掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 本文主要研究隨機(jī)印刷故障，如空間中的微橋或隨機(jī)缺失觸點(diǎn)。本文用一個(gè)稱之為NOK(不確定)的度量來(lái)量化這種故障，這個(gè)度量本質(zhì)上代表了故障概率。本文使用一個(gè)名為Stochalis的內(nèi)部軟件包，通過(guò)掃描電鏡圖像分析來(lái)測(cè)量這個(gè)NOK量。本文將論證這種失效概率的最基本的依賴性是它的CD依賴性:NOK(CD)。使用目前可用的光盤(pán)掃描電鏡或電子束檢測(cè)工具，現(xiàn)在可以將這種氮氧化物(光盤(pán))依賴性測(cè)量到ppm-ppb水平。這不足以證明或否定產(chǎn)量，但NOK(CD)函數(shù)是比較材料和條件的極好工具，即。量化對(duì)圖案化條件的敏感性并顯示改進(jìn)方向。本文將舉例說(shuō)明劑量、間距、抗蝕劑、蝕刻和照明模式的影響。本文還將展示從非常局部到全局的光盤(pán)非均勻性如何進(jìn)一步影響局部故障概率。最后，本文將討論隨機(jī)故障概率和光盤(pán)非均勻性一起，在光盤(pán)和音高上設(shè)置實(shí)際分辨率限制。這些限制不是絕對(duì)的，因?yàn)樗鼈內(nèi)Q于圖案設(shè)置和使用的材料，但是在設(shè)置EUVL工藝時(shí)，需要非常仔細(xì)地考慮它們。 介紹 巖性1中的術(shù)語(yǔ)“隨機(jī)效應(yīng)”是指發(fā)生在原則上應(yīng)完全相同的結(jié)構(gòu)之間的隨機(jī)局部變化?！皞鹘y(tǒng)的”LWR和LCDU指標(biāo)量化了由此產(chǎn)生的局部CD可變性。但比局部光盤(pán)可變性嚴(yán)重得多的是局部印刷故障，例如空間中的微橋或觸點(diǎn)缺失，因?yàn)樗鼈冎苯?..
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 等離子體蝕刻工藝的均勻性和晶片到晶片的再現(xiàn)性通常與等離子體蝕刻室壁的調(diào)節(jié)有關(guān)。對(duì)于先進(jìn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體制造，使用了許多金屬，這些金屬可能在蝕刻過(guò)程中沉積在室壁上，并且由于這些金屬不總是容易去除，因此會(huì)發(fā)生工藝不穩(wěn)定。這是因?yàn)槭冶谏显臃N類的復(fù)合在一定程度上決定了等離子體的組成。因此，本文研究了金屬蝕刻殘留物，特別是鈦和鉭殘留物對(duì)等離子體成分和均勻性的影響。通過(guò)x射線光電子能譜分析所謂的漂浮樣品來(lái)分析室壁，并且通過(guò)光發(fā)射光譜法來(lái)監(jiān)測(cè)Cl2、HBr、O2和SF6等離子體中Cl、Br、O和F的密度。通過(guò)測(cè)量300毫米硅片上的蝕刻速率來(lái)檢查等離子體均勻性。發(fā)現(xiàn)氯和溴在金屬上的復(fù)合概率與在陽(yáng)極氧化鋁上的復(fù)合概率相似。然而，氟和氧的復(fù)合受到金屬殘留物的強(qiáng)烈影響。因此，對(duì)于基于氟和氧的等離子體，金屬殘留物顯示出對(duì)等離子體均勻性有影響。 介紹 為了制造最先進(jìn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件，需要開(kāi)發(fā)高精度蝕刻工藝。