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發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實(shí)際情況或客戶要求設(shè)計(jì))將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴(kuò)散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強(qiáng)力抽風(fēng)1個(gè)風(fēng)道口裝置(每個(gè)藥劑槽對應(yīng)一個(gè)),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動(dòng)調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時(shí)調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門:?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動(dòng)控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機(jī)界面為觸摸屏,接口中有手動(dòng)操作、故障報(bào)警、安全保護(hù)等功能,各工作位過程完成提前提示報(bào)警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨(dú)立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨(dú)立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計(jì),方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報(bào)警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動(dòng)搬運(yùn)方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個(gè)用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機(jī)           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機(jī)尺寸(參考):自動(dòng)設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動(dòng)各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計(jì)“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個(gè)全自動(dòng)的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個(gè)槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機(jī)臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報(bào)警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機(jī)、RCA清洗機(jī)、去膠機(jī)、外延片清洗機(jī)、酸堿腐蝕機(jī)、顯影機(jī)等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機(jī)Marangoni、單腔...
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“芯片之城”地標(biāo)產(chǎn)業(yè)來了!日前,江北新區(qū)舉行“芯片之城”地標(biāo)產(chǎn)業(yè)簽約儀式。市委常委、江北新區(qū)黨工委專職副書記羅群,新區(qū)管委會(huì)副主任陳潺嵋,東南大學(xué)首席教授、南京集成電路產(chǎn)業(yè)服務(wù)中心主任時(shí)龍興,金雨茂物投資管理股份有限公司董事長段小光, 南京中安半導(dǎo)體責(zé)任有限公司董事長曾安,江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司董事長劉欣宇出席活動(dòng)?;顒?dòng)中,超芯星半導(dǎo)體項(xiàng)目和中安半導(dǎo)體項(xiàng)目與新區(qū)簽約,未來都將落戶新區(qū)研創(chuàng)園。據(jù)了解,江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司主要從事6-8英寸SiC碳化硅芯片襯底研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,是國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅材料供應(yīng)商,碳化硅作為三代半導(dǎo)體材料,將在軌道交通、5G、新能源汽車等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。目前公司已推出大尺寸碳化硅擴(kuò)徑晶體,實(shí)現(xiàn)厚度突破,屬于技術(shù)領(lǐng)先的三代半產(chǎn)品??偛窟w入研創(chuàng)園后將推動(dòng)上市計(jì)劃,項(xiàng)目規(guī)劃三年實(shí)現(xiàn)6英寸碳化硅襯底年產(chǎn)3萬片,未來還將在SiC襯底產(chǎn)品的基礎(chǔ)上,將進(jìn)一步研發(fā)SiC切磨拋工藝,打造國內(nèi)SiC行業(yè)標(biāo)桿企業(yè)。另外,中安半導(dǎo)體作為先進(jìn)的半導(dǎo)體材料檢測設(shè)備研發(fā)商,擁有國內(nèi)領(lǐng)先的檢測設(shè)備研發(fā)能力。項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)擁有硅片檢測核心技術(shù),并且具備工程應(yīng)用、生產(chǎn)管理以及銷售服務(wù)等各方面的管理經(jīng)驗(yàn)以及多年所累積的市場資源。此次項(xiàng)目主要是開發(fā)半導(dǎo)體硅片平整度和三維形貌檢測設(shè)備,從事開發(fā)200mm和300mm硅片平整度和三維形貌檢測設(shè)備,目前已獲得金茂資本首期風(fēng)險(xiǎn)投資,未來將通過開發(fā)擁有獨(dú)立知...
