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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據(jù)實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據(jù)情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料本文涉及一種晶片干洗系統(tǒng),更詳細地說,涉及一種能夠提高對晶片的干燥效率的馬蘭戈尼型(MARANGONI)TYPE)干洗系統(tǒng)。馬蘭戈尼型干燥劑系統(tǒng),可以提高晶片的干燥效率。 上述干燥劑系統(tǒng)將低表面張力的異丙醇蒸氣噴射到晶片的表面,使存在于上述晶片表面的去離子水干燥,干洗系統(tǒng)配備充有去離子水的殼體及充有異丙醇的液罐,殼體內內置晶片,所述液罐設有產生異丙醇蒸氣的泡泡器,殼體的上部安裝有內置第一散流器的引擎蓋,所以殼體的兩側部分別安裝有第二和第三散流器。 第一至第三散流器收納所述異丙醇蒸氣,分別向晶片的上部及兩側部噴射,異丙醇蒸氣由來自氮源的套利性氮氣傳遞到所述第一至第三間雜波,異丙醇蒸氣由上述第一至第三散流器向晶片的上部及兩側部噴射,從而提高了對晶片的干燥效率。為了提高半導體元件的質量,必須通過清洗工藝,由于上述脫離子水具有溶解硅的性質,必須完全干燥晶片,以避免在清洗工藝后形成脫離子水中的水斑(WATER SPOT)。為了提高對上述晶片的干燥效率,近年來采用了利用馬蘭戈尼效應(MARANGONI)EFFECT)的干燥方法, 馬蘭戈尼干燥方法是在一個液區(qū)存在兩個不同表面張力區(qū)的情況下,利用液從表面張力小的區(qū)域向表面張力大的區(qū)域流動的原理對晶片進行干燥。 圖1 顯示以往晶片干燥用馬蘭戈尼型干燥劑系統(tǒng)結構的概略圖如圖1中所城市的那樣,以往...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 13
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言石墨烯與通常應用于標準光刻過程中的聚合物的高親和力,并且不可避免地會改變石墨烯的電學性質,通過拉曼光譜和電輸運研究,我們將石墨烯器件的室溫載流子遷移率與石墨烯中有序域的大小聯(lián)系起來。我們還發(fā)現(xiàn)這些有序結構域的大小受到光刻后清洗過程的高度影響。最后表明,通過使用聚(二甲基戊二酰亞胺)(PMGI)作為保護層,提高了CVD石墨烯器件的產量。相反,與傳統(tǒng)生產方法制造的器件相比,它們的電學性能會惡化。在高質量石墨烯的幾種合成方法中,化學氣相沉積(CVD)是大規(guī)模生產最常用的方法之一。然而,石墨烯基器件大規(guī)模生產的挑戰(zhàn)是基于石墨烯的電子工業(yè)全面發(fā)展的巨大障礙。這是由于難以避免石墨烯的結構降解和化學污染。因此,在本研究中,我們利用拉曼光譜和電輸運技術進行了研究。 實驗我們在300納米厚的二氧化硅層上使用了CVD石墨烯,石墨烯器件是在場效應晶體管結構(GFET)中通過兩個光刻步驟生產出來的(圖1)。第一步用于定義石墨烯器件的幾何形狀,第二步用于制造電極。在第一個光刻步驟中,石墨烯上涂有一層1340nm厚的光刻膠(圖1a),然后,通過直接激光書寫光刻技術(圖1b)來定義器件的幾何形狀,然后在AZ351B(1:4)顯影劑中開發(fā)暴露的光刻膠,圖1c。在這一發(fā)展之后,多余的石墨烯用o2等離子體去除石墨烯(圖1d)。最后,我們使用不同的協(xié)議去除光刻膠層(圖1...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 13
