掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本研究利用臭氧去離子水（DIO3）開發(fā)了擁有成本低的新型清洗工藝(氧化亞鈷），臭氧濃度為40ppm，用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず皖w粒，僅經(jīng)過商業(yè)除蠟處理后，蠟渣仍超過200A。DIO3代替脫蠟劑在8000a左右對蠟有較多的去除率。將脫蠟器與dio3結(jié)合，以減少脫蠟時(shí)間和SC-1步驟，DIO3沖洗后的蠟厚度小于50A，而去離子水沖洗后的膜厚度大于200A。用DIO3沖洗代替DI沖洗后，接觸角較低，表面完全親水。用DIO3處理過的表面的光學(xué)圖像顯示了更薄的蠟層，這表明不需要進(jìn)一步的清洗步驟。將SC-1清洗步驟與DIO3沖洗工藝相結(jié)合，進(jìn)一步提高了顆粒去除效率。為了在短時(shí)間內(nèi)去除蠟，將商用除蠟劑與dio3結(jié)合，新工藝的目標(biāo)是減少脫蠟時(shí)間和SC-1步驟。在脫蠟機(jī)（1：40）中處理樣品4min后，剩余蠟厚度隨時(shí)間的變化，用dio3沖洗法處理膜后，即使在較短的處理時(shí)間內(nèi)，膜的厚度也低于100a，脫蠟劑處理4分鐘后，常規(guī)脫蠟和去離子水沖洗工藝后仍有厚度大于200A的蠟殘留。另一方面，脫蠟過程后的dio3沖洗而不是去離子水沖洗的蠟含量小于50A。用dio3代替DI沖洗后，接觸角降低，蠟殘留較少，這表明沒有進(jìn)一步的清洗步驟來去除所需的蠟，沖洗后加入SC-1步驟，無論臭氧處理如何，接觸角都完全親水性。為了確認(rèn)包括SC-1清洗的幾個(gè)步驟的PRE，使用200mmp型（100）進(jìn)行...
發(fā)布時(shí)間:
2021
-
12
-
31
瀏覽次數(shù)：83
掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本研究利用CFD模擬分析了半導(dǎo)體晶片干燥場非內(nèi)部和晶片周圍的流動(dòng)特性，并根據(jù)分析Case和晶片位置觀察了設(shè)計(jì)因子變化時(shí)的速度變化。圖表分析結(jié)果表明，晶圓表面在x軸上的速度分布可以確認(rèn)烘干機(jī)內(nèi)部從GARS管道噴射下降的氣流大部分都經(jīng)過晶圓中心區(qū)域，在y軸上查看速度分布可以確認(rèn)烘干機(jī)頂部到底部由排氣引起的速度驟減現(xiàn)象。據(jù)判斷，晶片×軸兩端速度急劇上升的原因是進(jìn)入晶片區(qū)域的氣流離開晶片時(shí)排氣過程中產(chǎn)生的壓力差。 圖3.1.1 圖 3.1.2對Casel進(jìn)行了模擬結(jié)果的現(xiàn)狀分析，整體氣流的趨勢如圖3.1.1的遺跡線和圖3.1.2，通過觀察遺跡線，可以判斷，當(dāng)下降氣流乘坐晶片表面流出下部時(shí)，氣流分成兩條支路，這里預(yù)計(jì)也會(huì)出現(xiàn)速度停滯，并有污染物殘留的可能性。根據(jù)晶片位置的不同，氣流的特性也有所不同，特別是晶片6上部產(chǎn)生的下降氣流相對于其他晶片而言較大，因此在中心的速度大幅上升，觀察到像圖3.1.3中一樣，下降到晶片中心的氣流主邊緣的速度急劇上升，這看起來像是晶片2上部左右側(cè)發(fā)生的渦流區(qū)域向下擴(kuò)張。而且，在晶片10的下部，在速度轉(zhuǎn)向排氣部的過程中，觀察到了速度向量的貧化較大的區(qū)域。另外，烘干機(jī)內(nèi)部共同出現(xiàn)的渦流區(qū)域和流動(dòng)順暢。 圖3.1.3將氣體噴射角降低30度時(shí)，管道中噴射的氣體的角度朝向烘干機(jī)蓋和晶片之間，氣流無法...
