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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實(shí)際情況或客戶要求設(shè)計(jì))將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴(kuò)散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強(qiáng)力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門:?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機(jī)界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護(hù)等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨(dú)立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨(dú)立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計(jì),方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運(yùn)方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機(jī)           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機(jī)尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計(jì)“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機(jī)臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機(jī)、RCA清洗機(jī)、去膠機(jī)、外延片清洗機(jī)、酸堿腐蝕機(jī)、顯影機(jī)等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機(jī)Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      研究了各種金屬污染物對薄柵氧化層完整性的影響,并根據(jù)它們在結(jié)構(gòu)中的最終位置進(jìn)行分類。提出了一種簡化的清潔策略,與傳統(tǒng)的清潔順序相比,該策略具有高性能,同時具有成本效益,并且對環(huán)境的影響更小。最后,提出了一種用于去除光刻膠和有機(jī)蝕刻后殘留物的新型環(huán)保臭氧/去離子水工藝。介紹      鑒于污染對器件性能和工藝良率的重要影響,很容易理解清洗是 IC 生產(chǎn)中最頻繁重復(fù)的步驟。在這些步驟中消耗了相對大量的去離子水和化學(xué)品,這導(dǎo)致了重要的生產(chǎn)成本并引起了嚴(yán)重的環(huán)境問題。因此,在過去幾年中,大量的研究工作致力于開發(fā)性能更高、成本效益更高且對環(huán)境影響更低的清潔技術(shù)。金屬污染的影響      研究了幾種常見于潔凈室材料(Na、Mg、Cr、Zn、Ni、V、Mn)或可能用于未來電介質(zhì)(Ti、Sr、Ba、Pt、Co、Pb)的污染物的行為。清潔硅晶片以獲得無污染的參考親水表面。通過旋轉(zhuǎn)含有 1 ppm 待研究污染物的 pH = 0.1 的酸溶液來施加污染物。由于元素的原子質(zhì)量不同,雜質(zhì)濃度在一個數(shù)量級上變化(圖 1)。      圖 1:污染后的雜質(zhì)濃度  略簡化的清潔過程      通...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 03
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      已開發(fā)出一種稱為硅板法的方法,該方法使用具有清潔簡單過程的小型取樣裝置,以直接評估來自潔凈室空氣的硅晶片表面上的有機(jī)污染物。使用這種方法,首次通過實(shí)驗(yàn)表明,硅片表面鄰苯二甲酸二(2-乙基己基)酯的濃度達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài),這與其在潔凈室空氣中的濃度有關(guān)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果與使用多組分有機(jī)物種吸附誘導(dǎo)污染模型理論預(yù)測的結(jié)果一致;因此,可以得出結(jié)論,硅板法對于評估硅晶片表面上有機(jī)物質(zhì)的時間依賴性行為是有效的。介紹      眾所周知,吸附在硅晶片表面上的有機(jī)碳?xì)浠衔锓肿拥拇嬖跁谙冗M(jìn)的電子設(shè)備制造過程中引起嚴(yán)重的空氣分子污染問題。據(jù)報道,各種有機(jī)物 在硅片表面上的濃度隨時間發(fā)生變化,這被稱為果籃現(xiàn)象。一些有機(jī)物在其表面濃度中顯示出尖峰在硅晶片表面上,隨后趨于減少,表明逐漸被其他有機(jī)物種取代。因此,有機(jī)物種似乎在爭奪硅片表面上的吸附位點(diǎn)。為了通過實(shí)驗(yàn)評估硅片表面上這種隨時間變化的有機(jī)污染,      硅表面上的有機(jī)污染物通常使用晶片熱解吸氣相色譜質(zhì)譜儀 進(jìn)行測量,包括以下步驟:(i) 從受污染的硅晶片表面熱解吸有機(jī)物質(zhì),( ii) 使用載氣流通過氣相傳輸有機(jī)物質(zhì),(iii) 通過吸附劑固體捕集器 (Tenax) 收集有機(jī)物質(zhì),(iv) 從吸附劑固體捕集器中熱解吸有...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 03