發(fā)布時(shí)間: 2020 - 04 - 20
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華林科納清洗機(jī)視頻,可點(diǎn)擊全屏觀看,查看甩干機(jī)介紹。
發(fā)布時(shí)間: 2019 - 08 - 16
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華林科納清洗機(jī)視頻,可點(diǎn)擊全屏觀看,查看兆聲清洗設(shè)備介紹。
發(fā)布時(shí)間: 2019 - 08 - 16
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華林科納單片清洗機(jī)視頻,可點(diǎn)擊全屏觀看,查看單片清洗機(jī)介紹。
發(fā)布時(shí)間: 2019 - 08 - 16
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國外經(jīng)典半導(dǎo)體工藝視頻:晶圓表面電路的設(shè)計(jì)(下)↑  此文件僅供參考學(xué)習(xí),勿用于商業(yè)用途延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 12 - 03
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華林科納晶圓電鍍設(shè)備分兩個(gè)系列, CPE(半自動(dòng))/CPEA(全自動(dòng)),主要 用于半導(dǎo)體晶圓凸點(diǎn)UBM金屬層制作 以及陶瓷基板上的金屬層的電鍍; 還 可用于硅片制造中表層剝離、去除雜 質(zhì)以及大尺寸圖形腐蝕等方面。? 目前,比較典型的凸點(diǎn)制作工藝流程主要包括焊料凸點(diǎn)制作和金凸點(diǎn)制作。? 焊料凸點(diǎn)制作工藝流程: ? 清洗→濺射Ti/Cu→光刻1→電鍍Cu/Ni→去膠→腐蝕→介質(zhì)制作→光刻2→腐蝕介質(zhì)→去膠→濺射Ti/Cu→光 刻3→鍍Cu/Ni→鍍焊料→去膠→腐蝕Cu→腐蝕Ti→硅片回流→檢測凸點(diǎn)→劃片分割→成品。? 金凸點(diǎn)制作工藝流程: ? 清洗→濺射TiW/Au→厚膠光刻→掃膠→電鍍Au→去膠→清洗→腐蝕Au→腐蝕TiW→退火→檢測→成品。? 一般來說,凸點(diǎn)制備過程中,主要采用電鍍銅、鎳、金、錫鉛、錫銀等鍍種,一些特殊的凸點(diǎn)工藝還使用金錫、 錫、銀、銦、化學(xué)鍍鎳等鍍種。 更多的半導(dǎo)體清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 11 - 02
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刻蝕的目的是把經(jīng)曝光、顯影后光刻膠微圖形中下層材料的裸露部分去掉,即在下層材料上重現(xiàn)與光刻膠相同的圖形。刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個(gè)方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時(shí)金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù),國內(nèi)的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行,國內(nèi)腐蝕機(jī)做的比較好的有蘇州華林科納(打個(gè)廣告),腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時(shí),腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃動(dòng),浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)的作用是減小硅片的表面張力,使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸,從而達(dá)到充分腐蝕;2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液(氟化銨溶液)的槽中浸泡...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 07 - 25
