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發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域，濕法設備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術的不斷發(fā)展，濕法設備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備，如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納（江蘇）CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱華林科納（江蘇）CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統(tǒng)潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統(tǒng)集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統(tǒng)結構緊湊、安全腔體獨立密封，具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制，功能強大，操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設備制造商華林科納（江蘇）半導體設備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)（regal-bio.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關清洗設備解決方案。
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點，在6＂ （150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成，一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導線電刷、Ｎ２ 保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體，二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結構示意圖如下：從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出，采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結構方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射，實現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結構本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結構，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關模擬、仿真和驗證，鍍液入口采用扇形噴咀式結構，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納（江蘇）CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理，由于結構上的特點，該方法經(jīng)實驗驗證具有：①結構簡單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應用，產(chǎn)品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標：最...
發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺，可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納（江蘇）半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長：單片式清洗裝置的優(yōu)點（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對應）例：附著粒子數(shù)…10個/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…（例）1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個客戶可以定制） 液體濺射（塵埃強制除去）  （推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)（CDS）-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經(jīng)管道至設備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ?、自動控制模式設備名稱華林科納（江蘇）CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房；3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間： 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納（江蘇）CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕 去膠 金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2'-12'；可處理晶圓材料：硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等；主要應用領域：集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短（相較于槽式清洗機）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構，占地面積小 更多的單片（枚葉）式清洗相關設備可以關注華林科納（江蘇）半導體官網(wǎng)，關注http://regal-bio.cn ,400-8768-096，18913575037
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經(jīng)管道至設備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ?、自動控制模式 設備名稱華林科納（江蘇）CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房；3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化...
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在空氣中或有氧存在的加熱的化學品清洗池中均可產(chǎn)生氧化反應。通常在清洗池中生成的氧化物，盡管很薄(10~20nm)，但其厚度足以阻止晶圓表面在以后的工藝過程中發(fā)生正常的化學反應。這一薄層氧化物隔離了晶圓表面與導電的金屬層之間的接觸。 有氧化物的硅片表面具有吸性，而沒有氧化物的硅片表面具有憎水性。氫氟之間的接觸。酸是去除氧化物的首選酸。在初始氧化之前，當晶圓表面只有硅時，將其放入盛有氫氟酸 (49%)的池中清洗，以去除氧化物。 在以后的工藝中，當晶圓表面覆蓋著之前生成的氧化物時，用水和氫氟酸的混合溶液可將圓形的孔隙中的薄氧化層去除。這些溶液的強度從 100:1 到 10:(HO:HF)變化。強度的選擇取決于晶圓上氧化物的多少，因為水和氫氟酸的溶液既可將晶圓上孔中的氧化物刻蝕掉，又可將表面其余部分的氧化物去除。既要保證將孔中的氧化物去除，同時又不會過分地刻蝕其他的氧化層，就要選擇一定的強度。典型的稀釋溶液是 1:50 到 1:100。 如何處理硅片表面的化學物質(zhì)一直以來是清洗工藝所面臨的挑戰(zhàn)。一般地，柵氧化前的清洗用稀釋的氫氟酸溶液，并將其作為最后一步化學品的清洗。這叫做HF 結尾。HF 結尾的表面是憎水性的，同時對低量的金屬污染是鐘化的。然而，憎水性的表面不容易被烘干，經(jīng)常殘留水印。另一個問題是增強了顆粒的附著，而且還會使電鍍層脫離表面。 多年來...
