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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實(shí)際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴(kuò)散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強(qiáng)力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門:?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機(jī)界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護(hù)等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨(dú)立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨(dú)立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運(yùn)方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機(jī)           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機(jī)尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機(jī)臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機(jī)、RCA清洗機(jī)、去膠機(jī)、外延片清洗機(jī)、酸堿腐蝕機(jī)、顯影機(jī)等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機(jī)Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      馬蘭戈尼干燥過程中硅晶圓的接觸標(biāo)記污染與晶片與工藝支架之間接觸區(qū)域的水滯留有關(guān)。用一個概念模型解決了晶片/支架接觸處留水的形成。提出了一種毛細(xì)管排水技術(shù)方法來解決接觸點(diǎn)問題,并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。 介紹      在半導(dǎo)體制造中,硅晶片(或其他半導(dǎo)體材料)通常用一系列濕化學(xué)清洗步驟進(jìn)行處理,為后續(xù)的集成電路制造工藝準(zhǔn)備晶片表面。晶片干燥是最后也是最關(guān)鍵的一步,通過使產(chǎn)品具有干凈干燥的表面,使?jié)窬砻嬷苽溥^程有效。在各種晶片干燥技術(shù)中,馬蘭戈尼干燥由于其在許多方面的優(yōu)勢而被廣泛應(yīng)用。      雖然馬蘭戈尼工藝能有效地干燥晶片表面并保持清潔,但它在晶片和晶片支架之間的接觸區(qū)域遇到了挑戰(zhàn)。本文提出了一種解決接觸標(biāo)記問題的新方法,并結(jié)合實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了討論。 概念模型      如圖2b所示,馬蘭戈尼干燥循環(huán)始于水從大圓柱形容器中緩慢排出。當(dāng)水面通過細(xì)管的頂部開口時,與管外的大量水相比,管內(nèi)施加的毛細(xì)作用力減緩了管內(nèi)的排水。因此,當(dāng)大水面移動到管底時,小玻璃管中仍有液體殘留。隨著大水面不斷向低處移動,水的表面張力不再能保持小管內(nèi)部的水和外部的大水面之間的液體連續(xù)性。     ...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 09
