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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴(kuò)散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門:?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護(hù)等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言半導(dǎo)體設(shè)備消耗大量的水,其中大部分用于在清洗過程中沖洗晶圓。為了優(yōu)化用水,需要對沖洗過程中對晶片清潔度進(jìn)行實時和現(xiàn)場監(jiān)測。然而,沒有任何現(xiàn)有技術(shù)是實時的。本文提出了一種能夠?qū)崟r和現(xiàn)場測量晶片上殘留污染的無源無線傳感系統(tǒng)。 實驗此前,我們開發(fā)了一種微加工的電化學(xué)殘留物傳感器(ECRS)來監(jiān)測晶片的清潔度。該傳感器是一個微加工的電阻率傳感器。它的特點是一個覆蓋電極的介電層,這區(qū)別于傳統(tǒng)的帶有裸電極的微加工電阻率傳感器。ECRS采用厚覆蓋的電介質(zhì)層,測量高縱橫比微特征內(nèi)流體的阻抗,以模擬圖案晶片的清潔度,ECRS需要互補的電路來讀取和分析。由于電線、連接器和電池不能在半導(dǎo)體制造過程中使用的清潔化學(xué)物質(zhì)中存活下來,因此最好采用無線、無源(遠(yuǎn)程供電)和集成的監(jiān)控系統(tǒng)。在這項工作中,我們提出了一個原型系統(tǒng),它擴(kuò)展了RFID技術(shù)來讀出ECRS數(shù)據(jù),它允許實時、就位、被動和無線監(jiān)測晶片的清潔度。這種新工具可能為新的沖洗配方提供低資源使用和顯著節(jié)省成本的半導(dǎo)體設(shè)施。 圖2 ECRS的沖洗輪廓和沖洗質(zhì)量評價 圖2顯示出了相應(yīng)雜質(zhì)的特征阻抗曲線,使用ECRS的濃度,當(dāng)雜質(zhì)濃度低于10–6mol/m2時,評估“晶圓清潔”阻抗高于200 k2?;跊_洗曲線,可以優(yōu)化沖洗配方,并且可以分配定制的閾值阻抗以精確確定沖洗終點。在我們的...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 03
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言本研究首次建立了適用于非中心擺動噴嘴的清洗刻蝕旋轉(zhuǎn)計算模型,用于評估旋轉(zhuǎn)晶片上HF水溶液對二氧化硅薄膜的刻蝕速率。通過與不同噴嘴擺動寬度下的測量結(jié)果進(jìn)行比較,驗證了該模型。 實驗圖1顯示了本次研究中使用的單晶片濕法蝕刻機。這種蝕刻機有一個直徑200毫米的晶片,在一個圓柱形容器中以100-1400轉(zhuǎn)/分的速度旋轉(zhuǎn)。HF水溶液(3%)從垂直于晶片表面的4毫米直徑噴嘴以1升/分鐘的流速向下注射1分鐘。如圖1所示,這個噴嘴從-R位置擺動到+R位置。注射后,HF水溶液沿著旋轉(zhuǎn)的晶片表面從注射位置輸送到晶片邊緣,然后最終從晶片邊緣濺射到外部。 圖1因為本研究中使用的HF濃度非常低,所以在晶片表面引起的反應(yīng)熱非常低。我們忽略了反應(yīng)熱引起的溫度變化。這項研究中使用的硅片具有100納米厚的二氧化硅薄膜,是通過氧化形成的。在蝕刻之前和之后,使用橢圓儀測量二氧化硅膜的厚度,以便從差異獲得蝕刻速率。實驗獲得的蝕刻速率是溫度和HF及相關(guān)離子(如[H+]和[HF2-])濃度的函數(shù)。 結(jié)果和討論為了驗證化學(xué)反應(yīng)模型,在使用中心噴嘴評估蝕刻速率行為之后,詳細(xì)研究了擺動噴嘴的運動。首先,當(dāng)用于注射HF水溶液的噴嘴設(shè)置在旋轉(zhuǎn)晶片的中心時,評估蝕刻速率行為,通過測量和計算獲得的二氧化硅蝕刻速率的平均值分別由圖3中的黑圈和實線示出。每個值都被評估為晶片...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 03
