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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據(jù)實際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風通道內(nèi)設(shè)有風量導(dǎo)流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風量;3.2設(shè)備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料 半導(dǎo)體器件制造可能是一個復(fù)雜的過程。通常,完成一個制造周期可能需要長達八周的時間。在此過程中,使用由可靠工作的高質(zhì)量的濕法設(shè)備至關(guān)重要。這是確保所涉及的每個制造過程都符合重要的行業(yè)標準所必需的。 您如何選擇合適的濕法設(shè)備制造商來滿足您的所有工藝要求?您需要考慮以下幾個方面: 1.確認直接滿足您需求的濕臺設(shè)備制造商您可能需要考慮以下方面:您需要全自動化、半自動化還是手動控制?全自動工作站在所有流程步驟中都使用機器人技術(shù),通常用于優(yōu)化開發(fā)良好的流程。半自動化工作站使用機器人技術(shù)進行一些操作步驟的一些操作。手動濕臺站是最便宜的選擇,通常在開發(fā)需要手動交互且不使用任何機器人進行自動化的新工藝時使用;使用兼容的材料很重要。您需要考慮工程師將使用濕式工作臺進行什么樣的工藝,并確定必須使用哪種材質(zhì)的材料;考慮將在濕工作臺中使用的化學(xué)品類型,需要什么材質(zhì)的材料;該濕法設(shè)備制造商應(yīng)提供的設(shè)備是否符合所有消防安全和電氣安全規(guī)范等等。 2.選擇交鑰匙解決方案濕臺制造商應(yīng)該是擁有廣泛產(chǎn)品線的一站式出口。他們應(yīng)該提供完整的、完全集成的系統(tǒng)。您應(yīng)該選擇一個完整的交鑰匙解決方案。您應(yīng)該從供應(yīng)商處訂購半導(dǎo)體濕法設(shè)備,該供應(yīng)商不僅為您提供所需的濕法設(shè)備,還包括完整安裝、售后服務(wù)、技術(shù)支持和保修支持。 3.看名聲和歷史尋找一家在產(chǎn)品...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 09
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文章來自digitimes,感謝原作者付出,如轉(zhuǎn)載不當,請及時聯(lián)系后臺,謝謝。 為扶植當?shù)豂C產(chǎn)業(yè),以及盡速達成自給自足目標,大陸正試圖經(jīng)由扶持新創(chuàng)、收購、購并等新一波策略,來建立當?shù)貜姶蟮腎C供應(yīng)與制造能力。法新社隨著電子產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,近年大陸半導(dǎo)體產(chǎn)品進口金額不但已超越石油,IC進口金額與當?shù)豂C產(chǎn)值間的差值也在不斷擴大。為了扶植當?shù)豂C產(chǎn)業(yè),以及盡速達成自給自足目標,大陸正試圖經(jīng)由扶持新創(chuàng)、收購、購并等新一波策略,來建立當?shù)貜姶蟮腎C供應(yīng)與制造能力。調(diào)研機構(gòu)IC Insights報導(dǎo),大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略大致可分為三大階段。首先是1990晚期至2000年代初期,以建立當?shù)匕雽?dǎo)體純代工產(chǎn)業(yè)為主。例如大陸上海華虹于1997年與日本恩益禧(NEC)合資成立晶圓代工廠華虹NEC(Hua Hong NEC)。隨后在大陸第十個五年計劃中(2000~2005),亦將建立當?shù)鼐A代工產(chǎn)業(yè)列為優(yōu)先事項。因此,如中芯國際(SMIC)與上海宏力半導(dǎo)體(Grace Semiconductor,2012年初與華虹合并)等代工業(yè)者,紛于2000年成立;武漢新芯(XMC)也于2006年成立。2000年代初期,隨著IC設(shè)計(fabless)業(yè)者興起,大陸政府也開始積極扶持與培育當?shù)豂C設(shè)計業(yè)者,展開了第二階段發(fā)展。目前大陸前十大IC設(shè)計業(yè)者中,有8家是在2001~2004年間成立,并且有7家業(yè)...
