兩幅手套以及將鞋完全套住的塑膠袋。這里不是生產(chǎn)車(chē)間，相反，這個(gè)無(wú)塵室只是模擬了晶圓廠的環(huán)境，應(yīng)用材料公司的設(shè)備將在這種環(huán)境下使用，以便公司及其客戶可以測(cè)試新技術(shù)和新工藝，然后真正將它們推向生產(chǎn)線。2.玻璃光掩膜 芯片制造的核心技術(shù)是平版印刷（光刻），這種技術(shù)就像是絲網(wǎng)印刷，只不過(guò)不是通過(guò)絲制模板將墨滾壓至棉T恤上，而是通過(guò)玻璃光掩膜，使紫外光照射表面涂有光刻膠（一種有機(jī)化合物）的硅襯底上。在紫外光照射穿透的地方，光刻膠的化學(xué)特性會(huì)被削弱，使硅芯片表面留下圖案。接著，硅芯片會(huì)被...
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SEMICON China是中國(guó)首屈一指的半導(dǎo)體旗艦展覽，每年吸引全球高數(shù)量和高質(zhì)量的觀眾到場(chǎng)參觀，包括企業(yè)高層領(lǐng)導(dǎo)人、采購(gòu)商和投資人、技術(shù)工程師、中央及產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點(diǎn)地區(qū)政府官員，是業(yè)界公認(rèn)的會(huì)見(jiàn)新老供應(yīng)商，洽談生意，獲取最新產(chǎn)品、技術(shù)和解決方案的首要平臺(tái)。華林科納CSE再次參加了2018年SEMICON China展會(huì)，展會(huì)期間參展了公司四大系列產(chǎn)品，其產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)吸引了眾多知名企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)蒞臨參觀，其中CSE單片清洗機(jī)、甩干機(jī)、自動(dòng)供液系統(tǒng)以及黑硅制絨設(shè)備的技術(shù)方案在同行里優(yōu)勢(shì)凸顯，多家企業(yè)意向預(yù)約前往公司生產(chǎn)基地參觀。此次參展的圓滿成功離不開(kāi)合作伙伴和公司小伙伴們的支持，再次表示感謝，同時(shí)也邀請(qǐng)大家參加公司明年的展會(huì)，歡迎大家蒞臨參觀指導(dǎo)。
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長(zhǎng)期以來(lái)，多晶太陽(yáng)電池表面反射率較高的難題一直得不到有效解決，制約了電池效率的進(jìn)一步提升。濕法黑硅技術(shù)成功解決了這一難題，該技術(shù)將來(lái)勢(shì)必成為多晶電池的標(biāo)配技術(shù)。 多晶電池效率的提升受制于表面反射率的降低。常規(guī)多晶主要采用酸制絨，形成蠕蟲(chóng)狀的坑洞；而單晶采用堿制絨，形成金字塔結(jié)構(gòu)的絨面。相比單晶電池，常規(guī)多晶電池的表面反射率高3%~5%（絕對(duì)值）。降低表面反射率是提高多晶電池效率的關(guān)鍵。成本方面，單晶硅片受益于金剛線切割工藝的推廣，成本大幅下降；而多晶硅片金剛線線切的推廣受制于電池制絨工藝的匹配，具體講，金剛線線切多晶硅片使用常規(guī)制絨工藝后，反射率更高并有明顯的線痕等外觀缺陷，嚴(yán)重降低電池效率。華林科納（江蘇）CSE開(kāi)發(fā)的濕法黑硅制絨技術(shù)完美的解決以上問(wèn)題，既能提升電池效率又能降低電池成本，是多晶電池繼續(xù)進(jìn)步的必由之路。 更過(guò)太陽(yáng)能電池片濕法黑硅制絨機(jī)設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE網(wǎng)站：regal-bio.cn
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關(guān)于晶圓封裝測(cè)試工序和半導(dǎo)體制造工藝流程 一、 IC檢測(cè) 1. 缺陷檢查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用來(lái)檢測(cè)出晶圓上是否有瑕疵，主要是微塵粒子、刮痕、殘留物等問(wèn)題。此外，對(duì)已印有電路圖案的圖案晶圓成品而言，則需要進(jìn)行深次微米范圍之瑕疵檢測(cè)。一般來(lái)說(shuō)，圖案晶圓檢測(cè)系統(tǒng)系以白光或雷射光來(lái)照射晶圓表面。再由一或多組偵測(cè)器接收自晶圓表面繞射出來(lái)的光線，并將該影像交由高功能軟件進(jìn)行底層圖案消除，以辨識(shí)并發(fā)現(xiàn)瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 對(duì)蝕刻后的圖案作精確的尺寸檢測(cè)。 二、 IC封裝 1. 構(gòu)裝（Packaging） IC構(gòu)裝依使用材料可分為陶瓷（ceramic）及塑膠（plastic）兩種，而目前商業(yè)應(yīng)用上則以塑膠構(gòu)裝為主。以塑膠構(gòu)裝中打線接合為例，其步驟依序?yàn)榫懈睿╠ie saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊線（wire bond）、封膠（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、電鍍（plating）及檢驗(yàn)（inspection）等。 (1) 晶片切割（die ...