發(fā)布時間: 2023 - 03 - 27
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隨著集成電路制造工藝不斷進步，半導體器件的體積正變得越來越小，這也導致了非常微小的顆粒也變得足以影響半導體器件的制造和性能，槽式清洗工藝已經(jīng)不能滿足需求，單片式設備可以利用很少的藥液達到槽式工藝不能達到的水準，因此單片式刻蝕、清洗設備開始在半導體制造過程中發(fā)揮越來越大的作用?！?單片式刻蝕清洗在全自動單片清洗設備中，由于大而薄的硅片對夾緊力較為敏感，再加上硅片的翹曲率不同，因此對于硅片的抓取、傳輸提出了更高的要求。華林科納研發(fā)的全自動單片式清洗設備采用伯努利非接觸式抓取，不接觸wafer，做到有效的傳送，確保不破片。什么是“伯努利原理”？丹尼爾·伯努利，是瑞士物理學家、數(shù)學家、醫(yī)學家，他是伯努利這個數(shù)學家族中最杰出的代表。伯努利成功的領域很廣，除流體動力學這一主要領域外，還有天文測量、引力、行星的不規(guī)則軌道、磁學、海洋、潮汐等。伯努利在1726年首先提出：“在水流或氣流里，如果速度小，壓強就大；如果速度大，壓強就小”。我們稱之為“伯努利原理”?！?伯努利（Daniel Bernouli,1700～1782）小時候的課堂上，做過這樣的小實驗。我們拿著兩張紙，往兩張紙中間吹氣，會發(fā)現(xiàn)紙不但不會向外飄去，反而會被一種力擠壓在了一起。因為兩張紙中間的空氣被我們吹得流動的速度快，壓力就小，而兩張紙外面的空氣沒有流動，壓力就大，所以外面力量大的空氣就把兩張紙“壓”在了一起。這就是“伯...
發(fā)布時間: 2018 - 10 - 24
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隨著科學技術的飛速發(fā)展，集成度不斷提高，器件尺寸不斷減小，對硅拋光片的表面質(zhì)量要求越來越嚴格。清洗是半導體器件制造過程中最重要的步驟。1、硅片的清洗工藝原理硅片經(jīng)過切片、倒角、雙面研磨、拋光等不同的工序加 工后，其表面已受到嚴重沾污，清洗的目的主要是清除晶片表面的沾污。硅片表面的污染物通常以原子、離子、分子、 粒子或膜的形式以物理吸附或化學吸附的方式存在于硅片表面。有以下兩種清洗方式：超聲波是通過蒸氣漩渦來輔助沖洗的。振動在液體中形 成極微小的氣泡而這些氣泡快速地崩潰而產(chǎn)生極微小的擦 洗的動作從而除去顆粒。這一現(xiàn)象稱為氣渦。圖1為超聲清洗效果。▲ 圖1 超聲清洗效果兆聲波的輔助作用是通過另外一種機理來實現(xiàn)的。依據(jù)流體力學，固體表面與液體之間有一個靜止或緩慢移動的界面，例如晶片的表面。小的顆粒可被保持在這層界面中而不會接觸化學清洗液。兆聲波的能量可以消除這一界面，從而 使顆粒得以清洗。另外，一種叫做聲流的現(xiàn)象使得水或清洗 液流過晶片的速度加快，從而提高清洗效率。圖2為兆聲清 洗效果?！?#160;圖2 兆聲清洗效果2、超聲清洗技術超聲清洗屬物理清洗，把清洗液放入槽內(nèi)，在槽內(nèi)作用 超聲波。由于超聲波與聲波一樣是一種疏密的振動波，在傳 播過程中，介質(zhì)的壓力作交替變化。在負壓區(qū)域，液體中產(chǎn) 生撕裂的力，并形成真空的氣泡。當聲壓達到一定值時，氣 泡迅速增長，在正壓區(qū)域氣泡由于受到壓...