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料介紹         碳化硅具有比傳統(tǒng)硅更寬的帶隙、更好的擊穿電場和熱導(dǎo)率,在未來的電力電子領(lǐng)域受到了廣泛關(guān)注。在各種類型的功率器件中,具有常關(guān)特性的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管應(yīng)該成為下一代綠色電子器件的關(guān)鍵元件。如上所述,除了硅,碳化硅是唯一一種通過熱氧化產(chǎn)生二氧化硅絕緣體的化合物半導(dǎo)體。與其他寬帶隙半導(dǎo)體相比,這使得器件制造過程更加容易。一般認(rèn)為,在高溫氧化過程中,氧化物內(nèi)的碳雜質(zhì)以碳氧化物的形式擴(kuò)散出去,但少量的碳雜質(zhì)保留在氧化物內(nèi)和二氧化硅/碳化硅界面上。因此,碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體器件的電退化導(dǎo)致器件性能和可靠性的惡化,是實(shí)現(xiàn)硅基電力電子器件的最大障礙。      本文綜述了近年來我們利用高分辨率同步輻射x射線光電子能譜(XPS)對4H-SiC襯底的熱氧化以及在(0001) Si面和(000-1) C面上制備的二氧化硅/4H-SiC能帶結(jié)構(gòu)的研究。我們研究了相應(yīng)的碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體電容器的原子結(jié)構(gòu)和電學(xué)性質(zhì)之間的關(guān)系,討論了界面結(jié)構(gòu)和電學(xué)缺陷對能帶偏移調(diào)制的內(nèi)在和外在影響。此外,用原子力顯微鏡和透射電鏡系統(tǒng)地研究了熱生長二氧化硅/4H-碳化硅(0001)結(jié)構(gòu)的表面和界面形貌,以闡明臺階聚束與氧化動力學(xué)之間的關(guān)系。厚熱氧化物下的界面結(jié)構(gòu)  &#...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 09
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      本文介紹了用兆頻超聲波能量從有機(jī)溶劑中的硅片上去除顆粒的實(shí)驗(yàn)。納米粒子首先通過可控污染工藝沉積在硅晶片上。對于新沉積和老化的顆粒,研究了作為兆頻超聲波功率的函數(shù)的顆粒去除效率。通過改變處理條件和漂洗時間化學(xué)成分,對幾種清洗配方進(jìn)行評估。當(dāng)使用低兆聲波功率時,發(fā)現(xiàn)粒子在分離后聚集并重新沉積在晶片表面上。這種現(xiàn)象可以用特定溶劑中顆粒和硅表面的帶電現(xiàn)象來解釋。添加表面活性劑以防止聚集和再沉積,從而顯著提高顆粒去除效率。 介紹      有機(jī)溶劑越來越多地被研究作為傳統(tǒng)水基化學(xué)的潛在替代品。由megasounds輔助的濕法清洗在去除納米顆粒方面表現(xiàn)出高性能,而沒有顯著的基底損失。最近,有機(jī)溶劑和megasounds的組合使用在去除蝕刻后的PR,包括等離子體改性的外殼方面顯示出有希望的能力。此外,中等極性的溶劑顯示出誘導(dǎo)表面帶電,并在類似帶電表面的情況下刺激形成顆粒沉積的靜電屏障。在將兆頻超聲波能量的高清潔性能與合適的有機(jī)溶劑的優(yōu)點(diǎn)相結(jié)合的想法的引導(dǎo)下,我們在這項工作中評估了使用兆頻超聲波在有機(jī)溶劑中實(shí)現(xiàn)的從硅襯底去除顆粒的效率。研究了兩種粒子:作為一般清潔應(yīng)用的模型粒子的氧化硅,和在化學(xué)成分方面可能類似于蝕刻后PR外殼的交聯(lián)聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子。選擇n-甲基...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 08
