久久国产亚洲精品超热碰_日本福利在线观看_亚洲AV永久无码5G_女生私密在线一区二区_国产精品视频大全_三级国产亚洲_无码人妻中文二区_岳装睡到我房间和我做_影音先锋精品网址_黄色污污视频网站

歡迎訪問華林科納(江蘇)半導體設備技術(shù)有限公司官網(wǎng)
手機網(wǎng)站
始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

--- 全國服務熱線 --- 0513-87733829



新聞資訊 新聞中心
400-8798-096
聯(lián)系電話
聯(lián)系我們
掃一掃
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推薦產(chǎn)品 / 產(chǎn)品中心
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構(gòu)成及詳細技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據(jù)實際情況或客戶要求設計)將設備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風通道內(nèi)設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調(diào)節(jié)風門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
新聞中心 新聞資訊
掃碼添加微信,獲取更多半導體相關(guān)資料在本文中,我們提出了一種簡單的低成本的濕式化學蝕刻工藝,它促進了銀金屬團簇的存在,并應用于n型(100)硅和商用硅太陽能電池。樣品處理分兩個步驟進行:首先通過在金屬鹽溶液中的浸沒時間來控制金屬顆粒的形成(步驟1),其次通過控制蝕刻時間(步驟2),根據(jù)蝕刻參數(shù),可以在大尺度上實現(xiàn)不同深度的表面紋理,這種蝕刻工藝是一個相對簡單和廉價的工藝,有望提高光伏器件的效率。濕蝕刻是通過將硅(100)型和硅太陽能電池浸泡在硝酸銀5%m/m和HF5m的混合物中,在室溫下給定一段時間(步驟1),然后將樣品浸入過氧化氫為5%m/m和HF5m的第二種水溶液中一定時間,范圍為30s~10min(步驟2)。利用原子力顯微鏡研究了樣品表面的形貌,用WiTecAlpha300AR顯微鏡以硅懸臂尖的交流/敲擊和接觸模式記錄樣品的AFM圖像。使用制造商提供的WiTec2.06軟件對樣品表面進行圖像處理。在總反射模式下使用分光光度計(包括漫反射光和漫反射光和鏡面光),并計算不透明樣品的吸收(A)(=100%-R)。該儀器使用積分球、光源和測量反射率的參考樣品來測量光譜反射率。該儀器的光譜范圍為200~900nm,分辨率小于1nm。我們使用單晶n型硅晶片作為襯底,與單晶硅太陽能電池的性質(zhì)幾乎相同。在這兩種情況下,蝕刻都是在n型層上進行的。在蝕刻過程中,帶有銀顆粒的襯底被浸沒在高頻溶液和...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 16
瀏覽次數(shù):55
掃碼添加微信,獲取更多半導體相關(guān)資料引言本研究的目的是開發(fā)和應用一個數(shù)值模型來幫助設計和操作CDE工具,為此,我們編制了第一個已知的NF3/02氣體的等離子體動力學模型,通過與實驗蝕刻速率數(shù)據(jù)的比較,實現(xiàn)了模型驗證。此外,該模型通過改變總流量、壓力、等離子體功率、氧流量和輸運管直徑來確定CDE系統(tǒng)的可運行特性,蝕刻速率和不均勻性與各種輸入和計算參數(shù)的相關(guān)性突出了系統(tǒng)壓力、流量和原子氟濃度對系統(tǒng)性能的重要性。