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      對于亞微米或深亞微米 ULSI 的制造,完全抑制在硅晶片表面產(chǎn)生的顆粒和污染非常重要。清潔需求的傳統(tǒng)概念是使用化學(xué)成分(APM、氨和過氧化氫混合物)發(fā)揮主要作用。不幸的是,SC-1 (APM) 對表面損傷有負(fù)面影響。近年來,它已被修改為加入更稀的溶液,以減少由氫氧化銨引起的表面微觀粗糙度。在本文中,提出了一種新思路,即使用去離子水快速傾倒沖洗 (QDR) 模式從對話設(shè)置轉(zhuǎn)變?yōu)楦倪M(jìn)模式。使用 DIW 進(jìn)行修改的修改配方可以在加工過程中完全去除顆粒。介紹      隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸的不斷縮小。需要了解顆粒去除機(jī)制并認(rèn)識到其優(yōu)點(diǎn)和局限性。在本文中,一些粒子去除模型被修改為能夠去除軟粒子變形。研究了改進(jìn)的 RCA 晶片清洗,使用/不使用兆聲波能量增強(qiáng)和各種沖洗技術(shù),用于深亞微米半導(dǎo)體器件制造。對濕法清潔的需求,提出用于半導(dǎo)體工藝的無顆粒基板變得越來越重要。隨著半導(dǎo)體器件的縮小,硅和二氧化硅襯底對污染的敏感性增加。特別是在亞微米和深亞微米超微集成電路的制造過程中,基板的表面微結(jié)構(gòu)和表面清潔度將增加其對器件性能和可靠性至關(guān)重要的重要性。本文還介紹了一項(xiàng)綜合研究,使用表面分析和檢測技術(shù)來測試各種清潔配方下的顆粒去除率,包括 (1) Mega-sonic-on 和 (2) 快速轉(zhuǎn)儲...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 02
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      隨著每一個新的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn),最小特征尺寸不斷縮小。因此,設(shè)備變得更密集,曝光工具的焦深降低——使光刻成為工藝流程中最關(guān)鍵的模塊之一。因此,消除由背面缺陷引起的熱點(diǎn)是一個需要解決的關(guān)鍵問題,以防止顯著的良率下降。關(guān)鍵詞:洗滌器,拋光清潔,背面缺陷,熱點(diǎn)簡介      隨著先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)在新薄膜材料/新化學(xué)品/新集成方案方面的進(jìn)步和變得更加復(fù)雜,所需的工藝/測量步驟數(shù)量急劇增加,以實(shí)現(xiàn)新功能(例如 FiNFET)并滿足日益嚴(yán)格的要求。性能要求。晶圓正面缺陷的檢測歷來是半導(dǎo)體器件制造商最關(guān)心的問題,而很少關(guān)注位于背面的缺陷。背面晶圓質(zhì)量正成為一個具有挑戰(zhàn)性的問題,因?yàn)楣饪?DOF 和重疊容限隨著 1x 節(jié)點(diǎn)及更多節(jié)點(diǎn)處所需的器件幾何尺寸縮小而降低 。在7nm等先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)。圖 1:晶圓背面缺陷導(dǎo)致散焦問題 典型晶圓背面的光學(xué)圖片如圖 2 所示。晶圓背面的缺陷可能有多種來源,主要可分為顆粒、殘留物和劃痕。晶圓背面的顆粒和劃痕(通常呈同心環(huán)形式)可由晶圓處理部件(如卡盤和機(jī)械臂)以及 CMP 工藝引起。由于不需要的薄膜去除不完全或清潔化學(xué)品的使用無效,殘留物可能會留在晶片背面。此外,當(dāng)晶片從一個工具移動到另一個工具,通過生產(chǎn)線時,會發(fā)生晶片和處理設(shè)備的交叉污染。背面缺陷會在...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 02
