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發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺(tái)面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實(shí)際情況或客戶要求設(shè)計(jì))將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴(kuò)散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強(qiáng)力抽風(fēng)1個(gè)風(fēng)道口裝置(每個(gè)藥劑槽對(duì)應(yīng)一個(gè)),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動(dòng)調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時(shí)調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門:?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對(duì)人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動(dòng)控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機(jī)界面為觸摸屏,接口中有手動(dòng)操作、故障報(bào)警、安全保護(hù)等功能,各工作位過程完成提前提示報(bào)警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨(dú)立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨(dú)立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計(jì),方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報(bào)警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動(dòng)搬運(yùn)方式,通過對(duì)硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個(gè)用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機(jī)           設(shè)備型號(hào):CSE-SC-NZD254整機(jī)尺寸(參考):自動(dòng)設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動(dòng)各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計(jì)“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個(gè)全自動(dòng)的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測(cè) / 操作每個(gè)槽前上方對(duì)應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺(tái)面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級(jí)凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機(jī)臺(tái)后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報(bào)警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機(jī)、RCA清洗機(jī)、去膠機(jī)、外延片清洗機(jī)、酸堿腐蝕機(jī)、顯影機(jī)等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機(jī)Marangoni、單腔...
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三星已經(jīng)打破晶圓代工臺(tái)積電獨(dú)大局面?半導(dǎo)體市場(chǎng)分析師指出,三星(Samsung)已經(jīng)打破了晶圓代工市場(chǎng)由龍頭臺(tái)積電(TSMC)獨(dú)大的局面--在臺(tái)積電最近發(fā)表2015年第一季財(cái)報(bào)后不久,有分析師預(yù)言,隨著使用臺(tái)積電最賺錢的幾個(gè)制程節(jié)點(diǎn),包括28納米到16納米的主要客戶如高通(Qualcomm)、聯(lián)發(fā)科(MediaTek)、蘋果(Apple)、Nvidia與Marvell,轉(zhuǎn)向?qū)で笕腔蚱渌A代工廠做為第二芯片供應(yīng)來源,臺(tái)積電恐在今年喪失定價(jià)權(quán)力。  “因?yàn)槿堑?4納米良率已經(jīng)達(dá)到七成左右,臺(tái)積電在晶圓代工市場(chǎng)的獨(dú)大局面已經(jīng)被打破;”Susquehanna International Group分析師Mehdi Hosseini表示:“三星在14納米節(jié)點(diǎn)的表現(xiàn)已經(jīng)媲美臺(tái)積電,而且能提供更低的每片晶圓平均單價(jià)?!贝送釮osseini指出,三星也取得了與高通、聯(lián)發(fā)科與Marvell等芯片業(yè)者的議價(jià)權(quán),因?yàn)檫@些芯片業(yè)者正在協(xié)商進(jìn)軍三星準(zhǔn)備在 2016年推出的新系列手機(jī);三星有更多動(dòng)機(jī)可利用讓芯片業(yè)者贏得其手機(jī)設(shè)計(jì)案,做為交換晶圓代工業(yè)務(wù)訂單的籌碼。 臺(tái)積電在不久前表示將加快16納米制程量產(chǎn)速度,同時(shí)減少20納米產(chǎn)能;法國巴黎銀行(BNP Paribas)分析師Szeho Ng表示,臺(tái)積電的16納米與10納米進(jìn)度比預(yù)期提高,就是因?yàn)榧敝腱柟套约旱氖?..
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 05 - 31
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“芯片之城”地標(biāo)產(chǎn)業(yè)來了!日前,江北新區(qū)舉行“芯片之城”地標(biāo)產(chǎn)業(yè)簽約儀式。市委常委、江北新區(qū)黨工委專職副書記羅群,新區(qū)管委會(huì)副主任陳潺嵋,東南大學(xué)首席教授、南京集成電路產(chǎn)業(yè)服務(wù)中心主任時(shí)龍興,金雨茂物投資管理股份有限公司董事長段小光, 南京中安半導(dǎo)體責(zé)任有限公司董事長曾安,江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司董事長劉欣宇出席活動(dòng)?;顒?dòng)中,超芯星半導(dǎo)體項(xiàng)目和中安半導(dǎo)體項(xiàng)目與新區(qū)簽約,未來都將落戶新區(qū)研創(chuàng)園。據(jù)了解,江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司主要從事6-8英寸SiC碳化硅芯片襯底研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,是國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅材料供應(yīng)商,碳化硅作為三代半導(dǎo)體材料,將在軌道交通、5G、新能源汽車等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。目前公司已推出大尺寸碳化硅擴(kuò)徑晶體,實(shí)現(xiàn)厚度突破,屬于技術(shù)領(lǐng)先的三代半產(chǎn)品。總部遷入研創(chuàng)園后將推動(dòng)上市計(jì)劃,項(xiàng)目規(guī)劃三年實(shí)現(xiàn)6英寸碳化硅襯底年產(chǎn)3萬片,未來還將在SiC襯底產(chǎn)品的基礎(chǔ)上,將進(jìn)一步研發(fā)SiC切磨拋工藝,打造國內(nèi)SiC行業(yè)標(biāo)桿企業(yè)。另外,中安半導(dǎo)體作為先進(jìn)的半導(dǎo)體材料檢測(cè)設(shè)備研發(fā)商,擁有國內(nèi)領(lǐng)先的檢測(cè)設(shè)備研發(fā)能力。項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)擁有硅片檢測(cè)核心技術(shù),并且具備工程應(yīng)用、生產(chǎn)管理以及銷售服務(wù)等各方面的管理經(jīng)驗(yàn)以及多年所累積的市場(chǎng)資源。此次項(xiàng)目主要是開發(fā)半導(dǎo)體硅片平整度和三維形貌檢測(cè)設(shè)備,從事開發(fā)200mm和300mm硅片平整度和三維形貌檢測(cè)設(shè)備,目前已獲得金茂資本首期風(fēng)險(xiǎn)投資,未來將通過開發(fā)擁有獨(dú)立知...