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導(dǎo)讀： 半導(dǎo)體分立器件IGBT潛在市場(chǎng)巨大，在工業(yè)控制、汽車(chē)電子、新能源、智能電網(wǎng)應(yīng)用市場(chǎng)廣闊，而中國(guó)IC制造芯片廠也正積極尋求突破口，以成熟的工藝制程落地在地生產(chǎn)，提升國(guó)產(chǎn)IGBT芯片模塊的自給率。半導(dǎo)體分立器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)潛在市場(chǎng)巨大，在工業(yè)控制、汽車(chē)電子、新能源、智能電網(wǎng)應(yīng)用市場(chǎng)廣闊，而中國(guó)IC制造芯片廠也正積極尋求突破口，以成熟的工藝制程落地在地生產(chǎn)，提升國(guó)產(chǎn)IGBT芯片模塊的自給率。IGBT應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，堪稱(chēng)現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。從傳統(tǒng)的電力、機(jī)械、礦冶，到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，都有它的身影。不過(guò)當(dāng)前全球IGBT市場(chǎng)，仍被日、歐、美等IDM芯片廠刮分。盡管中國(guó)擁有全球最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，但與國(guó)際芯片大廠相比仍有很大差距，包括目前中國(guó)現(xiàn)在的IGBT等功率元器件幾乎也都依賴(lài)進(jìn)口，每年需花數(shù)十億美元進(jìn)行海外采購(gòu)，自給率仍較低。不過(guò)這樣的情況正在一步步改觀取得突破。近期，包括中車(chē)株洲所與中車(chē)電動(dòng)共同推出了多款應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)的IGBT。這也讓中國(guó)的高鐵采用自己“中國(guó)芯”的核心芯片。中車(chē)電動(dòng)母公司——中車(chē)株洲目前擁有國(guó)內(nèi)首條、全球第二條8吋IGBT芯片及模塊生產(chǎn)線，并且已掌握IGBT的專(zhuān)業(yè)研發(fā)制造技術(shù)，具備年產(chǎn)12萬(wàn)片芯片、并配套形成年產(chǎn)100萬(wàn)只IGBT模塊的自動(dòng)化封裝測(cè)試能力，芯片與...
