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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據(jù)實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據(jù)情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      光學干涉測量法的一種新的應用,即自旋涂層的監(jiān)測,為基本理解過程動力學提供了有價值的信息。這可以增加自旋涂層對生產(chǎn)具有所需性能的薄膜的潛力。在露天和飽和溶劑環(huán)境中,測定了自旋玻璃薄膜在10-60秒的自旋時間內的時間演化。 介紹      自旋涂層最初被認為是一種恒定粘度的牛頓液體的流動,或在穩(wěn)態(tài)流動的假設下,對于牛頓和非牛頓液體。隨后,通過測定溶劑濃度或溶劑濃度之間溶劑輸運的線性傳質系數(shù),以恒定的速率引入大氣。通過將液體粘度近似為薄膜厚度的函數(shù)來實現(xiàn)進一步的分析細化,但也報道了耦合流動和傳質方程的有限元方法。關于這些模型中使用的基本預測的沖突仍然沒有得到解決,因為大多數(shù)模型的預測在實驗上仍然沒有得到支持。在玻璃上使用各種溶劑的電阻,在硅上具有不同粘度的聚合物,在玻璃上使用幾種溶劑、多聚勒、快速鎖圈結合,提出了最終fi1nl厚度的經(jīng)驗關系。這種結果基本上是通過紡絲后神經(jīng)獲得的,與現(xiàn)有模型預測的比較充其量是部分的和定性的。在這一研究過程中,首先據(jù)作者所知,一種昂貴的方法可以定量地捕捉自旋涂層的時間動力學的基本特征。這是通過對該過程的真實、現(xiàn)場、干涉監(jiān)測來實現(xiàn)的。雖然這里描述的技術一般適用于自旋涂層,但研究的特殊過程是用溶膠-凝膠制造硅自旋玻璃。 實驗...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 26
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要       眾所周知,在器件制造過程中反復使用的RCA標準清潔1會導致硅的蝕刻。在一些工藝流程中,當制造具有薄膜的器件時,例如在絕緣體上硅技術中,這種蝕刻可能是重要的。我們顯示,當在二氧化硅上的裸露硅層上涂覆10分鐘時,25-30埃的硅被改良版的SC1清洗劑(1:8:64重量份的NH4OH、H2O2和H2O)蝕刻掉。 介紹      制造業(yè)中使用了許多濕法化學清洗方案,其中最流行的是Kern在1965年開發(fā)的RCA標準清洗SC1。這種清洗的主要目的是從晶片表面去除顆粒和金屬等雜質。RCA清潔旨在分兩步完成。第一步,SC1清潔,它是氫氧化銨、氧化劑過氧化氫和水的含水混合物,混合比為1:1:5(80℃,10分鐘),已被用作顆粒去除清潔。在這個步驟中,硅發(fā)生氧化,隨后氧化物溶解,這使得表面終止于大約6的化學氧化物。已經(jīng)表明,為了良好的顆粒去除,有必要對表面進行輕微的蝕刻。SC2清潔是鹽酸和相同氧化劑過氧化氫的混合物,用于去除表面的金屬。 實驗條件和結果      為了檢查SC1清洗對薄膜厚度的影響,對具有非常薄的硅薄膜(20-30埃)的SOI晶片進行標準清洗,并在清洗之前和清洗之后1小時內在相同的位...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 26