我們組裝了一個化學反應流模型,以包括每個CDE組分中重要的化學和物理現(xiàn)象(圖1),即等離子體源、輸送管、淋浴器頭、工藝室,CDE模型從一個組件到下一個組件連續(xù)地跟蹤氣體流動,每個組件模型的輸出作為下一個模型的輸入,該模型在每個組分中都包含了重要的物理和化學苯元素,中間結(jié)果包括等離子體源施加器的侵蝕率和通過輸送管和工藝室的氣相濃度。 圖1對蝕刻速率和不均勻性的測量結(jié)果驗證了完整的CDE模型,表面化學被包括用來解釋表面蝕刻劑和帶電物種的損失,在源區(qū),采用化學轟擊和離子轟擊的石英蝕刻,以及表面重組和電荷交換,通過淋浴頭和工藝床的流動在化學上比通過等離子體源和輸送管更簡單。等離子體功率沉積是電子能量方程的一個源項,它導致了等離子體中的電離和解離水平。氣體溫度是由對外部環(huán)境的熱損失和從中性的第三體化學重組中獲得的。我們預測了物種通過運輸管的變化,包括帶電物種濃度隨距離的變化,輸運...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 15
瀏覽次數(shù):51
掃碼添加微信,獲取更多半導體相關(guān)資料引言硅晶圓作為硅半導體制造的基礎材料,是極其重要的,將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中,晶圓表面會產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層,進行化學蝕刻,在硅晶片的制造工序中,使共有旋轉(zhuǎn)軸的多片晶片在蝕刻溶液中旋轉(zhuǎn),通過化學反應進行蝕刻的表面處理。在化學處理之后,晶片的平坦度,因此為了控制作為旋轉(zhuǎn)圓板的晶圓周邊的蝕刻溶液的流動,實際上進行了各種改進。例如圖1所示的同軸旋轉(zhuǎn)的多個圓板的配置為基礎,旋轉(zhuǎn)圓板和靜止圓板交替配置等。 圖1 晶片蝕刻工藝概念圖作為分析對象的流場,設想了實際的蝕刻工程。如圖2所示,蝕刻溶液從水槽的下部供給,從水槽的上部溢出流出,由于旋轉(zhuǎn)圓板和靜止圓板配置了極多張,因此圓板間的流動在圓板的旋轉(zhuǎn)軸(Z軸)方向上是周期性的,如圖2左側(cè)所示,將1張旋轉(zhuǎn)圓板夾在2張靜止圓板之間的區(qū)域作為數(shù)值分析的對象。 圖2對于旋轉(zhuǎn)圓板,假設為8英寸晶圓,半徑R=0.1m(直徑D=0.2m),該旋轉(zhuǎn)圓板的旋轉(zhuǎn)角速度為O=4.21 rad/s(=0.670 rps)。圖3中顯示了XY平面的代表性網(wǎng)格分割的例子。另一方面,圓板軸方向的網(wǎng)格分割,在預備計算的結(jié)果的基礎上,將圓板間隔進行20分割,由此可以充分評價圓板上形成的邊界層。圖中在旋轉(zhuǎn)圓板和靜止圓板的半徑相同的情況下(R=0.1m),旋轉(zhuǎn)圓板和靜止圓板之間的配置間...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 15
瀏覽次數(shù):32
掃碼添加微信,獲取更多半導體相關(guān)資料引言晶體具有壓電性,并且由于其優(yōu)異的彈性特性,在工業(yè)中廣泛應用,特別是在振動器中, 關(guān)于其加工方法的研究,雖然進行了部分研究,但系統(tǒng)的研究并不多見,本研究報告了這種情況,以及在未來的工業(yè)中可能需要的濕法蝕刻加工方法,主要報告了以AT板為中心的濕法蝕刻加工方法。 蝕刻各向異性蝕刻包括各向同性蝕刻和各向異性蝕刻,各向同性蝕刻在所有方向上以相同的速度進行蝕刻,各向異性蝕刻在特定方向上選擇性地進行蝕刻。為了解決各向異性蝕刻的問題,因為每個晶面具有不同的蝕刻速率,所以蝕刻速率高度依賴于晶體方向。這被認為與蝕刻方向有關(guān),例如晶體的反應方向和蝕刻顆粒的運動方向。在晶體的情況下,與Si相比,其各向異性非常大。 