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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統?●排風裝置(排風壓力、風量根據實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數;?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統,獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      本文研究了HF、HNO3和H2O體系中硅的蝕刻動力學作為蝕刻劑組成的函數。蝕刻速率與蝕刻劑組成的三軸圖顯示了兩種極端的行為模式。在高硝酸組成的區(qū)域,蝕刻速率僅是氫氟酸濃度的函數。在高氫氟酸組成的區(qū)域,硝酸濃度決定了蝕刻速率。后一區(qū)域的動力學行為因涉及硝酸還原產物的自催化而變得復雜。反應經過一個氧化步驟,然后是氧化物的溶解。在高氫氟酸區(qū)域,氧化步驟是限速的。在高硝酸區(qū)域,溶解步驟是限速的。在這兩個區(qū)域,試劑通過擴散流動到表面決定了蝕刻速率。蝕刻速率作為速率限制試劑濃度的函數的圖表明了蝕刻速率和濃度之間的指數關系。這種關系已經根據第二種非化學自催化因子,即反應的熱進行了定性的解釋。 介紹      本研究的目的是闡明確定酸蝕刻溶液行為的物理和化學過程。選擇HF、次硝酸~、H~O系統進行研究,因為從組成的角度來看,它是硅上使用的所有酸蝕刻系統中最簡單的一種。人們認為,理解簡單的系統是理解更復雜的系統中包含如醋酸、溴或重金屬鹽的添加劑的先決條件。 實驗步驟      所有的蝕刻都是在特氟隆燒杯中進行的,浸泡在25℃調節(jié)的恒溫浴中,然而,燒杯的傳熱性非常差,不一定能在蝕刻溶液中保持25℃的溫度。由于蝕刻周期一般小于1min...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 28
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      本文研究了n、p-、n+和p+硅在高頻溶液中溶解和電致拋光過程中的阻抗響應。特征的電容阻抗和感應阻抗被視為電勢和摻雜劑濃度的函數。對于n和p+硅,電極響應主要由亥姆霍茲層的電勢下降,在較高的電位下,對氧化物層的響應。特征性阻抗響應與Tafel的溶解和氧化物的形成有關。對于接近開路電位的p硅,從空間電荷層可以看到對阻抗響應的額外貢獻。對于n個硅,阻抗響應主要是通過空間電荷層的勢下降。 介紹      在過去的幾年中,硅在高頻溶液中的陽極溶解受到了相當大的關注,因為觀察到在低過電位下,在電拋光開始之前,硅以溶解的方式產生多孔層。由于多孔硅層的化學活性,其主要應用于集成電路中的介電隔離。本文研究了硅在高頻溶液中溶解的阻抗響應作為電極電位的函數。 實驗      所有實驗均在室溫下進行,對n型樣品進行的22次實驗均在黑暗中進行,以避免光電流的影響。測試前,每個樣品在甲醇中脫脂,并用蒸餾水(18MΩcm)沖洗。     實驗均使用了150cm3的聚四氟隆細胞。對例儀為鉑類紗布,參比電極為飽和熱量質電極。參考電極通過填充聚合物纖維的聚丙烯木質素毛細管分離出細胞。溶液由49重量%(無)心衰和去離子...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 28