發(fā)布時(shí)間:
2021
-
12
-
31
瀏覽次數(shù)：78
掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文報(bào)道的實(shí)驗(yàn)旨在研究表面化學(xué)引起的蝕刻刻度的差異,為了分離蝕刻刻放的基本機(jī)制，在三種不同的襯底溫度下，即Tsub5 85、20和2 45 °C的相同等離子體條件下，蝕刻相同圖案的Si和砷化鎵樣品。由于等離子體條件是相同的，從硅到砷化鎵或從一種溫度到另一種溫度的蝕刻速率尺度的差異不能歸因于離子和中性輸運(yùn)效應(yīng)。由于在兩種襯底材料中蝕刻了相同的特征，因此幾何因素也保持不變。我們表明，在兩種襯底的較高溫度下，長寬比比例占主導(dǎo)地位，但對硅的影響明顯更強(qiáng)。對于砷化鎵和Si，在最低溫度下可以觀察到一個(gè)更復(fù)雜的、隨時(shí)間變化的尺度,同樣，這種影響在硅中比在砷化鎵蝕刻速率中更明顯,數(shù)據(jù)用純中性通量陰影的離子中性協(xié)同模型35,36很好地描述,在低溫下，該模型被擴(kuò)展到包括一種蝕刻抑制劑的沉積，以解釋非長寬比的比例。在總結(jié)之前，討論了這些結(jié)果對最小化蝕刻率刻度效應(yīng)的影響以及其他非均勻性機(jī)制的重要性。 圖1實(shí)驗(yàn)使用電子回旋共振~ECR，見圖1。在處理過程中，通過將電容壓力計(jì)的輸出反饋到限制1500l/s渦輪分子泵的泵送速度，來控制2mTorr的腔室壓力，石英內(nèi)襯溫度用于近似氣體溫度38；在本研究中最長的蝕刻期間增加200K，可高達(dá)750K。中性通量10%的變化導(dǎo)致本實(shí)驗(yàn)長寬比蝕刻率10%的變化，為了引起蝕刻率的變化，通過紅外干涉儀現(xiàn)場監(jiān)測的毯狀蝕刻率沒...
發(fā)布時(shí)間:
2021
-
12
-
30
瀏覽次數(shù)：51
掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料在本文中講述了制造納米化硅襯底的無光刻技術(shù)的發(fā)展，固態(tài)脫濕過程和金屬輔助的濕式化學(xué)蝕刻這兩種現(xiàn)象的結(jié)合，允許以一種相對簡單的方式在大面積上制備硅納米結(jié)膠。本我們的研究目的是開發(fā)無光刻技術(shù)來制備納米膠的圖案硅襯底，它可用于氮化鎵基層的金屬有機(jī)氣相外延生長，并提高了外延橫向過度生長方法的質(zhì)量。在本研究中，使用了用30nm二氧化硅涂層的電阻率為500Ucm的p型Si（111）和Si（115）襯底，采用PECVD工藝，將襯底切成1212mm2的樣品。利用PVDUHV系統(tǒng)，采用電子束蒸發(fā)法以0.5?As1，沉積10或20nm的Ni層，然后，在Ni層的850C(RTA)系統(tǒng)下退火，以激活SSD過程，RTA處理在氮?dú)鈿夥罩羞M(jìn)行5min，然后，在部分具有10nmNi層的樣品上，重復(fù)10或20nmNi層的沉積和RTA處理。進(jìn)行了掃描電鏡掃描電鏡的表征，以評估樣品的表面形貌。為了從掃描電鏡圖像中確定Ni島的大小和表面分布，使用了“ImageJ”的粒子表征工具，該工具允許刪除單個(gè)島嶼區(qū)域（像素）及其在圖像中的數(shù)量，從而允許我們確定島嶼半徑、表面密度和覆蓋率，覆蓋率對應(yīng)于金屬對樣品表面的覆蓋程度，然后從每個(gè)樣本拍攝的至少3張SEM圖像中計(jì)算所有參數(shù)的平均值和標(biāo)準(zhǔn)差值，為了確定所得到的硅納米柱的高度，對樣品進(jìn)行了突破，并進(jìn)行了橫截面掃描和分析。 圖1在圖中...
