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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺(tái)面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實(shí)際情況或客戶要求設(shè)計(jì))將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國(guó)家環(huán)保要求),避免擴(kuò)散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強(qiáng)力抽風(fēng)1個(gè)風(fēng)道口裝置(每個(gè)藥劑槽對(duì)應(yīng)一個(gè)),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動(dòng)調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時(shí)調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門:?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對(duì)人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動(dòng)控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機(jī)界面為觸摸屏,接口中有手動(dòng)操作、故障報(bào)警、安全保護(hù)等功能,各工作位過程完成提前提示報(bào)警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨(dú)立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨(dú)立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計(jì),方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報(bào)警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動(dòng)搬運(yùn)方式,通過對(duì)硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個(gè)用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機(jī)           設(shè)備型號(hào):CSE-SC-NZD254整機(jī)尺寸(參考):自動(dòng)設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動(dòng)各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計(jì)“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個(gè)全自動(dòng)的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測(cè) / 操作每個(gè)槽前上方對(duì)應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國(guó)進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺(tái)面板為德國(guó)10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級(jí)凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機(jī)臺(tái)后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報(bào)警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機(jī)、RCA清洗機(jī)、去膠機(jī)、外延片清洗機(jī)、酸堿腐蝕機(jī)、顯影機(jī)等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機(jī)Marangoni、單腔...
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中芯國(guó)際、華力微、長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年將紛紛啟動(dòng)進(jìn)入1x納米以下制程技術(shù)的深水區(qū),中芯國(guó)際明年上半14納米FinFET將風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),并推進(jìn)7納米研發(fā)進(jìn)程;上海華力Fab6未來也將成為14納米量產(chǎn)重要基地;長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年首顆大陸自主研發(fā)快閃存儲(chǔ)器芯片也將邁入量產(chǎn),未來數(shù)月將進(jìn)入密集裝機(jī)期。據(jù)外媒報(bào)導(dǎo),中芯國(guó)際已經(jīng)訂購(gòu)了一臺(tái)EUV設(shè)備,首臺(tái)EUV設(shè)備購(gòu)自ASML,價(jià)值近1.2億美元。EUV是當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最先進(jìn)也最昂貴的半導(dǎo)體制造設(shè)備,全球僅荷蘭設(shè)備商ASML供應(yīng)。EUV是未來1x納米繼續(xù)走向1x納米以下的關(guān)鍵微影機(jī)臺(tái),包括英特爾、三星、臺(tái)積電等大廠都在爭(zhēng)搶購(gòu)買該設(shè)備。