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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴(kuò)散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強(qiáng)力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門:?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機(jī)界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護(hù)等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運(yùn)方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機(jī)           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機(jī)尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機(jī)臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強(qiáng)電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機(jī)、RCA清洗機(jī)、去膠機(jī)、外延片清洗機(jī)、酸堿腐蝕機(jī)、顯影機(jī)等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機(jī)Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      研究了氨過氧化氫溶液(SC-1溶液)、Fe(III)、Ni(Ii)、Zn(II)在硅片上的吸附作用。實驗結(jié)果與平衡計算結(jié)果比較發(fā)現(xiàn),主要吸附物質(zhì)是溶解的中性氫氧化物配合物。計算出的氫氧化物配合物吸附的自由能變化支持了這一點。 介紹      為了減少環(huán)境和設(shè)備的污染,開發(fā)和使用了多種清潔方案。SC-1溶液(29%NH4OH:31%It202:H20=1:1:5體積比)1是半導(dǎo)體制造中廣泛使用的清潔溶液之一。然而,表面金屬污染是由溶液中的一些金屬雜質(zhì)引起的。金屬雜質(zhì),特別是過渡金屬,會引起電的惡化,例如柵極氧化物的分解。在本文中,我們通過平衡分析的方法研究了其吸附行為。采用分析方法確定了吸附種類。同時還進(jìn)行了吸附的自由能計算,以了解吸附的種類,并支持平衡分析的結(jié)果。本文中檢測的金屬離子為Fe(III)、Ni(II)和Zn(II)作為半導(dǎo)體制造中的典型污染物。 實驗      本工作中使用的以下化學(xué)物質(zhì)為EL級,其中含有低于0.5ppb的過渡金屬雜質(zhì):50%HF、29%氫氧化銨、31%H202、20%四甲基氫氧化銨。用于原子吸收分光光度法(AAS)的金屬標(biāo)準(zhǔn)溶液(1000ppm)用于故意污染。本研究中使用的去離子水含有10pp...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 24
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      半導(dǎo)體清潔技術(shù)是基于RCA清潔,它消耗大量的化學(xué)物質(zhì)和超純水。因此,這項技術(shù)導(dǎo)致了許多環(huán)境問題,目前正在研究一些替代方案,如電解水。在這個實驗中,用電解的水清洗故意污染的硅片。電解水在陽極和陰極中獲得,其氧化還原電位和pH分別為一1050mV和4.8、-750mV和10.0。電解水的惡化與空氣中溶解的二氧化碳濃度的變化有關(guān)。清洗顆粒過程中電解水的溢出與RCA清潔所能獲得的清潔相同。電子波清潔后,圖案晶片表面的粗糙度保持了接收晶片的粗糙度。在本研究中,RCA清潔消耗了約9-C的化學(xué)物質(zhì),而電解水清潔只需要400m^HC1或600m£NH4CI來清潔晶片。因此得出結(jié)論,電解水清洗技術(shù)對于在下一代半導(dǎo)體制造中釋放環(huán)境、安全和健康(ESH)問題非常有效。 介紹      基于RCA清潔,已經(jīng)開發(fā)了許多旨在消除污染物的濕式清洗工藝。RCA清洗是指在相對較高的溫度下進(jìn)行高濃度化學(xué)處理的幾個步驟的過程。隨著硅晶片直徑的增大和半導(dǎo)體器件的縮小,清洗過程單元的數(shù)量增加,使RCA清洗過程中消耗的化學(xué)品和超純水(UPW)的數(shù)量大幅增加,生產(chǎn)成本也大大增加。為了解決這些問題,利用氫化超純水(H2-UPW)等功能水AA研究了先進(jìn)的清洗方法。     ...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 24
