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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據(jù)實際情況或客戶要求設計)將設備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風通道內(nèi)設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調(diào)節(jié)風門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      絕緣體上硅(SOI)晶片是目前非常重要的材料,它是通過使用兩個硅晶片的晶片鍵合技術制備的。該生產(chǎn)過程需要在硅晶片表面形成的二氧化硅薄膜非常干凈和平坦。為了有效提高氧化后二氧化硅膜厚的均勻性,單片濕法刻蝕法是一種有用的技術。其進一步推進應得到理論計算的支持。      因此,在我們之前的研究中開發(fā)了使用單晶片濕法蝕刻機進行二氧化硅膜蝕刻的數(shù)值計算模型。首先,通過水流可視化獲得旋轉(zhuǎn)晶片上的整個水運動,并進行評估以表明可以通過數(shù)值計算再現(xiàn)水的速度和層厚度。接下來,假設簡單的速率方程,可以得到氟化氫水溶液對二氧化硅的蝕刻速率。該模型可以同時闡明擺動噴嘴的作用。然而,計算和測量之間的蝕刻速率仍然存在小的差異。為了獲得準確實用的計算模型,表面化學反應過程及其速率,如朗繆爾模型,應像化學氣相沉積一樣適當?shù)孛枋觥嶒炐?#160;     顯示了本研究中使用的單晶片濕法蝕刻機。該蝕刻機有一個直徑為 200 毫米的晶片,在圓柱形容器中以 100-1400 rpm 的速度旋轉(zhuǎn)。氟化氫水溶液(3%)從直徑 4 毫米的噴嘴垂直于晶片表面以 1 L/min 的流速向下注入 1 分鐘。注入后,氟化氫水溶液沿旋轉(zhuǎn)的晶片表面從注入位置輸送到晶片邊緣,最后從晶片邊緣甩出到外部。...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 02
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關信息摘要      本文介紹了一種低成本低溫封裝技術,用于在任意基板上制造的 MEMS 器件的晶圓級封裝。此處介紹的封裝工藝不涉及晶圓鍵合,并且可以在其制造序列完成后應用于各種 MEMS 器件。我們的技術通過聚合物涂層帽利用犧牲聚合物材料的熱分解,并且可以應用于表面和本體微機械結構。介紹了高 Q 絕緣體上硅諧振器、厚硅陀螺儀和加速度計的封裝。 簡介      晶圓級封裝是微系統(tǒng)制造中一項具有挑戰(zhàn)性且成本高昂的任務 [1]。已經(jīng)報道了幾種用MEMS 器件晶圓級封裝的技術,包括各種晶圓鍵合 [2-6] 和基于犧牲膜的方法。大多數(shù)報道的技術要么成本高昂(需要晶圓鍵合、研磨和帽蓋形成),要么需要高溫,要么是特定于設備的。圖案化包裝 (PVP)      第一種方法更適用于表面微加工器件,例如 SOI 諧振器。圖 1(a) 顯示了封裝工藝順序,稱為通過圖案化 (PVP) 封裝。光可定義犧牲材料 Unity 2000P [9] 首先進行旋涂和軟烤。然后使用深紫外曝光 (248nm) 對 Unity 聚合物進行圖案化,然后在 110°C 下烘烤顯影以分解曝光區(qū)域。圖案化的犧牲材料被負性光可定義聚合物涂層 Avatrel 覆蓋。封裝后,通過 Avatrel ...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 02