發(fā)布時間: 2018 - 09 - 27
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硅片清洗的重要性想必大家是很清楚的，而清洗后硅片表面的各種性能在一定程度上又由清洗設備本身決定，因此，對硅片清洗設備的日常維護就尤為重要。目前，在半導體的生產(chǎn)中廣泛使用的為濕式化學清洗方法，在該清洗方法中有大量的化學試劑被使用，具體使用的化學試劑及其主要作用見表1。▼表1常用的化學清洗溶液另外，在半導體材料及器件生產(chǎn)廠家，槽式清洗設備被廣泛使用，由于該類清洗設備清洗工位較多，任何一個環(huán)節(jié)的疏忽，都會導致最終清洗后硅片表面質(zhì)量不合格，且主要表現(xiàn)為硅片表面顆粒超標和硅片表面金屬沾污超標。硅片表面質(zhì)量的重要參數(shù)是顆粒數(shù)跟金屬沾污，去除顆粒跟金屬沾污也是硅片清洗最主要的目的，所以需對清洗設備對顆粒跟金屬沾污的去除能力進行監(jiān)控。如發(fā)現(xiàn)硅片表面顆粒跟金屬沾污超標，則需進行如下處理：1、將各槽中原液排干，用DI水將槽子沖洗一次，然后將槽中水排盡；2、加入少許（lgallon)DI水，然后加入lgal- lonH2O2，再加入少許DI水，然后加工入lgallonNH4OH，再加DI水至槽滿。如果是工藝槽，則讓混合液循環(huán)2h，否則靜置2h；3、將槽中液排盡，用DI水再次沖洗槽子一次，將槽液排盡；4、重新對清洗設備進行測試。具體的操作流程如下：由于對清洗設備的工藝維護在實際的生產(chǎn)中起著舉足輕重的作用，故需特別注意。如果發(fā)現(xiàn)問題需及時進行解決，直至檢測合格為止。也可以咨詢本公司進行專業(yè)服務。延展閱讀★華...
發(fā)布時間: 2018 - 09 - 25
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上一期給大家講解了濕法刻蝕與清洗的基本藥液，那濕法刻蝕清洗機的結構和工作原理是什么？今天就帶大家瞧一瞧。1、刻蝕清洗設備分類濕法刻蝕清洗機按清洗的結構方式可以分為槽式批量清洗和單片清洗機兩種類型。而槽式清洗又可分為半自動清洗和全自動清洗兩種機臺。2、 清洗設備結構組成清洗設備主要由耐腐蝕機架、 酸槽、 水槽、 干燥槽、 控制單元、 排風單元以及氣體和液體管路單元等幾大部分構成。其中酸槽和管路單元是清洗設備的主要組成部分。 按照材料的差異， 槽體可分為用不銹鋼材質(zhì)的生產(chǎn)的槽、 用NPP 材質(zhì)生產(chǎn)的抗腐蝕的槽、 用PVDF材質(zhì)生產(chǎn)的槽、 用PTFE材質(zhì)生產(chǎn)的槽、 用石英材質(zhì)生產(chǎn)的槽等， 按照功能的差異槽體又可分為酸堿刻蝕槽、 溢流清洗槽、 快速排水槽和使晶圓快速干燥的干燥槽等， 根據(jù)清洗工藝要求的不同， 還可以增加腐蝕液的超聲及兆聲清洗、 腐蝕液加熱或制冷、攪拌、 循環(huán)及去離子水加熱等清洗功能。▲濕法刻蝕清洗機的組成部分在材料選擇上， 不銹鋼槽主要用于有機溶液或堿性溶液； 而石英加熱槽主要用于酸性溶液， 而且該槽耐高溫， 一般為二百攝氏度， 最高可以達到四百攝氏度；高純度聚丙烯槽主要用于溫度小于八十攝氏度的酸堿溶液；聚氟乙烯槽常常用來承裝 BOE 以及氫氟酸， 要求溫度最高不能高于一百二十攝氏度。 聚四氟乙烯槽可用于幾乎所有的酸堿以及有機溶液，其耐溫小于150攝氏度。在功能選擇上， Q...