蝕刻截面形狀的預測通過在AT切割晶體板的表面上濺射金屬來形成掩模圖案,并且考慮蝕刻時的橫截面形狀,由于蝕刻的速度根據(jù)晶面的角度而不同,因此通過根據(jù)角度的各種蝕刻獲得橫截面形狀。 (圖1)由于其截面形狀是預測的,因此本研究實際觀察了截面,并將其形狀與預測的形狀進行了比較。 圖1 蝕刻截面形狀晶體刻蝕量的控制 對100μm的晶體晶片進行濕法蝕刻,在這種情況下,通過蝕刻劑(氟化銨水溶液)的濃度和蝕刻時間來控制蝕刻后剩余的晶體的厚度(參見圖2)。實驗工程的概要如下所示:①清洗基板(晶體AT板); ②通過濺射將Cr、Au粘附到...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 15
瀏覽次數(shù):106
掃碼添加微信,獲取更多半導體相關(guān)資料引言在實際的研究中,硅表面的微粗糙度直接影響MOS器件的電性能,因此,控制硅表面的微粗糙度是非常重要的,據(jù)報道,p-MOSFET在Si(110)表面的電流驅(qū)動性遠大于在Si(100)表面的,我們評估了清洗過程中使用的超純水對硅(110)表面的微粗糙度有影響。 實驗該晶片采用p型Cz雙面拋光晶片,電阻率為8-12Ωcm,對所有晶片進行化學清洗,用稀釋的高頻進行蝕刻處理,用溶解氧濃度為 結(jié)果與討論圖1顯示了在超純水中,8.4ppm的氧溶解24小時的Si(100)、Si(110)和Si(111)表面釋放的(a)表面微粗糙度和(b)量。圖2顯示了在超純水中,8.4ppm的氧溶解24小時的Si(100)、Si(110)和Si(111)表面的AFM圖像。溶解8.4ppm氧氣的超純水與空氣中的超純水相同。硅(111)表面非常穩(wěn)定,表面微粗糙度的增加和溶解的硅原子的數(shù)量都很小。硅(100)表面也是穩(wěn)定的。然而,硅(110)表面的表面微粗糙度變得非常大,從硅(110)表面釋放的溶解硅原子量大約是硅(100)表面釋放的3倍。 圖1 圖2圖3顯示(a)表面微粗糙度和(b)溶解的Si(100)和硅(110)表面釋放超純水42、8.4和0ppm的氧氣溶解和1.6ppm溶解氫24小時,當溶解氧濃度足夠高時,硅表面形成穩(wěn)定的二氧化硅膜,...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 15
瀏覽次數(shù):86
掃碼添加微信,獲取更多半導體相關(guān)資料引言本文考慮了相互作用的2個數(shù)量級范圍,以考慮了實際粒子的形狀和材料,將這些相互作用與靜電電荷、阻力、表面張力、沖擊波、高加速度和氣溶膠粒子所產(chǎn)生的排斥力進行相互比較,可以預測不同清洗過程的內(nèi)在能力和局限性。已經(jīng)確定了三種顆粒去除過程——能夠去除所有顆粒尺寸和類型的通用過程,甚至來自圖案晶片,具有相同理論能力但實際上受到粒子可及性的限制,最后是無法去除所有顆粒尺寸的清洗。通過計算施加給細顆粒的主要力,在表中可以看出驅(qū)動粒子粘附/去除機制的四個主要參數(shù)是靜電、范德華、毛細管和阻力。表面張力γlg是由于介質(zhì)分子之間的內(nèi)聚力,并傾向于使界面區(qū)域最小化,它代表每單位界面長度的一個力,對于參考球形粒子,當液體完美地潤濕顆粒材料,氣體/液體界面作用于整個粒子周長時,得到最大的毛細力(見圖1): 圖1 作用于液體/氣體界面的粒子的最大毛細管力示意圖運動流體的粘度會對粒子產(chǎn)生阻力,在直徑為D的球形粒子放置在流速Vp中的情況下,用斯托克斯定律給出了一個很好的近似,直到雷諾數(shù)為101,其中,µ表示流體粘度:20?C下的水為10?3kg/m/s,這種力理論上只能將粒子平行于表面??梢灶A期,粒子上或襯底上的粗糙度將使這種切向力轉(zhuǎn)化為發(fā)射動量,在非球形粒子的情況下,阻力通常較高。 本文研究了作用于參考剛性粒子和球形粒子的范德華引力與實際粒子之...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 15