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      硅可以在多種含氟等離子體和含氯等離子體中進行蝕刻。本文討論了在商業(yè)工藝設備中發(fā)揮的作用以及更復雜的相互作用和副作用的一些基本的化學和物理現(xiàn)象。 介紹      通過將這種材料的表面暴露在含氟和含氟等離子體中形成的物質上,電路模式被轉移到硅上。與這些過程相關的物理和化學已經(jīng)被研究多年,并以廣泛的形式被理解。下面將討論游離鹵素和含鹵素物質與硅的基本相互作用,反過來它們又與用于半導體生產(chǎn)線的復雜現(xiàn)象和化學饋電聯(lián)系起來。 條件和機制       通過高能離子增強機制對物質的蝕刻速率將跟蹤這些變化,例如在C12等離子體中未摻雜的多晶硅。導致等離子體蝕刻的過程可以用另一種方式來看待。一個相當一般的逐步描述、蝕刻劑的形成、蝕刻劑在基質上的吸附、化學或離子輔助反應和產(chǎn)品解吸。洗漬必須首先在等離子體中形成,然后吸附在底物上。接下來,蝕刻劑與基質結合,以兩種方式之一形成揮發(fā)性產(chǎn)物。如果自發(fā)化學反應快,如高摻雜硅與原子氯反應,過程可能占主導地位。然而,當化學反應緩慢時,如在未摻雜硅與c1的反應中,可能需要離子轟擊來驅動反應反應高能離子輔助機制。最后,在這些反應中形成的產(chǎn)物必須被解吸附。原則上,這些過程中的任何一個都可能是控制整體蝕刻速...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 26
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料介紹      半導體行業(yè)認為濕法清洗是關鍵的表面準備步驟。例如,硅/二氧化硅界面對于實現(xiàn)高柵極氧化物完整性和避免泄漏或堆垛層錯非常關鍵。同樣,太陽能行業(yè)也看到了濕法工藝實現(xiàn)最佳電池性能的價值。在這項研究中,我們強調了預清潔、紋理化和最終清潔對細胞參數(shù)的影響。我們還研究了將這些濕法清洗和紋理化步驟與PECVD步驟相結合的重要性,以獲得最高太陽能電池效率所需的薄膜質量。 實驗      濕化學工藝在全自動GAMA太陽能蝕刻和清洗站進行。單晶n型晶片被用于這項研究,作為HIT太陽能電池開發(fā)工作的一部分。晶圓在DIO3或SC1進行預清洗,然后在標準氫氧化鉀、異丙醇工藝中進行紋理化。在某些運行中,專有過程被應用于圍繞金字塔的頂峰。然后,在放置到等離子體化學氣相沉積工具中之前,在先進的氟化氫、氯化氫步驟中處理晶片。進行不同的等離子體化學氣相沉積分離以開發(fā)最佳工藝條件。 結果和討論      預清洗的效果測試了各種預清洗工藝,以確定它們對組織化步驟的影響。      最終清洗的效果在PECVD之前,必須特別注意最終清洗。      等離子體化學氣相沉積條件的影響在處理鎢、硫和碳晶片時考慮了這...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 26
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      一種基于簡單吸收光譜的光學技術已被證明用于監(jiān)測微電子制造中廣泛應用的水溶液中的金屬污染物沉積。被3.5ppm銅污染的0.15和0.25%高頻溶液的銅沉積被觀察到從硅片瞥入射反射的HeNe激光的吸收減少。這是由于傳質邊界層的Cu2耗盡引起的,提供了銅沉積受擴散速率限制的直接證據(jù)。這種技術允許在微電子制造的各種水處理步驟中,阻止哪些金屬物質可以以擴散限制的過程沉積在硅晶片上。此外,銅的沉積與Si07溶解的完成相一致,證實了Cu2被同時涉及Si氧化的無化學過程還原。吸收的減少與傳質邊界層厚度約為335(20)lim相一致。光吸收在沉積開始后約2mm恢復到原始值,與一層銅的擴散限制沉積一致,隨后過渡到懶表面速率限制過程。 介紹       半導體的水處理已被廣泛用于去除制造微電子器件的硅基質中殘留的金屬、有機物和粒子。一個典型的清洗順序可能包括高頻蝕刻,浸沒在SC-i和SC-2清洗溶液中,以及去離子水沖洗。高頻蝕刻的目的是去除天然氧化物(5i03),這通常是由于切割和拋光以及運輸和存儲而產(chǎn)生的嚴重污染。然而,表面金屬污染的程度很大程度上取決于濕式清洗的有效性和所使用的試劑的純度。由于平衡的方向可以位于任何一個方向,因此這些水溶液都可以沉積或溶解微量金屬污染物。...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 25
