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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言由于玻璃材料具有耐用性,光滑性,高絕緣性和透明性的特點,近年來,除了顯示器,光學(xué)元件和記錄介質(zhì)外,人們對其應(yīng)用于MEMS(微機電系統(tǒng))和類似TAS(微全分析系統(tǒng))等新領(lǐng)域的期望越來越高。 此外,還研究了許多將玻璃材料與金屬等不同種類的材料接合以制造新功能元件的方法。 特別是多成分玻璃表面的性質(zhì)與帕爾克有很多不同,最表面的組成、硅烷醇基等官能基、水分和有機物的吸附等因素對表面的耐候性、耐化學(xué)性、與異種材料的粘著性、包括加工性在內(nèi)的機械特性等有各種各樣的影響。 因此,在新功能材料中控制或改性表面性質(zhì)是重要課題之一?;驹硎抢昧嗽诩虞d壓力的情況下,在玻璃表面形成壓縮層后,該部位的耐酸性,特別是腐植酸引起的耐蝕刻性發(fā)生較大變化的現(xiàn)象。 在本方法的要素技術(shù)中,有機械加工工藝和化學(xué)方面的玻璃表面的改質(zhì)這2個方面。 在本綜述中,筆者等人將從迄今為止的研究中,首先從表面改質(zhì)的觀點,介紹壓力加載引起的玻璃表面化學(xué)性質(zhì)的變化,并結(jié)合實驗結(jié)果,然后闡述其在微細加工中的應(yīng)用。 實驗在此,首先對鋁硅酸鹽類玻璃的結(jié)果進行說明。 圖1顯示的是,對于含有堿金屬氧化物、堿土金屬酸化物及微量氧化物等的各種鋁硅酸鹽類玻璃,關(guān)注作為主要成分且形成玻璃骨架的SiO*和AkOia, 在沒有加載壓力的部位,隨著SiO―AU0S的減少,蝕刻速度顯著增大。  圖1(S...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 29
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      太陽能電池的世界生產(chǎn)量相當(dāng)于每年約1.2 GW(2004年,換算成峰值發(fā)電能力),其組件的總面積達到1千萬m。 制造的太陽能電池的80%以上是使用單晶或多晶硅晶圓的晶系硅,預(yù)計其生產(chǎn)量今后也會加速增加。 與此同時,確立能夠適應(yīng)這種大規(guī)模生產(chǎn)的制造技術(shù)將變得越來越重要。 一般的晶系硅太陽能電池的結(jié)構(gòu)概略如圖1所示,其中,在兼顧經(jīng)濟性的同時,為了提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率,進行了很多努力。 其中,降低硅晶圓表面反射率、降低光反射損耗的技術(shù)是提高效率的關(guān)鍵。 平坦的硅晶圓的反射率在波長400~1100nm下平均為40%左右,非常高,產(chǎn)生了很大的損耗。   圖1 普通晶系硅太陽能電池的結(jié)構(gòu)      表面涂有折射率小于硅的透明薄膜作為抗反射膜。 具體來說,使用的是二氧化鈦(單晶太陽能電池的情況)和氮化硅(多晶太陽能電池的情況)等薄膜。 另一項降低表面反射率的重要技術(shù)是在硅晶圓表面形成具有細微凹凸形狀的結(jié)構(gòu)(稱為紋理結(jié)構(gòu))。 一般的紋理結(jié)構(gòu)是幾μ~幾十μm大小的凹凸。  圖2紋理結(jié)構(gòu)的效果      作為這樣的紋理結(jié)構(gòu)的效果,已知有以下3個(圖2為模式圖):①表面多次反射導(dǎo)致表面反射率降低:通過凹凸使表面反射一次的...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 29