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言本文提出了使用軟墊拋光(第二步去離子水拋光)和機械刷清洗工藝中的顆粒去除模型,并將其與一次拋光對氧化晶片表面的平均顆粒粘附力進行了比較。流體流動引起的水動力太小,無法單獨去除漿液顆粒,顆粒很可能通過墊或刷子接觸力和水動力阻力一起從表面去除。這一結論與實驗觀察結果相一致,將對去除力進行估計和補償。 顆粒去除機制需要評估由于流體流動而引起的粗糙度和晶圓之間的顆粒上的水動力,因為它們有助于在清洗過程中去除顆粒,在緩沖或刷子清洗中,除了對顆粒施加水動力外,由于表面能高的軟聚合物材料與變形有關,因此大部分是彈性的,JKR粘附模型可用于預測粗糙度變形,其中,r為粒子與襯墊之間的接觸半徑,接觸面積的尺度可以與粒子相比較,這意味著與粒子與晶片之間的粘附力相比可能非常大。f為粒子與粗糙度之間的摩擦系數(shù),當精密強度橫掃設備特性時,在一次拋光中證明了該力的強度。在過度拋光過程中,會導致大氧化物面積的嚴重邊緣圓形和小特征的嚴重侵蝕。因此,這種摩擦力可能在粒子去除過程中發(fā)揮重要作用。如果顆粒的粘附力大于顆粒的粘附力,則將從表面去除顆粒。然而,一旦顆粒深入晶片,顆粒粘附力較大,均勻粘附力就很難將其從晶片上拉出來。對于CMP的清洗過程(如圖 1)所示,由于粒子和晶圓接觸半徑與粒子半徑相比小,a/1.4R將遠遠小于k。粒子比滑動或提升更容易脫離表面。在緩沖步驟中,...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 13
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料本文介紹了防止金屬和微粒子粘附到晶圓表面的表面活性劑添加藥液、螯合劑添加藥液、以及能夠比以往的BHF更精確地蝕刻各種氧化膜的氟化物添加的低介電常數(shù)溶劑。半導體器件是在硅基板上全面形成金屬和絕緣膜的薄膜,只蝕刻除去必要的部分,從而形成圖案而制作的,要形成高質量的薄膜,基板的高清凈化是非常重要的要點,另外,為了實現(xiàn)高集成化,薄膜的正確蝕刻除去是非常重要的要點。圖1所示的接觸孔底部的自然氧化膜通過濕法工藝去除的情況下,摻雜氧化膜和非摻雜氧化膜同時與蝕刻液混合就會暴露。 因此,正確控制各種氧化膜的蝕刻速率變得非常重要,通過使用相對介電常數(shù)低的溶劑代替一般作為BHF溶劑使用的水來抑制HF和HF2-的解離,其結果,介紹了只能夠選擇性地蝕刻摻雜氧化物膜的結果和能夠使非摻雜氧化物膜和摻雜氧化物膜的蝕刻速率達到等速的結果。 圖1 接觸孔底部自然氧化膜的去除圖2顯示的是BHF中的NH、F濃度與BSG膜、熱氧化膜(THOX)的蝕刻速率、以及被預測為蝕刻種類的HF、HF2濃度之間的關系。 雖然詳細的蝕刻機理尚不清楚,但可以預測,摻雜了三價雜質B的BSG膜的蝕刻種類以HF為主體,僅有Si-o鍵的熱氧化膜的蝕刻種類以HF2一為主體。 已知溶解離子性固體的液體的能力高度依賴于液體的相對介電常數(shù),1價陽離子和陰離子間的吸力與相對介電常數(shù)成反比,上述緩沖氫氟酸的溶劑是水...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 13
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言本文介紹了一種用于去除顆粒的化學機械拋光清洗劑,該清洗劑由氟鋁氧離子螯合劑和氟鋁氧離子表面活性劑組成,通過改變刷子轉速、刷子間隙和去離子水流量等參數(shù),進行了一系列實驗,以確定最佳清洗效果。原子力顯微鏡(AFM)測量用于表征銅表面的表面形態(tài)和磨粒的去除,用EDX掃描電子顯微鏡觀察和分析了顆粒的形狀和元素,獲得了化學機械拋光清洗劑的最佳參數(shù)。在這些條件下,二氧化硅磨粒被有效去除,提出了刷式洗滌器清洗是CMP清洗劑中最有效的方法,具有較高的物理力清洗性能。 實驗所有實驗均采用300mm覆蓋銅晶片切出的銅片(直徑10.16mm),拋光過程采用CMP拋光器進行,工作壓力為2psi,壓頭速度/壓板速度為55/60rpm,漿液流量為150ml/min,拋光時間為10s,隨后采用CMP清潔劑(G&P,412S)進行銅片處理,清洗液包括FA/OII螯合劑和FA/OI表面活性劑。清洗機在刷子上方有兩個獨立的噴霧棒,清洗液或DIW從噴霧棒流出,并通過刷子芯流出。 圖1      如圖所示1,晶片水平地位于刷子清洗盒中,噴霧棒在刷子的上方,清洗液或DIW從噴霧棒流出,并通過刷芯流出,將轉速、清洗時間和電刷間隙作為這些實驗的變量,刷狀間隙定義為晶片表面與刷狀結節(jié)之間的距離,間隙越小,對晶片的壓力就越大,采用原子...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 13