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      金屬污染物,如碳化硅表面的銅,不能通過使用傳統(tǒng)的RCA清洗方法完全去除。RCA清洗后,在碳化硅表面沒有形成化學氧化物,這種化學穩(wěn)定性歸因于RCA方法對金屬污染物的不完全去除,因為它通過氧化和隨后的蝕刻去除了金屬污染物。用氰化氫HCN水溶液清洗被金屬污染的碳化硅,然后進行RCA清洗,反之亦然,可以完全去除它們。結果表明,強吸附金屬和粗糙碳化硅表面底部區(qū)域的金屬不能分別用RCA法和HCN法去除。由于氰化物離子的高反應性,HCN方法可以去除強吸附的金屬,而底部區(qū)域的金屬不能被去除,因為去除過程需要形成大體積的金屬-氰化物絡合離子。 介紹      碳化硅具有優(yōu)異的物理性能,如高擊穿電場、高電子漂移速度和高熱導率。半導體清洗是器件制造最重要的工藝之一,。在制造硅大規(guī)模集成大規(guī)模集成電路的情況下,總工藝的25%以上用于清洗。碳化硅的化學穩(wěn)定性比硅高得多。RCA方法通常被認為是碳化硅清洗的唯一合適的技術。在本文中,研究了RCA方法的機理,特別是HPM技術,并且已經(jīng)表明只有在兩種清洗溶液,即先后使用了HPM和氰化氫HCN溶液。 實驗      首先,使用RCA方法清洗4H–sic 0001晶圓。然后,將晶片浸入0.08米氯化銅...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 25
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      目前的硅基技術要求萬億分之幾(PPT)范圍內的表面污染容限,要求烘烤溫度低于800℃的硅外延等工藝的較低熱預算,以及每次清洗的硅消耗量低于0.1毫米。      這些新的限制現(xiàn)在可能會超過同類最佳制造清洗序列的能力。一些關鍵原因是:      -其稀釋化學物質的清潔效率,即使與萬億比特化學物質的使用相結合,也可能無法滿足ppt污染要求,      -需要原始穩(wěn)定的氫封端硅表面終端,以滿足許多熱處理的低熱預算要求,      -按照ITRS路線圖的定義,使用過氧化物和基于臭氧的化學物質,每次清潔消耗的硅量固有地超過0.1毫米。 清潔效率      制造環(huán)境中使用的大多數(shù)當前濕法清洗工藝仍然用天然、化學氧化物層終止硅。這種天然或化學氧化物是清洗后污染的主要部分。傳統(tǒng)的濕法清洗化學品如氫氧化銨、鹽酸、硫酸、氫氟酸和過氧化氫的凈化已經(jīng)投入了大量的努力。添加H2O2、HCl和醇也常用于dHF混合物中,以抑制污染。雖然這些可能是一些有效的補救措施,但這些混合物中的主要成分超純水(UPW)仍然含有溶解的雜質,這些雜質會滲入化學氧化物或在清洗后終止于硅表面。&...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 25
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      硅是目前微電子工業(yè)中最重要的半導體材料,主要是由于Si/sio2界面的高質量。因此,需要硅底化學功能化的應用集中在二氧化硅表面的分子接枝。不幸的是,許多有機硅和硅硅鍵的聚合和水解問題影響了氧化硅(二氧化硅)的均勻性和穩(wěn)定性,如硅烷和磷酸鹽。這些問題刺激了在無功能分子的氧化硅表面接枝的努力,主要是濕的化學過程。因此,本文綜述直接關注無氧化物硅表面的濕化學表面功能化。首先總結了無氧化物氫端化硅的主要制備方法及其穩(wěn)定性。然后,功能化被功能有機分子間接取代h終止,如氫硅酸化,以及被其他原子(如鹵素)或小官能團(如OH,氨基)直接取代,可用于進一步的反應。