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發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22
晶片凸點電鍍設(shè)備-華林科納（江蘇）CSE 傳統(tǒng)的IC器件是硅圓片在前工序加工完畢后，送到封裝廠進行減薄、劃片、引線鍵合等封裝工序。但無論是雙列直插封裝（DIP），還是四邊引線扁平封裝（QFP），封裝后的體積都比芯片本身體積大很多倍。由于手機等便攜式裝置的體積很小，所以要求器件的體積越小越好，像有300多個引出端的液晶顯示器（LCD）驅(qū)動電路，必須采用WLP的芯片尺寸封裝（CSP）。有些特殊的高頻器件，為了減小引線電感的影響，要求從芯片到外電路之間的引線越短越好。在這些情況下，華林科納的工程師采用了芯片尺寸封裝（CSP），方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊點，例如金凸點、焊料凸點、銦凸點，然后直接倒裝焊在相應(yīng)的基板上。  更多晶圓電鍍設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)regal-bio.cn；現(xiàn)在咨詢400-8768-096，18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍設(shè)備的相關(guān)方案
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納（江蘇）CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝，單臺產(chǎn)量大，效率高設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間： 一般親水性晶圓片： ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片： ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量： 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點： 干燥后無斑點IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ；18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01: IPA干燥工藝原理 02:更多的IPA干燥系統(tǒng)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（regal-bio.cn），現(xiàn)在熱線咨詢0513- 87733829可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為：干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術(shù)，一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，它是各向異性的刻蝕技術(shù)，即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi)，各個方向上的刻蝕速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù)；濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術(shù)，這是各向同性的刻蝕方法，利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料，通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù)，有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程：二氧化硅腐蝕：在二氧化硅硅片腐蝕機中進行，腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時，腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高，腐蝕越快，摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感，溫度越高，腐蝕越快。具體步驟為：1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃動，浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）的作用是減小硅片的表面張力，使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸，從而達到充分腐蝕；2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液（氟化銨溶液）的槽中浸泡，上下晃動片架使得二氧化硅腐蝕更充分，腐蝕時間可以調(diào)整，直到二氧化硅腐蝕干凈為止；3、沖純水；4、甩干。二氧化硅腐蝕機理為：SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的絡(luò)合物，利用這個性質(zhì)可以很容易通過光刻工藝實現(xiàn)選擇性腐蝕二氧化硅。為了獲得穩(wěn)定的腐蝕速率，腐蝕二氧化硅的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成緩沖液。由于基區(qū)的氧化層較發(fā)射區(qū)的厚，以前小功率三極管的三次光刻（引線孔光刻）一般基極光刻和發(fā)射極光刻分步光刻，現(xiàn)在大部分都改為一步光刻，只有少部分品種還分步光刻，比如2XN003，2XN004，2XN013，2XP013等...
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
設(shè)備名稱：高溫磷酸清洗機設(shè)備型號：CSE-SZ2011-16整機尺寸：約2800mm（L）×1200mm(w)×1900mm（H）節(jié)拍：根據(jù)實際工藝時間可調(diào)清洗量：批量清洗時，采用提籃裝片，單次清洗圓片的數(shù)量要求如下2＂外延片，每次不少于1藍，每籃不少于25片4＂外延片，每次不少于1藍，每籃不少于20片6＂外延片，每次不少于1藍，每籃不少于20片框架材料:優(yōu)質(zhì)10mm瓷白PP板機殼，優(yōu)質(zhì)碳鋼骨架，外包3mmPP板防腐機臺底部：廢液排放管路，防漏液盤結(jié)構(gòu)機臺支腳：有滑輪裝置及固定裝置，并且通過可調(diào)式地腳，可高低調(diào)整及鎖定功能DIW上水管路及構(gòu)件采用日本積水CL-PVC管材，排水管路材質(zhì)為PP管排風(fēng)：位于機臺后上部工作照明：上方防酸型照明臺面板為優(yōu)質(zhì)10mmPP板（帶有圓形漏液孔，清除臺面殘留液體）附件：水、氣槍左右各兩套控制方式：PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 組合控制；安全保護裝置：      ●設(shè)有EMO(急停裝置)，       ●強電弱點隔離      ●設(shè)備三層防漏  托盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)臺面布置圖：各槽工藝參數(shù)
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
芯片鍍金設(shè)備-華林科納（江蘇）CSE   晶圓電鍍工藝在半導(dǎo)體、MEMS、LED 和 WL package 等領(lǐng)域中應(yīng)用非常廣泛。華林科納（江蘇）的晶圓電鍍設(shè)備針對這些應(yīng)用研發(fā)和生產(chǎn)的，對所有客戶提供工藝和設(shè)備一體化服務(wù)。產(chǎn)品分生產(chǎn)型和研發(fā)型兩大類，適合不同客戶的需求。 設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-芯片鍍金設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域：半導(dǎo)體、MEMS、LED操作模式：PLC集成控制具體應(yīng)用：電鍍、電鑄工藝類型：電鍍Au，Cu，Ni，Sn,Ag晶圓尺寸：8inch或以下尺寸，單片或多片基本配置：操作臺（1套），主電鍍槽（2套），腐蝕槽（2套），清洗（1套）設(shè)備功能和特點（不同電鍍工藝配置有所差異） 1. 產(chǎn)品名稱：芯片鍍金設(shè)備 2. 產(chǎn)品系列：CSE-XL3. 晶圓尺寸：4-6inch. 4. 集成控制系統(tǒng)，內(nèi)置MST-MP-COTROL程序 5. 主體材料：勞士領(lǐng)PP 6. 四面溢流設(shè)計 7. 溫度控制系統(tǒng)：70+/-1C 8. 循環(huán)過濾出系統(tǒng)，流量可調(diào)。 9. 垂直噴流掛鍍操作。 10. 專用陰陽極 11. 陰極擺動裝置，頻率可調(diào)。 12. 陽極均化裝置。 13. 防氧化系統(tǒng)。 14. 充N2裝置。 15. 排風(fēng)操作臺，風(fēng)量可調(diào)。 16. 活化腐蝕系統(tǒng)。 17. 三級清洗系統(tǒng)。 18. 電鍍液體系：均為無氰電鍍液體系。 19. 工藝：表面均勻，厚度1-100um，均勻性5% 設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ；18913575037更多晶圓電鍍設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)w...