發(fā)布時間: 2016 - 08 - 01
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華林科納給您解答化學(xué)品CDS系統(tǒng)維護保養(yǎng)疑難重點  CDS系統(tǒng)月、季度、半年、全年維護哪些方面?換下來的濾芯怎么清洗?是否可以重復(fù)使用不?這些都是硅片的清洗腐蝕設(shè)備在使用時要考慮到的問題,下面,華林科納就來一一為大家解答。
發(fā)布時間: 2016 - 05 - 31
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料濕法處理是半導(dǎo)體制造的一個重要方面,負責清潔晶圓材料。半導(dǎo)體的進步正在改變垂直行業(yè)。然而,制造高質(zhì)量的半導(dǎo)體芯片并非易事。半導(dǎo)體制造是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟,必須非常小心地完成。例如,半導(dǎo)體制造的靈敏度可以根據(jù)輕微的誤差會顯著影響半導(dǎo)體器件的效率這事實來確定。一般來說,半導(dǎo)體在大多數(shù)生產(chǎn)過程中都需要一個純凈或無污染的空間。濕法處理是半導(dǎo)體制造的另一個關(guān)鍵部分,用于蝕刻和清潔晶片。半導(dǎo)體制造商利用溫法加工來制造純晶圓。半導(dǎo)體晶片的濕蝕刻和清潔仍然是創(chuàng)建精確設(shè)計格式的最有效方法。濕法加工的應(yīng)用需要根據(jù)最終產(chǎn)品所需的工程格式將抗性材料放置在半導(dǎo)體晶片的表面上。對于各種半導(dǎo)體,該格式負責創(chuàng)建連接節(jié)點的可視化路線圖。隨后將晶片浸入或暴露于液體或蒸氣中,這將去除暴露的晶片并留下沉積材料的形式。最后,在進入半導(dǎo)體制造的下一階段之前,清潔晶片并檢查質(zhì)量。濕法加工也有各種工業(yè)應(yīng)用。各種多室清潔工具使用臭氧水作為晶片清潔材料。此類工具可能有多達十幾個以間歇方式運行的獨立單晶片室。該工具可確保臭氧化晶片連續(xù)流向每個腔室,并在清潔過程不運行時將流轉(zhuǎn)移到排水管。因此,濕法處理使這些工廠能夠以高效率運行。濕法加工是半導(dǎo)體制造的一個關(guān)鍵方面,因為制成品的成功和純度以及半導(dǎo)體器件的效率都依賴于濕法加工。華林科納作為濕法設(shè)備專業(yè)制造商,具有超20年濕法設(shè)備制造經(jīng)驗,擁有完整的濕法設(shè)...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 09
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文章來自digitimes,感謝原作者付出,如轉(zhuǎn)載不當,請及時聯(lián)系后臺,謝謝。8吋晶圓設(shè)備因消費者電子、通訊IC、傳感器市場需求成長而出現(xiàn)短缺現(xiàn)象。法新社 消費者電子、通訊IC、傳感器芯片等制造不需使用最先進的制程,因此隨著產(chǎn)品市場需求的激增,也讓8吋晶圓廠產(chǎn)能出現(xiàn)了短缺,全球芯片廠都希望能取得市場上為數(shù)不多的8吋晶圓設(shè)備。為因應(yīng)上述需求,應(yīng)用材料(Applied Materials)、艾司摩爾(ASML)、科林研發(fā)(Lam Research)等半導(dǎo)體設(shè)備大廠,不約而同重返8吋晶圓設(shè)備市場生產(chǎn)新的設(shè)備,而其他設(shè)備供貨商除了推出新的8吋晶圓系統(tǒng)外,也加強了中古設(shè)備的供應(yīng)。Semiconductor Engineering報導(dǎo)指出,「Core」意指需經(jīng)由原廠、第三方廠商或終端用戶翻修的中古設(shè)備。目前開放購買或庫存的8吋晶圓Core設(shè)備,共計約有600到720臺,但市場上對于8吋晶圓Core設(shè)備的需求則高達1,000臺,包括CMP、蝕刻、沉積、微影等工具都出現(xiàn)了嚴重的短缺。市場供不應(yīng)求也造成8吋晶圓設(shè)備價格的上漲。應(yīng)用材料營銷及業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理John Cummings表示,8吋晶圓技術(shù)制造技術(shù)基礎(chǔ)是一個正在成長的龐大市場,大量的汽車、行動系統(tǒng)及穿戴式裝置芯片,都是透過8吋晶圓技術(shù)制造。此外,封裝技術(shù)不斷進步,讓廠商有更多機會利用既有設(shè)計,發(fā)展出新的解決方案。在接下來幾年內(nèi),2.5...