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料      變形的亞微米顆粒的粘附和去除機理在以前的許多研究中沒有被提及。亞微米聚苯乙烯乳膠顆粒(0.1-0.5 m)沉積在硅片上,并通過旋轉沖洗和兆頻超聲波清洗去除。顆粒滾動被認為是從硅片上去除變形亞微米顆粒的主要機制。兆聲公司提供了更大的流動速度,因為極薄的邊界層導致更大的去除力,能夠實現污染顆粒的完全去除。      亞微米顆粒與表面的粘附和分離在半導體工業(yè)中具有重要意義。集成電路制造中超過50%的產量損失是由于器件晶片上的微污染造成的。隨著特征尺寸不斷縮小,避免污染的技術和保持晶片表面清潔的工藝變得至關重要。將低k聚合物引入下一代半導體器件晶片的效果產生了從半導體表面去除聚合物顆粒的需求。為了去除顆粒,有必要了解顆粒和接觸的基底之間的粘附和變形。      盡管已經使用不同的清潔技術進行了顆粒去除的研究,但是在許多顆粒去除研究中沒有涉及變形顆粒的去除。亞微米聚苯乙烯乳膠顆粒(0.1-0.5 m)沉積在硅片上,并通過旋轉沖洗和兆頻超聲波清洗去除。顆粒滾動被認為是從硅片上去除變形亞微米顆粒的主要機制。兆聲清洗提供了更大的流動速度,因為極薄的邊界層導致更大的去除力,能夠實現污染顆粒的完全去除。      我們做了顆粒粘附和去除...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 28
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料      微電子工業(yè)中高性能器件的快速發(fā)展需要非常好的清潔環(huán)境維護。潔凈室對于提供用于處理半導體器件的合適環(huán)境是必不可少的。然而,即使在這樣的環(huán)境中,也可能發(fā)生晶片表面的有機亞單層污染。在10級或更高等級的潔凈室中,有機化合物的濃度可能超過顆粒濃度幾個數量級。      一般來說,有機污染物要么來自潔凈室本身等工藝環(huán)境,要么來自制造過程不同階段使用的塑料儲存箱。我們已經發(fā)現晶片表面上吸附的有機化合物會導致缺陷,例如表面粗糙度增大、霧度的形成、條紋、對外延生長的損害以及柵極氧化物完整性的退化。       有機污染物要么被物理吸附,要么被化學吸附,這取決于它們的物理化學性質。一般來說,單層有機化合物在固體表面的吸附特性受它們的蒸汽壓、偶極矩和分子量的控。這種污染的控制,尤其是硅晶片上有機沉積動力學的知識,對于處理半導體器件制造的工業(yè)來說是至關重要的。盡管在實際的半導體制造過程中,某些化合物(如鄰苯二甲酸酯)的吸附動力學長達數天,但晶片暴露時間通常僅限于幾個小時。然而,即使暴露幾個小時也會導致低分子量有機化合物污染晶片表面。這種污染反過來會導致半導體電氣特性的惡化。      許多研究致力于開發(fā)定量晶片表面有機污染物的分...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 28
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料      本文講述了利用半導體制造中的酸和堿性溶液進行了硅片表面顆粒去除研究。結果表明,堿性溶液在顆粒去除效率方面優(yōu)于酸性溶液。堿性溶液中的顆粒去除機理如下:溶液蝕刻晶片表面以去除顆粒,然后從晶片表面電排斥顆粒。通過實驗確定,需要0.25nm/min或以上的蝕刻速率來去除吸附在晶片表面的顆粒。通過實驗確定,需要0.25nm/min或以上的蝕刻速率來去除吸附在晶片表面的顆粒。當混合ra-tio設置為0.05:1:5(NH40H:過氧化氫:HzO)時,NH40H-HzOZ-Hz0溶液的蝕刻速率為0.3nm/min。通過這個混合比,晶片的表面平滑度保持在初始水平。因此,可以將NH40H-HzOZ-Hz0溶液中的NH40H濃度降低到常規(guī)水平的1/20。     此外,已經證實,當NH40H-Hz0z-Hz0溶液的pH值升高時,聚苯乙烯乳膠球和天然有機顆粒被氧化,表面變成凝膠,形狀發(fā)生變化。有機顆粒的氧化可被降解。當NH40HHzO2-Hz0溶液中NH40H含量高于0.1:1:s(pH超過9.1)時,有機顆粒的氧化變得顯著。這些實驗結果表明,nh40H-hzo2-H20溶液的混合比應設為0.05:1:5。這種混合比可以有效地保持晶圓的顆粒去除效率和晶圓的表面平滑性。    &...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 28
