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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門:?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護(hù)等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要新的全濕剝離工藝在去除高度注入的光刻膠時不需要干等離子體灰化工藝,同時保持低缺陷水平和至少相當(dāng)于記錄工藝的高產(chǎn)量性能?;一襟E的消除減少了不希望的基板損壞和材料損失,改善了周期時間,釋放了晶圓廠占地面積,并降低了資本投資和運營成本。在 CMOS 制造中,離子注入用于修改硅襯底以滿足各種帶隙工程需求。通常,圖案化光刻膠 (PR) 用于定義離子注入位置。離子注入后,圖案化的光刻膠必須完全去除,表面必須為下一輪的圖案化和離子注入做好準(zhǔn)備。離子注入在光刻膠表面形成一層堅韌的層,使其難以去除。通常使用干式等離子體灰化去除注入的光刻膠,然后進(jìn)行濕式化學(xué)清洗。離子注入工藝的三個回路——隔離(阱)回路、晶體管通道回路和晶體管結(jié)構(gòu)回路——用于構(gòu)建CMOS器件。僅阱環(huán)路就占總工藝層的近三分之一,在 90nm 邏輯 CMOS 制造的情況下,可能涉及超過 21 個步驟的離子注入和光刻膠剝離。因此,循環(huán)時間的任何減少都會迅速成倍增加,從而顯著縮短總處理時間。全濕光刻膠優(yōu)勢已經(jīng)提出了一種全濕光刻膠去除工藝,以消除等離子體引起的基板損壞的可能性并減少基板材料損失。此外,消除等離子體灰化步驟顯著減少了離子注入圖案化周期時間,這對于代工 CMOS 制造尤其重要。在大批量生產(chǎn)環(huán)境中,只有在與現(xiàn)有記錄工藝 (POR) 的最終良率性能相匹配的情況下,采用這種全濕式光刻膠剝離工藝才是...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 30
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料在這項工作中,標(biāo)準(zhǔn)氫氧化鉀 (KOH) 的兩種替代解決方案-介紹了用于光伏的單晶硅 (mono-Si) 晶圓切割后的異丙醇 (IPA) 紋理化工藝。當(dāng)紋理化過程在 80oC,即接近 IPA 的沸點 (82.4oC) 下進(jìn)行時,標(biāo)準(zhǔn) KOH-IPA 蝕刻溶液有兩個缺點,因為它通常在光伏社區(qū)中進(jìn)行。第一個問題對應(yīng)于蝕刻過程中 IPA 的不斷蒸發(fā)。這里的快速解決方案是重新添加 IPA,但不幸的是,這種解決方案具有經(jīng)濟上的缺點,即成本高。第二個問題對應(yīng)于 KOH-IPA 蝕刻溶液對切割后的單晶硅晶片的晶片特性的高靈敏度。換句話說,這意味著當(dāng)對不同種類的切割后單晶硅晶片(例如來自不同制造商)進(jìn)行紋理化時,會獲得不同的金字塔形結(jié)果。在這種情況下,新的硅切割方法的引入也改變了切割后的硅 (Si) 晶片的表面形態(tài)。這意味著修改蝕刻工藝,以便在不同鋸切的晶片上獲得幾乎相同的金字塔形紋理。摘要在這項研究中,基于晶體硅 (Si) 的太陽能電池是研究的對象。如果硅基太陽能電池價格不那么昂貴,并且被世界上大多數(shù)國家采用,它們將有助于滿足日益增長的世界能源需求。如今,中國為降低全球光伏組件價格做出了巨大貢獻(xiàn)。不幸的是,它也標(biāo)志著德國光伏產(chǎn)業(yè)的衰落。介紹在單晶硅片的情況下,堿性溶液用于在表面產(chǎn)生金字塔形紋理 。對于多晶硅晶片,酸性蝕刻溶液主要用于生成“蠕蟲狀”紋理 [。本研究...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 30
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要當(dāng)硅片進(jìn)行濕法化學(xué)蝕刻時,芯片的任何外角都可能面臨嚴(yán)重的底切。這種咬邊問題對于切屑的邊界角來說是極其嚴(yán)重的;并且很多時候它會限制芯片設(shè)計的緊湊性。開發(fā)了一種特殊的蝕刻掩模圖案,用于在濕化學(xué)蝕刻下保護(hù)芯片的邊界角。這種圖案的主要中心部分可以防止蝕刻過程中角落處的任何底切。但是,有一個定時“保險絲”可以消除這個中心部分并在任何需要的時間打開角落。因此,只能在特定的時間長度內(nèi)設(shè)置拐角保護(hù)。有了這個“定時炸彈”設(shè)備,它反過來可以使芯片設(shè)計更加緊湊。