發(fā)布時間: 2016 - 08 - 01
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料摘要紫外線臭氧和氧等離子體處理是清潔硅表面的兩種常用程序。通過這些方法清潔微機電系統(tǒng) (MEMS) 隱藏表面的程度尚未得到充分記錄。為了探索和比較兩種清潔 MEMS 閉塞區(qū)域的方法的有效性,制造了由大型可移動襟翼組成的設(shè)備以產(chǎn)生隱藏表面,其閉塞區(qū)域超過了 MEMS 設(shè)備中通常出現(xiàn)的縱橫比。定制翼片裝置中的翼片和基底之間的間隙被設(shè)計成在程度上是可變的。它們的內(nèi)部區(qū)域最初涂有化學(xué)吸附的單層膜,然后進行清潔。這兩種技術(shù)都去除了暴露表面上的單層,并且在某種程度上都去除了存在于封閉表面上的單層。發(fā)現(xiàn)氧等離子體是一種比紫外線臭氧方法更有效的清潔閉塞表面的方法。但是,在縱橫比為 1700 的異常大的遮擋中,即使是氧等離子體也無法去除化學(xué)吸附單層的所有痕跡。 關(guān)鍵詞:清潔程序、FOTAS、有機單層涂層、氧等離子體、表面處理、TOF-SIMS、紫外線臭氧介紹 表面力對微機電系統(tǒng) (MEMS) 運行的主要影響需要控制表面化學(xué)以控制和減輕這些力。清潔是表面化學(xué)控制的重要組成部分,因為化學(xué)吸附單層膜的附著依賴于所需涂層分子暴露于已知終止的表面 。例如,MEMS 制造工藝的變化會導(dǎo)致生產(chǎn)后表面化學(xué)成分的變化范圍很廣,而在設(shè)備存儲和/或操作期間通常會發(fā)生表面污染此外,物理吸附的碳氫化合物和水層會在真空和環(huán)境條件下冷凝到表面 ,并且它們通常無法通過簡單地暴露在超高真空...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 07
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清洗設(shè)備專業(yè)生產(chǎn)廠家華林科納淺談PP、PE廢舊薄膜破碎清洗生產(chǎn)線 蘇州華林科納(CSE)PP、PE廢舊薄膜破碎清洗回收生產(chǎn)線主要由:輸送帶,破碎機,磨擦清洗機、沉淀漂洗池、螺旋提升機、脫水機,風管干燥系統(tǒng)、料倉、控制面板等組成的。 PP、PE廢舊薄膜破碎清洗回收生產(chǎn)線是通過引進、消化吸收國際同行業(yè)的先進理念和技術(shù)、并結(jié)合當今發(fā)展的需求和廢塑料二次應(yīng)用的特性研制開發(fā)而成的。是可以滿足國內(nèi)外對廢塑料再生處理的環(huán)保要求。主要處理的料物是為PE/PP塑料,PE/PP塑料垃圾混雜物,廢舊PP編織袋、、塑料袋,生活垃圾塑料、廢舊農(nóng)膜地膜。整條生產(chǎn)線從開始作業(yè)到成品、是可以非常容易的清洗廢塑料制品。廢臟農(nóng)用薄膜、廢包裝材料或者硬塑料在這里一步步得到處理。整條生產(chǎn)線簡潔而有效的設(shè)計使得流水線在國內(nèi)外大受歡迎的。 嚴格按照CE認證要求的生產(chǎn)工藝使得機器的質(zhì)量、安全性更加的可靠。PP、PE薄膜清洗設(shè)備產(chǎn)量:100—1000kg/h。 PP、PE廢舊薄膜破碎清洗回收生產(chǎn)線、PP、PE薄膜破碎清洗設(shè)備、廢舊薄膜清洗回收設(shè)備、廢舊農(nóng)膜地膜清洗設(shè)備、廢舊塑料清洗設(shè)備、廢舊塑料清洗生產(chǎn)線、廢舊塑料清洗流水線專業(yè)生產(chǎn)廠家。
發(fā)布時間: 2016 - 05 - 31
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料介紹幾十年來,硅一直是半導(dǎo)體的選擇,用于制造電源晶體管。硅垢的物理限制迫使研究和采用新材料。在生產(chǎn)準備的發(fā)展 ,III-V化合物半導(dǎo)體 ,氮化鎵(GaN)是硅的一個有吸引力的替代品。 優(yōu)勢:更高的體積流動性比硅,更高的通電流和更低的關(guān)電流,缺點:GaN薄膜的外延生長仍處于發(fā)展階段,需要進一步的工作。項目工藝流程      制造的工藝流程  樣本采集    氮化鎵腐蝕理論  氮化鎵在ICP腐蝕劑中的腐蝕速率與偏壓的關(guān)系氮化鎵是一種堅韌的蝕刻材料。 Ga和N 原子之間以離子形式結(jié)合因此它的鍵能比傳統(tǒng)Si或大多數(shù)其他iii - v材料堅韌。臺面腐蝕:   文章全部詳情,請加華林科納V了解:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 25