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      在未來幾代半導(dǎo)體技術(shù)中,清潔工藝將面臨在不損壞脆弱結(jié)構(gòu)和幾乎不蝕刻基板的情況下去除納米顆粒的挑戰(zhàn)。在這項(xiàng)研究中,我們評估了一組具有代表性的現(xiàn)有兆聲清潔工具在熱二氧化硅蝕刻低于 0.5 Å 的工藝條件下應(yīng)對這一挑戰(zhàn)的能力。顆粒去除和破壞的測試載體包括親水性硅晶片上的 34 nm SiO2 顆粒和線寬范圍分別為 150 至 70 nm 的多晶柵線。在本系列測試中,沒有任何工具達(dá)到高顆粒去除效率 (PRE) 和對 70 nm 線的低損壞的目標(biāo)。只有通過降低兆聲功率,才能以降低 PRE 為代價來獲得更低的傷害。PRE 和損壞的晶圓圖顯示了特定于工具的模式。五分之二的系統(tǒng)似乎只有兩個系統(tǒng)在晶圓級 PRE 和損壞之間顯示出簡單的直接相關(guān)性,這表明需要更多的基礎(chǔ)研究來了解兆聲波系統(tǒng)中的清潔和損壞機(jī)制。介紹     在半導(dǎo)體制造中,隨著特征尺寸縮小到 100 nm 以下,需要將直徑為幾十納米的顆粒視為致命缺陷。例如,尺寸大于 45nm 的 90nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)顆粒被認(rèn)為是芯片中器件的潛在致命缺陷。 1 由于與基板消耗預(yù)算、成本和環(huán)境影響相關(guān)的幾個原因,目前的清潔使用稀釋的化學(xué)物質(zhì)蝕刻能力低,需要額外的物理機(jī)制,例如超音速攪拌,以去除污染物顆粒。2 隨著顆粒尺寸...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 02
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      對來自不同供應(yīng)商的化學(xué)品進(jìn)行了清潔后殘留在硅晶片上的金屬污染水平的測試。在調(diào)查過程中,評估了來自三個供應(yīng)商的鹽酸和氫氧化銨以及來自四個供應(yīng)商的過氧化氫。在 RCA 標(biāo)準(zhǔn)溶液中清洗晶片,然后測量顆粒計(jì)數(shù)和金屬污染。全反射 X 射線熒光分析用于金屬污染測量。熱的氫氧化銨-過氧化氫混合物 (APM) 是一種有效的顆粒去除劑,會導(dǎo)致鐵沉積在硅上。沉積鐵的數(shù)量很大程度上取決于混合物中使用的過氧化物的質(zhì)量,可以通過使用更短的清潔時間來減少。在晶片上的金屬濃度和溶液中的金屬濃度達(dá)到平衡之前,晶片上鐵的沉積速率可能在短時間內(nèi)受到擴(kuò)散限制。APM 之后的鐵濃度對化學(xué)混合物的年齡不是很敏感。然而,在老化的化學(xué)混合物中沉積了更多的鋅。在熱鹽酸-過氧化氫混合物 (HPM) 之后,還發(fā)現(xiàn)了在 APM 之后觀察到的相同類型但較弱的鐵濃度對化學(xué)品供應(yīng)商的依賴性。鐵濃度要低得多。濕化學(xué)       在晶圓清洗中,最常用的是濕化學(xué)法。所謂的 RCA 清潔,基于過氧化氫的熱堿性和酸性混合物。廣泛應(yīng)用于硅工業(yè)(6)。氫氧化銨、過氧化氫和水的堿性混合物(也稱為“RCA 標(biāo)準(zhǔn)溶液 1”或“SC-1”或“APM”)可去除有機(jī)表面殘留物和多種金屬,對去除無機(jī)顆粒非常有效。酸性混合物、鹽酸和過氧化氫的水稀釋液...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 02
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      我們評估了單晶片氣溶膠噴霧和兆聲波清潔工具的損傷產(chǎn)生和顆粒去除之間的權(quán)衡。這是通過計(jì)算 30 nm 二氧化硅的局部顆粒去除率和 ~ 20 nm 寬非晶硅線的局部損傷通量來完成的。對于氣溶膠清潔觀察到的清潔和損壞不均勻性是由于對噴嘴的暴露時間不同。兆聲波清洗的不均勻性是由于對棒的不同暴露時間以及跨晶片的非等效聲能傳輸。此外,兩種技術(shù)的等效損傷產(chǎn)生的清潔程度顯示為可比的,但與此處使用的實(shí)驗(yàn)條件的規(guī)范相去甚遠(yuǎn)。介紹      物理清潔方法,如氣溶膠噴霧和兆聲波清潔目前用于生產(chǎn)線清潔應(yīng)用的前端和后端,并在顆粒去除方面顯示出令人鼓舞的結(jié)果 。然而,如果沒有對圖案化基板的平行損傷評估,就不可能在不同的清潔技術(shù)之間進(jìn)行合理的比較。按照半導(dǎo)體器件的 ITRS 路線圖,到 2010 年,粒子檢測限制和柵極長度應(yīng)為 18 nm。在這項(xiàng)工作中,我們在具有挑戰(zhàn)性的實(shí)驗(yàn)條件下研究所需的清潔操作和不希望的損壞生成之間的權(quán)衡:30 nm 二氧化硅粒子和線寬為 20 ± 3 nm 的非晶硅線。實(shí)驗(yàn)      使用 300 毫米直徑的 Si (100) p 型晶片,其位置平坦度 顆粒去除結(jié)果損傷生成結(jié)果      對非常脆弱的 a-Si...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 02