需要蝕刻的結(jié)構(gòu)尺寸小于幾十納米，并且在300毫米晶片上蝕刻數(shù)百萬(wàn)個(gè)特征的目標(biāo)線寬的偏差公差僅為幾納米。這通常需要增加蝕刻步驟和增加蝕刻工藝的復(fù)雜性。復(fù)合是如此有效，以至于對(duì)于某些等離子體物質(zhì)來(lái)說(shuō)，它變成了比泵送這些物質(zhì)大得多的損耗機(jī)制，因此它對(duì)等離子體中的總...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 封裝小型化這一永無(wú)止境的趨勢(shì)將半導(dǎo)體工業(yè)推向了技術(shù)的邊緣。因此，有必要開(kāi)發(fā)新技術(shù)，以滿足對(duì)先進(jìn)和先進(jìn)工藝能力的需求。 這篇論文是關(guān)于在圣卡蘭巴開(kāi)發(fā)和安裝強(qiáng)大的50µm晶圓減薄和切割能力的挑戰(zhàn)。隨著硅片被磨得越薄，它對(duì)機(jī)械應(yīng)力和振動(dòng)越敏感。傳統(tǒng)的機(jī)械切割工藝在切割過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量的機(jī)械應(yīng)力和振動(dòng)，這往往會(huì)導(dǎo)致背面切屑和模具裂紋問(wèn)題。背面碎屑作為骰子背面的斷裂點(diǎn)，顯著降低其模具強(qiáng)度。這一難題通過(guò)使用一種突破性的技術(shù)——磨削前切割（DBG）得到解決。 介紹 傳統(tǒng)工藝包括晶圓貼帶、晶圓背磨、脫模和晶圓安裝，然后是晶圓鋸。 晶圓制備工藝從背面研磨開(kāi)始，或者在晶圓包帶過(guò)程中將BG帶層壓到晶圓的活動(dòng)面上。BG膠帶起到保護(hù)作用，以防止在下一個(gè)工藝步驟中損壞或劃傷晶圓的活動(dòng)面。在晶圓背面研磨時(shí)，BG膠帶起到緩沖作用，并確保晶圓在整個(gè)加工過(guò)程中都被正確抽真空。一旦達(dá)到目標(biāo)晶圓厚度，晶圓隨后進(jìn)入晶圓安裝過(guò)程。研磨后的晶圓安裝在切割帶或切割模附膜（DDAF）和環(huán)形框架上。最后，機(jī)械晶片鋸切或切割。 機(jī)械晶圓鋸工藝使用刀片作為研磨機(jī)，可以...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 由于對(duì)消除水、土壤和空氣中的大量污染的需求越來(lái)越大，環(huán)境修復(fù)領(lǐng)域的新興技術(shù)正變得越來(lái)越重要。我們?cè)O(shè)計(jì)并合成了MoS2/fe2o3異質(zhì)結(jié)納米復(fù)合材料(NCs)作為易于分離和重復(fù)利用的多功能材料。以雙酚A(BPA)為探針?lè)肿樱瑢?duì)制備的樣品進(jìn)行了微量檢測(cè)性能的檢測(cè)，檢測(cè)限低至10?9M；該檢測(cè)限在所有報(bào)道的半導(dǎo)體襯底中都是最低的。在紫外照射下，用MoS2/Fe2o3NCs進(jìn)行快速光催化降解。高度可回收的MoS2/Fe2O3NCs在催化(SERS)底物后具有SERS的催化活性和良好的檢測(cè)能力。在考慮了z方案的電荷轉(zhuǎn)移路徑、三維花狀結(jié)構(gòu)和偶極子-偶極子耦合的影響時(shí)，提出了SERS和光催化機(jī)理。此外，將制備的MoS2/fe2o3nc成功應(yīng)用于真實(shí)湖泊和牛奶樣品中BPA的檢測(cè)。在此，我們深入介紹了MoS2/fe2o3材料的發(fā)展，該材料可作為化學(xué)傳感器和光催化廢水處理，以去除頑固性有機(jī)污染物。 