發(fā)布時(shí)間:
2021
-
12
-
30
瀏覽次數(shù)：111
掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料我們通過考慮Si和二氧化硅在磨損過程中之間的化學(xué)反應(yīng)來研究摩擦相互作用的起源。使用原子力顯微鏡(AFM)，這是一個(gè)強(qiáng)大的工具的原子尺度磨損分析。4-6磨損試驗(yàn)是通過在氫氧化鉀溶液中在不同pH值下用SiAFM尖端在硅片上劃傷熱氧化的二氧化硅薄膜來進(jìn)行的。通過磨損試驗(yàn)比較摩爾中硅與二氧化硅的去除體積，研究了硅與二氧化硅之間的化學(xué)反應(yīng)，以闡明原子尺度上的硅去除機(jī)理。本實(shí)驗(yàn)使用了帶有封閉玻璃流體單元的商業(yè)式AFM，將溶液注入電池后，將Si尖端帶到二氧化硅薄膜上，劃傷薄膜表面進(jìn)行磨損試驗(yàn)。在1~6mN的正常載荷下，連續(xù)3、8、18和38個(gè)循環(huán)，尖端掃描速度為20mm/s，劃傷了10 310 mm的區(qū)域，然后，在約0.2mN的正常載荷下，使用相同的Si尖端，觀察到較大的二氧化硅表面積為20 320 mm來成像磨損標(biāo)記，二氧化硅去除體積由劃痕面積（100mm2）和磨損標(biāo)記的觀測深度的乘積得到。為了澄清表面氧化，我們用透射電鏡（透射電鏡）觀察了硅尖端，由于尖半徑小于10nm，沒有任何蝕刻處理就獲得了尖尖的原子尺度圖像。 圖2具有少量天然氧化物層的硅單晶的晶格平面清晰可見，在氫氧化鉀溶液中劃傷二氧化硅表面后的典型Si尖端的掃描電鏡圖像中顯示（見圖2），硅尖端的頂端已被均勻地去除，并在尖端的末端暴露出一個(gè)平坦的表面。在1~6mN的3、8、18和38個(gè)劃傷循...
發(fā)布時(shí)間:
2021
-
12
-
29
瀏覽次數(shù)：153
掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本研究通過光電化學(xué)濕法蝕刻方法對SiC晶片進(jìn)行了蝕刻。研究了電解質(zhì)種類、認(rèn)可電壓、電解質(zhì)濃度等變量對蝕刻速率和表面粗糙度的影響。隨著H202濃度的增加，蝕刻速率為中值，但在1摩爾以上的濃度下，蝕刻速率保持不變。另外，為了使認(rèn)可的電壓變得更重，蝕刻速度變得更重，使用H2O2電解質(zhì)時(shí)，沒有經(jīng)過使用HF電解質(zhì)時(shí)要求的熱氧化工藝步驟，形成了蝕刻，雖然蝕刻速度低，但蝕刻表面的表面粗糙度非常好，表明了進(jìn)行消磁的可能性。將SiC晶片表面放入丙酮中，用超音速雕刻30分鐘，然后用同樣的方法用甲醇雕刻，將此樣品制成85 ℃的NH4OH : H202 : H20(1 : 1 : 5)溶液和HC1 :用H202 : H20(1 : 1 : 5)溶液處理，與表面的有機(jī)物質(zhì)量，去除了雜質(zhì)，之后用HF : H2O(1 : 10)溶液去除了表面存在的自然氧化膜。通過將形成的氧化層放入石灰石的HF溶液中去除，將蝕刻分開，觀察了電壓和全電解質(zhì)濃度下的蝕刻速度變化，蝕刻深度以@-step測量，通過SEM觀察蝕刻的樣子，并觀察到蝕刻的深度，用AFM測量了表面的粗糙度。如果認(rèn)可1 : 75 HF電解質(zhì)和3.5 V的電壓引起光電化學(xué)反應(yīng)，形成多孔質(zhì)，氣孔的大小為50 nm，如果將該樣品在1000 ℃下進(jìn)行熱氧化，由于高表面能量和大量的Si成分，多孔SiC在低于原來的SiC晶片的溫...
