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濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實(shí)際情況或客戶要求設(shè)計(jì))將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴(kuò)散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強(qiáng)力抽風(fēng)1個(gè)風(fēng)道口裝置(每個(gè)藥劑槽對應(yīng)一個(gè)),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時(shí)調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門:?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機(jī)界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報(bào)警、安全保護(hù)等功能,各工作位過程完成提前提示報(bào)警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨(dú)立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨(dú)立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計(jì),方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報(bào)警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運(yùn)方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個(gè)用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機(jī)           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機(jī)尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計(jì)“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個(gè)全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個(gè)槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機(jī)臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報(bào)警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機(jī)、RCA清洗機(jī)、去膠機(jī)、外延片清洗機(jī)、酸堿腐蝕機(jī)、顯影機(jī)等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機(jī)Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料 氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體,屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是藍(lán)色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用值的半導(dǎo)體。   Gallium nitride is a semiconductor with a large band gap, which belongs to the so-called wide band gap semiconductor. It is an excellent material for microwave power transistor and a kind of semiconductor with important application value in blue light emitting devices. 氮化鎵(GaN)是鎵和氮的化合物,是一種具有寬帶隙和剛性六萬晶體 的半導(dǎo)體材料,帶隙是從周圍軌道中釋放電子所需的能量原子核,在3.4ev時(shí),氮化鎵的帶隙是硅的三倍以上。由于帶隙材料可以控制的電場,因此氮化鎵更大的帶隙使得制造耗盡區(qū)非常短或窄的半導(dǎo)體成為可能,從而實(shí)現(xiàn)具有極高載流子密度的器件設(shè)計(jì),更小的晶體管和更短的電流通道,使速度提高多達(dá)100倍。 Gallium nitride(GaN),a compound of&#...
發(fā)布時(shí)間: 2021 - 08 - 05