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言半導(dǎo)體材料的光電化學(xué)在微電子技術(shù)的發(fā)展中發(fā)揮了重要作用。特別是集成電路技術(shù)中使用的許多工藝都是基于電化學(xué)原理。原位照明允許有效控制半導(dǎo)體與液體接觸時的電化學(xué)反應(yīng),在這種情況下指的是光電化學(xué)蝕刻。 實驗眾所周知,在氫氧化鉀溶液中對n-GaN進(jìn)行PEC蝕刻可以去除高質(zhì)量的材料,并留下代表螺紋位錯的晶須或納米線。圖1顯示從PEC蝕刻的氮化鎵尾聲層拍攝的SEM圖像顯示了納米線在左下角前的分布,在右上角后它們被機械斷裂,sbd顯示了納米線堆之間的缺陷。PEC刻蝕氮化鎵層的形貌,在蝕刻表面上觀察到直徑約為50納米的納米線堆[參見圖1中圖像的左下方區(qū)域1(a)]。實際上,GaN晶須的形成及其沿表面的分布在很大程度上受電解液組成、紫外激發(fā)功率密度和攪拌條件的影響。根據(jù)先前的研究,通過PEC蝕刻形成的位錯是由氮化鎵中的穿透位錯的負(fù)電荷引起的,因此不能參與蝕刻過程。另一種解釋是,位錯代表電位降低的區(qū)域,光生空穴被排斥并被限制在周圍區(qū)域,刺激它們的溶解。除了位錯之外,生長樣品表面的缺陷被證明是耐光電化學(xué)侵蝕的。這種缺陷在PEC蝕刻過程中仍然存在,看起來像被納米疊層包圍的橋電線,見圖1(b)。我們的實驗證明了對PEC的高抗性,對氮化鎵層機械處理產(chǎn)生的任何表面缺陷進(jìn)行蝕刻。特別是兩個木針被用來沿著氮化鎵表面亂涂亂畫,其中一個的末端顯示出三重分裂。令人驚訝的是...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 03
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言本文主要報道了ProTEK PSB在實際應(yīng)用條件下的圖形化特性、抗蝕性和去除特性。研究發(fā)現(xiàn)了ProTEK PSB的兩個問題:不可接受的大側(cè)刻和有機溶劑或氧化灰難以去除引物。為了制造一個lsi集成的觸覺傳感器,我們使用了帶有低溫氧化物底層的ProTEK PSB。這種組合解決了ProTEK PSB的側(cè)面刻蝕問題和低溫氧化物的針孔問題,提供了可以在低溫下制備的實用堿性刻蝕掩膜。 實驗 首先,在Si基板上適量滴加底漆,在3000pm下旋轉(zhuǎn)涂布1分鐘。 涂布底漆后,使用熱板在110C下280°℃分鐘 用加熱1分鐘。 然后,滴下ProTEKPSB,與底漆相同,在3000 rpm下旋涂1分鐘。 涂上ProTEK PSB后,用熱板在110℃下加熱1分鐘加熱。加熱后,用I線以1000mJ/cm2的曝光量進(jìn)行曝光。 曝光后,用熱板在110℃下加熱2分鐘。 影時,在乳酸乙酯中浸泡5分鐘,充分?jǐn)嚢瑁?顯影后,用異丙醇( IPA )清洗,用旋轉(zhuǎn)干燥器干燥。 最后,用熱板在220C下加熱3分鐘使之硬化。 圖1如圖1所示可以形成4µm,5µm和10µm的線和空間,在這些臺階上測量的膜厚均為3µm。 本研究使用表面形狀測量儀進(jìn)行了膜厚測量, 在圖案化后,使用TMAH(25%,80°C)蝕刻Si,...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 03