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言為了進一步增加太陽能電池的普及率,降低太陽能電池板的成本變得很重要。在晶體Si系太陽能電池板中,Si晶圓的材料成本和制造成本占整個電池板的成本的比例不少。通過將金剛石磨粒附著在線材上的金剛石線材進行固定磨粒切割的方法正在普及。 切出的Si晶圓表面發(fā)生損傷,切斷槽寬度(卡洛斯)的降低有界限等問題。在這樣的背景下,作為不依靠機械加工的新Si的切斷技術(shù),正在討論放電加工和電解加工,等離子蝕刻等加工技術(shù)的應(yīng)用1―3)。作為不依靠機械加工的切片法之一,筆者們開發(fā)了利用濕法蝕刻的新切斷技術(shù)“蝕刻援用切片”4)。該加工技術(shù)的特征是,在蝕刻液(蝕刻劑)中行進的金屬絲,通過與Si錠接觸進行相對運動,以化學(xué)作用為主體進行加工。本報告將利用開發(fā)的加工技術(shù)對單晶Si進行加工,并介紹其加工特性和加工面質(zhì)量。 實驗由于濕法蝕刻通常是各向同性蝕刻,因此即使在Si表面上施加掩模,蝕刻劑也會侵入掩模的下部,從而產(chǎn)生底切通常很難進行加工。另一方面,在濕法蝕刻中,如果能夠在抑制溝的寬度方向的蝕刻速度的同時,促進深度方向的蝕刻速度,就可以實現(xiàn)各向異性的加工。      因此, 向Si錠提供蝕刻劑, 設(shè)想了用行進的金屬絲摩擦鑄錠的加工方法。在Si鑄錠和金屬金屬絲的接觸點,通過產(chǎn)生摩擦熱和引入新鮮的蝕刻劑等,可以提高向深度方向的蝕刻速度。另一方面...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 29
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      關(guān)于在進行這種濕法或干法蝕刻過程中重要的表面反應(yīng)機制,以Si為例,以基礎(chǔ)現(xiàn)象為中心進行解說。蝕刻不僅是在基板上形成的薄膜材料的微細加工、厚膜材料的三維加工和基板貫通加工,而且是通過研磨和研磨等機械加工和干法工藝產(chǎn)生的變形層和損傷層的去除、化學(xué)溶液和自由基束的結(jié)晶表面的清洗、為了調(diào)查位錯等缺陷的坑形成等被廣泛利用的加工技術(shù)。蝕刻大致分為(1)使用酸、堿等化學(xué)溶液的濕法蝕刻和(2)使用等離子中的反應(yīng)種類(離子、高速中性粒子、自由基(中性活性種類)、氣體)的干法蝕刻。蝕刻技術(shù), 從半導(dǎo)體制造工藝的歷史來看, 以前是從濕法蝕刻開始的,隨著圖案尺寸的細微化、高精度化的要求,干法蝕刻起到了其中心的作用。 實驗在各向同性蝕刻中, 在待加工材料的掩模開口處, 由于蝕刻與表面法線方向同時向掩模下部各向同性地進行, 可以看到所謂的側(cè)面蝕刻(底切)(圖1(a))。另一方面,極力抑制這樣的側(cè)面蝕刻,利用結(jié)晶各向異性,實現(xiàn)由特定晶面((圖1(b)中Si的(111))構(gòu)成的三維形狀的蝕刻方法是各向異性蝕刻(結(jié)晶各向異性蝕刻)。從結(jié)論上來說,在濕法蝕刻的一系列反應(yīng)生成物過程(以下的①~④)中,取決于哪種現(xiàn)象控制了過程的速度。①向反應(yīng)種表面的擴散、供給②向反應(yīng)種表面的吸附③反應(yīng)生成物的生成(反應(yīng)種與被加工材料的反應(yīng))④反應(yīng)...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 29
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言利用金剛石多絲鋸切割硅錠,制備了太陽能電池的硅晶片。近年來,由于對超薄硅晶片的需求不斷增加,迫切需要采用不產(chǎn)生硅表面損傷的切片方法。本研究提出了一種基于化學(xué)蝕刻技術(shù)的新型硅切片方法。在該方法中,在含有硝酸和HF的蝕刻溶液中用運行絲摩擦硅錠。研究了切片硅的去除特性和表面質(zhì)量。隨著蝕刻劑化學(xué)品濃度的增加,去除率提高,而通過優(yōu)化蝕刻劑的成分,可以降低切角。掃描電鏡觀察和拉曼光譜分析結(jié)果表明,該方法對硅表面無損傷作用。該方法比傳統(tǒng)的金剛石線切割產(chǎn)生了更平滑的硅表面。太陽能電池用硅晶圓是通過金剛石線鋸從硅錠上同時切出多個晶圓的方法制作出來的。 晶圓損壞, 由于這是破損的原因,薄壁晶圓的切出是有限度的1)。另外,從晶圓制作成本削減的觀點出發(fā),要求減少成為削邊的卡洛斯(切斷溝)。因此,通過使用化學(xué)作用的新加工方法,進行了硅晶圓的切斷技術(shù)的開發(fā)。在本研究中,嘗試了使用能夠進行硅的高效蝕刻的氟硝酸的切斷技術(shù)的開發(fā)。由于氟硝酸的硅的蝕刻是各向同性地進行的,因此有必要將蝕刻的進行限定在切片方向上。在蝕刻劑浴中,通過用導(dǎo)線摩擦硅,探討了促進縱向蝕刻的方法,并評價了其加工特性。 實驗      過程中顯示了開發(fā)的切斷實驗裝置。在固定在加工槽中的硅膠的上面供給蝕刻劑,在那里使鋼絲和硅膠接觸,通過運行進行加工。裝置的材質(zhì)考慮到耐化學(xué)...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 27