發(fā)布時間: 2018 - 09 - 13
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大家知道濕法刻蝕中清洗時所需的基本藥液有哪幾種嗎？首先是刻蝕液，刻蝕液主要有磷酸、氫氟酸、緩沖刻蝕劑（BOE）、鋁刻蝕劑（M2）、硝酸等。1、磷酸刻蝕液磷酸刻蝕液由純磷酸和去離子水組成， 工作溫度為 160攝氏度。 主要功能是用來刻蝕氮化硅膜及其下面的氧化膜。其對氮化硅膜的刻蝕速率是55A/Min,對氧化膜的刻蝕速率是1.7-10A/Min。 該刻蝕液的反應速率主要取決于反應溫度和溶液中水的含量。其反應機理如下：Si3N4 + 6H2O --- 3SiO2 + 4NH3（需要用 H3PO4作催化劑）晶圓在磷酸刻蝕液反應槽里反應后必須被傳送到熱的去離子水槽里進行清洗，否則易受到熱應力的破壞而造成破片。2、氫氟酸刻蝕液氫氟酸刻蝕液主要用來刻蝕氧化膜。根據(jù)濃度不同可分為CHF、 LHF、 DHF等。CHF 是濃度為 49%的氫氟酸刻蝕液， 主要用來刻蝕Poly以及氮化物， 其反應速度很快，很難用其來刻蝕掉特定的厚度，因此只能用在過刻蝕的情況。 LHF 是 CHF用水稀釋后的產(chǎn)物，其中氫氟和水的比例為50：1。該刻蝕液刻蝕速度穩(wěn)定， 晶圓生產(chǎn)上常用其刻蝕特定厚度的氧化膜。 DHF 是 LHF 進一步稀釋后的產(chǎn)物， 其中氫氟酸和水的比例為 100：1。由于其濃度較低，所以其刻蝕速率很低，主要用來刻蝕晶圓表面的自然氧化膜。3、緩沖刻蝕劑緩沖刻蝕劑又叫作 BOE(全稱 Buffered...
發(fā)布時間: 2018 - 09 - 13
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上一期給大家講解了關于半導體硅片清洗設備及裝置，接下來我相信大家也很想了解一下關于，半導體晶圓自動清洗設備的主要部件的設計：晶圓清洗主要去除吸附在晶圓表面的各種雜質(zhì)粒子，如微粒、有機物、無機金屬離子等，使晶圓的表面潔凈度達到 ULSI 工藝要求。 濕法晶圓清洗的原理是使用各種化學藥液與晶圓表面各種雜質(zhì)粒子發(fā)生化學反應，生成溶于水的物質(zhì)，再用高純水沖洗，依次去除晶圓表面各雜質(zhì)。一、加熱酸槽設計在半導體清洗工藝中，有些化學試劑在處理晶圓時，對溫度有要求，通常，需要進行加熱，如SC1、SC2 在 RAC 清洗工藝中就要求溫度在 70~80 ℃ 。我們在選擇這些加熱酸槽材質(zhì)時，一般選用石英材質(zhì)。加熱酸槽一般由石英槽體、加熱器、液位保護裝置、溫度檢測裝置、排放裝置及電氣控制裝置等主要部分組成。由于我們所設計的加熱器是內(nèi)置投放式，故對所選加熱器的要求比較高，不僅能耐酸，而且還要求能耐高溫。 我們所選加熱器所有的加熱絲及其導線都是用 PFA 包裹起來的， 而且外包的 PFA 材質(zhì)十分潔凈，不會對酸液有所污染。 加熱器的加熱功率根據(jù)槽體的容積選取。由于加熱器是置于槽體底部，所以，液位保護裝置優(yōu)為重要。 液位保護裝置主要用于檢測石英槽內(nèi)是否有酸液，防止加熱器在沒有酸液的情況下工作而發(fā)生危險。 溫度檢測裝置主要用于檢測石英槽內(nèi)酸液的溫度， 將檢測的溫度信號反饋給溫度器，由溫控器實現(xiàn)溫度控制。...