發(fā)布時(shí)間:
2021
-
12
-
29
瀏覽次數(shù)：43
掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文涉及一種基板用韋特蝕刻組合物，其含有0.1~50質(zhì)量%的含氟化合物(A)，0.04~10質(zhì)量%的氧化劑(B)，以及含有水(D)，pH值在2.0~5.0的范圍內(nèi)的SiN層和Si層。 另外，利用該韋特蝕刻組合物的、具有SiN層及Si層的半導(dǎo)體基板的韋特蝕刻方法，使用時(shí)產(chǎn)生的揮發(fā)性成分對裝置或排氣線的腐蝕和空氣污染，進(jìn)而在減輕組合物中氮粉引起的環(huán)境負(fù)荷的同時(shí)，對于具有SiN層及Si層的基板，可以提高Si對SiN的去除選擇性。已知Si膜可以用堿性水溶液去除，而堿性水溶液在不同晶體面的蝕刻速度有很大不同。 在CVD法成膜的Si膜中，由于不同地點(diǎn)的晶面朝向不同的方向，所以在裸露著難以蝕刻的一面的地點(diǎn)無法進(jìn)行蝕刻，導(dǎo)致了Si膜無法去除加工的問題。通過利用組合物，在半導(dǎo)體元件的制造工藝中，減輕裝置或排氣線的腐蝕或氮粉中環(huán)境中的負(fù)載，對于具有SiN層及Si層的基板，可進(jìn)行Si蝕刻速率高，且Si對SiN的去除選擇性高的韋特蝕刻。在實(shí)施例和比較例中使用的基板，芯片分別采用CVD法將Si膜成膜到厚度為500的Si基板上的Si膜基板，Low Pressure CVD法將SiN膜成膜到厚度為500的Si基板上的SiN膜基板，切割成方圓1cm的尺寸。 表2以上測量了表2所載韋特蝕刻組合物表4所載溫度下Si膜及SiN膜的蝕刻速率,結(jié)果顯示在表4中。Si膜的蝕刻速度...
發(fā)布時(shí)間:
2021
-
12
-
28
瀏覽次數(shù)：130
掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料硅的濕法各向異性蝕刻主要用于制造尺寸為幾微米或更大的微結(jié)構(gòu)。用于開發(fā)這些器件的各向異性蝕刻技術(shù)的精度令人滿意，對多孔硅產(chǎn)生的研究表明，形成低維的硅可以轉(zhuǎn)化為活性光子材料，然而，使用不同的方法來控制硅在各向異性蝕刻劑中的蝕刻速率，蝕刻劑濃度和溫度是硅各向異性蝕刻中最重要的兩個(gè)因素，研究了它們對所有晶體取向的硅蝕刻速率和表面粗糙度的影響。 圖7-2從圖7-2(a)中可以看出，由于三氧化二甲烷濃度從10重量%到25重量%不等，除了一個(gè)例外，大多數(shù)分析的方向顯示最大值為20重量%。Si的腐蝕速率隨著TMAH濃度的降低而穩(wěn)定增加大約2-5wt%，隨著溫度的降低，蝕刻速率穩(wěn)步降低(見圖7-2b),然而蝕刻速率比也隨著溫度的降低和濃度的增加而降低，從而影響蝕刻過程的實(shí)際各向異性。這些結(jié)果，即各向異性比的變化，蝕刻劑濃度和溫度的變化可以控制凹面結(jié)構(gòu)中表面的電流變率,由于表面粗糙度可變，這樣的實(shí)驗(yàn)尚不令人滿意。調(diào)節(jié)蝕刻速率的另一種潛在方法是引入添加劑以改變TMAH蝕刻特性，添加劑引入的兩個(gè)結(jié)果是調(diào)節(jié)TMAH的各向異性和改善表面粗糙度，特別是對于低TMAH濃度，通過比較TMAH和KOH兩種ctchants的各向異性分布，表明不僅氫氧根離子，而且陽離子都對各向異性腐蝕機(jī)理有影響。因此，建議使用K2CO向TMAH中加入鉀離子。 圖7-3圖7-3沿著從...