介紹底切是硅片濕法化學(xué)蝕刻中非常常見的問題。 這個問題在芯片的內(nèi)角或器件結(jié)構(gòu)幾乎不存在,但在外角更嚴(yán)重。在典型的 硅晶片的各向異性蝕刻中,蝕刻圖案通常以  面為界。任何外角都將面對無數(shù)個平面,銳角垂直于  平面。通常,晶面是硅中蝕刻最慢的平面,因此成為蝕刻停止點。然而,平面上的蝕刻速率要快得多。因此,底切率變得非常嚴(yán)重。通常,外角處的這種底切問題可能會嚴(yán)重影響芯片的設(shè)計及其緊湊性。如果外角周圍有很大的空間,那么可以使用常規(guī)的角補償技術(shù)來消除或減少這個問題。但是,在其他情況下,例如在芯片的邊界處,可能沒有足夠的空間進(jìn)行常規(guī)的拐角補償。當(dāng)需要芯片之間干凈清晰的劃線作為分離芯片的手段時尤其如此。設(shè)計保護(hù)裝置轉(zhuǎn)角保護(hù)裝置的基本設(shè)計如圖(1)所示。黑色和深色區(qū)域是保護(hù)硅表面免受蝕刻的掩模。因此,白...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 28
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要在硅晶片上制造集成電路涉及數(shù)百個單獨的工藝步驟。在處理的早期階段,在將摻雜劑引入 Si 之前,通常很少擔(dān)心 Si 從晶片表面通過氧化或蝕刻損失。與互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件的有源區(qū)的 600 微米,對于所有實際用途而言幾乎是無限的。在利用輕摻雜外延層來提高器件性能的晶圓上,該層的典型厚度也相對較大,為 5-10 mm。通常,仔細(xì)控制各種清潔和氧化步驟對表面粗糙度的影響。通過化學(xué)清洗對硅去除的常規(guī)監(jiān)測并未廣泛進(jìn)行。許多濕化學(xué)清洗方案用于制造,其中最流行的是由 Kern 在 1965.1,2 開發(fā)的 RCA 標(biāo)準(zhǔn)清潔 (SC1) 這種清潔的主要目的是去除晶片上的雜質(zhì),例如顆粒和金屬表面。RCA clean 旨在通過兩個步驟完成此操作。實驗條件和結(jié)果通過晶片鍵合形成的市售 SOI 晶片用于這些實驗。這些晶片是通過所謂的 SmartCut 工藝生產(chǎn)的,其中在鍵合前適當(dāng)?shù)臍渥⑷胗兄谠谘趸?Si 襯底上形成薄 Si 膜。 5 起始晶片由 2000 Å 單晶 Si 膜組成由 4000 Å 的熱 SiO2 與體硅襯底隔開?;搴捅∧ぴ?(100) 平面上取向,名義上未摻雜,具有 14-22 W cm 的電阻率的輕度 p 型。SOI 薄膜在 1000°C 下通過幾次犧牲干氧化變薄,從最初的 2000 Å 厚度降至約 1...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 28
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要     最近從一家工業(yè)薄膜制造商收集的數(shù)據(jù)表明,近 8% 的設(shè)備由于金屬過多或設(shè)備表面上不需要的金屬而被拒絕。實驗和分析表明,這些缺陷中幾乎有一半是由于在整個上游工藝的加熱環(huán)境中形成在導(dǎo)電鎳表面頂部的氧化鎳未完全去除造成的。這項研究對這些多余金屬缺陷的成分進(jìn)行了分類和確定,評估了推薦的去除氧化鎳的濕蝕刻方法,最后提出了一種濕蝕刻工藝,該工藝將快速去除缺陷,同時繼續(xù)保持所需的半各向異性蝕刻輪廓,這是大多數(shù)金屬缺陷的特征。濕浸蝕刻工藝。結(jié)果證明,快速暴露于稀 (40%) 硝酸,然后立即浸入清潔劑、專有鎳蝕刻劑和鈦鎢蝕刻劑中,可去除所有氧化鎳缺陷。實施后,該方法有可能將多余金屬造成的廢料減少 3%,并將整體蝕刻工藝時間減少 25%。此外,還開發(fā)了一種工藝來完全蝕刻具有高缺陷密度的圖案化基板,并在原始基板上對其進(jìn)行返工。介紹     薄膜器件充當(dāng)小規(guī)模電路,在陶瓷表面制造,布線以特定圖案“印刷”到表面上。設(shè)備是使用一系列在機械柔性壓電陶瓷上執(zhí)行的增材和減材工藝制造的。在應(yīng)用過程中,電流平穩(wěn)地通過這些金屬表面,只有在金屬通路暢通的情況下才有可能。表面上發(fā)現(xiàn)的任何放錯位置的金屬或污染物都會減少或阻止電流通過電路。因此,高質(zhì)量的設(shè)備不會包含任何表面或材料缺陷。該研究確定并消除了降低薄膜器件制造良...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 28