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言      用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結構[1,2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物硅在HF-HClCl2混合物中的擴散控制溶解過程通過改變流量形成各種形態(tài) 蝕刻混合物的速度[4,5]超聲波輔助導致蝕刻的高速運動 晶片表面的混合物 參數(shù)影響      高濃度的高頻導致拋光晶片表面紋理化,大量的鹽酸氯氣濃度需要提高晶片表面和蝕刻率,超聲輔助表面的高流速有利于紋理化和增加蝕刻率超聲輔助導致溫度上升,因為能量輸入高,溫度升高降低了氯氣在蝕刻混合物中的溶解度,降低了蝕刻率和反射率。  反射率測量      氯氣注入高頻-HCl溶液之前和蝕刻單晶硅片高蝕刻率高達0.45µmmin-1片分別浸入水平或25垂直蝕刻溶液超聲波場從底部或兩側蝕刻槽反射率下降到6.3%。超聲波場在撞擊固體物體時減弱,形態(tài)從晶圓邊緣到中間變化,因為相鄰晶圓的聲影在晶圓中間蝕刻多個晶片時反射率在薄片中惡化,之間距離較低,同時從底部用超聲波場水平蝕刻,效果最好。  結果      HF-HCl-Cl2溶液允許各向異性蝕刻過程,產...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言本文研究了簡單的化學清洗技術,易于在制造環(huán)境中使用,并使氮化鎵表面無損傷。 描述了使用同步加速器輻射~SR,研究氮化鎵的電子結構,經(jīng)過濕式化學清洗序列后再加熱的表面,通過使用在200-1000eV范圍內的SR,我們監(jiān)測了Ga、N、O和C的核心水平,表明在硫酸/過氧化氫處理后,一種弱結合的碳氧化物被化學吸附到氮化鎵表面,并通過加熱去除。 實驗利用同步輻射對電子結構的近表面探測,來確定一個簡單而有效的清潔處方,以去除氮化鎵表面的碳和氧,利用光子能量范圍為200~1000eV的單色同步加速器輻射進行光電發(fā)射電子能譜分析。用半球形能量分析儀對發(fā)射的光電子進行分析,其能量分辨率約為0.2eV。所有已知感興趣的元素的核心水平強度~Ga、N、C和O!在探測氮化鎵表面的最后幾個單分子層時進行了測量。這種表面靈敏度是所使用的光子能量的短逃逸深度的直接結果,我們估計為一個或兩個晶格單元單元。研究了清洗過程的化學性質、退火環(huán)境和退火過程的溫度。纖鋅巖氮化鎵~0001,薄膜為p型~Mg摻雜53 1017 cm2 3 -1 3 1018 cm2 3,0.1mm厚,分子束外延生長在c軸藍寶石基底上的AlN緩沖層上。通過優(yōu)化III-V清洗中傳統(tǒng)的硫酸化學方法,發(fā)現(xiàn)了清洗化學性質。濕化學處理為4:1硫酸~51%,到過氧化氫的~值為30%,氨純度為99.9...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言本文研究了外延沉積前原位工藝清洗的效果,該過程包括使用溶解的臭氧來去除晶片表面的有機物,此外,該過程是在原位進行的,沒有像傳統(tǒng)上那樣將晶圓從工藝轉移到?jīng)_洗罐。結果表明,與不使用溶解臭氧作為表面處理的工藝相比,溶解臭氧顯著提高了產率。另外還表明,稀釋化學物質和原位高頻/干燥是先進IC制造中成功沉積晶圓加工所需的關鍵因素。