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就整個(gè)大屏顯示領(lǐng)域而言,小間距LED顯示技術(shù)火爆帶來的變革意義不言而喻——在等離子拼接勢微之后,讓大屏顯示市場再度三分天下。具體到LED顯示屏行業(yè),小間距LED顯示技術(shù)崛起的革新意義同樣不小,不僅讓沉寂已久的LED顯示屏行業(yè)再度朝氣蓬勃,成為了大屏顯示企業(yè)搶灘的熱門,更讓深陷價(jià)格戰(zhàn)泥潭的LED顯示行業(yè)有了新的價(jià)值競爭點(diǎn)——技術(shù)PK、解決方案PK、客戶體驗(yàn)PK等等??梢哉f,LED顯示屏行業(yè)競爭升級已經(jīng)不可避免。發(fā)展升級 LED顯示屏行業(yè)步入品牌競爭時(shí)代以小間距LED崛起為契機(jī),LED顯示屏行業(yè)展現(xiàn)出了巨大的市場增長潛力, 無論是出于對企業(yè)自身市場拓展的考慮還是基于整個(gè)大屏顯示行業(yè)前瞻性布局的需要,進(jìn)軍LED顯示行業(yè)都成為了必然的趨勢,不僅有傳統(tǒng)LED顯示企業(yè)的積極并購,比如,勤上光電收購彩易達(dá),洲明科技收購藍(lán)普科技,聯(lián)建光電控股易事達(dá)等,更有DLP拼接企業(yè),如威創(chuàng)、彩訊等),液晶拼接企業(yè)(如三星、飛利浦),積極搶灘。從業(yè)企業(yè)數(shù)量的激增讓LED顯示屏行業(yè)的企業(yè)群體逐步有了明顯的陣營劃分。從長遠(yuǎn)發(fā)展來看,企業(yè)群體有望形成以關(guān)鍵控制系統(tǒng)技術(shù)研發(fā)為主的技術(shù)開發(fā)型企業(yè),以規(guī)?;?biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)為主的產(chǎn)品制造型企業(yè),以市場應(yīng)用推廣為主的技術(shù)服務(wù)型企業(yè),以滿足專業(yè)市場需求為主的專業(yè)應(yīng)用型企業(yè)等等。不同的市場定位,意味著不同的市場切入點(diǎn)以及市場運(yùn)作模式,在這種情況下,企業(yè)如果想要脫穎...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 20
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蘇州華林科納半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)備有限公司(簡稱CSE),坐落于蘇州工業(yè)園區(qū),公司主要從事半導(dǎo)體、平板顯示、太陽能光伏領(lǐng)域濕法制程設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,產(chǎn)品性能居國際先進(jìn)水平。公司以打造擁有獨(dú)立自主知識產(chǎn)權(quán)的民族高科技企業(yè)為已任,以創(chuàng)建國際一流企業(yè)為愿景?,F(xiàn)擁有南通研發(fā)生產(chǎn)制造基地及待建二期15300多平米制造基地。CSE擁有10多位技術(shù)研發(fā)人員、20多名機(jī)械設(shè)計(jì)人員以及10余名售后人員組成的高素質(zhì)專業(yè)團(tuán)隊(duì)。作為國內(nèi)高端濕法制程設(shè)備供應(yīng)商,我們嚴(yán)格按照國際質(zhì)量管理體系標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行全員、全方位、全過程的運(yùn)作,并于2008年通過了ISO9001:2000質(zhì)量體系認(rèn)證。CSE注重持續(xù)創(chuàng)新和技術(shù)改進(jìn),目前已成功申請十幾項(xiàng)國家科研專利。作為一家快速崛起的電子設(shè)備制造商,CSE公司依托本地化的制造基礎(chǔ)和便捷服務(wù)、國際化的經(jīng)營理念和人才團(tuán)隊(duì)、先進(jìn)的工藝試驗(yàn)條件和暢通的零部件供應(yīng)渠道,使CSE核心競爭力不斷加強(qiáng)。
發(fā)布時(shí)間: 2013 - 11 - 29
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料將硅片放入擴(kuò)散爐前,應(yīng)先對其進(jìn)行清洗,以去除其表面的雜質(zhì)和顆粒。這被稱為“預(yù)擴(kuò)散清潔”。我們可以使用多種方法進(jìn)行預(yù)擴(kuò)散清潔。   Before silicon wafers are placed in a diffusion furnace, they should be cleaned first to remove impurities and particles from their surfaces.This is known as “pre-diffusion cleaning.” Pre-diffusion cleaning can be done using various methods.1.RCA清洗工藝(主要包括兩步)        標(biāo)準(zhǔn)清潔 1 (SC1)-使用含有氫氧化銨和過氧化氫的溶液清潔硅片,這有助于去除有機(jī)顆粒。然而,金屬離子仍然存在于晶片表面。Standard cleaning 1 (SC1) – The silicon wafers are cleaned with a solution containing ammonium hydroxide and hydrogen peroxide, which helps in removing org...