瀏覽次數(shù):35
掃碼添加微信,獲取更多半導體相關(guān)資料引言雖然RCA濕式清洗工藝具有較高的清洗性能,但仍存在化學消耗量高、化學使用壽命短、設備大、化學廢物產(chǎn)生量大等問題。傳統(tǒng)的臭氧化水(DIO3)濕式清洗系統(tǒng)具有較高的有機污染物清洗效率,0.1?/min光刻膠去除率。但顆粒去除效率(PRE)非常低,達到PRE的75%。這是因為傳統(tǒng)DiO3濕清洗系統(tǒng)中DiO3濃度低、pH值低。因此,我們設計了改進了DIO3濕清洗系統(tǒng),包括隔離清洗浴和高溶解的DIO3罐,而不是傳統(tǒng)的清洗浴,這樣即使在高pH下也能獲得高臭氧濃度。該系統(tǒng)對0.5?尺寸的顆粒和拋光漿液顆粒的PRE含量均高于93%。利用原子力顯微鏡(AFM),通過測量晶片的表面粗糙度來表征DIO3的清洗過程。臭氧具有足夠濃度的臭氧堿性溶液不產(chǎn)生表面粗糙度。改進的DIO3清洗系統(tǒng)為清潔化學物質(zhì)的使用和簡化的清潔過程提供了一種替代方法。本研究的目的是描述有無超聲波清洗系統(tǒng)的去離子水和堿性清洗溶液中的高濃度臭氧清洗溶液系統(tǒng)。 實驗臭氧生成方法:由于臭氧是一種不穩(wěn)定的分子,臭氧必須在現(xiàn)場產(chǎn)生。生產(chǎn)臭氧的各種方法的工作原理和臭氧來源都有所不同。各項方法及其差異匯總見表3.1。前兩種方法,放電和電解,是唯一具有實際重要性的方法。 表3.1 臭氧產(chǎn)生的類型、原理和應用領域的概述臭氧濃度測量:臭氧氣體和溶解的臭氧濃度的測量對于發(fā)展基于臭氧的清潔過程非常重...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 14
瀏覽次數(shù):40
掃碼添加微信,獲取更多半導體相關(guān)資料引言本文講述了現(xiàn)有的玻璃微加工技術(shù),提出了改進濕法刻蝕技術(shù)的解決方案。玻璃濕法蝕刻工藝的基本要素,例如:玻璃成分的影響、蝕刻速率、掩模層中殘余應力的影響,主要掩模材料的特性、濕法刻蝕工藝產(chǎn)生的表面質(zhì)量。聽過對結(jié)果的分析,我們提出了用于玻璃的深度濕法蝕刻的改進技術(shù)。除此之外本文還介紹了微機電系統(tǒng)技術(shù)的應用。 玻璃蝕刻技術(shù)用于玻璃刻蝕的技術(shù)有三大類:機械,干法和濕法。機械干法玻璃刻蝕:略。使用氫氟酸基溶液的濕法化學蝕刻仍然是低成本和有效的解決方案之一。掩膜層取決于應用和器件制造過程的“熱預算”。有三大類掩蔽材料:光致抗蝕劑、金屬和硅。光致抗蝕劑通常用作掩模層,但其應用范圍有限(20-30米)。一種非常常用的掩模是鉻/金,其中鉻層用于提高金對玻璃的粘附力。銦鉻/銅掩模被用于Pyrex玻璃的濕法蝕刻。另一種常用于玻璃蝕刻的材料是硅,使用不同的方法沉積:PECVD非晶硅、LPCVD非晶硅、LPCVD多晶硅、碳化硅,甚至陽極鍵合體硅。 玻璃成分的影響目前有大量的玻璃,每一種都有不同的性質(zhì)和不同的成分。玻璃是氧化物的“混合物”,這些氧化物的組成和濃度賦予了主要的性質(zhì)。因此,玻璃蝕刻的表征只能進行一般術(shù)語的分析。玻璃的濕式蝕刻主要在HF基溶液中進行。由于成分的不同,蝕刻速率也不同。圖1給出了一個例子,其中三種不同的玻璃在HF49%溶液中濕蝕刻...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 14
瀏覽次數(shù):533