以下研究提供了證明在干燥機中一步稀釋現(xiàn)場高頻的數(shù)據(jù)和過程。 實驗所有實驗都是在Naura-Akrion的GAMATM自動濕站上進行的,該站能夠執(zhí)行多罐序列和單罐原位過程。在外延生長步驟之前,硅片在工具中進行處理,用于進行外延前清洗。裸硅晶片用虛擬氧化物晶片處理,交替或夾心,以模擬圖案晶片的情況。為了抵消高水平的污染過程,采用了多種清洗技術,并與傳統(tǒng)的多罐方法進行了比較。使用的材料是:配備GAMATM濕工作臺的LuCIDTM干燥機(高頻控制注射),KLA-Tencor表面掃描(≥0.12µm檢查),低顆粒計數(shù)的裸硅晶片和熱氧化物晶片。濃度和參數(shù):100:1HF(23oC)、400:1dHF(23oC)、1:2:50dSC1(50oC和800W)、DIO3沖洗(23oC下~5-10ppm)。 結果與討論典型的標準工藝是使用高溫的h2預烘烤來分離晶片上的天然氧化物,以為外延層沉積準備表面。然而,需要較低的...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料從表面科學的角度和器件制造的角度來看,半導體基底的清潔是一個非常重要的方面。作為一種簡單而低溫的硅清洗方法,報告了一種高效、相對簡單的Ge襯底清洗方法。最后,我們描述了一種高效、簡單的Ge襯底清洗方法。光譜和微觀證據(jù)表明,這種方法確實對后續(xù)的生長研究很有用。首先,晶片在運行的去離子水中清洗,并在HF中沖洗(I-IF:H,O以9:1的比例沖洗,然后再在自來水中進行清洗。將樣品浸入H、O、(H、O*:H、O按9:1的比例)中10-15s,然后用自來水洗滌,制備一層薄薄的氧化物,將樣品浸入相同的高頻溶液中5-10s,從而蝕刻氧化層,這個過程重復3-5次,該程序確保了Ge的多個原子層的去除。以同樣的方法將晶片浸入H、OZ(H、Oz:H、O的9:1比)中浸泡10-15s,制備最終的氧化物層,樣品通過吹制N2氣體進行干燥,并裝入UHV腔室,所有的濕式清洗過程均在分析設備保存的同一潔凈室內進行,樣品在300°C下退火20-30min,并在約500°C下進一步退火15min。兩步退火是用于必要的出氣和隨后的氧化層分解。 圖1在圖中1我們繪制了氧化的Ge(100)表面和退火后的HeIUPS光譜。如圖1所示,O2p態(tài)在5.2eV左右表現(xiàn)出一個明顯的峰,該峰的結合能與硅表面的氧化物的結合能不同,這種差異和與鍺表面氧化過程相關的效應將在接下...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用,新的氧化物選擇性模式,概述了通過將無水高頻與控制量的水蒸汽混合而產生高頻蒸汽蝕刻劑的實現(xiàn)方法,描述了一種通過將氮氣通過高頻水溶液而引入高頻蒸汽的系統(tǒng)。 實驗圖1顯示了本工作中使用的反應器的示意圖;該反應器由一個惰性碳化硅反應室和兩個裝有適當溶液的加熱汽化器組成,通過使受控量的氮氣載氣通過汽化器來輸送蒸汽,該室沒有被加熱,并且處理壓力保持在350托。為了進行電學表征,在摻硼多晶硅上制備了具有450納米摻雜柵的LOCOS隔離MOSCAPs 5-10 Q-cm (100)取向的硅襯底,12納米的柵氧化層是在900℃的干燥氧氣環(huán)境中生長的,電容器既沒有接受氧化后惰性環(huán)境,也沒有接受金屬化后形成氣體退火。 結果與討論通過氣相高頻氧化物蝕刻,可以實現(xiàn)孵育時間和不同模式的蝕刻選擇性。硅的各種氧化物和氮化物的蝕刻速率列于表1。與高頻水溶液一樣,氣相等效物對不同的硅氧化物表現(xiàn)出不同的蝕刻速率,從而產生了蝕刻選擇性,蝕刻速率從熱生長到沉積氧化物,從未摻雜到摻雜氧化物增加。雖然氮化硅的低蝕刻速率使其成為硅氧化物的合適蝕刻掩模,但需要注意的是,氣相HF與水對應物一樣,產生各向同性蝕刻。氣相和水相高頻之間有明顯的區(qū)別。如表1所示,蝕刻發(fā)生的時間存在于蝕刻過程的開始,這種孵育時間與在晶片表面...
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