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料介紹      最先進的 65 nm 柵極氧化物通常被氮化以減少泄漏并增加 k 值。將它們集成到 65 納米三柵極氧化物流中是一個真正的挑戰(zhàn)。關鍵是控制入膜的氮濃度峰值位置。實際上,摻入的氮對所有種類的氧化都非常敏感,尤其是濕式操作。關鍵詞: 氮化氧化物、三重柵極氧化物、氮濃度分布結果與討論      某些器件需要在同一芯片上集成三重柵極氧化物(圖 1)。第一個專用于輸入/輸出功能。第二個,LP(低功耗)用于低電流消耗,最后一個,GP(通用)用于高速應用。使用了幾個濕法處理步驟并與 LP 柵極氧化物相互作用。這些氧化物是通過快速熱氧化、等離子體氮化和 PNA(氮化后退火)產(chǎn)生的(圖 2)。      必須嚴格控制三個主要參數(shù)才能獲得可重現(xiàn)和準確的設備性能:厚度、氮深度分布和含量。雖然氮位于 90 nm 節(jié)點中的氧化物襯底界面處,但它在 65 nm 節(jié)點中更靠近頂部表面,以防止任何 NBTI 問題(圖 3)。      這些劑量分布圖通過兩個步驟獲得:濕斜角蝕刻,然后沿晶片直徑進行 XPS 測量。兩種斜角蝕刻輪廓是可能的:從上到下(在 HF 浴中緩慢浸入)或旋轉(zhuǎn)蝕刻機上的徑向輪廓。結論      需要...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 01
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      GaN、AlGaN 和 InGaN 等寬帶隙 (WBG) 半導體的應用范圍從照明和紫外線 (UV) 技術到高功率、抗輻射、高溫、太赫茲 (THz) 和亞太赫茲電子和熱電子學. 纖鋅礦(六邊形)對稱性使這些材料與傳統(tǒng)的立方半導體截然不同。與纖鋅礦晶體結構相關的自發(fā)極化和壓電極化在 AlGaN/GaN、AlInN/GaN 和 AlGaN/InGaN 界面產(chǎn)生二維電子氣,其片層濃度比 Si CMOS 中的高 10 到 20 倍。高載流能力和高擊穿場使這些材料非常適合高功率應用。通過改變摩爾分數(shù)來調(diào)整 AlxGa1-xN 和 InxGa1-xN 的能隙會改變它們發(fā)射或吸收的光的波長,并使光和紫外線發(fā)射器、太陽能電池和光電探測器在太赫茲和紅外線到深紫外線范圍內(nèi)工作。使用 InGaN 的藍色、綠色和白色 LED 徹底改變了智能固態(tài)照明。AlGaN UV LED 用于水凈化、對抗抗生素抗性細菌和病毒,并顯著延長產(chǎn)品儲存時間。InN、ZnO 和 BN 具有與 AlN/GaN 系列競爭的潛力。金剛石不僅作為記錄散熱的基材重新出現(xiàn),而且作為可行的太赫茲探測器材料重新出現(xiàn)。WBG 技術有許多難以解決的問題。WBG 材料中的高位錯密度導致深 AlGaN UV LED 的效率低和高功率器件的可靠性問題。介紹  ...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 01
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      一種光刻圖案化方法包括在基板上形成第一抗蝕劑圖案,第一抗蝕劑圖案在基板上包括多個開口;在基板上以及在第一抗蝕劑圖案的多個開口內(nèi)形成第二抗蝕劑圖案,第二抗蝕劑圖案在基板上包括至少一個開口。去除第一抗蝕劑圖案以露出第一抗蝕劑圖案下方的基板。背景      半導體技術不斷發(fā)展到更小的特征尺寸,例如縮小到 65 納米、45 納米及以下的特征尺寸。用于產(chǎn)生如此小的特征尺寸的圖案化光刻膠(抗蝕劑)層通常具有高縱橫比。由于各種原因,尤其是對于具有高縱橫比的抗蝕劑層,保持所需的臨界尺寸 (CD) 可能非常困難。引入雙重圖案化工藝以形成具有更小尺寸的各種特征。然而,傳統(tǒng)的雙重圖案化工藝涉及多個蝕刻工藝,制造成本高且產(chǎn)量低。詳細說明      應當理解,以下公開提供了許多不同的實施例或示例,用于實現(xiàn)各種實施例的不同特征。下面描述部件和布置的具體示例以簡化本公開。當然,這些僅是 55 個示例,并非旨在進行限制。例如,在以下描述中在第二特征之上或之上形成第一特征可以包括其中第一和第二特征直接接觸形成的實施例,并且還可以包括其中可以在之間形成另外的60個特征的實施例。第一和第二特征,使得第一和第二特征可以不直接接觸。此外,本公開可以在各種示例中重復參考數(shù)字和/或字母。...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 01