發(fā)布時(shí)間:
2021
-
12
-
27
瀏覽次數(shù)：44
掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文涉及一種在襯底(Sub)上蝕刻待去除層的方法，提供了Si1-XGeX層作為要消除的層，并且上述層在氣相蝕刻期間被蝕刻氣體，特別是ClF3至少部分消除。 Si1-XGeX層的蝕刻特性可由Si1-XGeX層內(nèi)的Ge量控制。 蝕刻方法特別適于可取地形成微甲傳感器內(nèi)的自支撐結(jié)構(gòu)，并在封閉的空心室（15）內(nèi)制造上述自支撐結(jié)構(gòu)。 原因是Si1-XGeX層是犧牲層及填充層，對硅以高選擇性蝕刻。 在微機(jī)械傳感器的制造工藝中，在基板上形成犧牲層，在上述犧牲層上沉積另一結(jié)構(gòu)物層而結(jié)構(gòu)化，隨后，犧牲層被選擇性地移除以實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)的暴露，基本上，犧牲層可以干法或濕法化學(xué)去除。 在多晶硅層上沉積其他氧化物層，在其上沉積例如厚的Epi多晶硅層，進(jìn)行表面鋁金屬層的沉積和結(jié)構(gòu)化，將要暴露的傳感器結(jié)構(gòu)可取地通過DE 42 41 045 C1號所述的基于氟的硅深度蝕刻方法進(jìn)行蝕刻，傳感器元件的暴露由犧牲層蝕刻實(shí)現(xiàn)，上述蝕刻時(shí)氧化物在傳感器區(qū)域下部典型地由含氟化氫酸介質(zhì)通過氣相蝕刻方法消除，上述下蝕刻技術(shù)的缺點(diǎn)氧化物不僅在暴露的傳感器區(qū)域下部被移除，而且在多晶硅打印導(dǎo)體上方和部分下方也被移除，因此存在分路和泄漏電流的危險(xiǎn)，必須防止下蝕刻的氧化物區(qū)域，只能通過復(fù)雜的工藝進(jìn)行保護(hù)。我們?nèi)匀恍枰獮閭鞲衅髟慕Y(jié)構(gòu)化提供各向異性等離子體蝕刻，通過各向同性氣相蝕刻或各向同性氟等離子體...
發(fā)布時(shí)間:
2021
-
12
-
27
瀏覽次數(shù)：26
掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文通過使用循環(huán)極化技術(shù)研究了硅在EPW各向異性蝕刻劑(乙二胺、鄰苯二酚和水)溶液中的陽極氧化，用x光電子能譜和二次離子質(zhì)譜對樣品進(jìn)行了表征。用自動(dòng)擴(kuò)散電阻(ASR)輻照根據(jù)兩個(gè)16的火山硼的濃度分布，結(jié)果如圖1所示，在進(jìn)入17至10陽極氧化測試以產(chǎn)生相同的表面條件之前，使用氫氟酸溶液去除晶片表面的酸膜。 圖1繪圖儀尺寸和光束電壓分別為3×3mm2和0.7kV，參比電極為ag / AgCl電極，反電極采用AP網(wǎng)絡(luò)，并安裝溶液濃度，以保持電容器持續(xù)處于受控狀態(tài)。此外，在實(shí)驗(yàn)過程中，通過通入氮?dú)夥乐谷芤貉趸?，陽極氧化和循環(huán)極化的兩個(gè)實(shí)驗(yàn)實(shí)例斜坡率= 02毫伏/秒，初始電位為-100毫伏對。使用SIMS提高了一個(gè)體積的表面中硼的濃度。圖2用于陽極極化和陰極極化的實(shí)驗(yàn)裝置。 圖2在耐腐蝕金屬(如不銹鋼)中顆粒的鉻確定陽極氧化的情況下，由點(diǎn)引起的內(nèi)腐蝕，其中當(dāng)沿相反方向掃描從無源區(qū)域到有源區(qū)域的電位以觀察局部不穩(wěn)定形成的氧化膜破裂時(shí)電流密度的行為時(shí)，電流子點(diǎn)迅速降低。該研究實(shí)施例通過識別方法觀察硅陽極氧化膜的行為，并在y電位時(shí)清洗種子中的樣品。在本研究中，蝕刻-為提供硅陽極氧化膜的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)，作為確定停止機(jī)理的一部分，首先引入一種分析技術(shù)，根據(jù)陽極氧化膜作為鈍化膜的蝕刻低方向性，即在溶液中如何穩(wěn)定地起伏，所有電化學(xué)腐蝕都是高度活...
發(fā)布時(shí)間:
2021
-
12
-
25
瀏覽次數(shù)：67