介紹 由于消除水、土壤和空氣中大量污染的需求不斷增加，環(huán)境修復(fù)領(lǐng)域的新興技術(shù)變得越來(lái)越重要。. 本文設(shè)計(jì)并合成了二硫化鉬/Fe2O3異質(zhì)結(jié)納米復(fù)合材料，這是一種易于分離和重復(fù)使用的多功能材料。使用雙酚A (BPA)作為探針?lè)肿訖z查制備樣品的痕量檢測(cè)性能，檢測(cè)限低至10...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 描述了一種從硅和二氧化硅中去除氮化硅層的高選擇性干法刻蝕工藝，并對(duì)其機(jī)理進(jìn)行了研究。與傳統(tǒng)的Si3N4去除工藝相比，這種新工藝采用遠(yuǎn)距離O2 /N2放電，CF4或NF3作為氟源的流量小得多。對(duì)于作為氟源的CF4，Si3N4的蝕刻速率達(dá)到超過(guò)30納米/分鐘，同時(shí)Si3N4與多晶硅的蝕刻速率比高達(dá)40，并且二氧化硅根本沒(méi)有被蝕刻。對(duì)于作為氟源的NF3，實(shí)現(xiàn)了50納米/分鐘的Si3N4蝕刻速率，而對(duì)多晶硅和二氧化硅的蝕刻速率比分別約為100和70。原位橢偏法顯示在多晶硅頂部形成約10納米厚的反應(yīng)層。該氧化的反應(yīng)層抑制了反應(yīng)性氣相物質(zhì)與硅的蝕刻反應(yīng)。 介紹 硅局部氧化后氮化硅掩膜材料的剝離~LOCOS！是集成電路期間器件損壞的可能來(lái)源捏造。襯墊氧化物在過(guò)蝕刻過(guò)程中會(huì)退化。此外，蝕刻劑可以通過(guò)墊氧化物中的缺陷到達(dá)下面的硅襯底，并且以顯著的速率蝕刻襯底。這種效應(yīng)在基底上留下凹坑，稱為“點(diǎn)蝕”。目前用于Si3N4剝離步驟的干法工藝有利于這種不希望的效果，因?yàn)樗鼈兾g刻硅的速度通常比Si3N4快得多.因此，在二氧化硅和硅上選擇性蝕刻Si3N4的工藝是理想的。 實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)用藍(lán)寶石涂敷器在1000瓦的微波功率和600毫托的...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 研究了在超純水和堿性溶液中室溫濕法清洗硅片表面的臭氧濃度和半衰期的工藝優(yōu)化。在超純 水中，在氧氣流速為3升/分鐘且臭氧發(fā)生器功率超過(guò)60%時(shí)，測(cè)量臭氧的最大濃度(35 ppm)。 臭氧發(fā)生器功率越低，臭氧半衰期越長(zhǎng)。添加諸如N2和二氧化碳等附加氣體以增加臭氧的濃度 和半衰期。盡管加入N2氣體時(shí)臭氧的最大濃度較高，但加入二氧化碳時(shí)半衰期較長(zhǎng)。當(dāng)在去離 子水中加入0.05或0.10體積％的氫氧化縁時(shí)，溶液的酸堿度約為10。臭氧的加入導(dǎo)致半衰期小于 1分鐘。為了保持高的酸堿度和臭氧濃度，臭氧以0.05體積％的濃度連續(xù)供應(yīng)。將3 ppm的臭氧' 溶解在am monia溶液中。硅片表面的靜態(tài)接觸角變得親水。去除污染物可能是堿性臭氧溶液。， 臭氧化超純水可以去除有機(jī)污染物，而含臭氧的堿性溶液可以在室溫下去除硅表面的顆粒。介紹 目前的半導(dǎo)體清洗工藝可以分為使用化學(xué)液的 濕清洗和使用等離子體或激光等的干清洗方法。其中濕法三井工藝因半導(dǎo)體硅片清洗工藝能夠在短時(shí)間內(nèi)處理大量晶片而被認(rèn)為是重要的清洗方法。 