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      本文討論了濕式化學(xué)蝕刻作為錐面加工的一種新技術(shù)。研究了石英晶體刻蝕材料的去除條件和成型條件。為了解決從晶片切割成所需尺寸的晶體片被桶加工數(shù)百小時并被拋光成斜面形狀的問題,因為晶體振動器由于從晶片切割成條形而具有差的振動特性,因此需要將晶體振動器加工成凸形(斜面加工)。 本研究的目的是開發(fā)一種新的斜面加工方法。 實驗      在該方法中,如圖1所示,在晶片階段預(yù)先將凹槽加工成斜面形狀,并將注意力集中在濕法蝕刻上,該濕法蝕刻被認(rèn)為可以進行微加工,并且在生產(chǎn)率和成本方面具有優(yōu)勢。 為了解決在濕法蝕刻中進行斜面加工時需要掌握適當(dāng)?shù)牟牧先コ龡l件和建立形狀形成條件的問題。 因此,我們研究了蝕刻條件和抗蝕劑條件。 圖1 斜角加工工序      用氫氟酸(液溫40℃、濃度5、10wt%)進行實驗得到的結(jié)果如圖2所示。 5重量%下約0.25μm/h和10重量%下約1.25μm/h的蝕刻速率得到了。 此外,氟化鈉只能獲得0.01μm/h左右的非常小的蝕刻速率。 由于推測所需的斜面量為2μm左右,因此決定用氫氟酸進行研究。 圖2 蝕刻速率      抗蝕劑涂布條件:將光致抗蝕劑滴入用丙酮和純水超聲波洗滌...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 27
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      本研究將三維安裝過程 為了實現(xiàn)高品質(zhì)、低成本, 我們的目的是建立高通量,無損傷的濕加工工藝技術(shù)及其制造設(shè)備技術(shù)的基礎(chǔ)。 關(guān)于通過濕法蝕刻使硅晶圓變薄的問題, 為了提高作為課題的蝕刻速度和蝕刻均勻性,明確要控制的參數(shù)。 將對其進行高精度控制的要素技術(shù)導(dǎo)入到旋轉(zhuǎn)方式的片葉濕法蝕刻裝置中, 利用大口徑的硅晶圓,明確了其效果。另外, 進行加工后的晶圓評價, 在加工后的晶圓上, 不存在損傷層(破碎層、微裂紋、晶體缺陷等); 強度沒有降低; 并且,確認(rèn)裝置的電氣特性沒有變動, 另外,對加工后的晶圓進行了評價,確認(rèn)了加工后的晶圓中不存在損傷層,為了防止Cu的污染,可以維持襯墊氧化膜,以及器件的電特性沒有變動,確立了適用于三維疊層半導(dǎo)體工藝的通過濕法蝕刻形成硅貫通電極的技術(shù)的基礎(chǔ)。另外,通過實現(xiàn)本目的, 晶圓減薄和插拔可以在同一裝置中實施。 實驗      由于傳統(tǒng)技術(shù)的背面研磨的硅晶圓的減薄會產(chǎn)生損傷,雖然進行了損傷去除,但是存在無法去除的深度的損傷,因此發(fā)現(xiàn)了確立不產(chǎn)生減薄加工損傷的無損傷的減薄工藝的必要性,提出了通過濕法蝕刻的硅晶圓的減薄。另外,作為不使用干法蝕刻的硅貫通電極形成工藝,提出了通過濕法蝕刻的硅貫通電極形成。      關(guān)于硅晶圓...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 27
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      本文研究了激光通量對光纖的氫氧化鉀+過氧化氫蝕刻劑中單晶硅無碎片凹槽的影響。在固定掃描條件下,凹槽的深度隨著通量的增加而增大,但當(dāng)通量為2.9J/cm2及以上時,由于激光誘導(dǎo)沖擊波引起的光纖振動,直槽加工困難。試圖通過多次和慢掃描增強累積激光通量,使溝槽更深,將單脈沖通量限制在1.4或2.2J/cm2,以避免光纖振動。通過比較相同單脈沖通量下形成的溝槽深度,發(fā)現(xiàn)其深度隨累積通量呈線性增加的趨勢。