掃碼添加微信,獲取更多半導體相關(guān)資料引言本文提供一種能夠?qū)雽w制造工序中的濕蝕刻相關(guān)技術(shù)應用于氧化鎵單晶的氧化鎵單晶的濕蝕刻方法。一種氧化鎵單晶濕蝕刻方法,其特征在于,用HF溶液蝕刻氧化鎵單晶,例如通過將氧化鎵單晶浸漬在濃度47%以上的HF水溶液中并在室溫下進行蝕刻,從而在深度方向上蝕刻氧化鎵單晶60nm/h以上。 介紹在半導體制造工序中,基板的形狀加工中廣泛利用了蝕刻技術(shù)。該蝕刻是為了除去不使用部分而在氣相-固相界面進行的化學或物理反應大致分為利用干蝕刻和利用液相-固相界面的化學反應的濕蝕刻。 關(guān)于前者,使蝕刻具有方向性比較容易,適合微細加工,但是需要在真空的腔室內(nèi)進行等離子體加工等特殊的裝置,另外,需要注意對基板的損傷和雜質(zhì)污染等。 關(guān)于后者,其具有能夠一次處理的能力勝過干蝕刻等特征,但由于蝕刻各向同性地進行,因此需要注意側(cè)蝕刻的發(fā)生等。 因此,一般在微細電路形成等情況下利用干蝕刻。 另外一方面,濕蝕刻除了上述以外,與干蝕刻相比,還具有低成本性、低損傷性、利用因材料不同而導致的蝕刻速度不同的選擇蝕刻性等方面具有優(yōu)勢、有性能,另外,也用作評價缺陷密度和極性等的蝕刻。而且,為了使在底部基板上生長的厚膜成為自立基板,以去除底部基板的情況為首,在大面積蝕刻和微機械等的制作等情況下利用了濕蝕刻。 實驗其中,在濕蝕刻中,找出最適合基板的蝕刻溶液變得重要起來。 例如,已...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 14
瀏覽次數(shù):460
掃碼添加微信,獲取更多半導體相關(guān)資料引言 在硅襯底上制造電子芯片或集成電路需要大量的基本操作,例如離子注入, 本研究將涉及光刻,介質(zhì)和金屬薄層沉積,機械化學拋光,熱處理(退火或氧化)和“濕”處理。 表面準備和清潔是這項技術(shù)的一個有點吃力不討好的方面,因為它們是“看不見的”: 它們包括去除污染物和控制界面,然而,在需要處理的層是納米級的時候,我們注意到與這些方面有關(guān)的研究變得至關(guān)重要,并對“專門知識”作出了重大貢獻,而“專門知識”有時很難得到重視。 一些選擇性蝕刻是通過濕法(在溶液中)進行的,具有很高的精度,厚度變化從幾埃到幾微米。 “表面準備”處理允許 本備忘錄中討論的兩個主題更具體地涉及集成電路互連電平的清潔: 首先,將介紹低或極低介電常數(shù)介電材料在清潔溶液中的行為研究。 特別是,我們研究了這些材料的穩(wěn)定性或溶解性,以及液相中的污染現(xiàn)象(胺,有機化合物和來自清潔溶液的表面活性劑的吸附),這些現(xiàn)象導致電介質(zhì)的相對介電常數(shù)的不期望的變化。 研究了它們的孔隙率隨清潔處理(含氫氟酸的溶液)中使用的等離子體處理的變化。 在這一部分中使用的實驗技術(shù)主要是橢圓偏振法,橢圓孔隙率法,紅外光譜法(透射法,全衰減法和多重反射法),X射線反射法,TOF SIMS以及接觸角和允許性測量。  性能競賽 在微電子領域,金屬氧化物半導體(CMOS)類型的硅襯底上的集成電路的技術(shù)發(fā)展被描述為“Neud...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 14
瀏覽次數(shù):20
1322頁次22/133首頁上一頁...  17181920212223242526...下一頁尾頁
Copyright ©2005 - 2013 華林科納(江蘇)半導體設備有限公司
犀牛云提供企業(yè)云服務
華林科納(江蘇)半導體設備有限公司
地址:中國江蘇南通如皋高新區(qū)桃金東路90號
電話:0513-87733829
Email:xzl1019@aliyun.com
regal-bio.cn

傳真:0513-87733829
郵編:226500


X
1

QQ設置

3

SKYPE 設置

4

阿里旺旺設置

2

MSN設置

5

電話號碼管理

  • 400-8798-096
6

二維碼管理

8

郵箱管理

展開