設(shè)備供應(yīng)商ASML曾表示,一臺(tái)EUV從下單到正式交貨約長(zhǎng)達(dá)22個(gè)月,若以中芯目前訂購(gòu)來看,按正常交期也要2020年初左右才能到貨。按照中芯國(guó)際的技術(shù)藍(lán)圖規(guī)劃,2019年上半肩負(fù)14納米FinFET將風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)任務(wù),若2020年順利取得EUV,將可進(jìn)一步向前推進(jìn)至7納米。而目前研發(fā)團(tuán)隊(duì)最高負(fù)責(zé)人、中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松則扮演先進(jìn)技術(shù)藍(lán)圖規(guī)劃的推手。盡管中芯目前在制造制程上仍落后于臺(tái)積電等市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者2~3代,但此舉已經(jīng)凸顯了中芯在研發(fā)團(tuán)隊(duì)重整旗鼓之后的雄心,此時(shí)下單EUV也屬正當(dāng)其時(shí)。不過下單歸下單,未來技術(shù)挑戰(zhàn)仍擁有幾大內(nèi)外變數(shù)考驗(yàn),一是先進(jìn)高階設(shè)備的進(jìn)口能否順利進(jìn)入大陸;二是設(shè)備啟動(dòng)的上海能否給予充足的電力供給;三是順利裝機(jī)之后設(shè)...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 05 - 29
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2018年5月,公安部一所“多維身份識(shí)別與可信認(rèn)證技術(shù)國(guó)家工程實(shí)驗(yàn)室”發(fā)布2018年度科研項(xiàng)目評(píng)審結(jié)果,由大唐電信旗下大唐微電子技術(shù)有限公司申報(bào)的“基于多維生物識(shí)別技術(shù)的終端安全芯片和平臺(tái)安全存儲(chǔ)芯片及其系統(tǒng)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”科研項(xiàng)目被評(píng)為該國(guó)家工程實(shí)驗(yàn)室重點(diǎn)項(xiàng)目?!岸嗑S身份識(shí)別與可信認(rèn)證技術(shù)國(guó)家工程實(shí)驗(yàn)室”于2016年11月15日獲得國(guó)家發(fā)展改革委批復(fù)立項(xiàng),公安部第一研究所為項(xiàng)目法人單位,共建單位包括清華大學(xué)、中國(guó)人民銀行印制科學(xué)技術(shù)研究所、中國(guó)科學(xué)院信息工程研究所、中國(guó)信息通信研究院、中國(guó)科學(xué)院自動(dòng)化研究所、華大半導(dǎo)體有限公司、大唐微電子技術(shù)有限公司(以下簡(jiǎn)稱大唐微電子)、北京遠(yuǎn)鑒科技股份有限公司。2017年底,實(shí)驗(yàn)室面向所有共建單位征集了22個(gè)科研項(xiàng)目,經(jīng)過評(píng)審,僅有4個(gè)項(xiàng)目被列為重點(diǎn)項(xiàng)目。大唐微電子獲評(píng)的該芯片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目是唯一的芯片類重點(diǎn)項(xiàng)目。大唐微電子 “基于多維生物識(shí)別技術(shù)的終端安全芯片和平臺(tái)安全存儲(chǔ)芯片及其系統(tǒng)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”科研項(xiàng)目可以解決數(shù)據(jù)采集、身份識(shí)別、安全環(huán)境、安全傳輸和安全存儲(chǔ)等環(huán)節(jié)的安全難題,其芯片工藝、功能、性能、安全性等均達(dá)到國(guó)內(nèi)、乃至國(guó)際級(jí)領(lǐng)先水平。該項(xiàng)目結(jié)合終端設(shè)備和服務(wù)器后臺(tái)可實(shí)現(xiàn)多行業(yè)可信識(shí)別的產(chǎn)業(yè)化落地,有利于提升國(guó)內(nèi)可信識(shí)別產(chǎn)品安全水平,提升國(guó)家在國(guó)密安全存儲(chǔ)控制芯片領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力,進(jìn)一步推動(dòng)存儲(chǔ)控制芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。大唐微電子在安全芯片領(lǐng)域擁有二...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 05 - 29
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2019年3月20-22日 ,SEMICON China 2019展覽會(huì)將在上海新國(guó)際博覽中心盛大開幕。在這一年一度的半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì)上,我們將展示最新的產(chǎn)品及最前沿的技術(shù),并期待與業(yè)界專家交流市場(chǎng)商機(jī),洽談合作機(jī)會(huì)。在此,華林科納誠(chéng)摯邀請(qǐng)您蒞臨我們的展位!華林科納展位號(hào) 【5584】▲華林科納展位號(hào)  5584重點(diǎn)主推產(chǎn)品濕法清洗系統(tǒng)、刻蝕系統(tǒng)、CDS系統(tǒng)、尾氣處理系統(tǒng)的四大系列數(shù)十種型號(hào)的產(chǎn)品時(shí)間:2019年3月20-22日地址:上海新國(guó)際博覽中心N5華林科納展位號(hào):5584與 您 不 見 不 散 !