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光刻的作用是把掩模版上的圖形轉(zhuǎn)換成晶圓上的器件結(jié)構(gòu),它對集成電路圖形結(jié)構(gòu)的形成,如各層薄膜的圖形及摻雜區(qū)域等,均起著決定性的作用。 光刻的基本流程:前處理——涂膠——對版曝光——顯影——顯影檢查——后烘——腐蝕——腐蝕檢查——去膠——檢驗(yàn)歸批。前處理硅片容易吸附潮氣到它的表面,硅片暴露在潮氣中叫做親水性。對于光刻膠的粘附性,具有干燥成疏水性的硅片表面非常重要,所以在成底膜和光刻膠旋涂前要進(jìn)行脫水烘焙。典型的烘焙是在傳統(tǒng)的充滿惰性氣體(如氮?dú)猓┑暮嫦浠蛘哒婵蘸嫦渲型瓿桑瑢?shí)際的烘焙溫度是可變的,常用的溫度是200—250℃。脫水后的硅片馬上要用OAP (常用HMDS溶液:六甲基二硅胺烷)成底膜進(jìn)行表面處理,它起到提高粘附力的作用。在硅片成底膜操作后盡快涂膠,使潮氣問題達(dá)到最小化。成底膜的方法有:1、滴浸潤液和旋涂:溫度和用量容易控制,但系統(tǒng)需要排液和排氣裝置,HMDS溶液消耗量大。2、噴霧分滴和旋轉(zhuǎn):優(yōu)點(diǎn)是噴霧有助于硅片上顆粒的去除,缺點(diǎn)是處理時(shí)間長和HMDS消耗大。3、氣相成底膜和脫水烘焙:最常用,氣相成底膜一般200—250℃下約30S完成。優(yōu)點(diǎn)是由于沒有與硅片接觸減少了來自液體HMDS顆粒沾污的可能,HMDS的消耗量也小。一種方法是先進(jìn)行脫水烘焙,再將單個(gè)硅片置于熱板上通過熱傳導(dǎo)熏蒸形成底膜,這種方法優(yōu)點(diǎn)是硅片由里向外烘焙,低缺陷密度,均勻加熱和可重復(fù)性。另一種方法是以...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 07 - 25
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1.鹽酸有何特征?答:純凈的鹽酸是無色透明的液體,一般因含有雜質(zhì)三氯化鐵而呈黃色。常用濃鹽酸中約含37%的氯化氫。鹽酸易揮發(fā),是一種強(qiáng)酸。在電鍍生產(chǎn)中廣泛使用鹽酸作為浸蝕劑。2.硫酸有和特征?答:濃度為96%的硫酸溶液,比重為1.84。濃硫酸具有吸水性,吸水過程中放出大量的熱量。在電鍍生產(chǎn)中廣泛使用硫酸作為浸蝕劑,由于其揮發(fā)性低,所以可利用加熱提高浸蝕速度。3.硝酸有何特征?答:硝酸是一種氧化型的強(qiáng)酸,在見光受熱時(shí)分解放出氧而使別的物質(zhì)氧化,所以硝酸應(yīng)盛在棕色瓶內(nèi),電鍍生產(chǎn)中廣泛使用權(quán)有作為浸蝕劑。4.現(xiàn)有濃鹽酸、濃硝酸、濃硫酸各一壇,能憑目測將它們分辨出來嗎?答:冒白霧的是鹽酸,冒黃煙的是硝酸,無煙霧的是硫酸。5.如何區(qū)別碳酸鈉,片堿(NaOH)?答:碳酸鈉又名純堿,又稱弱堿,是白色粉末,水溶液呈堿性,電鍍中配制去油溶液。片堿,化學(xué)名氫氧化鈉,是強(qiáng)堿,又稱燒堿,是白色固體或片狀體。與水溶解后放出熱量,易灼燒皮膚,電鍍中用堿性鍍槽、發(fā)黑、去油等用處。6.什么叫溶液、溶劑與溶質(zhì)?答:一種或數(shù)種物質(zhì)分散到另一種液體物質(zhì)里形成的均勻、穩(wěn)定液體叫溶液。能夠溶解其它物質(zhì)的液體叫溶劑,被溶劑溶解的物質(zhì)叫溶質(zhì)。7.什么叫溶解與溶解度答:溶質(zhì)在溶劑作用下,以分子狀態(tài)不斷地?cái)U(kuò)散到溶劑分子間去的過程叫做溶解。在一定溫度和壓力下,某溶質(zhì)在100克溶劑里達(dá)到飽和所溶解的克數(shù),叫做該溶質(zhì)在這種溶劑里的溶解度...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 07 - 23
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—來自華林科納 網(wǎng)絡(luò)部刻蝕的目的是把經(jīng)曝光、顯影后光刻膠微圖形中下層材料的裸露部分去掉,即在下層材料上重現(xiàn)與光刻膠相同的圖形??涛g方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個(gè)方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時(shí)金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù),國內(nèi)的蘇州華林科納在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行,現(xiàn)在國內(nèi)該設(shè)備(腐蝕機(jī))做的比較好的是蘇州華林科納,它通過與國際上知名公司的廣泛合作,目前已形成濕法清洗系統(tǒng) 刻蝕系統(tǒng)CDS系統(tǒng) 尾氣處理系統(tǒng)的四大系列數(shù)十種型號的產(chǎn)品,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時(shí),腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃動(dòng),浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)...
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