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半導(dǎo)體行業(yè)招標(biāo)采購(gòu)項(xiàng)目進(jìn)展英特爾半導(dǎo)體大連有限公司 (美國(guó)獨(dú)資)—非易失性存儲(chǔ)器一期擴(kuò)建項(xiàng)目項(xiàng)目背景：英特爾大連芯片廠是英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司在大連市投資25億美元建設(shè)的先進(jìn)半導(dǎo)體芯片制造廠, 也是英特爾在亞洲設(shè)立的第一座芯片廠。工廠于2007年底開(kāi)始建設(shè),2009年建成投入試用,2010年10月正式投產(chǎn), 大連芯片廠的總建筑面積16.3萬(wàn)平方米, 采用業(yè)界主流的300毫米硅晶圓和英特爾成熟的65納米制造工藝生產(chǎn)電腦芯片組產(chǎn)品。2015年10月21日, 英特爾宣布將其與美光合資開(kāi)發(fā)的最新非易失性儲(chǔ)存技術(shù)引入中國(guó), 并在遼寧大連投資55億美元, 升級(jí)現(xiàn)在的英特爾大連工廠以生產(chǎn)“非易失性儲(chǔ)存”設(shè)備。該項(xiàng)目將于2016年年底實(shí)現(xiàn)正式投產(chǎn)。非易失性儲(chǔ)存固態(tài)硬盤(pán)項(xiàng)目是英特爾核心計(jì)算業(yè)務(wù), 大連新工廠也將成為英特爾在全球第一個(gè)用300毫米晶圓領(lǐng)先生產(chǎn)技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)產(chǎn)品集成電路制造中心。這項(xiàng)投資將成為英特爾進(jìn)一步踐行“生根中國(guó), 綻放世界”戰(zhàn)略的重要里程碑。審批手續(xù)進(jìn)展情況：該項(xiàng)目由區(qū)發(fā)改委批復(fù)建設(shè) 預(yù)計(jì)采購(gòu)設(shè)備：模擬示波器、可程式交換直流電源供應(yīng)器、臺(tái)式數(shù)字萬(wàn)用表、電器綜合測(cè)試儀、光譜亮度計(jì)、分光輻射度計(jì)、電器綜合測(cè)試儀、色彩分析儀、視角測(cè)量?jī)x、半導(dǎo)體封裝超純水設(shè)備、組裝生產(chǎn)線、芯片封裝機(jī)、無(wú)鉛...
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![從SEMICON China 2017看中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展]( "從SEMICON China 2017看中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展")
SEMICON China在半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)眾所周知，它是一次行業(yè)的盛會(huì)，每年從全世界各地趕來(lái)參加的半導(dǎo)體精英都是數(shù)以萬(wàn)計(jì)。這說(shuō)明了半導(dǎo)體在全球范圍內(nèi)的火熱態(tài)勢(shì)，同時(shí)也見(jiàn)證了中國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)茁壯成長(zhǎng)、加速發(fā)展的歷史，也必將為中國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)未來(lái)的強(qiáng)盛壯大作出貢獻(xiàn)。在不久前上海召開(kāi)的SEMICON China 2017場(chǎng)面相當(dāng)火爆中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模正在不斷提升，這是顯而易見(jiàn)的。從2000年以來(lái)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)一直在迅猛增長(zhǎng)，而尤其以中國(guó)半導(dǎo)體的成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)最為顯著，在世界市場(chǎng)上所占的份額也日益提升。從2000年到2010年，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)占全球份額從7%變成了30%；在剛過(guò)去的2016年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)總額高達(dá)3530億美元，而中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)占了其中的45%。相信在未來(lái)的幾年時(shí)間里中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的占有份額還是會(huì)持續(xù)穩(wěn)定的增長(zhǎng)。不過(guò)目前中國(guó)的“半導(dǎo)體熱”基本上屬于投資拉動(dòng)型，實(shí)際的產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平與國(guó)際先進(jìn)水平仍有很大差距，尤其是在材料與設(shè)備上的差距特別明顯。隨著半導(dǎo)體行業(yè)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的持續(xù)增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)有經(jīng)驗(yàn)的人才資源還是不足。尤其是上游材料與設(shè)備嚴(yán)重依賴(lài)海外市場(chǎng)的供給，自身的材料與設(shè)備的質(zhì)量和技術(shù)存在嚴(yán)重缺陷。集成電路產(chǎn)業(yè)的良性發(fā)展需要有適當(dāng)?shù)漠a(chǎn)業(yè)環(huán)境，需要有完善的生態(tài)體系。目前，中國(guó)制造企業(yè)仍然大量采用日韓等國(guó)外廠商供應(yīng)的材料，這不利于自身技術(shù)的發(fā)揮，也不利于培育本土設(shè)備材料等配套企業(yè)。從“SE...
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