發(fā)布時(shí)間: 2019 - 01 - 07
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據(jù)知情人士透露,中國(guó)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際已經(jīng)訂購(gòu)了一臺(tái)EUV設(shè)備,在中美兩國(guó)貿(mào)易緊張的情況下,此舉旨在縮小與市場(chǎng)領(lǐng)先者的技術(shù)差距,確保關(guān)鍵設(shè)備的供應(yīng)。EUV是當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最先進(jìn)也最昂貴的芯片制造設(shè)備。中芯國(guó)際的首臺(tái)EUV設(shè)備購(gòu)自荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML,價(jià)值1.2億美元。盡管中芯目前在制造工藝上仍落后于臺(tái)積電等市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者兩到三代,此舉仍突顯了該公司幫助提升中國(guó)本土半導(dǎo)體制造技術(shù)的雄心壯志,也保證了在最先進(jìn)的光刻設(shè)備方面的供應(yīng)。目前包括英特爾、三星、臺(tái)積電等巨頭都在購(gòu)買該設(shè)備,以確保在此后的先進(jìn)工藝中能制造性能更強(qiáng)大、設(shè)計(jì)更領(lǐng)先的芯片。目前,臺(tái)積電、英特爾、三星等公司都訂購(gòu)了ASML的EUV設(shè)備。據(jù)供應(yīng)鏈消息人士透露,臺(tái)積電今年已預(yù)訂了多達(dá)10臺(tái)該設(shè)備,三星預(yù)訂了大約6臺(tái),英特爾在今年則預(yù)計(jì)需要3臺(tái),全球第二大代工廠格芯也預(yù)訂了一臺(tái)。ASML在4月中旬的財(cái)報(bào)中表示,計(jì)劃在今年內(nèi)出貨20臺(tái)EUV設(shè)備,但沒有指明采購(gòu)者詳情。知情人士透露,中芯國(guó)際是在4月份美國(guó)宣布對(duì)中興制裁的第二天下的訂單。他表示,中芯國(guó)際購(gòu)買該價(jià)格不菲的設(shè)備獲得了來自政府背景基金的部分資助,這臺(tái)EUV設(shè)備成本與中芯去年的凈利潤(rùn)1.264億美元大致相當(dāng)。消息顯示,中芯預(yù)定的EUV預(yù)計(jì)在2019年初交付。長(zhǎng)期以來,中國(guó)進(jìn)口前沿芯片制造設(shè)備一直受到限制。業(yè)內(nèi)皆知的瓦森納協(xié)定是一種建立在自愿基礎(chǔ)上的集團(tuán)性出口控制機(jī)...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 05 - 18
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實(shí)驗(yàn)室常用的改進(jìn)的RCA 清洗工藝1.水中超聲清洗:灰塵、殘余物去除2.濃硫酸、濃硫酸+雙氧水:表面污染(有機(jī)物、重金屬、微粒)      BHF去除氧化層 (to 疏水性)3.堿洗(雙氧水、氨水、水):顆粒、有機(jī)物去除      BHF去除氧化層 (to 疏水性)4.酸洗(雙氧水、鹽酸、水):微粒、金屬去除      BHF去除氧化層 (to 疏水性)5.超純水淋洗:去除離子設(shè)備組成:  中央控制系統(tǒng)及晶圓輸入端  串聯(lián)式化學(xué)酸槽、堿槽及洗滌槽  檢測(cè)系統(tǒng),包括流量監(jiān)測(cè),溫度檢測(cè),酸槽化學(xué)濃度校準(zhǔn)  旋轉(zhuǎn)、干燥設(shè)備華林科納(江蘇)專業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備包括RCA清洗設(shè)備,兆聲清洗設(shè)備,超聲清洗設(shè)備,更多詳情可以關(guān)注http://regal-bio.cn/ ,400-8768-096
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 07 - 05