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料      在超大規(guī)模集成生產中,要實現低溫加工和高選擇性,使硅片表面超潔凈至關重要。超凈晶圓表面必須完全 沒有顆粒、有機材料、金屬雜質、天然氧化物和表面微粗糙度,和吸附的分子雜質。目前的干法工藝,如反應離子蝕刻或離子注入,會導致高達10i2-1013 atom/em2的金屬污染。濕法工藝對于去除干法加工過程中引入的這些: 金屬雜質變得越來越重要。 硅片清洗的一般方法和金屬雜質      —般目前的硅片清洗有五個目的:去除有機物質中的氫、硫,,去除顆粒和金屬雜質,去除HCI-H2O2-H2O清洗中的金屬雜質,去除天然氧化物,去除超純水漂洗中的清洗液。表一顯示了我們采用的硅晶片濕法清洗工藝。圖2顯示了在每個濕法清洗工藝步驟中測量的硅晶片上的金屬濃度。很明顯,在每個工藝步.驟中都不會產生金屬污染。 液體中硅上金屬雜質分離的評價方法      液體中的金屬離子在硅晶片上的沉淀被認為是基于以下兩種機制。第一種機制是由于金屬離子與硅原子或硅表面的氫原子之間的離子交換而產生的沉淀。另一種沉淀機制是,隨著天然氧化物在硅表面上生長,金屬離子被氧化,并作為氧化物包含在氧化物膜中。具體解釋 略 用稀釋的氟化氫溶液去除金屬雜質  ...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 27
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      我們已經研究了有機污染物對電子器件的不利影響,一些表面分析技術清楚地證明了硅晶片在制造過程中被有機化合物污染。硅片被一種主要污染物鄰苯二甲酸二(2-乙基己基)酯故意污染;通過監(jiān)測擊穿電壓,詳細評估了其在硅熱氧化期間結合到氧化硅層中的情況及其對器件性能的影響。在被污染的硅表面的熱氧化過程中,由有機污染物的熱解產生的霧化碳物種有助于使氧化物生長得更厚,擴大氧化硅晶格,并降解氧化硅,透射電子顯微鏡和二次離子質譜顯示了這一點,并最終對器件性能產生不利影響。 概述      在本文中,我們重點關注有機污染物如何導致器件故障。我們首先描述了通過TD-GC/MS方法以及通過使用掃描電子顯微鏡/能量色散光譜掃描電子顯微鏡/能譜儀和原子力顯微鏡原子力顯微鏡對污染表面成像對晶片進行表面分析的結果。然后,我們通過測量擊穿電壓BVs,展示了在金屬-氧化物-半導體金屬氧化物半導體加工過程中,有機污染物結合到氧化物層中對器件性能的影響。最后,我們提出了器件失效的原因和機理。 實驗 略 結果和討論初步研究      圖2顯示了從正常生產和儲存的晶片中熱解吸的有機污染物的氣相色譜圖??梢钥闯觯M管污染物通常儲存在塑料盒中,但它們含有大約20-3...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 27
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      本文比較了介質刻蝕的不同方面。討論了刻蝕電介質的兩種主要技術,即二極管RIE和基于高密度的工藝。在這篇論文中,我們將更新這些技術的最新結果,并關注介電膜納米尺度蝕刻的日益增長的重要性。  裝備      傳統的二極管或平行板等離子體室在工業(yè)上已經很成熟。平行板系統通常分為兩種不同的類型;這些被稱為反應離子蝕刻(RIE)或等離子蝕刻(PE)系統。在這兩個平行板反應器中,RIE型系統是典型地用于蝕刻介電膜的系統。高密度等離子體(HDP)室被設計成使得等離子體電子在平行于室邊界的方向上被激發(fā)。