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言電化學(xué)技術(shù)一直被用于理解和提高各種濕式化學(xué)處理步驟的性能,如在集成電路(IC)制造中使用的蝕刻、清洗、鈍化和沖洗。本文的目的是提供幾個例子,說明如何使用電化學(xué)技術(shù)來探測濕法加工中的一些重要領(lǐng)域。 在電流產(chǎn)生的集成電路的制造中,大約三分之一的工藝步驟涉及濕式化學(xué)處理,如清洗、蝕刻、拋光和沖洗。許多這些步驟涉及導(dǎo)電材料與不同水平溶解氣體的水溶液之間的接觸,因此電化學(xué)現(xiàn)象可能在控制這些步驟的有效性方面發(fā)揮重要作用。  電化學(xué)效應(yīng):電化學(xué)增強最近被報道為大氣清洗。這種技術(shù)被稱為聲電化學(xué)技術(shù),可用于在低超氣體功率密度(聲電化學(xué)技術(shù)已被用于清潔被硅顆粒污染的Ta表面。在本研究中,將~1.5~2V的陰極電位(相對于Ag/AgCl電極)應(yīng)用于去離子水或氯化鉀溶液中,并暴露于0.93MHz聲場。首先獲得了樣品上幾個區(qū)域的顯微鏡圖像。(如圖7所示)  圖7清潔圖案(介電傳導(dǎo))表面,即使在這項研究中沒有研究,使用這種技術(shù)是可能的。這是因為1MHz的共振氣泡半徑為~3微米,從技術(shù)上講,這種大小的氣泡可以在具有小線/空間(L/S)結(jié)構(gòu)的表面上振蕩,甚至可以清洗介質(zhì)區(qū)域上的污染物。聲場溶液中瞬態(tài)空化的表征一直是半導(dǎo)體濕處理中的一個活躍領(lǐng)域。溶解氣體的類型和數(shù)量大大影響了瞬態(tài)空化行為,在含有不同類型溶解氣體的大氣輻照溶液中進(jìn)行的高分辨率循環(huán)伏安法(C...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 03
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料前言砷化鎵GaAs(晶片)和氮化鎵的熱濕氧化是在N2作為主要氣體和H2O作為氧化劑進(jìn)行的。采用x射線衍射、橢偏儀、光反射儀、顯微拉曼光譜、光學(xué)顯微鏡和原子力顯微鏡研究了材料的參數(shù)和表面形貌。缺少材料參數(shù)或材料參數(shù)范圍很廣,特別是折射率、介電常數(shù)及其對氧化物成分和結(jié)構(gòu)的依賴性,構(gòu)成了測量過程中的一些問題。砷化鎵氧化比氮化鎵氧化更難,尤其是來自HVPE的氮化鎵。 實驗砷化鎵和氮化鎵在一個三區(qū)耐電爐中通過使用支架被氧化。為了確定合適的參數(shù),改變了水源溫度和反應(yīng)(氧化)區(qū)溫度。氣體流量和該過程中的時間也有所不同。得到的氧化鎵厚度從幾納米到數(shù)百納米。這些研究使用了MOVPE和HVPE在藍(lán)寶石基底上制造的砷化鎵晶圓和氮化鎵層。濕熱氧化反應(yīng)動力學(xué)和反應(yīng)結(jié)果取決于幾個參數(shù):區(qū)域反應(yīng)溫度(a)、水源溫度(水泡器)(b)、主要輸送氣體(c)、通過水泡器(d)的輸送氣體、反應(yīng)時間(e)和凝結(jié)氣體類型(f)。研究采用裸晶片或脫毛層晶片的砷化鎵,氧化溫度的范圍在483到526攝氏度之間。時間從60分鐘到300分鐘不等。典型的氮氣主流量分別為2800 sccm/min,通過水起泡器的典型流量分別為260和370sccm/min。使用了兩種氮化鎵樣品——藍(lán)寶石基質(zhì)上的氮化鎵脫毛層——MOVPE薄層和HVPE厚層。砷化鎵樣品的氧化溫度較高,分別為:755、795和82...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 02