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記者日前從銀川經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)了解到,寧夏銀和半導(dǎo)體科技有限公司8英寸半導(dǎo)體硅片項(xiàng)目進(jìn)入設(shè)備裝配期,8英寸半導(dǎo)體級(jí)單晶硅片將于6月份試生產(chǎn)。芯片制造主要分為硅片制備、芯片制造、芯片測(cè)試與挑選、裝配與封裝、終測(cè)五大環(huán)節(jié),硅片制備是第一個(gè)環(huán)節(jié),硅片質(zhì)量對(duì)于后續(xù)芯片制造至關(guān)重要。相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi),大尺寸硅片主要由美日德等原設(shè)備供應(yīng)商供應(yīng),國(guó)內(nèi)沒有成熟的生產(chǎn)鏈。銀和半導(dǎo)體大硅片項(xiàng)目建成后,可彌補(bǔ)國(guó)內(nèi)生產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)、汽車、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、通訊、工業(yè)、醫(yī)療和國(guó)防等產(chǎn)業(yè)對(duì)8英寸半導(dǎo)體級(jí)單晶硅片需求,保證國(guó)內(nèi)市場(chǎng)供應(yīng)硅片安全性及集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的完整和穩(wěn)定。同時(shí),降低我國(guó)對(duì)高品質(zhì)半導(dǎo)體硅片的進(jìn)口依賴,大幅降低成本并增加產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力,滿足我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)對(duì)硅襯底基礎(chǔ)材料的迫切要求?!拔覀円蜒邪l(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的40-16nm制程8英寸半導(dǎo)體拋光片制造技術(shù),并實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化。”寧夏銀和半導(dǎo)體科技有限公司行政總經(jīng)理浩育洲說。公司將通過開展高品質(zhì)半導(dǎo)體硅片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化,建成國(guó)際先進(jìn)水平的大尺寸半導(dǎo)體硅片產(chǎn)業(yè)化、創(chuàng)新研究和開發(fā)基地。6月份試投產(chǎn)后,可年產(chǎn)420萬片8英寸半導(dǎo)體級(jí)單晶硅片,項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后,年銷售收入10億元。近年來,銀川經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)先后引進(jìn)了一批在國(guó)際國(guó)內(nèi)有重大影響的新材料產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目,建成世界知名的單晶硅生產(chǎn)基地、國(guó)內(nèi)最大的工業(yè)藍(lán)寶石生產(chǎn)基地,正在成為國(guó)內(nèi)重要的戰(zhàn)略性新興材料生產(chǎn)基地。一季...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 05 - 11
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RCA清洗工藝是一種在半導(dǎo)體制造過程中被廣泛應(yīng)用的工藝,是去除硅片表面各類玷污的有效方法。華林科納(江蘇)的工程師在本文中簡(jiǎn)單介紹了RCA清洗工藝的原理及應(yīng)用。 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,半導(dǎo)體器件和集成電路內(nèi)各元件及連線越來越微細(xì),因此制造過程中,塵粒、金屬等的污染,對(duì)晶片內(nèi)電路功能的損壞影響越來越大。因此在制作過程中除了要排除外界的污染源外,集成電路制造工藝過程中均需要對(duì)硅片表面進(jìn)行清洗,以有效地使用化學(xué)溶液清除殘留在硅片表面上的各種雜質(zhì)。 硅片是半導(dǎo)體器件和集成電路中使用最廣泛的基底材料,對(duì)其表面的清洗是整個(gè)硅片制造工藝中極為重要的環(huán)節(jié)之一。半導(dǎo)體領(lǐng)域中的濕式清洗技術(shù)是伴隨設(shè)備的微小化及對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量要求的不斷提高而提高的,是以 RCA 清洗技術(shù)為基本的框架,經(jīng)過多年的不斷發(fā)展形成。完全清潔的基片表面是實(shí)現(xiàn)高性能處理的第一步。如果基底表面不完全清潔,其他處理無論如何控制也達(dá)不到高質(zhì)量的要求。 