發(fā)布時(shí)間: 2021 - 08 - 05
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受國務(wù)院大力發(fā)展光伏發(fā)電和國家能源局調(diào)增2015年光伏發(fā)電并網(wǎng)17.8吉瓦的政策利好,日前SNEC第九屆國際太陽能光伏展在期盼中開幕,在喜悅中落幕。就在這一片喜悅中,筆者也注意到一個(gè)不尋常的現(xiàn)象,此次會展熱鬧中不乏一絲陰影,企業(yè)家臉上的憂郁時(shí)不時(shí)閃現(xiàn)。為此,筆者專程走訪了一些業(yè)內(nèi)人士,他們一致向筆者大倒苦水,呼吁能夠?yàn)閵A縫中求生存的電池組件企業(yè)和行業(yè)發(fā)出一點(diǎn)呼吁,給其一點(diǎn)生存和發(fā)展空間。2014年初,商務(wù)部發(fā)布了對原產(chǎn)于美國、韓國、歐盟的進(jìn)口太陽能級多晶硅反傾銷/反補(bǔ)貼最終裁定公告,政策發(fā)布后,我國加工貿(mào)易項(xiàng)下多晶硅進(jìn)口量激增。為進(jìn)一步封堵我國貿(mào)易救濟(jì)措施的漏洞,商務(wù)部于2014年8月起暫停受理太陽能級多晶硅加工貿(mào)易進(jìn)口業(yè)務(wù)申請,但考慮到下游企業(yè),決定給予加工貿(mào)易一年的延緩期。目前,加工貿(mào)易手冊臨近失效,中下游廠商面臨多晶硅加工貿(mào)易進(jìn)口被封堵的威脅,以及由此帶來的硅片、電池、組件毛利率大幅下降、企業(yè)陷入虧損等嚴(yán)重后果,因此,中下游廠商目前陷入“不敢接單、不敢進(jìn)口、不敢生產(chǎn)、不敢投資”的“四不敢”進(jìn)退兩難境地。這是為何?美元走強(qiáng),歐元走弱,光伏上網(wǎng)電價(jià)、系統(tǒng)造價(jià)繼續(xù)快速下降,這迫使組件、電池、硅片乃至硅料均必須相應(yīng)降價(jià),可是加工貿(mào)易暫停令如果真執(zhí)行,將給企業(yè)帶來懲罰性關(guān)稅、進(jìn)口增值稅等各項(xiàng)成本的增加11%-60%。而硅料成本大約占組件的2-3成,這帶來組件成本至少增加2%-3%。光伏...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 07 - 12
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料                                                                                硅晶片清潔過程是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵步驟。華林科納支持各種類型的晶圓清洗工藝,無論您是進(jìn)行研究還是大批量生產(chǎn),都可以保持純度。華林科納支持的清潔工藝包括RCA清潔、SC1和SC 2(標(biāo)準(zhǔn)清潔1和2)、預(yù)擴(kuò)散清潔,以及包括臭氧清潔和兆聲波清潔在內(nèi)的其他清潔工藝。1.晶圓清洗的目的 所述的目標(biāo)晶片清洗過程是在不改變或損害晶片表面或基底除去的化學(xué)和顆粒雜質(zhì)。晶片表面必須保持不受影響,這樣粗糙度、腐蝕或點(diǎn)蝕會影響晶片清潔過程的結(jié)果。硅晶片的良率與晶片加工的缺陷密度(清潔度和顆粒數(shù))成反比。降低缺陷密度和提高產(chǎn)量的一種方法是使用高效的晶圓清潔工藝,以有效去除顆粒污染物。對于更小的半導(dǎo)體器件和幾何形...
發(fā)布時(shí)間: 2021 - 08 - 05
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三星已經(jīng)打破晶圓代工臺積電獨(dú)大局面?半導(dǎo)體市場分析師指出,三星(Samsung)已經(jīng)打破了晶圓代工市場由龍頭臺積電(TSMC)獨(dú)大的局面--在臺積電最近發(fā)表2015年第一季財(cái)報(bào)后不久,有分析師預(yù)言,隨著使用臺積電最賺錢的幾個(gè)制程節(jié)點(diǎn),包括28納米到16納米的主要客戶如高通(Qualcomm)、聯(lián)發(fā)科(MediaTek)、蘋果(Apple)、Nvidia與Marvell,轉(zhuǎn)向?qū)で笕腔蚱渌A代工廠做為第二芯片供應(yīng)來源,臺積電恐在今年喪失定價(jià)權(quán)力。  “因?yàn)槿堑?4納米良率已經(jīng)達(dá)到七成左右,臺積電在晶圓代工市場的獨(dú)大局面已經(jīng)被打破;”Susquehanna International Group分析師Mehdi Hosseini表示:“三星在14納米節(jié)點(diǎn)的表現(xiàn)已經(jīng)媲美臺積電,而且能提供更低的每片晶圓平均單價(jià)?!贝送釮osseini指出,三星也取得了與高通、聯(lián)發(fā)科與Marvell等芯片業(yè)者的議價(jià)權(quán),因?yàn)檫@些芯片業(yè)者正在協(xié)商進(jìn)軍三星準(zhǔn)備在 2016年推出的新系列手機(jī);三星有更多動機(jī)可利用讓芯片業(yè)者贏得其手機(jī)設(shè)計(jì)案,做為交換晶圓代工業(yè)務(wù)訂單的籌碼。 臺積電在不久前表示將加快16納米制程量產(chǎn)速度,同時(shí)減少20納米產(chǎn)能;法國巴黎銀行(BNP Paribas)分析師Szeho Ng表示,臺積電的16納米與10納米進(jìn)度比預(yù)期提高,就是因?yàn)榧敝腱柟套约旱氖?..