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      由TOK、JSR、陶氏化學(xué)等公司生產(chǎn)的新一代負(fù)色調(diào)和化學(xué)放大的正色調(diào)光阻劑在先進(jìn)的包裝應(yīng)用中獲得了發(fā)展勢頭。隨著銅柱和微凸起的采用,樹脂的厚度要求正在增加到40-100µm的范圍。為了形成柱子,抵抗面罩必須更厚以包含整個凸結(jié)構(gòu)。Akrion系統(tǒng)的工程師開發(fā)了一種新型的、單晶片的、厚的PR條工藝,目的是降低先進(jìn)包裝工藝流程中這一步驟的擁有成本(氧化亞鈷)。使用有機(jī)溶劑加上獨(dú)特的超氣體能力,與傳統(tǒng)工藝相比,該工藝減少了40%或更多的工藝時間和相關(guān)的化學(xué)消耗。 背景      負(fù)音阻的一個已知缺點(diǎn)是,高度交聯(lián)電阻掩模的溶劑帶時間比典型的正音阻要長得多。注意到,在他們的實(shí)驗(yàn)中使用的兩種正抗蝕劑帶時間為5分鐘,而AZ-100nXT負(fù)色調(diào)抗蝕劑使用AZ400T的抗蝕劑帶時間為50分鐘。其他主要負(fù)阻剝離供應(yīng)商的數(shù)據(jù)表上也記錄了長剝離時間或特殊的剝離要求。類似的問題也出現(xiàn)在化學(xué)放大的正音調(diào)抵抗中,與非化學(xué)放大的正抵抗相比。基于這些厚抗蝕劑去除的挑戰(zhàn),已經(jīng)開發(fā)了各種方法,以降低執(zhí)行這一過程所需的成本、時間和化學(xué)消耗。阿克里星系統(tǒng)的工程師開發(fā)了一種完全的單晶圓工藝,在這種工藝中,溶劑和光刻膠的反應(yīng)速率通過熱量和專有形式的巨氣攪拌來增加反應(yīng)速率。 實(shí)驗(yàn) ...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 08
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      硅基于酸的濕法蝕刻中的傳輸和動力學(xué)效應(yīng)的研究已經(jīng)完成。由反應(yīng)形成的氣泡附著在表面上的隨機(jī)位置,表面的一部分被反應(yīng)物遮蔽。這種氣泡掩蔽效應(yīng)被模擬為與液相傳質(zhì)阻力平行作用的氣泡傳輸阻力。這些輸運(yùn)效應(yīng)被集中成一個有效的質(zhì)量輸運(yùn)電阻,它與動力學(xué)電阻串聯(lián)作用。結(jié)果表明,刻蝕表面形貌是有效傳質(zhì)阻力與動力學(xué)阻力之比的函數(shù)。粗糙的表面是由峰和谷組成的區(qū)域。理論上,在質(zhì)量傳遞影響下,峰值處的蝕刻速率高于谷值處的蝕刻速率。因此,表面被化學(xué)拋光。結(jié)果表明,拋光效率隨著傳質(zhì)阻力與動力學(xué)阻力之比的增大而增大,達(dá)到最大值后減小。用發(fā)展的唯象模型和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)解釋了傳質(zhì)和動力學(xué)對表面粗糙度和光澤度的影響。 介紹      硅晶片的化學(xué)蝕刻是通過將晶片浸入蝕刻劑中來完成的,該蝕刻劑傳統(tǒng)上是硝酸和氫氧化鉀的稀釋劑或苛性堿溶液的酸性混合物。報道了苛性結(jié)晶學(xué)蝕刻的各種研究.2-4然而,本文只關(guān)注基于酸的蝕刻的傳輸和動力學(xué)效應(yīng)。實(shí)際的反應(yīng)機(jī)理相當(dāng)復(fù)雜,涉及許多基本反應(yīng)。氫和不同的氮氧化物會產(chǎn)生。已經(jīng)提出了許多不同條件下硅片溶解的速率方程。      本研究的目的是展示我們的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),并使用一種新的非均相反應(yīng)現(xiàn)象學(xué)模型對其進(jìn)行分析。我們收集的數(shù)據(jù)與提出的非均相反應(yīng)唯象模型一致,...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 08