目前在國(guó)內(nèi),對(duì)硅片表面進(jìn)行化學(xué)清洗的設(shè)備比較多,但大多屬于手動(dòng)設(shè)備,在實(shí)際應(yīng)用過程中存在工藝一致性差、效率低下、無法適應(yīng)大批量生產(chǎn)等缺點(diǎn)。國(guó)外進(jìn)口的全自動(dòng) RCA 清洗機(jī)雖然性能優(yōu)越,但售價(jià)非常昂貴,使眾多半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家望而卻步。鑒于此,華林科納(江蘇)CSE自主獨(dú)立開發(fā)了全自動(dòng)半導(dǎo)體RCA 清洗機(jī),經(jīng)過試驗(yàn)和用戶使用驗(yàn)證,完全能達(dá)到用戶的使用要...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 07 - 06
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中國(guó)有意在半導(dǎo)體行業(yè)成為全球領(lǐng)導(dǎo)者。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),中國(guó)正在尋求國(guó)外資金的投資。在美國(guó)萬般阻撓中國(guó)稱霸下一代技術(shù)野心之背景下,這一亞洲大國(guó)的新舉措著實(shí)出乎人意料。部分是為了減少對(duì)國(guó)外技術(shù)的過分依賴,中國(guó)政府成立了一個(gè)基金,目標(biāo)融資2000億元人民幣(約合317億美元)來支持從處理器設(shè)計(jì)商到設(shè)備制造者等一系列國(guó)內(nèi)企業(yè)。中國(guó)科技行業(yè)監(jiān)管機(jī)構(gòu)本周三表示,“國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司”(業(yè)內(nèi)簡(jiǎn)稱“大基金”)將接受國(guó)外的投資。“該國(guó)家基金第二階段的主要目標(biāo)仍然是融資。我們歡迎國(guó)外企業(yè)的加入?!惫I(yè)和信息化部(工信部)總工程師兼發(fā)言人陳因解釋道。最近全球兩大經(jīng)濟(jì)體——美國(guó)和中國(guó)——之間的紛爭(zhēng)核心所在便是半導(dǎo)體。兩國(guó)糾紛不僅使得關(guān)稅高漲,也使得中國(guó)在美國(guó)企業(yè)的投資減少,并給中國(guó)從第五代無線通訊到人工智能等的科技發(fā)展帶來重?fù)?。美?guó)政府正在考慮動(dòng)用1977年法律。根據(jù)這項(xiàng)法律,唐納德·特朗普總統(tǒng)或可宣布進(jìn)入國(guó)家緊急狀態(tài),以便阻止交易和沒收資產(chǎn)。隨著美國(guó)將中興通訊列入黑名單七年,北京再一次猛然意識(shí)到中國(guó)迫切需要減少自己對(duì)美國(guó)技術(shù)的依賴。針對(duì)中興的舉措反而刺激了中國(guó)現(xiàn)有的計(jì)劃——在未來十年內(nèi)投資1500億美元,逐步搶占芯片設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。美國(guó)高管和官員們?cè)啻翁嵝眩袊?guó)的這一野心或可損害美國(guó)利益。目前,中國(guó)每年的半導(dǎo)體進(jìn)口額約為2000億美元——差不多和石油進(jìn)口額齊平。中國(guó)...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 04 - 26
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一.簡(jiǎn)介  兆聲清洗是運(yùn)用在半導(dǎo)體清洗設(shè)備中的一種比較新穎清洗技術(shù),它不僅保存了超聲波清洗的優(yōu)點(diǎn),而且克服了它的不足,它是由高頻(900khz 可根據(jù)實(shí)際使用來定)振效應(yīng)并結(jié)合化學(xué)清洗劑的化學(xué)反應(yīng)對(duì)硅片進(jìn)行清洗的。在清洗時(shí),由換能器發(fā)出波長(zhǎng)為1μm頻率為0.8兆赫的高能聲波。溶液分子在這種聲波的推動(dòng)下作加速運(yùn)動(dòng),最大瞬時(shí)速度可達(dá)到30cm/s。因此,形成不了超聲波清洗那樣的氣泡,而只能以高速的流體波連續(xù)沖擊晶片表面,使硅片表面附著的污染物的細(xì)小微粒被強(qiáng)制除去并進(jìn)入到清洗液中。 二.作用兆聲波清洗可去掉硅片表面上小于0.2μm的粒子,起到超聲波起不到的作用。這種方法能同時(shí)起到機(jī)械擦片和化學(xué)清洗兩種方法的作用。目前兆聲波清洗方法已成為拋光片清洗的一種有效方法。 三.