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      隨著器件幾何尺寸的減小以增加 VLSI 和 VHSIC 集成電路的有源元件密度,為基礎半導體加工制備清潔的 Si 和 SiO2 襯底已成為一個更重要的技術問題。傳統(tǒng)的表面分析技術如俄歇光譜法和 ESCA 分析不再具有足夠的靈敏度來檢測和定量表面雜質(zhì)水平。因此,已經(jīng)開展了將二次離子質(zhì)譜 (SIMS) 分析應用于進行清洗處理的晶片表面的前幾個納米的程序。在確定執(zhí)行可重復分析所需的 SIMS 儀器參數(shù)后,對通過 FSI-A、王水、發(fā)煙硝酸和食人魚加 HF 清潔程序清潔的晶片進行了分析。每個清潔程序都會去除一些堿元素(Na、K),但最佳和最差性能之間的差異導致表面堿含量的變化超過 10 倍。典型的晶片污染物(Mg、Ca、Cr、Cu、Al 和 B)通過使用的各種清潔工藝以大不相同的效率去除。將提供有關各種清潔過程的相對效率及其對不同污染物的適用性的數(shù)據(jù)。此外,還將介紹一個受污染的薄沉積氮化物膜分析示例。介紹      隨著集成電路密度的增加,硅基半導體技術的基本表面清潔度要求已成為一個越來越難以分析的問題。不再存在相對“海洋”的硅來吸收和分散一個加工步驟留下的污染物,因此它們不會影響后續(xù)步驟。俄歇電子能譜 (AES) 和化學分析電子能譜 (ESCA) 的基本靈敏度已經(jīng)擴展到許多感興...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 01
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要  為了能夠使用基于 GaAs 的器件作為化學傳感器,它們的表面必須進行化學改性。GaAs 表面上液相中分子的可重復吸附需要受控的蝕刻程序。應用了幾種分析方法,包括衰減全反射和多重內(nèi)反射模式 (ATR/MIR) 中的傅里葉變換紅外光譜 (FTIRS)、高分辨率電子能量損失光譜 (HREELS)、X 射線光電子能譜 (XPS) 和原子用于分析用不同濕蝕刻程序處理的 GaAs (100) 樣品的力顯微鏡 (AFM)。通過與粉末狀氧化物(Ga2O3、As2O3 和 As2O5)相比,振動和 XPS 光譜中存在的表面氧化物導致的不同特征的分配。這里描述的蝕刻程序,即,使用低濃度 HF 溶液的那些,大大減少了砷氧化物 (100) 表面中存在的砷氧化物和脂肪族污染物的數(shù)量,并完全去除了氧化鎵。關鍵詞: 砷化鎵 (100);氧化物;濕蝕刻;ATR/中紅外;XPS; 人力資源;原子力顯微鏡介紹      GaAs (100) 表面具有高表面能。1 因此,它們具有很強的反應性和化學穩(wěn)定性。GaAs (100) 表面上存在的不同氧化物的化學表征是有問題的,因為僅通過紅外光譜和高分辨率電子能量損失光譜 (HREELS) 3 對氧化物進行了幾次鑒定,并且在X 射線光電子能譜 (XPS) 值存在。上述所有方法在表面成分和粗糙度方...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 01
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      隨著半導體器件的生產(chǎn)階段深入到亞 100 納米范圍,監(jiān)測空氣分子污染 (AMC) 已成為潔凈室管理的關鍵要素。本文根據(jù)過去十年的研究報告,全面介紹了當前對 AMC 的理解,特別是對有機來源的理解。從回顧 AMC 問題的時間順序發(fā)展和 AMC 分類的幾種方法開始,本文還研究了幾種可用的環(huán)境采樣和表面分析方法的優(yōu)點。本文的重點是通過實驗將有機 AMC 的表面形態(tài)和豐度與其物理和化學特性相關聯(lián),來解決有機 AMC 的表面沉積潛力,連同描述單一和多種污染物情況的沉積速率的動力學模型。此外,本文還考察了 AMC 控制策略的當前進展,特別是化學過濾技術的發(fā)展。