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 05 - 31
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注塑制品質(zhì)量是產(chǎn)品性能和市場競爭力的關(guān)鍵指標(biāo)。為了深入解析其影響因素,我們采用魚刺圖(因果圖)進(jìn)行分析。圖1 魚刺圖(因果圖)將原料、注塑機(jī)、模具和成型條件作為四大主干因素,并進(jìn)一步細(xì)化分析各因素下的子因素。 01原料原料是影響注塑制品質(zhì)量的基礎(chǔ)因素。原料種類:不同種類的注塑原料具有不同的化學(xué)性質(zhì)和物理特性,這影響到注塑制品的力學(xué)性能、耐熱性、耐腐蝕性等。根據(jù)制品的使用環(huán)境和功能需求進(jìn)行原料種類的選擇。純度與雜質(zhì):雜質(zhì)可能導(dǎo)致注塑制品出現(xiàn)氣泡、裂紋、變形等缺陷,影響制品的外觀和性能。 圖2 PFA原料含濕性:原料中的水分含量過高會導(dǎo)致注塑過程中產(chǎn)生氣泡、縮孔等缺陷。注塑前應(yīng)對原料進(jìn)行干燥處理,確保水分含量在可接受范圍內(nèi)。顆粒特性:顆粒過大可能導(dǎo)致填充不均,顆粒過小則可能增加注塑機(jī)的能耗。物理性質(zhì):原料的熔點(diǎn)、粘度、流動性等物理性質(zhì)會影響注塑過程的穩(wěn)定性。物理性質(zhì)不合適的原料可能導(dǎo)致注塑過程中出現(xiàn)堵塞、溢料等問題。 圖3  DAIKIN 211原料物理性質(zhì)批次一致性:不同批次的原料可能存在差異,如成分、純度、物理性質(zhì)等,這可能導(dǎo)致注塑制品的質(zhì)量不穩(wěn)定。02注塑機(jī)注塑機(jī)作為注塑生產(chǎn)的核心設(shè)備,其性能穩(wěn)定與否直接關(guān)系到制品質(zhì)量。注射精度:注射精度的準(zhǔn)確性影響注塑制品的尺寸和形狀。注射精度受到注塑機(jī)本身的精度和穩(wěn)定性、模具的精度和耐磨性、原料的性質(zhì)和...