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料摘要納米壓印光刻 (NIL) 已被證明是一種復(fù)制納米級特征的有效技術(shù)。NIL 工藝包括逐場沉積和曝光通過噴射技術(shù)沉積到基板上的低粘度抗蝕劑。帶圖案的掩模下降到流體中,然后通過毛細作用迅速流入掩模中的浮雕圖案。在此填充步驟之后,抗蝕劑在紫外線輻射下交聯(lián),然后去除掩模,在基板上留下圖案化抗蝕劑。有許多標準可以確定特定技術(shù)是否已準備好進行大批量半導(dǎo)體制造。列表中包括重疊、吞吐量和缺陷率。與任何光刻方法一樣,壓印光刻需要識別和消除缺陷機制,以便始終如一地生產(chǎn)出設(shè)備。NIL 具有該技術(shù)獨有的缺陷機制,它們包括液相缺陷、固相缺陷和顆粒相關(guān)缺陷。尤其更麻煩的是掩?;蚓砻嫔系挠差w粒。硬顆粒有可能在掩膜中產(chǎn)生永久性缺陷,無法通過掩膜清潔過程進行糾正。如果要滿足擁有成本 (CoO) 的要求,則必須最大限度地減少顆粒形成并延長掩模壽命。在這項工作中,詳細討論了包括原位顆粒去除、口罩中和和抗蝕劑過濾的方法。由于這些方法以及已經(jīng)開發(fā)的技術(shù),晶片上的粒子數(shù)減少到每條晶片路徑僅 0.0005 個或超過 2000 個晶片的單個粒子,下一個目標是每條晶片路徑 0.0001 個。粒子加成器的減少與掩模壽命直接相關(guān),并且演示了 81 個批次(約 2000 個晶片)的掩模壽命?,F(xiàn)在正在開發(fā)新方法以進一步擴展掩模并降低擁有成本。在這項工作中,還介紹了工具上晶圓檢查和掩模清潔方法。...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 07
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橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體日前宣布,美國高通公司(Qualcomm Incorporated)的子公司Qualcomm Technologies Inc.計劃增加對意法半導(dǎo)體慣性傳感器解決方案的軟件支持,包括意法半導(dǎo)體獲獎的iNEMO?慣性傳感器模塊。雙方預(yù)計,通過利用傳感器內(nèi)部硬件特性,新增軟件支持功能,這將有助于手機廠商快速推出基于Qualcomm?Snapdragon?處理器的Android?安卓智能手機,而且功耗降至最低,同時具有高性能的傳感器功能。該參考軟件現(xiàn)已面世,能夠滿足OEM廠商研制新產(chǎn)品的特定需求。該合作開發(fā)協(xié)議擴大到意法半導(dǎo)體的所有慣性傳感器模塊和傳感器(運動傳感器、環(huán)境傳感器和聲學(xué)傳感器),最初階段的研發(fā)重點是在高通科技的主要參考設(shè)計中支持意法半導(dǎo)體榮獲MEMS & Sensors Industry Group年度產(chǎn)品獎的LSM6DS3慣性傳感器模塊。LSM6DS3是一款不間斷運行的低功耗慣性傳感器模塊,內(nèi)置3D陀螺儀和優(yōu)異的感測精度。意法半導(dǎo)體獨有的靈活的傳感器架構(gòu)與Snapdragon’的超低功耗上下文數(shù)據(jù)處理方法優(yōu)勢互補。憑借Qualcomm All-WaysAware?安全后臺傳感器控制功能以及大量的實用功能,包括傳感器數(shù)據(jù)與定位技術(shù)、調(diào)制解調(diào)器和攝像子系統(tǒng)的數(shù)據(jù)整合,模塊支持更長久的電池續(xù)航時間。Qualcomm ...
發(fā)布時間: 2016 - 07 - 25
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