發(fā)布時(shí)間: 2020 - 04 - 20
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國家能源局、工業(yè)和信息化部、國家認(rèn)監(jiān)委日前聯(lián)合下發(fā)《關(guān)于促進(jìn)先進(jìn)光伏技術(shù)產(chǎn)品應(yīng)用和產(chǎn)業(yè)升級(jí)的意見》(以下簡(jiǎn)稱《意見》),提出應(yīng)提高光伏產(chǎn)品市場(chǎng)準(zhǔn)入標(biāo)準(zhǔn),支持先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品擴(kuò)大市場(chǎng),全面實(shí)施“領(lǐng)跑者”計(jì)劃,引導(dǎo)光伏技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。備受政策支持的光伏行業(yè)再獲利好,令投資者大呼光伏行業(yè)暖春已至。承接2014年利好趨勢(shì),2015年入年以來,光伏行業(yè)已獲包括國務(wù)院、國家能源局、發(fā)改委、工信部在內(nèi)的多個(gè)政府機(jī)關(guān)和部委的政策力挺?!蛾P(guān)于下達(dá)2015年光伏發(fā)電建設(shè)實(shí)施方案的通知》、《關(guān)于進(jìn)一步深化電力體制改革的若干意見》等多項(xiàng)核心扶持政策的出臺(tái),對(duì)于光伏行業(yè)而言已達(dá)到強(qiáng)有力的提振作用。而此次三部委聯(lián)合發(fā)布的《意見》無疑又是一劑強(qiáng)心針。值得注意的是,區(qū)別于以往政策,三部委此次發(fā)文首次將“領(lǐng)跑者”計(jì)劃準(zhǔn)入標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行量化,且明確提出將以政策資金和政府采購方式對(duì)“領(lǐng)跑者”先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品進(jìn)行政策傾斜。 “領(lǐng)跑者”需拿技術(shù)說話所謂“領(lǐng)跑者”專項(xiàng)計(jì)劃實(shí)則衍生于2015年1月8日發(fā)改委等八部門發(fā)布的《能效“領(lǐng)跑者”制度實(shí)施方案》。能效“領(lǐng)跑者”是指同類可比范圍內(nèi)能源利用效率最高的產(chǎn)品、企業(yè)或單位。具體到此次三部委所提的“領(lǐng)跑者”專項(xiàng)計(jì)劃,國家能源局將每年安排專門的市場(chǎng)規(guī)模實(shí)施該計(jì)劃,要求項(xiàng)目采用先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品?!兑庖姟分赋?,2015年,“領(lǐng)跑者”先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品應(yīng)達(dá)到以下指標(biāo):多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 05 - 31
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1.引言CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)圖像傳感器是利用CMOS工藝制造的圖像傳感器,主要利用了半導(dǎo)體的光電效應(yīng),和電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器的原理相同。自從上世紀(jì)60年代末期,CMOS圖像傳感器與CCD圖像傳感器的研究幾乎同時(shí)起步,但由于受當(dāng)時(shí)工藝水平的限制,CMOS圖像傳感器圖像質(zhì)量差、分辨率低、噪聲降不下來和光照靈敏度不夠[1],因而沒有得到重視和發(fā)展。而CCD器件因?yàn)橛泄庹侦`敏度高、噪音低、像素少等優(yōu)點(diǎn)一直主宰著圖像傳感器市場(chǎng)[2]。由于集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)和工藝水平的提高,CMOS圖像傳感器過去存在的缺點(diǎn),現(xiàn)在都可以找到辦法克服,而且它固有的優(yōu)點(diǎn)更是CCD器件所無法比擬的,因而它再次成為研究的熱點(diǎn)。2.基本原理CMOS型和CCD型固態(tài)圖像傳感器在光檢測(cè)方面都利用了硅的光電效應(yīng)原理,不同點(diǎn)在于像素光生電荷的讀出方式。CMOS圖像傳感器工作原理如圖1所示[3]。根據(jù)像素的不同結(jié)構(gòu),CMOS圖像傳感器可以分為無源像素被動(dòng)式傳感器(PPS)和有源像素主動(dòng)式傳感器(APS)。根據(jù)光生電荷的不同產(chǎn)生方式APS又分為光敏二極管型、光柵型和對(duì)數(shù)響應(yīng)型,現(xiàn)在又提出了DPS(digitalpixelsensor)概念。 (1)無源像素被動(dòng)式傳感器(PPS)PPS的像素結(jié)構(gòu)包含一個(gè)光電二極管和一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)...
發(fā)布時(shí)間: 2021 - 03 - 01
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