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發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
晶片凸點電鍍設備-華林科納(江蘇)CSE 傳統(tǒng)的IC器件是硅圓片在前工序加工完畢后,送到封裝廠進行減薄、劃片、引線鍵合等封裝工序。但無論是雙列直插封裝(DIP),還是四邊引線扁平封裝(QFP),封裝后的體積都比芯片本身體積大很多倍。由于手機等便攜式裝置的體積很小,所以要求器件的體積越小越好,像有300多個引出端的液晶顯示器(LCD)驅動電路,必須采用WLP的芯片尺寸封裝(CSP)。有些特殊的高頻器件,為了減小引線電感的影響,要求從芯片到外電路之間的引線越短越好。在這些情況下,華林科納的工程師采用了芯片尺寸封裝(CSP),方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊點,例如金凸點、焊料凸點、銦凸點,然后直接倒裝焊在相應的基板上。  更多晶圓電鍍設備可以關注華林科納(江蘇)半導體設備官網regal-bio.cn;現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍設備的相關方案
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 08
IPA干燥設備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產量大,效率高設備名稱華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設備應用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01: IPA干燥工藝原理 02:更多的IPA干燥系統(tǒng)設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢0513- 87733829可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術,一般是借助等離子體中產生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術,即在被刻蝕的區(qū)域內,各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術;濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術,這是各向同性的刻蝕方法,利用化學反應過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術,有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃動,浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)的作用是減小硅片的表面張力,使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸,從而達到充分腐蝕;2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液(氟化銨溶液)的槽中浸泡,上下晃動片架使得二氧化硅腐蝕更充分,腐蝕時間可以調整,直到二氧化硅腐蝕干凈為止;3、沖純水;4、甩干。二氧化硅腐蝕機理為:SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的絡合物,利用這個性質可以很容易通過光刻工藝實現(xiàn)選擇性腐蝕二氧化硅。為了獲得穩(wěn)定的腐蝕速率,腐蝕二氧化硅的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成緩沖液。由于基區(qū)的氧化層較發(fā)射區(qū)的厚,以前小功率三極管的三次光刻(引線孔光刻)一般基極光刻和發(fā)射極光刻分步光刻,現(xiàn)在大部分都改為一步光刻,只有少部分品種還分步光刻,比如2XN003,2XN004,2XN013,2XP013等...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
設備名稱:高溫磷酸清洗機設備型號:CSE-SZ2011-16整機尺寸:約2800mm(L)×1200mm(w)×1900mm(H)節(jié)拍:根據實際工藝時間可調清洗量:批量清洗時,采用提籃裝片,單次清洗圓片的數(shù)量要求如下2"外延片,每次不少于1藍,每籃不少于25片4"外延片,每次不少于1藍,每籃不少于20片6"外延片,每次不少于1藍,每籃不少于20片框架材料:優(yōu)質10mm瓷白PP板機殼,優(yōu)質碳鋼骨架,外包3mmPP板防腐機臺底部:廢液排放管路,防漏液盤結構機臺支腳:有滑輪裝置及固定裝置,并且通過可調式地腳,可高低調整及鎖定功能DIW上水管路及構件采用日本積水CL-PVC管材,排水管路材質為PP管排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸型照明臺面板為優(yōu)質10mmPP板(帶有圓形漏液孔,清除臺面殘留液體)附件:水、氣槍左右各兩套控制方式:PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 組合控制;安全保護裝置:      ●設有EMO(急停裝置),       ●強電弱點隔離      ●設備三層防漏  托盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內臺面布置圖:各槽工藝參數(shù)
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
芯片鍍金設備-華林科納(江蘇)CSE   晶圓電鍍工藝在半導體、MEMS、LED 和 WL package 等領域中應用非常廣泛。華林科納(江蘇)的晶圓電鍍設備針對這些應用研發(fā)和生產的,對所有客戶提供工藝和設備一體化服務。產品分生產型和研發(fā)型兩大類,適合不同客戶的需求。 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-芯片鍍金設備應用領域:半導體、MEMS、LED操作模式:PLC集成控制具體應用:電鍍、電鑄工藝類型:電鍍Au,Cu,Ni,Sn,Ag晶圓尺寸:8inch或以下尺寸,單片或多片基本配置:操作臺(1套),主電鍍槽(2套),腐蝕槽(2套),清洗(1套)設備功能和特點(不同電鍍工藝配置有所差異) 1. 產品名稱:芯片鍍金設備 2. 產品系列:CSE-XL3. 晶圓尺寸:4-6inch. 4. 集成控制系統(tǒng),內置MST-MP-COTROL程序 5. 主體材料:勞士領PP 6. 四面溢流設計 7. 溫度控制系統(tǒng):70+/-1C 8. 循環(huán)過濾出系統(tǒng),流量可調。 9. 垂直噴流掛鍍操作。 10. 專用陰陽極 11. 陰極擺動裝置,頻率可調。 12. 陽極均化裝置。 13. 防氧化系統(tǒng)。 14. 充N2裝置。 15. 排風操作臺,風量可調。 16. 活化腐蝕系統(tǒng)。 17. 三級清洗系統(tǒng)。 18. 電鍍液體系:均為無氰電鍍液體系。 19. 工藝:表面均勻,厚度1-100um,均勻性5% 設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18913575037更多晶圓電鍍設備可以關注華林科納(江蘇)半導體設備官網w...