介紹      潔凈室的設計是為了最大限度地提高環(huán)境敏感材料(微電子和制藥元件或產(chǎn)品)、工藝(晶圓制造)或操作(醫(yī)療程序)的生產(chǎn)率和產(chǎn)量。然而,只有在晶圓制造工藝領域,潔凈室的概念才足夠統(tǒng)一,因此空氣潔凈度要求之間的比較才變得有意義;因此,關于微污染的討論嚴格集中在半導體潔凈室環(huán)境上。多年來,潔凈度是指盡量減少潔凈室中的空氣傳播顆粒,以防止形成產(chǎn)品缺陷。這一要求促使半導體潔凈室的設計分類為嚴格顆粒定義的環(huán)境,例如 10 級 (ISO 4)、100 級 (ISO 5) 潔凈室。對溫度和濕度、壓力均勻性、氣流速度和分布、噪聲和振動水...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 01
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      低氧含量的濕法加工可能會提供一些優(yōu)勢,但是,完全控制在晶圓加工過程中避免吸氧仍然是單個晶圓工具上的短流程工業(yè)化的挑戰(zhàn)。在線氧濃度監(jiān)測用于工藝優(yōu)化。然后,根據(jù)記錄的氧濃度和處理室中氣氛控制的硬件可用選項,評估稀釋 HF 溶液中的鈷蝕刻。關鍵詞:低氧工藝、溶氧計、BEOL 清洗介紹      FEOL 應用和 BEOL 已經(jīng)證明了在液體(沖洗水、稀釋的酸,如 HF、HCl)和大氣中(氮氣流、密閉室)中低氧含量的濕法加工的優(yōu)勢應用 ,以及 2010 年 ITRS 路線圖建議在晶圓廠設施提供給潤濕設備的超純水中添加 10ppb。然而,在晶圓加工過程中完全控制避免吸氧仍然是在非常短的工藝時間的單晶圓工具上進行工藝工業(yè)化的挑戰(zhàn)。      在這項工作中,我們將專注于超稀釋 HF 溶液中的氧氣控制。事實上,已經(jīng)證明用于 BEOL 互連蝕刻后清潔的“HF 預算”隨著技術節(jié)點而不斷減少,但可能仍然需要確保低成本工藝和良好的清潔效率。為了最大限度地減少絕緣多孔電介質(zhì)的橫向蝕刻,即使對于 10nm 節(jié)點,也建議將 HF 濃度降低至 0.05%wt,并改進氧濃度控制。然而,由于過程穩(wěn)健性可能會受到非常短的過程時間(例如 實驗性     ...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 31
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      硅晶片制造涉及許多濕法工藝,其中液體分布在整個晶片表面。在單晶片工具中,流體分配是至關重要的,它決定了清潔過程的均勻性。研究了沖洗流中的流體動力學和化學傳輸,結果表明在沖洗時間的一般分析中必須考慮由于流體層上的非均勻速度而導致的徑向分散現(xiàn)象。介紹      更好地了解硅晶片制造中的濕法工藝對于提高清潔效率以及優(yōu)化水分配和工藝時間非常重要。在這里,我們專注于沖洗過程,執(zhí)行該過程是為了消除已分配在晶片表面的清潔溶液,并考慮代表單個晶片工具的情況。DIW(去離子水)的中心注入以及施加到系統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)引起沿晶片表面的徑向流動和從邊緣排出水溶液。研究了沖洗流中的流體動力學和化學輸運,重點研究了由穿過流體層的非均勻速度場引起的徑向分散現(xiàn)象。流體動力學和傳輸現(xiàn)象。       在這項工作中,沖洗過程被分析為純水對水溶液的混溶置換。為簡單起見,化學物質(zhì)和殘留物被視為單一溶解的溶質(zhì)。如圖 1 所示,去離子水 (DIW) 從晶片和屏蔽板之間的中心注入。兩者都以相同的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。區(qū)分了兩種主要配置(圖 1)。在第一種情況下,稱為密閉情況 (a),流速足夠高,液體可以完全充滿晶片和屏蔽板之間的空間。第二個,稱為自由表面情況(b),對應于旋轉(zhuǎn)速度或屏蔽板高度足夠高...
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