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      我們介紹了磷擴(kuò)散前表面污染對太陽能電池和壽命樣品的影響。用夾層刻蝕電感耦合等離子體質(zhì)譜技術(shù)測量了氫氧化鉀、異丙醇織構(gòu)直拉硅片的金屬表面污染。紋理化后直接發(fā)現(xiàn)高表面污染,尤其是銅,這是由于金屬在稀釋的非氧化性堿性溶液中的溶解度低。通過應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的清洗程序,如鹽酸、氫氟酸浸泡程序和piranha蝕刻,達(dá)到了不同的污染水平。測試的發(fā)射極輪廓范圍從45ω/sq的重擴(kuò)散到120ω/sq的淺擴(kuò)散。發(fā)現(xiàn)明顯影響壽命和太陽能電池性能(Voc)的閾值遠(yuǎn)高于預(yù)期。 介紹      金屬表面污染在半導(dǎo)體加工中起著重要作用。然而,在太陽能電池加工的標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)高溫工藝(如擴(kuò)散和表面鈍化)之前,沒有關(guān)于硅表面表面污染閾值的研究。為了找到太陽能電池性能的極限濃度,研究了表面金屬污染對擴(kuò)散過程的影響。 實驗設(shè)計      為了改變污染水平,使用不同的清洗程序清洗氫氧化鉀、異丙醇紋理的Cz晶片。紋理化后立即獲得高表面濃度。使用鹽酸、氫氟酸浸泡和piranha清洗來降低這些濃度。使用夾層蝕刻電感耦合等離子體質(zhì)譜技術(shù)測量不同組的表面濃度。進(jìn)行了兩個實驗(圖。2 (a)和(b))。在第一個實驗中,測量了不同清洗程序?qū)ΨQ實時樣品和標(biāo)準(zhǔn)絲網(wǎng)印刷太陽能電池的影響。...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 24
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      本文介紹了在大型三維形貌表面上涂覆光刻膠的三種方法。介紹和研究了兩種制備三維微結(jié)構(gòu)和射頻微機(jī)電系統(tǒng)器件的特殊方法:噴射法和電沉積法。概述了每種方法的特點及其優(yōu)缺點。從復(fù)雜性、性能和應(yīng)用類型方面進(jìn)行比較,指出最合適的涂覆方法。這些涂層方法的潛力通過多級微機(jī)械加工結(jié)構(gòu)和射頻微機(jī)電系統(tǒng)器件的制造等應(yīng)用得到了證明。 介紹       對于一些微機(jī)電系統(tǒng)應(yīng)用來說,將圖案轉(zhuǎn)移到具有廣泛形貌的硅片上需要在非平面表面上有均勻的光刻膠層。迄今為止,已經(jīng)引入了三種光致抗蝕劑涂覆技術(shù)來制造微機(jī)電系統(tǒng)器件。旋涂是最常規(guī)的涂覆方法,用于標(biāo)準(zhǔn)的平面晶片。它并不總是令人滿意的,只能在某些微機(jī)電系統(tǒng)應(yīng)用中進(jìn)行某些修改。應(yīng)考慮諸如電沉積和光刻膠噴涂等替代方法。據(jù)報道,光致抗蝕劑的電沉積對于芯片的三維堆疊是一種有吸引力的方法,但是它需要導(dǎo)電層。最近,一種新的涂覆方法,光致抗蝕劑的直接噴涂被引入作為用于微系統(tǒng)的另一種光致抗蝕劑涂覆技術(shù)。  旋涂和噴涂      光刻膠旋涂是集成電路工藝中平面晶片的標(biāo)準(zhǔn)涂覆方法。涂覆過程從將光致抗蝕劑溢流到晶片上開始,以便覆蓋整個表面。具有快速旋轉(zhuǎn)速度的第二步促進(jìn)了膜的干燥,并減少了光致抗蝕劑的進(jìn)一...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 24
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      本文的目的不是提出說明如何獲得粘附沉積,而是引起注意一些值得科學(xué)研究的問題和其中的解決方案將會影響實際應(yīng)用,電沉積金屬的價值取決于其粘附程度的表面沉積,以及分子在沉積過程中的物理條件或結(jié)構(gòu)。 介紹      金屬表面的所有東西,無論是可見的氧化物、油脂和結(jié)垢,還是看不見的、透明的油、羥氧化物或其他化合物層,甚至氣體薄膜,都可以被認(rèn)為是污垢,將其定義為“在錯誤的地方的物質(zhì))。表面的清潔是需要操作人員最大小心的操作,因此所涉及的工作是電鍍廠操作中最大的費用。表面的制備方法可分為機(jī)械、物理、化學(xué)和電解兩種方法。