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言用于光電子的半導(dǎo)體激光器等半導(dǎo)體光器件,多利用注入的少數(shù)載流子,而且其濃度在2×1018cm―3以上,處于相當(dāng)高的水平。 在使用GaAs和InP等化合物的光學(xué)器件中,作為可靠性較高的加工法,濕法化學(xué)蝕刻依然被用于實際應(yīng)用。對基于化學(xué)蝕刻的半導(dǎo)體光器件的微細(xì)加工,特別是激光諧振器的形成進(jìn)行總結(jié),并介紹幾個具體例子。 實驗 首先,在表1中總結(jié)了光·電子設(shè)備所需的微細(xì)結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用領(lǐng)域。 表1首先,在基板上或生長了2重異質(zhì)結(jié)構(gòu)的晶圓上形成的脊和臺面,用于嵌入異質(zhì)(BH)激光器等,在FET的柵極制作中,寬度較窄的脊也很重要。 第二個,通道、溝槽、平臺,還是應(yīng)用在折射率波導(dǎo)型半導(dǎo)體激光器上。 如果具有這些形狀,在基板上進(jìn)行晶體生長,核心層的厚度自然變?yōu)椴痪?,形成波導(dǎo)。 最初的形狀為脊或臺面,用于嵌入式異質(zhì)(BH)激光、光波導(dǎo)、FET等的通道形成等。  表2在表2 中對臺面蝕刻的例子進(jìn)行總結(jié)的1~6,①和③中,如果在GaAs和InP的基板上形成的臺面上生長2重異質(zhì)結(jié)構(gòu),就會通過一次生長形成嵌入結(jié)構(gòu)。 另外,在②和④中,在形成GaAs/GaAIAs和InP/GaInAsP的2重異質(zhì)結(jié)構(gòu)后,通過臺面蝕刻向活性層下挖掘,然后從兩側(cè)生長嵌入層。 總之,臺面高度和寬度的控制是一個重要因素。表3中有通道、溝或露臺形成...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 02
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言我們研究了高溫退火法對4h-SiC蝕刻形狀的轉(zhuǎn)變。雖然蝕刻掩模是圓形的,但蝕刻的形狀是六邊形、十二邊形或十八邊形,這取決于蝕刻面積的大小(圖。 1).六邊形經(jīng)過高溫退火后,六邊形轉(zhuǎn)化為十二邊形,十二角形轉(zhuǎn)化為十八邊形。 1).不同邊緣方向的六邊形和十邊形的十二邊形在退火過程中經(jīng)歷了不同的轉(zhuǎn)變。 2).一條對應(yīng)于一個{1-10x}面的邊顯示為一條直線,似乎是最可取的。與{11-2x}面對應(yīng)的邊緣也出現(xiàn)在一個曲線特征中,這表明它是第二大首選。明顯的結(jié)構(gòu)(密集),但在11-2倍的表面上微弱(微弱)。 3).因此,在考慮退火變換的情況下,需要在實際器件中設(shè)計形狀及其方向。我們報告了在SiC溝槽型MOSFET的制作中,通過SiH4/Ar和H2氣氛中的2階段高溫退火,可以改善溝槽形狀控制和蝕刻側(cè)壁的平滑性(6)。 研究過程中發(fā)現(xiàn)SiC表面形狀的變化具有晶面取向各向異性。 此次,我們調(diào)查了高溫退火引起的變形因蝕刻面積和形狀的不同而不同,以及退火形成的晶面方位的穩(wěn)定性。 實驗方法 對4H―SiC基板(n型,8°關(guān)斷,C面)進(jìn)行清洗后,使用等離子CVD裝置成膜了厚度為2.5μm的SiO2膜。 使用一般的照相工藝,在直徑不同的圓形、6角形、12角形上對光刻膠進(jìn)行了圖案化。 然后用抗蝕劑作為掩模,用干法蝕刻法蝕刻SiO2圖案化了。 干蝕刻是用C...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 02