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      研究了使用基于硫酸的化學(xué)品去除光刻膠灰化殘留物。樣品是通過離子注入圖案化的、紫外線硬化的光刻膠制備的。通過測量有機物、金屬和顆粒表面濃度來確定灰后清潔的功效。硫酸-硝酸混合物和硫酸-過氧化氫混合物對于去除金屬污染物非常有效。這兩種化學(xué)方法對微粒和有機殘留物都不是很有效。當(dāng)基于硫酸的清潔后跟 RCA 類型的工藝順序時,觀察到高效的整體清潔。冗余清理沒有提供額外的好處。通過減少基于硫酸的清潔次數(shù),或者對于某些后灰應(yīng)用,可以通過用 RCA 型工藝代替它們來簡化后灰清潔。介紹      氧化化學(xué)物質(zhì)已被用于剝離光刻膠和作為光刻膠后的灰化清潔劑使用多年。這些氧化化學(xué)物質(zhì)通?;诹蛩幔⒔Y(jié)合強氧化劑,例如過氧化氫或硝酸。盡管已經(jīng)進(jìn)行了大量研究來評估這些基于硫酸的化學(xué)物質(zhì)去除光刻膠的功效,但在公開文獻(xiàn)中關(guān)于使用這些化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行灰后清潔的信息相對較少。之前關(guān)于光刻膠剝離的大部分工作都集中在優(yōu)化硫酸化學(xué)的混合比以實現(xiàn)最大絕熱溫度。這種優(yōu)化技術(shù)可能適用于去除體光刻膠。實驗性樣品制備      許多因素已知會影響或被認(rèn)為會影響光刻膠灰化的功效。這些因素包括植入物種類和劑量、光刻膠厚度和軌道烘烤條件、紫外線穩(wěn)定參數(shù),也許最重要的是用于執(zhí)行光刻膠灰化的工具和工藝參數(shù)。...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 28
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      研究了使用基于硫酸的化學(xué)品去除光刻膠灰化殘留物。樣品是通過離子注入圖案化的、紫外線硬化的光刻膠制備的。通過測量有機物、金屬和顆粒表面濃度來確定灰后清潔的功效。硫酸-硝酸混合物和硫酸-過氧化氫混合物對于去除金屬污染物非常有效。這兩種化學(xué)方法對微粒和有機殘留物都不是很有效。當(dāng)基于硫酸的清潔后跟 RCA 類型的工藝順序時,觀察到高效的整體清潔。冗余清理沒有提供額外的好處。通過減少基于硫酸的清潔次數(shù),或者對于某些后灰應(yīng)用,可以通過用 RCA 型工藝代替它們來簡化后灰清潔。介紹      氧化化學(xué)物質(zhì)已被用于剝離光刻膠和作為光刻膠后的灰化清潔劑使用多年。這些氧化化學(xué)物質(zhì)通?;诹蛩幔⒔Y(jié)合強氧化劑,例如過氧化氫或硝酸。盡管已經(jīng)進(jìn)行了大量研究來評估這些基于硫酸的化學(xué)物質(zhì)去除光刻膠的功效,但在公開文獻(xiàn)中關(guān)于使用這些化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行灰后清潔的信息相對較少。之前關(guān)于光刻膠剝離的大部分工作都集中在優(yōu)化硫酸化學(xué)的混合比以實現(xiàn)最大絕熱溫度 (1,2)。這種優(yōu)化技術(shù)可能適用于去除體光刻膠。性樣品制備      許多因素已知會影響或被認(rèn)為會影響光刻膠灰化的功效 (3)。這些因素包括植入物種類和劑量、光刻膠厚度和軌道烘烤條件、紫外線穩(wěn)定參數(shù),也許最重要的是用于執(zhí)行光刻膠灰化的...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 27
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要濕化學(xué)和高速固體 CO2 氣溶膠預(yù)處理的組合用于從圖案化的硅結(jié)構(gòu)中去除離子注入的抗蝕劑。頂部抗蝕劑表面通過重離子注入(1x1016 As atom/cm2,40keV)進(jìn)行改性,形成外殼。氣溶膠處理旨在破壞和部分去除植入抗蝕劑的結(jié)痂頂層,在該表面產(chǎn)生圓形開口,直徑為數(shù)十至數(shù)百微米。在經(jīng)過氣溶膠預(yù)處理的晶片碎片浸入熱的 H2SO4/H2O2 混合物 (SPM) 后,光學(xué)顯微鏡或局部 SEM 檢測均未檢測到抗蝕劑。簡介下一代器件面臨的最關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一是有效去除離子注入后的光刻膠,而不損壞下面的柵極堆疊結(jié)構(gòu) ??