機(jī)械手段包括研磨、沖刷、使用磨料和噴砂機(jī)。物理方法包括燃燒和溶解。溶劑,如汽油,酒精等。化學(xué)方法利用酸、堿、氰化物和各種其他物質(zhì),這些物質(zhì)作用于被去除的材料,使它們重疊或改變它們的性質(zhì),使它們很容易通過機(jī)械方法去除。 實驗      通常使用的化學(xué)方法所伴隨的缺點是由于酸在被鍍的金屬上的有害作用,酸滲透到金屬的孔隙中,從而難以完全去除,以及釋放可能被金屬吸收的氫和其他氣體。      一個簡單的實驗來證明氫的有害作用可以進(jìn)行如下:一塊柔性鋼鋼琴絲浸入稀硫酸溶液中,在氫釋放后進(jìn)行了幾次幾分鐘后,...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 24
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要       降低混合集成結(jié)構(gòu)中由于熱膨脹系數(shù)差異而產(chǎn)生的應(yīng)力需要去除襯底,這是關(guān)鍵因素之一。由于鋁犧牲層和高鋁含量DBR層之間的刻蝕選擇性低,常用的外延剝離技術(shù)很難用于制作全外延介質(zhì)阻擋半導(dǎo)體激光器。提出并論證了一種新的去除底物的方法——氧化剝離法。與外延剝離法相比,該工藝對鋁含量顯示出更高的選擇性,外延剝離法允許釋放具有外延DBR和硅上單獨元件的垂直腔面發(fā)射激光器結(jié)構(gòu),減少了工藝步驟的數(shù)量,并最終降低了制造/集成器件的成本。金鍺合金用于分子束外延生長的氧化剝離結(jié)構(gòu)的金屬鍵合。1米厚的AlAs嵌入犧牲層被橫向氧化,以從GaAs襯底釋放部分處理的器件。在硅襯底上制作了分離式垂直腔面發(fā)射激光器的2D陣列。接觸退火、襯底去除、器件分離、鍵合和氧化物孔的形成在單個處理步驟中完成。測量了所制備器件的電致發(fā)光光譜、伏安特性和π特性。發(fā)現(xiàn)制造的器件的串聯(lián)電阻約為100歐姆。對于孔徑為25 m的器件,證明了閾值電流為8 mA的激射。 介紹      由于熱膨脹系數(shù)差異引起的應(yīng)力集成技術(shù)應(yīng)包括襯底釋放和器件分離。去除或減薄GaAs襯底是將熱失配應(yīng)力降低到可接受水平的重要第一步。我們的有限元分析表明,減薄附著的GaAs層會使應(yīng)力值降低3-6倍,這可能會增強(qiáng)系統(tǒng)的完整性,防止用于焊接...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 23
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要        采用移動網(wǎng)格技術(shù),建立了一種新的一維模擬模型來預(yù)測旋轉(zhuǎn)涂層薄膜的表面覆蓋度和平均厚度。用數(shù)值方法研究了初始輪廓、分配體積、溶劑蒸汽壓、相對濕度和初始粘度對涂層幾何形狀的影響。初步分配的體積、溶劑蒸汽壓、初始粘度和晶圓轉(zhuǎn)速是控制表面覆蓋度和平均膜厚度的有效參數(shù)。從新模型中推導(dǎo)出了自旋涂層工藝參數(shù)與膜幾何參數(shù)、表面覆蓋度和平均膜厚度的關(guān)系。結(jié)果表明,通過優(yōu)化操作參數(shù),可以降低每給定尺寸芯片的光刻膠溶液消耗。 介紹      半導(dǎo)體制造業(yè)通過減小特征尺寸和增加晶片尺寸來提高生產(chǎn)率,以在晶片中容納更多的芯片。特征尺寸減小到大約30-50納米,晶片尺寸增加到直徑300毫米。面對進(jìn)一步減小特征尺寸的技術(shù)困難,過渡到450 mm晶片工藝是一個重要問題。根據(jù)半導(dǎo)體國際技術(shù)路線圖,下一代晶圓尺寸為450毫米,計劃于2012年投入生產(chǎn),然而還有許多問題需要仔細(xì)研究,包括晶體生長和晶圓成型。為了準(zhǔn)備采用下一代晶圓,有必要相應(yīng)地重新設(shè)計所有半導(dǎo)體制造工藝。由于操作簡單,涂層均勻薄,旋涂主要用于光刻膠涂覆過程。 理論       表1總結(jié)了本研究中使用的材料特性和模型參數(shù)。這些值是根據(jù)為開發(fā)噴涂系統(tǒng)而進(jìn)行的有效實驗和數(shù)值研究...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 23