最常見的HDP源是OIPT使用的電感耦合等離子體室。在該系統中,等離子體由纏繞在電介質壁外的線圈建立的磁勢驅動(典型設計見圖2)。      電感耦合等離子體用于電介質蝕刻的主要加工優(yōu)勢是更好的臨界尺寸控制、更高的蝕刻速率、更高的縱橫比和改進的加工窗口。電介質,特別是二氧化硅的圖案化是現代半導體器件、光波導、射頻識別、納米壓印等制造中固有的。由于較高的結合能,電介質蝕刻需要侵蝕性的、離子增強的、基于氟的等離子體化學系統。垂直輪廓通過側壁鈍化來實現,通常通過將含碳氟物質引入等離子體(例如,。CF4,CHF3,C4F8)。需要高離子轟擊能量來從...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 27
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要       本文通過內阻、x射線衍射、掃描電子顯微鏡、電感耦合等離子體和交流阻抗測量,研究了AB5、AB2、A2B7和c14相關的體中心立方(體心立方)金屬氫化物對堿性蝕刻(110?C下45%氫氧化鉀2小時)的響應。結果表明,蝕刻的稀土基AB5和A2B7合金表面覆蓋著氫氧化物/氧化物(重量增加),而過渡金屬基AB2和BCC-C14合金表面被腐蝕并滲成電解質(減重)。以C14為主的AB2、La-onlyA2B7和sm基A2B7在堿性蝕刻過程中內阻降低最大。高la含量的蝕刻A2B7合金內阻最低,建議用于鎳/金屬氫化物電池的高功率應用。 介紹      金屬氫化物(MH)合金,或儲氫合金,是一組能夠以固態(tài)形式儲存氫的金屬間合金(IMCs。其關鍵應用之一是可充電鎳、金屬氫化物(Ni/MH)電池,廣泛應用于消費電子產品以及固定和運輸儲能領域。各種各樣的金屬間化合物已被用作/被提議用作鎳氫電池負極的活性材料,如A2B、AB、AB2、AB3、A2B7、A5B19、AB5、體心立方(BCC)固溶體及其組合。這些金屬間化合物主要由過渡金屬組成,有些可能含有稀土元素。對于幾種新的MH合金,特別是最近發(fā)現的電化學性能得到改善的超晶格A2B7基合金,更新比較結果非常重要。  ...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 27
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      原子層蝕刻(ALE)是一種很有前途的技術,可以解決與連續(xù)或脈沖等離子體過程相關的挑戰(zhàn)——選擇性、輪廓和長寬比相關的蝕刻之間的權衡。與硅、氧化物等材料相比,氮化硅的原子層蝕刻尚未得到廣泛的報道。在本文中,作者演示了氮化硅在一個商業(yè)等離子體蝕刻室中的自限性蝕刻。本文所討論的過程包括兩個連續(xù)的步驟:在氫等離子體中的表面修飾和去除氟化等離子體中的修飾層。除了ALE的特性外,作者還證明了該過程是各向異性的,對氧化物的選擇性為100。雖然不能達到每個循環(huán)一個單層的飽和蝕刻速率,但氮化硅的自限蝕刻仍然使我們能夠將原子層蝕刻的好處,如沒有等密度偏倚和對氧化物的極高選擇性納入實際蝕刻應用。 介紹      氮化硅通常用作間隔物、襯墊、蝕刻停止層,或者用作自對準多重圖案化的犧牲心軸。 它也用作線路前端應用的硬掩?;驏艠O隔離物。碳氟化合物化學通常用于蝕刻對氧化物、硅和其他材料有選擇性的氮化硅。      本文討論的工作證明了氟化等離子體是DHF處理的一種替代方法——氫等離子體表面改性(步驟1)和氟化等離子體去除改性層(步驟2)。 實驗      氮化硅襯底在電容耦合等離子體中蝕刻。底部電極由13.56兆赫的射頻供電...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 27
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