尚械目刮g劑剝離工藝的其他要求必須包括完全去除任何抗蝕劑殘留物、無硅襯底或摻雜劑損失,以及與新型金屬柵極和高介電常數(shù)(高 k)材料的兼容性。在生產(chǎn)線前端 (FEOL) CMOS 器件加工流程的離子注入期間,抗蝕劑通常用作阻擋掩模。由于增加的離子劑量和能量對于提高器件性能是必要的,頂部抗蝕劑表面在離子通量下經(jīng)歷化學(xué)改性,導(dǎo)致形成“外殼”,在所需的高選擇性規(guī)格下很難去除或干法。例如,使用具有侵蝕性的氟基等離子體化學(xué)物質(zhì)剝離光刻膠會導(dǎo)致高得令人無法接受的硅襯底和摻雜劑損失。同時,單獨的濕化學(xué)處理不能有效地攻擊或穿透上殼,因此無法成功去除大量離子注入的抗蝕劑層。 結(jié)果與討論   略 抗蝕劑結(jié)皮表征最近,離子注入抗...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 27
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料 摘要眾所周知,高劑量離子注入 (HDI) 光刻膠難以通過常規(guī)濕法剝離(例如硫酸-過氧化物混合物)去除,而不會因為其碳化外殼層而導(dǎo)致基板損失。為了克服這個問題,提出了幾種方法,例如干蝕刻濕法,輔助物理清潔。在本文中,介紹了一種在同一腔室中使用干法和濕法相結(jié)合的剝離 HDI 光刻膠的新方法,以實現(xiàn)在不損失基板的情況下去除 HDI 光刻膠。一個新的過程包括兩個步驟。第一個過程通過大氣壓電感耦合氫等離子體去除碳化外殼層,第二個過程通過硫酸-臭氧混合物去除剩余的本體光刻膠。新工藝可以去除 HDI 光刻膠而不會造成任何基板損失。傳統(tǒng)上,光刻膠已使用等離子灰化的組合剝離,低壓氧氣和浸漬濕法處理。然而, 由于等離子體灰化后的材料損壞,典型的灰化工藝已成為納米技術(shù)節(jié)點器件中的一個關(guān)鍵問題。因此,在光刻膠剝離中實施全濕法或其他無損傷工藝是必不可少的。實驗性氣壓電感耦合等離子體 (AICP)?!?低壓等離子體已用于半導(dǎo)體行業(yè)。然而,這里描述的新工藝要求在大氣壓下產(chǎn)生干凈的等離子體,因為它用于開放室單晶片、自旋清潔系統(tǒng)。因此,我們采用了 AICP 技術(shù)。該技術(shù)具有以下特點。 1. 等離子體非常干凈,因為電感耦合等離子體 (ICP) 沒有電極,這是金屬污染的來源。2. 該設(shè)備的結(jié)構(gòu)非常簡單,因為不需要封閉的腔室。3. 可以產(chǎn)生高密度等離子體...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 27
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要半導(dǎo)體器件的制造工程使光電儀器、激光二極管和無線通信設(shè)備以及許多其他現(xiàn)代設(shè)備成為可能。從 1947 年 Bardeen、Brittain 和 Shockley 在貝爾實驗室發(fā)明晶體管以及大約十年后 Kilby 和 Noyce 引入集成電路開始,半導(dǎo)體器件極大地推動了計算和電子行業(yè)的發(fā)展。半導(dǎo)體材料,如硅、鍺、砷化鎵和磷化銦,既不是良好的絕緣體,也不是良好的導(dǎo)體,但它們具有固有的電氣特性,因此通過控制添加雜質(zhì),它們的導(dǎo)電性可以達(dá)到改變了。由于需要制造微米級和納米級器件,半導(dǎo)體行業(yè)遵循“摩爾定律”,即集成電路上的晶體管數(shù)量大約每兩年呈指數(shù)增長的趨勢。制造這些集成電路的微小特征是通過對半導(dǎo)體材料進(jìn)行等離子體蝕刻來實現(xiàn)的。介紹InGaP 和 InGaAsSb 等半導(dǎo)體對于發(fā)光設(shè)備以及通信設(shè)備和電子設(shè)備都很重要。這些器件的制造是通過等離子蝕刻實現(xiàn)的,其中電離氣體混合物通過化學(xué)反應(yīng)和物理轟擊來蝕刻基板。在用于這些目的的等離子蝕刻中,銦產(chǎn)品沒有那么易揮發(fā),而且通常比其他半導(dǎo)體材料更難去除。實驗性  圖 1 是晶片層的簡化的表示結(jié)果與討論在第一輪蝕刻過程之后,結(jié)果尚無定論??磥頋裎g刻溶液沒有選擇性地蝕刻晶片。假設(shè)晶片可能已經(jīng)倒置,這意味著正在蝕刻更厚的 GaAs 底層而不是 750Å 頂層。在第二輪蝕刻過程中,小心地使用劃線器標(biāo)...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 27
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