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      晶體氧化膜是眾多電子和光學(xué)器件的重要組成部分,其研究和制造涉及當(dāng)前科學(xué)技術(shù)的主要方面。大量的方法,如濺射、化學(xué)氣相沉積、脈沖激光沉積和溶膠-凝膠,通常被用于沉積這些薄膜,許多新技術(shù)正在開發(fā)。然而,在這些方法中,沉積的薄膜都是非定形的。對于那些需要晶體薄膜的應(yīng)用程序,需要一個額外的高溫處理步驟。這種高溫步驟可以導(dǎo)致將晶體氧化物膜與熱不穩(wěn)定基底和其他器件組件的理想特性結(jié)合起來的相當(dāng)大的限制。高溫加工也增加了相當(dāng)大的制造成本。介紹      本文描述了一種簡單的方法,提供了低溫沉積和結(jié)晶的一般方法。為了證明該方法的通用性,我們在這里描述了zn2sio4、二氧化鋯和二氧化錳薄膜的生產(chǎn),它們分別在顯示、電子和能源存儲方面具有應(yīng)用意義。本方法來源于我們關(guān)于用沉淀和水熱脫水(2)法制備氧化物粉的報道。實驗      實驗過程中,羥基沉淀物在水熱條件下脫水,在低至400K的溫度下產(chǎn)生無水的結(jié)晶氧化物。我們現(xiàn)在已經(jīng)將這種脫水和結(jié)晶過程與連續(xù)的離子層吸附和反應(yīng)(SILAR)沉積方法相結(jié)合,在低溫下生成全結(jié)晶的氧化物薄膜。在SILAR過程中,陽離子成分首先被吸附在基底表面,然后在水中沖洗步驟以產(chǎn)生近似的單層覆蓋。然后將底物轉(zhuǎn)移到含有陰離子成分的溶液中,其中在底物表...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 23
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      WL-CSP是一種低調(diào)的、真正的芯片尺寸封裝,完全建立在使用前端和后端處理的晶圓上。使用光電介質(zhì)和再分布金屬將管芯的外圍焊盤重新分布到區(qū)域陣列中,消除了對襯底或插入物的需要。焊球被放置在重新分布的金屬焊盤上并回流,形成一個大的間隙,提高了可靠性。通過仿真優(yōu)化了試驗車輛的保險杠結(jié)構(gòu)和襯墊幾何形狀,并進(jìn)行了試驗驗證。這種WL-CSP技術(shù)是使用一個5×5 mm2的芯片和0.5 mm間距的8×8焊料凸塊陣列進(jìn)行評估的。使用1.2毫米厚的2層FR-4板進(jìn)行板級可靠性測試,該板具有涂有OSP的0.25毫米非阻焊劑限定的銅墊。標(biāo)準(zhǔn)厚度的WL-CSP晶圓片為27密耳。進(jìn)行評估以評估通過減薄晶片來提高WL-CSPs的潛在可靠性。使用兩種技術(shù)將晶片減薄至4密耳厚。第一種方法是標(biāo)準(zhǔn)晶圓背面研磨。第二種是等離子體蝕刻的新方法,它產(chǎn)生無損傷的表面并提高晶片和管芯的強(qiáng)度。將通過比較標(biāo)準(zhǔn)WL-CSP和使用上述技術(shù)減薄的CSP來介紹板級可靠性。 介紹      隨著電子元件的尺寸不斷縮小,半導(dǎo)體行業(yè)正朝著集成電路小型化的方向發(fā)展。晶圓級芯片級封裝(WL-CSP)正在成為封裝中低輸入輸出設(shè)備的一種流行方法。WLCSP性價比高,易于測試,占地面積小,外形低調(diào)。 晶圓減...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 23
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      三維集成電路技術(shù)已經(jīng)發(fā)展成為半導(dǎo)體行業(yè)的新興技術(shù)。硅片減薄是三維集成電路和硅通孔形成的關(guān)鍵技術(shù)之一。本文報道了三維集成電路硅片濕法刻蝕減薄技術(shù)。 介紹       通過應(yīng)用摩爾定律,半導(dǎo)體已經(jīng)小型化。然而,小型化的發(fā)展仍然是復(fù)雜性急劇增加和設(shè)備成本巨大的問題。另一方面,除了用于小型化的技術(shù)之外的技術(shù)已經(jīng)被應(yīng)用到高性能半導(dǎo)體的開發(fā)中。開發(fā)高性能半導(dǎo)體最有前途的技術(shù)是使用硅片(或芯片)減薄和硅通孔(TSV)的三維集成電路。這項技術(shù)為高性能半導(dǎo)體提供了以下優(yōu)勢:增加特定物理卷的內(nèi)存容量;和更快的傳輸速度和更低的功耗,這是由于變薄和TSV效應(yīng)提高了邏輯和存儲器之間的響應(yīng)能力。 實驗和討論      圖1顯示了蝕刻速率驗證實驗的結(jié)果。      表3和表4顯示了各種氧化膜的蝕刻速率以及根據(jù)蝕刻速率計算的它們對熱氧化膜的選擇性比率。與異丙醇溶液中的[1:24]相比,熱氧化膜對水溶液中[1:3]的硝酸-氧化物的選擇性表現(xiàn)出非常大的差異。這一結(jié)果表明熱氧化膜不能被蝕刻,而存在可能蝕刻硝酸-氧化物的活性物質(zhì)。用于本實驗的異丙醇溶液中的氟化氫濃度明顯小于水溶液中的濃度(1:0.03);然而,HF濃度實際...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 22
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