結(jié)構(gòu)兆聲波清洗的結(jié)構(gòu)主要可以分為放著清洗晶片的石英槽體、保證在清洗過程溫度穩(wěn)定的溢流外槽、產(chǎn)生兆聲波的兆聲振盒及其發(fā)生器、保證清洗槽體內(nèi)溫度的在線加熱和根據(jù)設(shè)備使用中是否需要的自動(dòng)供酸系統(tǒng),是否有其他結(jié)構(gòu)可根據(jù)實(shí)際使用來進(jìn)行添加。 四.使用原理  兆聲波清洗機(jī)是用在硅片清洗中的一種清洗技術(shù),使用時(shí)首先要把清洗槽體和在線加熱內(nèi)注入適當(dāng)?shù)那逑吹囊后w,注入的的方法可根據(jù)廠方的注液方式分為手動(dòng)上液和自動(dòng)上液,上液完成之后打開在線加熱,使溫度達(dá)到使用溫度,溫度達(dá)到時(shí)...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 07 - 03
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近日,常州集成電路生態(tài)產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目正式簽約落戶武進(jìn)國(guó)家高新區(qū),計(jì)劃聚集全球一流的算法、芯片、固件、軟件、測(cè)試、工藝等研發(fā)團(tuán)隊(duì)入駐。市委書記汪泉出席并講話。據(jù)了解,該項(xiàng)目總投資100億元,總規(guī)劃面積約500畝。湖南國(guó)科控股有限公司將在武進(jìn)國(guó)家高新區(qū)組建系列芯片研發(fā)公司,主要從事驅(qū)動(dòng)芯片、可信計(jì)算、國(guó)密安全、多媒體芯片、通訊、人工智能等芯片設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)。同時(shí),在國(guó)家大基金對(duì)常州集成電路產(chǎn)業(yè)的支持下,國(guó)科控股將引進(jìn)其投資、參股的芯片公司或生態(tài)企業(yè),牽頭成立可信計(jì)算聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室和院士工作站,聯(lián)合有關(guān)單位成立數(shù)字版權(quán)保護(hù)(DRM)研發(fā)、測(cè)試中心,打造4K內(nèi)容管理和運(yùn)營(yíng)服務(wù)產(chǎn)業(yè)基地。汪泉在致辭中表示,集成電路是新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心,是新時(shí)期推進(jìn)經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國(guó)家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性、先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)。目前,常州正在推進(jìn)智慧城市、智能制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展,而集成電路是智慧城市和智能制造的大腦。我國(guó)在集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域和歐美等發(fā)達(dá)國(guó)家存在較大差距,必須加快推進(jìn)國(guó)內(nèi)在集成電路領(lǐng)域的自主創(chuàng)新和自主產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。汪泉說,作為國(guó)家信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)布局的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè),國(guó)科承擔(dān)了眾多國(guó)家重點(diǎn)科研項(xiàng)目,填補(bǔ)了眾多研發(fā)空白。企業(yè)此次在武進(jìn)布局集成電路生態(tài)產(chǎn)業(yè)園,是加快集成電路生態(tài)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重大舉措,為國(guó)家發(fā)展戰(zhàn)略作出貢獻(xiàn)。對(duì)常州、武進(jìn)而言,可以彌補(bǔ)在集成電路領(lǐng)域的發(fā)展短板,有助于地方拓展延伸集成電路的完整產(chǎn)業(yè)鏈,形成常武地區(qū)新的發(fā)...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 04 - 23
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