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料介紹        兆頻超聲波清洗已被用于去除集成電路器件的硅晶片制造中的缺陷,例如顆粒和聚合物/抗蝕劑殘留物。然而,隨著器件技術(shù)節(jié)點(diǎn)的縮小,兆頻超聲波清洗正面臨著保持高清洗效率的挑戰(zhàn),這種高清洗效率是由較小顆粒的穩(wěn)定氣穴流動力促進(jìn)的,而不會產(chǎn)生由瞬態(tài)空穴的劇烈內(nèi)爆引起的圖案崩潰。南?;钆竦热?。報道稱,溶解了CO2的水(CO2 DIW)有可能通過最大限度地減少瞬時空腔的無限制爆炸來抑制兆頻超聲波曝光期間的晶片損壞。這是通過對聲致發(fā)光的研究來實(shí)現(xiàn)的,聲致發(fā)光是液體被足夠強(qiáng)度的聲晶片照射時釋放光的現(xiàn)象,是空化事件的敏感指標(biāo)。本文比較了在N2氣化水(N2 DIW)中,在大于100納米尺寸的Si3N4顆粒和納米節(jié)點(diǎn)線/空間圖案的兆頻超聲波功率范圍內(nèi),CO2溶解對顆粒去除效率和圖案塌陷的影響。 實(shí)驗(yàn)       實(shí)驗(yàn)在300毫米Akrion Systems的金手指速度工具上進(jìn)行,該工具提供兩種不同類型的兆頻超聲波清洗;前側(cè)(FS)兆頻超聲波系統(tǒng),石英棒連接到壓電晶體(1.6兆赫),后側(cè)(BS)用塑料覆蓋的壓電材料(830千赫),如圖1所示。二氧化碳(約。1000ppm) DIW和N2(約。20ppm) DIW是使用在一定壓力下連續(xù)充入CO2或N2...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 08
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      在傳統(tǒng)的微機(jī)電系統(tǒng)制造中,相對惰性的化合物如Si3N4被用作蝕刻停止層或掩模,用于在晶片上形成圖案。然而,這樣的材料需要了解它們對應(yīng)于襯底材料的蝕刻選擇性,并且不適合高溫器件。當(dāng)開發(fā)這些高溫兼容器件時,需要由碳化硅組成的部件,并且由于其化學(xué)惰性,可以用作蝕刻停止層。對于這些應(yīng)用,襯底或犧牲層通常是硅或二氧化硅.在加工過程中先進(jìn)的化學(xué)濃度控制技術(shù)對于能夠保持一致的蝕刻速率、受控的蝕刻深度以及保持所需的圖案形狀至關(guān)重要。利用近紅外技術(shù),可以監(jiān)測鍍液中化學(xué)物質(zhì)的濃度以及硅和二氧化硅蝕刻產(chǎn)生的副產(chǎn)品的濃度.然后,該系統(tǒng)可以增加槽的壽命和在批次內(nèi)和批次間一致蝕刻的能力。本文介紹了先進(jìn)濃度控制的機(jī)理,用三甲基氯化銨或氫氧化鉀刻蝕硅的結(jié)果,以及它在碳化硅集成器件中的應(yīng)用前景。介紹      在過去的20年里,由于碳化硅在常規(guī)蝕刻溶液中具有化學(xué)惰性的特性,人們一直在研究將其作為體微機(jī)械加工中傳統(tǒng)蝕刻停止層的替代品。由于其熱特性,碳化硅也是高溫器件的理想材料。制造燃料霧化器、壓力傳感器和微制造模具等器件的應(yīng)用可以使用典型的濕法蝕刻技術(shù),并利用碳化硅層的特性,使其具有化學(xué)抗性.1特別是對于硅微機(jī)電系統(tǒng)器件,大面積襯底至關(guān)重要。由于制造單晶襯底的困難,人們對在硅上外延生長單晶和多晶碳化硅層非常...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 08
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      太陽能電池制造需要許多濕法清洗步驟。紋理化是這些步驟之一。作為陷光方法,紋理化步驟對于確保基于單晶硅和多晶硅的電池的高效率非常關(guān)鍵。為了獲得穩(wěn)定和可再現(xiàn)的制造過程,蝕刻成分的可靠和精確的實(shí)時測量變得必要?;瘜W(xué)混合物包括:氫氧化鉀/異丙醇、氫氟酸/硝酸、氫氟酸/鹽酸。其他添加劑,例如。通常添加表面活性劑來提高蝕刻均勻性。 介紹      在太陽能工業(yè)中,大量硅通常被引入蝕刻浴中。蝕刻副產(chǎn)物(硅酸鹽)影響蝕刻物質(zhì)的平衡。如果沒有對這些副產(chǎn)物進(jìn)行足夠的補(bǔ)償,通常會注意到蝕刻速率的顯著下降和污染水平的增加。由于這種污染,生產(chǎn)線將遭受不可預(yù)測的晶片特性,從而降低單元。為了獲得穩(wěn)定和可再現(xiàn)的制造過程,蝕刻成分的可靠和精確的實(shí)時測量變得必要。       