發(fā)布時(shí)間: 2024 - 04 - 15
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注塑制品質(zhì)量是產(chǎn)品性能和市場競爭力的關(guān)鍵指標(biāo)。為了深入解析其影響因素,我們采用魚刺圖(因果圖)進(jìn)行分析。圖1 魚刺圖(因果圖)將原料、注塑機(jī)、模具和成型條件作為四大主干因素,并進(jìn)一步細(xì)化分析各因素下的子因素。01原料原料是影響注塑制品質(zhì)量的基礎(chǔ)因素。原料種類:不同種類的注塑原料具有不同的化學(xué)性質(zhì)和物理特性,這影響到注塑制品的力學(xué)性能、耐熱性、耐腐蝕性等。根據(jù)制品的使用環(huán)境和功能需求進(jìn)行原料種類的選擇。純度與雜質(zhì):雜質(zhì)可能導(dǎo)致注塑制品出現(xiàn)氣泡、裂紋、變形等缺陷,影響制品的外觀和性能。圖2 PFA原料含濕性:原料中的水分含量過高會導(dǎo)致注塑過程中產(chǎn)生氣泡、縮孔等缺陷。注塑前應(yīng)對原料進(jìn)行干燥處理,確保水分含量在可接受范圍內(nèi)。顆粒特性:顆粒過大可能導(dǎo)致填充不均,顆粒過小則可能增加注塑機(jī)的能耗。物理性質(zhì):原料的熔點(diǎn)、粘度、流動性等物理性質(zhì)會影響注塑過程的穩(wěn)定性。物理性質(zhì)不合適的原料可能導(dǎo)致注塑過程中出現(xiàn)堵塞、溢料等問題。圖3  DAIKIN 211原料物理性質(zhì)批次一致性:不同批次的原料可能存在差異,如成分、純度、物理性質(zhì)等,這可能導(dǎo)致注塑制品的質(zhì)量不穩(wěn)定。注塑機(jī)02注塑機(jī)作為注塑生產(chǎn)的核心設(shè)備,其性能穩(wěn)定與否直接關(guān)系到制品質(zhì)量。注射精度:注射精度的準(zhǔn)確性影響注塑制品的尺寸和形狀。注射精度受到注塑機(jī)本身的精度和穩(wěn)定性、模具的精度和耐磨性、原料的性質(zhì)和工藝參數(shù)等多種因素的影響。穩(wěn)定性:注...
發(fā)布時(shí)間: 2024 - 04 - 15
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氟塑脂,作為一種重要的高分子材料,在化工、電氣、機(jī)械等領(lǐng)域中發(fā)揮著不可替代的作用。其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì),使其在各種極端環(huán)境下都能保持穩(wěn)定性和功能性。 其中,熔體流動速率和熔點(diǎn)作為氟塑脂的兩大關(guān)鍵性質(zhì),更是決定了其在加工和應(yīng)用過程中的表現(xiàn)。 熔點(diǎn) - 氟塑脂的熱穩(wěn)定標(biāo)志熔點(diǎn),簡單來說,就是物質(zhì)從固態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)橐簯B(tài)所需的溫度。對于氟塑脂而言,熔點(diǎn)是其在加熱過程中開始軟化和流動的溫度點(diǎn)。這個(gè)點(diǎn)標(biāo)志著氟塑脂從固態(tài)到液態(tài)的轉(zhuǎn)變,也意味著其分子鏈開始變得足夠活躍,可以在外力作用下流動和變形。 熔點(diǎn)高的氟塑脂通常具有(1)更好的耐高溫性能,適用于高溫環(huán)境或需要承受高溫的應(yīng)用場景。(2)更穩(wěn)定的分子結(jié)構(gòu)和更強(qiáng)的抵抗力,能夠抵御外部環(huán)境的侵蝕和破壞。 熔點(diǎn)決定了氟塑脂在擠出、注塑、吹塑等成型過程中的操作溫度。 如果加工溫度低于熔點(diǎn),氟塑脂將無法充分流動和填充模具;而溫度過高則可能導(dǎo)致材料分解或性能下降。 熔體流動速率 - 氟塑脂的流量密碼溶體流動速率(Melt Flow Rate,簡稱MFR)代表了其熔融狀態(tài)下的流動性,即單位時(shí)間內(nèi)通過標(biāo)準(zhǔn)口模的氟塑脂的質(zhì)量或體積。 在塑料加工過程中,如擠出、注塑等,氟塑脂需要以熔融狀態(tài)流動并填充模具。熔體流動速率的高低直接影響了氟塑脂的加工效率和成型質(zhì)量。速率較高意味著氟塑脂在...
發(fā)布時(shí)間: 2024 - 03 - 11
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