重點介紹了最近發(fā)現(xiàn)的一種方法,在無氧化物、h端和原子平面硅(111)表面產(chǎn)生官能團納米模式。這樣的模型表面特別有趣,因為它們使推導出表面化學反應的基本知識成為可能。 介紹      硅一直占據(jù)著微電子行業(yè)的主導地位,部分原因是它豐富且相對便宜,可以生產(chǎn)高純度,但主要原因是它與氧化物界面的化學和電穩(wěn)定性。事實上,Si/sio2界面上低濃度的電缺陷態(tài)是未來器件的有力驅動因素。因此,許多工作都致力于通過OH基團嫁接分子來修飾二氧化硅表面,這些基團通常在濕化學清洗后終止二氧化硅表面。然而,與二氧化硅表面的修飾有關,有兩個相當基本...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 25
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      金屬污染是設備故障的主要原因。在外延(Epi)晶片的情況下,痕量金屬很可能存在于本體和表面中。一般來說,我們可以使用表面光電壓(SPV)或微光電導衰減(-PCD)對其進行批量分析,但是在重摻雜襯底上的外延晶片中的金屬污染,例如p/p+,不能通過這些方法來測量。我們可以使用光致發(fā)光(PL)和局部蝕刻電感耦合等離子體質譜(LE/ICP-MS)來分析塊體中的金屬污染。應用室溫光致發(fā)光技術對外延層和外延襯底中的金屬污染進行了評估,并且利用電感耦合等離子體質譜法可以對極小的金屬污染提供定性和定量的結果。利用這些方法還可以得到外延片(p/p+)中微量金屬的深度分布。本文解釋了外延襯底上的微量金屬對器件的影響。 介紹      晶體缺陷和金屬污染都被認為是器件失效的原因。金屬污染比晶體缺陷更能對外延(epi)晶片上微電子器件的性能產(chǎn)生不利影響。因此,評估溶解度或分離誘導的吸雜機制是否能夠描述痕量金屬在硅中的反應路徑是非常重要的。在這篇文章中,我們報告了一種新的技術,室溫下的光致發(fā)光技術,它被設計用來評估外延晶片中的金屬污染。 實驗     根據(jù)實驗方案,對65Cu污染組中的一些樣品進行了大塊金屬污染分析(圖。1). 室溫光致發(fā)光強度通過...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 25
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      從表面去除顆粒污染物是制造集成電路的晶片加工中的一個關鍵領域,通常使用濕化學制劑來完成。去除顆粒的策略需要了解顆粒沉積機理。在這篇綜述論文的第一部分,討論了表面粒子沉積的膠體化學原理。具體而言,綜述了范德華力和雙電層相互作用能對粒子-表面相互作用的重要性。接下來是對晶片加工中常用的顆粒去除方法的描述,即。兆頻超聲波清洗、刷子清洗和納米噴霧清洗。通過對老化效應的研究,強調了顆粒沉積條件在顆粒去除效率研究中的重要性。介紹      在集成電路(IC)制造中,隨著晶片上特征的制造尺寸減小到20納米以下,小于該尺寸的顆??赡苁遣焕赜绊懼圃炱骷漠a(chǎn)量和可靠性的缺陷。由于制造過程中使用了大量的濕化學處理步驟,液體化學品和去離子水的顆粒污染是一個主要問題。在某些情況下,顆粒也可以原位產(chǎn)生。有趣的是,一種被廣泛使用的稱為化學機械平坦化(CMP)的工藝使用顆粒漿料來平坦化晶片。雖然這種工藝違背了在制造過程中避免顆粒的概念,但由于化學機械拋光后的顆粒去除策略,這種工藝已經(jīng)成為一種可行的技術。      通過利用表面和膠體化學原理,在減少沉積程度以及有效去除顆粒污染物的方法方面取得了進展。本文的目的是回顧半導體加工中顆粒沉積和去除的原理和方法。在討論了范德華力(...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 24
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