另一方面,累積通量和單脈沖通量不同的凹槽深度相似,表明其深度與單脈沖通量呈非線性關(guān)系。      我們探討了通過將加工物設(shè)置在電動XY工作臺上來展開槽加工的方法。 雖然可以進行無碎屑槽加工,但是槽深度不夠,在能夠?qū)崿F(xiàn)深槽的例子中,槽底有嚴(yán)重的裂紋等,無法找出能夠得到良好槽的加工條件6)。因此,在本研究中,以不產(chǎn)生裂紋等而得到深槽為目的,通過改變激光輸出,調(diào)查了注量對加工速度等的影響。另外,由于在前面的報告中,槽是通過單脈沖加工的單純重疊而形成的,因此通過改變工件的掃描速度和掃描次數(shù)來增減累積的激光注量,調(diào)查了槽的深度相對于累積注量是否呈線形增減。 實驗      由于激光可以得到高峰輸出,可以使用光纖,因此使用了Nd:YAG激光。波長為106...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 27
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言      在本報告中,氫氧化鉀和nH4HF2作為蝕刻劑進行了測試,討論了通過光纖傳輸?shù)募す馐鰪姽杌瘜W(xué)鉆孔的可能性。      結(jié)果表明,成分優(yōu)化將使該蝕刻劑適用于光纖鉆井。nh4hf2激光增強蝕刻,蝕刻速率與氫氧化鉀和過氧化氫速率匹配。然而,保護硅光纖免受nh4hf2影響的想法對于實現(xiàn)光纖鉆孔的必要條件,因為高激光功率必須損害塑料光纖需要足夠的蝕刻速率。      MEMS器件的制造包括干蝕刻裝置和CVD裝置; 為了解決以下問題:為了制作掩模而組合了多種電子束描繪裝置等,這些設(shè)備規(guī)模大,初期投資大。 MEMS器件的小批量生產(chǎn)容易導(dǎo)致成本過多1)。為了應(yīng)對MEMS器件的試制和少量生產(chǎn), 并提出了通過激光直描在硅表面形成掩模,然后進行濕法蝕刻的圖案形成技術(shù)2)。 由于此時形成的掩膜層極薄,無法承受長時間的蝕刻, 形成深穴和深溝是很困難的。      因此,在本報告中,考慮到通過光纖傳送的激光對硅的輔助蝕刻,比較各條件下硅的激光輔助蝕刻特性,研究適用于深孔鉆孔的蝕刻液。 實驗      嘗試在0.1 wt%KOH水溶液中對P型硅晶圓(100)進行了激光照射(但是,此時使用的是氬離子激光,...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 27
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言為了實現(xiàn)微粒子的x射線熒光分析(XRF),需要單色色的x射線化和聚焦。作為一種器件,有一種具有雙曲率和單色聚焦x射線。但是,它要求晶體的表面沒有缺陷。作為制備雙彎曲晶體材料的硅單晶的方法,我們提出了采用化學(xué)反應(yīng)的數(shù)控局部濕蝕刻(NC-LWE)。本文報道了NC-LWE機對五軸硅單晶的加工性能。通過利用以SPring―8為代表的大型放射光設(shè)施的X射線, 雖然得到了較高的空間分辨率, 必須將測量試料帶入設(shè)施, 不能發(fā)揮迅速、簡便的優(yōu)點,為了發(fā)揮這一優(yōu)點, 希望在研究室水平開發(fā)具有亞微米級空間分解能的微小部分熒光X射線分析裝置。因此,本文提出了數(shù)控局部濕蝕刻法(NC―LWE:Numerically Controlled Local Wet Etching)作為其加工法2)。本加工法的特征是,通過雙重結(jié)構(gòu)的加工噴嘴頭供給蝕刻劑。加工成厚度為30µm的圓筒狀,之后,對于曲率半徑R,2Rsin2円的臺座,研究了雙重彎曲,使之粘結(jié)的2階段的程序。 實驗NC-LWE中硅的加工特性:為了通過LWE進行NC加工, 通過對目標(biāo)去除形狀和單位加工痕跡形狀進行反卷積模擬, 有必要求出加工噴嘴頭的停留時間分布,因此,首先, 采用吸口徑φ5mm的加工噴嘴頭獲取單位加工痕跡, 測定了其形狀。測定中, 使用了掃描型白色顯微干涉儀(ZYGO公司制造New Vi...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 26
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