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言概要掃描探針顯微系統(tǒng)( SPM )、電子背散射板( ebsd )、極化曲線測量晶體組織對硫酸-過氧化氫蝕刻引起的銅蝕刻速率的影響 接近{001}面的方位快,被蝕刻發(fā)現(xiàn)被凹陷后,{111}和{101}面附近的方位被緩慢蝕刻。 顯示出大蝕刻速率的多晶體銅,腐蝕電位高,局部陰極反應(yīng)的極化小。 這表明,多晶體銅的蝕刻速率由各個晶面的過氧化氫還原反應(yīng)速度的平均值決定。為了調(diào)查多晶體的蝕刻速率與晶體組織的關(guān)系,測量了軋制銅材、添加劑和成膜條件下晶體組織發(fā)生變化的電解鍍銅膜的蝕刻速率。 制作的試料的結(jié)晶組織用EBSD進(jìn)行了分析。 進(jìn)而,通過極化曲線的測量,考察了晶體組織的不同對蝕刻反應(yīng)的影響。另外,作為緩和組織不同引起的蝕刻速率差、降低咬邊的方法,報告了向蝕刻液中添加1 -丙醇的影響。 實驗 以無氧銅板三菱伸銅制C1020為試料,作為預(yù)處理,以85%磷酸中的試料為陽極,通過極間電壓為2 V的恒壓電解進(jìn)行電解研磨,在去除加工變質(zhì)層的同時使表面平滑。 之后,利用TSI公司制造的帶有EBSD系統(tǒng)的FE-SEM日本電子制造的JSM-7001FA,對各個晶粒的方位進(jìn)行了鑒定。 該試料用SII納米技術(shù)制造的SPM Nano Cute,測量與EBSD測量同視野的SPM像,得到了試料表面的三維形狀像。 測量視野為50 m 50 m。 然后,用轉(zhuǎn)速設(shè)定為500 r...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 02
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言過氧化氫是一種綠色氧化劑,本文概述了其在水中和氧氣中分解的爆炸式增長,其全球使用量已從過去三十年的0.5百萬工業(yè)使用量和三十年前每年百萬噸的狀態(tài)上升到工業(yè)制造領(lǐng)域的450萬噸,2014年每年的重要細(xì)節(jié)仍在攀升。與傳統(tǒng)的汽車氧化工業(yè)和民用部門相比,氧氣和氫氣的不同用途決定了直接生產(chǎn)的可行性。 實驗 全世界所有商業(yè)生產(chǎn)的H2O2都來自蒽醌AO工藝。其原料是氫氣、蒽醌和空氣,氫氣是通過甲烷的蒸汽重整就地制造的,而空氣是免費的。因此,現(xiàn)代技術(shù)采用不需要過濾的固定床反應(yīng)器,而不是裝備有過濾器的老式淤漿型加氫反應(yīng)器;產(chǎn)物混合物容易從固定床加氫催化劑中分離出來,以便在AO步驟中用壓縮空氣充氣。為了提取有機相中存在的H2O2,將軟化水添加到高( 30 m)液-液萃取塔的頂部,以確保水與工作解決方案。水在穿孔塔板上沿塔向下流動,同時工作溶液被泵入塔中。H2O2隨后通過蒸餾(用蒸汽,過氧化物不與水形成共沸混合物,并且可以通過蒸餾完全分離)純化和濃縮至不同的商業(yè)等級,通常高達(dá)70 %,之后通過加入穩(wěn)定劑穩(wěn)定濃縮產(chǎn)品,防止不希望的分解,然后泵入產(chǎn)品儲罐。包括均勻的4納米金屬合金納米顆粒(圖2)。 圖2一個原因可能是直接合成只能用昂貴的過量純O2來實現(xiàn),而不能用自由獲得的空氣。此外,反應(yīng)壓力通常比AO工藝中通常采用的壓力高得多。因為氧氣的價格非常高...
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