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      研究了兩種反應(yīng)離子蝕刻 (RIE) 工藝,以使用兩種方法顯示 SiO2 和 Si 之間的相對蝕刻選擇性 佛羅里達(dá)州碳氟化合物氣體、CF4 和 CHF3。結(jié)果表明,與 CF4 (1.2:1) 相比,CHF3 具有更好的選擇性 (16:1)。另一方面,CF4 的 SiO2 蝕刻速率約為 52.8 nm/min,比 CHF3快。關(guān)鍵詞:反應(yīng)離子蝕刻,RIE,Si,SiO2,CHF3,CF4,選擇性 介紹      在納米制造中,在 Si 層上蝕刻 SiO2 層(反之亦然)是一種常見的工藝。為確保完全去除目標(biāo)材料,工藝設(shè)計(jì)中通常包括 10% 的過蝕刻。然而,對于大多數(shù)設(shè)備,盡可能少的過度蝕刻是首選。在反應(yīng)離子蝕刻 (RIE) 工藝中,蝕刻主要通過化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行。反應(yīng)中的等離子體是由固定在頂部和底部的兩個電極之間施加的高頻電場形成的。電場還定義了等離子體運(yùn)動的方向,這使 RIE 工藝具有高各向異性的優(yōu)點(diǎn)。圖 1 顯示了本研究中使用的 Oxford 80 Plus RIE,其壓板直徑為 220 毫米。       實(shí)驗(yàn)      到研究 CF4 或 CHF3 的蝕刻選擇性 (S...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 02
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      本文研究了氧化劑濃度、pH 值和漿料流速對 Si (1 0 0) 晶片化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP) 中材料去除率 (MRR) 的影響。CMP 在堿性漿液中使用氧化鋁和氧化鈰顆粒與過氧化氫進(jìn)行。發(fā)現(xiàn)兩種顆粒材料的應(yīng)用導(dǎo)致了非常不同的結(jié)果。當(dāng)使用氧化鋁顆粒時,MRR 最初隨著漿液 pH 值的增加而降低,直到 pH = 9。然而,在漿液的 pH 值達(dá)到 10 之前,使用二氧化鈰顆粒會增加 MRR。影響是由于顆粒團(tuán)聚和氧化劑漿料與晶片表面的接觸角減??;而后者是由粒子團(tuán)聚和三價二氧化鈰離子的改性引起的。無論顆粒類型如何,漿液流速和氧化劑濃度的影響是相似的——更高的流速或更高的氧化劑濃度會在達(dá)到平臺之前帶來更大的 MRR。其中許多是通過分子尺度上的粘合劑去除機(jī)制來解釋的。 介紹      由于其全局平坦化能力,化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是目前集成電路制造中的主要加工方法。在 CMP 工藝中,將旋轉(zhuǎn)的晶圓壓在旋轉(zhuǎn)的拋光墊上,同時將包含一些化學(xué)試劑和磨粒的漿料送入晶圓-拋光墊相互作用區(qū)。耦合的化學(xué)-機(jī)械相互作用被認(rèn)為是拋光過程中材料去除的原因,然而,CMP 中使用的一些化學(xué)品是有毒的,這會增加生產(chǎn)成本、產(chǎn)生有毒化學(xué)品的處置問題并造成污染。對 CMP 中化學(xué)作用的深入了解可以為工藝優(yōu)化提...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 02
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      臨時鍵合將基板連接到載體,以便在減薄到所需厚度后,可以在標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體設(shè)備中使用“正?!惫に嚵鞒踢M(jìn)行進(jìn)一步的背面制造步驟。選擇合適的臨時粘合劑是薄晶圓處理成功的關(guān)鍵。臨時粘合劑的主要要求與其工藝流程、熱穩(wěn)定性、耐化學(xué)性和機(jī)械強(qiáng)度有關(guān)。理想的熱穩(wěn)定性應(yīng)該允許高達(dá) 400C 的高溫處理,用于高縱橫比通孔中的介電沉積、聚合物固化、回流焊、金屬燒結(jié)、永久粘合或其他高溫處理。粘合劑必須能耐受晶圓減薄后常用的化學(xué)品。在加工過程中需要機(jī)械強(qiáng)度來牢固地固定薄晶片,特別是在永久鍵合應(yīng)用中,否則變薄的晶片會彎曲并阻止鍵合。挑戰(zhàn)在于找到這些問題的同步解決方案,同時允許將減薄的基板輕柔地釋放到其最終的永久基板或封裝上,而不會造成產(chǎn)量損失或應(yīng)力。本文將重點(diǎn)介紹通過技術(shù)創(chuàng)新出現(xiàn)的一些較新的薄晶圓處理解決方案。介紹      垂直的 MEMS、IC、存儲器和 CMOS 圖像傳感器的集成受到外形尺寸要求、整個晶圓加工的經(jīng)濟(jì)效益以及薄晶圓易碎性的挑戰(zhàn)。目前的 200mm 和 300mm 薄晶圓厚度已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出自支撐極限,通常為 50 微米或更小。臨時晶圓鍵合和去鍵合已成為大多數(shù) 3D 集成方案所使用的具有挑戰(zhàn)性但必不可少的工藝。幸運(yùn)的是,已經(jīng)出現(xiàn)了各種解決方案來為這些挑戰(zhàn)提供解決方案??赡嬲澈蟿┎牧系呐R時粘合分...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 02
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