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 06
異質結高效電池(HJT、HIT)制絨清洗設備—華林科納CSE 設備用途: 對高效太陽能電池異質結電池片進行制絨、清洗設備工藝流程:l  H2O2工藝:SC1處理→純水清洗→去損傷→純水清洗→制絨→純水清洗→純水清洗→PSC1→純水清洗→化學拋光(HNO3)→純水清洗→SC2處理→純水清洗→氫氟酸洗→純水清洗→預脫水→烘干l  O3工藝:預清洗(O3)→純水清洗→去損傷→純水清洗→制絨→純水清洗→純水清洗→PSC1→純水清洗→化學拋光(O3)→純水清洗→SC2處理→純水清洗→氫氟酸洗→純水清洗→預脫水→烘干技術特點:l  兼容MES、UPS和RFID功能l  機械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應超時l  結構布局緊湊合理并且采用雙層槽結構,設備占地空間小l  先進的400片結構,有效提高設備工藝產能l  工藝槽體采用“定排定補”模式和“時間補液”模式相結合,有效延長藥液使用壽命和減少換液周期l  補配液采用槽內與補液罐雙磁致伸縮流量計線性檢測,以及可調節(jié)氣閥控流結構,有效保證初配時間和微量精補配液的精度l  所有與液體接觸材料優(yōu)化升級,避免材料使用雜質析出l  采用最新低溫烘干技術,保證槽內潔凈度和溫度控制精度技術參數(shù):l  設備尺寸(mm):26600(L)*2800(W)*2570(H)l  Uptime:≥95%l  破片率:≤0.05%l  MTTR:4hl  MTBF:450hl  產能:6000pcs/hl  功率消耗:398KW更多異質結高效電池制絨清洗相關設備,可以關注網址:http://regal-bio.cn,熱線:400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2016 - 12 - 05
單腔立式甩干機-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-單腔立式甩干機系統(tǒng)應用于各種清洗和干燥工藝設備名稱華林科納(江蘇)CSE-單腔立式甩干機優(yōu)    點 清洗系統(tǒng)應用于各種清洗和干燥工藝 不同配置(可放置臺面操作的設備、單臺獨立、雙腔) 適用于晶圓尺寸至200mm 最佳的占地,設備帶有滾輪可移動 優(yōu)越的可靠性 獨特的模塊化結構 極其便于維修 易于使用和操作一般特征 適用于晶圓直徑至200mm 25片晶圓單盒工藝 標準的高邊和低邊花籃 可選內置電阻率檢測傳感器來控制晶圓的清洗工藝 用冷或熱的N2輔助晶圓干燥 離心頭容易更換 圖形化的界面: 基于PLC的彩色5.7“的觸摸屏 可以編輯10多個菜單,每個菜單可有10步 多等級用戶密  去靜電裝置安裝于工藝腔室區(qū) 去離子水回收 電阻率監(jiān)測裝置 機械手自動加載 可放置臺面操作的設備、單臺獨立、雙腔 SECS/GEM 去離子水加熱系統(tǒng) 底座置放不銹鋼滾輪 溶劑滅火裝置 適用特殊設計的花籃設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 regal-bio.cn 0513-87733829;更多的單腔立式甩干機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
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發(fā)布時間: 2019 - 08 - 16
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