在這項研究中,晶片在氫氧化鉀/異丙醇混合物中加工,以產(chǎn)生的紋理化表面。安裝了在線傳感器來實(shí)時監(jiān)測化學(xué)物質(zhì)的濃度。開發(fā)了算法,通過在期望的時間間隔注入新鮮的化學(xué)品和水來控制化學(xué)品濃度,以補(bǔ)償化學(xué)品和水的損失。該系統(tǒng)還允許排出和補(bǔ)充化學(xué)物質(zhì)和水,以將硅酸鹽保持在閾值以下,從而在不同的槽負(fù)載條件下保持一致的蝕刻特性。 實(shí)驗(yàn)      溶液中給定物質(zhì)的吸...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 08
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      在半導(dǎo)體制造中,隨著器件集成密度的增加,晶圓表面清洗是最重要的過程之一。為了開發(fā)清潔過程,應(yīng)在晶片表面沉積各種顆粒,以測量顆粒去除效率。顆粒可以懸浮在空氣或液體中,然后沉積在液體和空氣中的晶圓表面中。 介紹      本文采用不同的沉積方法對硅片表面亞微米氧化鋁顆粒的去除效率。采用IPA和去離子水進(jìn)行干式沉積和濕式噴霧沉積。 實(shí)驗(yàn)      為了從理論上理解粒子與晶圓表面之間的毛細(xì)管效應(yīng),我們用范德華力和毛細(xì)管力計算了粒子的粘附力。     從理論計算來看,隨著粒徑的增大,兩者的附著力都變大。然而,如圖1所示,隨著顆粒尺寸的減小,單位面積的附著力(通過r2的除法計算)顯著增加.這意味著由于范德華力和毛細(xì)管壓力的增加,較小的顆粒更難從表面去除。此外,去離子水的毛細(xì)管力比異丙醇強(qiáng)得多。這意味著,由于毛細(xì)管力比異丙醇大,用去離子水沉積的顆粒更難從晶片表面去除。 結(jié)果      為了驗(yàn)證理論分析,在不同的粒子狀態(tài)下,采用波長為1064nm的q開關(guān)Nd:YAG激光器進(jìn)行了激光沖擊清洗。改變激光聚焦與晶片表面之間的間隙距離來控制激光激波力。用帶有去離子水和IPA的噴...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 30
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要        在硅晶片的水加工中,晶片的干燥必須在每個加工步驟之后進(jìn)行。然而,目前使用的干燥工藝并不環(huán)保,即消耗了大量的溶劑和能量。為了滿足環(huán)境和經(jīng)濟(jì)要求,本文研究了一種基于清潔技術(shù)概念的新型晶圓干燥系統(tǒng)。為了降低異丙醇和能耗,提高干燥性能,開發(fā)了一種由兩個獨(dú)立室(異丙醇室和干燥室)組成的新型干燥器。采用這種新配置進(jìn)行了現(xiàn)場操作,以將其特性與其他廣泛使用的干燥器進(jìn)行比較。結(jié)果表明,IPA和能耗均小于常規(guī)干燥機(jī)。新型烘干機(jī)的烘干性能也優(yōu)于傳統(tǒng)烘干機(jī)。因此,新的干燥機(jī)為晶圓干燥提供了一個環(huán)保的替代方案。 介紹     半導(dǎo)體制造是一種復(fù)雜的操作,涉及多種物理化學(xué)過程。一般過程如圖所示。 1.作為第一步,通過晶體生長(第一階段)產(chǎn)生硅晶片。為了賦予其半導(dǎo)體特性,晶片處理(第二階段)包括許多步驟,如氧化、光刻膠擴(kuò)散、紫外線暴露、蝕刻、離子實(shí)現(xiàn)和化學(xué)氣相沉積(CVD)。最后,通過切割和制造(第三階段)生產(chǎn)芯片。      在這項研究中,我們通過提供一個封閉的處理室來解決這些問題。通過這種配置,異丙醇損失最小化,并且消除了異丙醇加工中固有的爆炸危險條件。這種新系統(tǒng)也使得熱能損失最小化成為可能。因此,與傳統(tǒng)的干燥系統(tǒng)相比,這種新的干燥系...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 30
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