發(fā)布時間: 2018 - 09 - 05
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隨著集成電路制程工藝節(jié)點越來越先進，對實際制造的幾個環(huán)節(jié)也提出了新要求，清洗環(huán)節(jié)的重要性日益凸顯。清洗的關鍵性則是由于隨著特征尺寸的不斷縮小，半導體對雜質(zhì)含量越來越敏感，而半導體制造中不可避免會引入一些顆粒、有機物、金屬和氧化物等污染物。為了減少雜質(zhì)對芯片良率的影響，實際生產(chǎn)中不僅僅需要提高單次的清洗效率，還需要在幾乎所有制程前后都頻繁的進行清洗，清洗步驟約占整體步驟的33%。今天《半導體小課堂》帶大家細數(shù)一下，常用的四種半導體硅片清洗設備及裝置：1、浸入式濕法清洗槽濕法化學清洗系統(tǒng)既可以是浸入式的又可以是旋轉(zhuǎn)式的。一般設備主要包括一組濕法化學清洗槽和相應的水槽，另外還可能配有甩干裝置。硅片放在一個清洗專用花籃中放人化學槽一段指定的時間，之后取出放人對應的水槽中沖洗。對于清洗設備的設計來說，材料的選擇至關重要。使用時根據(jù)化學液的濃度、酸堿度、使用溫度等條件選擇相應的槽體材料。從材質(zhì)上來說一般有NPP、PVDF、PrFE、石英玻璃等。例如：PVDF、IyIFE、石英玻璃等一般用在需加熱的強酸強堿清洗，其中石英玻璃不能用在HF清洗中，NPP一般用在常溫下的弱酸弱堿清洗。而常溫化學槽，一般為NPP材料?！鴪D1  石英加熱槽槽內(nèi)溶液可加熱到180℃甚至更高，它一般由石英內(nèi)槽、保溫層、塑料(PP)外槽組成。石英槽加熱可以通過粘貼加熱膜或者直接在石英玻璃上涂敷加熱材料實現(xiàn)。石英槽內(nèi)需...
發(fā)布時間: 2018 - 09 - 04
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半導體設備和材料處于產(chǎn)業(yè)鏈的上游，是推動技術進步的關鍵環(huán)節(jié)。半導體設備和材料應用于集成電路、LED等多個領域，其中以集成電路的占比和技術難度最高。一、半導體制造工藝流程及其需要的設備和材料半導體產(chǎn)品的加工過程主要包括晶圓制造（前道，F(xiàn)ront-End）和封裝（后道，Back-End）測試，隨著先進封裝技術的滲透，出現(xiàn)介于晶圓制造和封裝之間的加工環(huán)節(jié)，稱為中道（Middle-End）。由于半導體產(chǎn)品的加工工序多，所以在制造過程中需要大量的半導體設備和材料。在這里，我們以最為復雜的晶圓制造（前道）和傳統(tǒng)封裝（后道）工藝為例，說明制造過程的所需要的設備和材料?！呻娐樊a(chǎn)業(yè)鏈晶圓生產(chǎn)線可以分成7個獨立的生產(chǎn)區(qū)域：擴散（Thermal Process）、光刻（Photo- lithography）、刻蝕（Etch）、離子注入（Ion Implant）、薄膜生長（Dielectric Deposition）、拋光（CMP）、金屬化（Metalization）。這7個主要的生產(chǎn)區(qū)和相關步驟以及測量等都是晶圓潔凈廠房進行的。在這幾個生產(chǎn)區(qū)都放置有若干種半導體設備，滿足不同的需要。例如在光刻區(qū)，除了光刻機之外，還會有配套的涂膠/顯影和測量設備?！冗M封裝技術及中道（Middle-End）技術▲IC晶圓制造流程圖二、IC晶圓生產(chǎn)線的7個主要生產(chǎn)區(qū)域及所需設備和材料▲傳統(tǒng)封裝工藝流程傳統(tǒng)封裝（后道）測...
發(fā)布時間: 2018 - 09 - 04
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發(fā)布時間: 2019 - 08 - 16
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