RCA清洗工藝主要是為了去除污染粒子的標(biāo)準(zhǔn)清潔1 (SC 1)工藝 和減少金屬?zèng)A染物的標(biāo)準(zhǔn)...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 綜述并比較了幾種氮化鎵刻蝕技術(shù)。本實(shí)驗(yàn)選用氮化鎵二元刻蝕技術(shù)，用德克輪廓儀和原子力顯微鏡測(cè)量刻蝕后的氮化鎵輪廓。二元刻蝕技術(shù)采用了本征氮化鎵、n型氮化鎵和p型氮化鎵三種氮化鎵薄膜。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在室溫和較高溫度下，二元刻蝕都可以用于氮化鎵濕法刻蝕，具有良好的控制和精度。介紹 氮化鎵作為一種寬帶隙的ⅲ-ⅴ族化合物半導(dǎo)體，近年來(lái)得到了廣泛的研究。高性能的氮化鎵HFET和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管已經(jīng)被證]。氮化鎵加工技術(shù)是實(shí)現(xiàn)氮化鎵基器件良好性能的關(guān)鍵。已經(jīng)嘗試了許多氮化鎵蝕刻方法。大多數(shù)氮化鎵蝕刻是通過(guò)等離子體蝕刻完成的，其缺點(diǎn)是容易產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷，難以獲得光滑的蝕刻側(cè)壁。 實(shí)驗(yàn)和結(jié)果 回顧了幾種蝕刻技術(shù)，蝕刻速率和表面粗糙度總結(jié)在圖1、圖2和表1中。圖1.幾種蝕刻技術(shù)的蝕刻速率圖2.使用幾種蝕刻技術(shù)蝕刻后的氮化鎵表面粗糙度在實(shí)驗(yàn)中，選擇PEC二元GaN刻蝕方法的原因如下:二元蝕刻能夠?qū)崿F(xiàn)更好的控制和精度。它不需要復(fù)雜的設(shè)備。可以在室溫和更高的溫度下進(jìn)行。不需要任何電極和不需要外部刺激。蝕刻過(guò)程按以下循環(huán)進(jìn)行:1)浸泡在5% K2S2O8溶液中30秒；2)用去離子水沖洗30秒；3)...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料介紹 隨著器件尺寸的迅速縮小和實(shí)現(xiàn)極其光滑表面的嚴(yán)格要求，在前端和后端工藝中，使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)對(duì)各種薄膜進(jìn)行全局表面平坦化的需求越來(lái)越大。在化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中，拋光墊材料和晶片表面在漿料的存在下緊密接觸。在化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程結(jié)束時(shí)，漿料顆粒仍然留在晶片表面，如果不去除，它們會(huì)導(dǎo)致各種類型的缺陷(劃痕、腐蝕點(diǎn)等)。這影響了集成電路的功能化。在某些情況下，這些缺陷也可能是由拋光墊和金剛石圓盤(pán)修整器引起的。其他常見(jiàn)的污染物包括有機(jī)殘留物和金屬雜質(zhì)。 作用力范德華力是粒子粘附到任何基底上的最重要的力之一。這些力是由于原子核周圍電子的位置所形成的分子間的瞬時(shí)偶極相互作用而產(chǎn)生的。偶極相互作用有三種類型，即永久偶極-永久偶極(基索姆相互作用)、永久偶極-誘導(dǎo)偶極(德拜相互作用)和誘導(dǎo)偶極-誘導(dǎo)偶極相互作用(倫敦力)，它們共同對(duì)范德華力做出貢獻(xiàn)。范德華力取決于相互作用的粒子、基底和介質(zhì)的組成、它們之間的分離距離以及粒子和基底的表面粗糙度和幾何形狀。 化學(xué)機(jī)械拋光后清洗工藝的類型 在不同類型的濕法清洗方法中，批量清洗由于其低擁有成本已經(jīng)使用了很長(zhǎng)時(shí)間，因?yàn)樗ǔＲ淮翁幚?5個(gè)晶片的盒子。濕式批量清洗由幾個(gè)步驟組成，指定不同的浸沒(méi)槽，其中...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 臭氧(O3)是氧的異位體，是一種高活性的氣體氧化劑，吸收有害的紫外線(UV)輻射，從而使地球上的生命得已存在。第一個(gè)臭氧發(fā)生器是由沃納·馮·西門(mén)子公司開(kāi)發(fā)的，給游泳池消毒，并防止冷卻塔系統(tǒng)中微生物的生長(zhǎng)。 介紹 半導(dǎo)體被廣泛用于處理和凈化地下水和地表水以及生活和工業(yè)廢水,因此研究了臭氧在晶片清洗和抗蝕劑剝離應(yīng)用中的用途。為了降低化學(xué)品消耗和處理成本以及提高清潔效率，臭氧在過(guò)去十年中被研究作為傳統(tǒng)硫酸-過(guò)氧化物的替代物，并使用堿性(SC-1)和酸性(SC-2)過(guò)氧化氫混合物進(jìn)行RCA清潔。由于O3和O3衍生的氧化物質(zhì)如OH自由基的消毒活性有多種影響，因此它是有效的。 臭氧主要用于清洗晶片；消除有機(jī)物、金屬和顆粒；去除光刻膠；和消毒去離子水設(shè)施。用臭氧清洗總是會(huì)氧化。工藝差異取決于清潔步驟的主要目的。去除有機(jī)物。臭氧化去離子水(DIO3)具有很高的氧化潛力，可以降解有機(jī)污染物。其去除效率取決于有機(jī)物質(zhì)的類型、臭氧濃度和反應(yīng)方式。去除金屬和顆粒。DIO3本身不能有效去除沉積在硅表面的金屬，如鐵、鎳、鋁、鎂和鈣，如金屬氫氧化物或金屬氧化物。取決于它們的性質(zhì)，金屬可以被結(jié)合到氧化物層中或者駐留在硅二氧化硅界面上...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 本文報(bào)道了對(duì)SC1(nh4OH：H202：H20)溶液的研究，可用于抗顆粒去除和選擇性濕蝕刻某些薄膜。用于以下測(cè)試的SC1溶液的比例為1：2：10。研究了四氯硅氧化物、硼磷酸硅酸鹽玻璃、氮化物、摻雜多晶硅和熱氧化物等薄膜的刻蝕速率。薄膜成分、所使用化學(xué)品的年齡、溫度和化學(xué)成分是影響這些薄膜蝕刻率的因素。 介紹 抗蝕劑和顆粒去除的濕法工藝和化學(xué)方法在超大規(guī)模集成電路的制造中至關(guān)重要，依賴于克恩工作1、2的序列被廣泛使用。鹽酸：（H2O2 (SC2)±要用于去除金屬污染物，而食人魚(yú)(H2SO4:H2O2)和I NH4OH:H2O2:H2O (SCI)被認(rèn)為主要是有機(jī)污染物清洗液。抗蝕劑涂層、離子注入或等離子體蝕刻和沖灰化步驟用于生成半導(dǎo)體處理過(guò)程中常見(jiàn)的粒子。使用SC1溶液以選擇性地蝕刻半導(dǎo)體行業(yè)常見(jiàn)的某些薄膜的可行性。加熱后的SC1已被發(fā)現(xiàn)在蝕刻膜中非常有效，如原位摻雜(ISD)多晶硅，而不破壞背面的硅表面。加熱后的SC1也能有效地蝕刻薄膜的細(xì)絲，由于各向異性，在干燥的蝕刻過(guò)程后可能保持不變。 實(shí)驗(yàn)步驟 SC1溶液所有測(cè)試中...
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