發(fā)布時間： 2017 - 04 - 06
異質(zhì)結(jié)高效電池(HJT、HIT)制絨清洗設(shè)備—華林科納CSE 設(shè)備用途： 對高效太陽能電池異質(zhì)結(jié)電池片進行制絨、清洗設(shè)備工藝流程：l  H2O2工藝：SC1處理→純水清洗→去損傷→純水清洗→制絨→純水清洗→純水清洗→PSC1→純水清洗→化學(xué)拋光(HNO3)→純水清洗→SC2處理→純水清洗→氫氟酸洗→純水清洗→預(yù)脫水→烘干l  O3工藝：預(yù)清洗(O3)→純水清洗→去損傷→純水清洗→制絨→純水清洗→純水清洗→PSC1→純水清洗→化學(xué)拋光(O3)→純水清洗→SC2處理→純水清洗→氫氟酸洗→純水清洗→預(yù)脫水→烘干技術(shù)特點：l  兼容MES、UPS和RFID功能l  機械手分配合理，有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時l  結(jié)構(gòu)布局緊湊合理并且采用雙層槽結(jié)構(gòu)，設(shè)備占地空間小l  先進的400片結(jié)構(gòu)，有效提高設(shè)備工藝產(chǎn)能l  工藝槽體采用“定排定補”模式和“時間補液”模式相結(jié)合，有效延長藥液使用壽命和減少換液周期l  補配液采用槽內(nèi)與補液罐雙磁致伸縮流量計線性檢測，以及可調(diào)節(jié)氣閥控流結(jié)構(gòu)，有效保證初配時間和微量精補配液的精度l  所有與液體接觸材料優(yōu)化升級，避免材料使用雜質(zhì)析出l  采用最新低溫烘干技術(shù)，保證槽內(nèi)潔凈度和溫度控制精度技術(shù)參數(shù)：l  設(shè)備尺寸（mm）：26600(L)*2800(W)*2570(H)l  Uptime：≥95%l  破片率：≤0.05%l  MTTR：4hl  MTBF：450hl  產(chǎn)能：6000pcs/hl  功率消耗：398KW更多異質(zhì)結(jié)高效電池制絨清洗相關(guān)設(shè)備，可以關(guān)注網(wǎng)址：http://regal-bio.cn，熱線：400-8768-096，18913575037
發(fā)布時間： 2016 - 12 - 05
單腔立式甩干機-華林科納CSE華林科納（江蘇）CSE-單腔立式甩干機系統(tǒng)應(yīng)用于各種清洗和干燥工藝設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-單腔立式甩干機優(yōu)    點 清洗系統(tǒng)應(yīng)用于各種清洗和干燥工藝 不同配置（可放置臺面操作的設(shè)備、單臺獨立、雙腔） 適用于晶圓尺寸至200mm 最佳的占地，設(shè)備帶有滾輪可移動 優(yōu)越的可靠性 獨特的模塊化結(jié)構(gòu) 極其便于維修 易于使用和操作一般特征 適用于晶圓直徑至200mm 25片晶圓單盒工藝 標(biāo)準(zhǔn)的高邊和低邊花籃 可選內(nèi)置電阻率檢測傳感器來控制晶圓的清洗工藝 用冷或熱的N2輔助晶圓干燥 離心頭容易更換 圖形化的界面： 基于PLC的彩色5.7“的觸摸屏 可以編輯10多個菜單，每個菜單可有10步 多等級用戶密  去靜電裝置安裝于工藝腔室區(qū) 去離子水回收 電阻率監(jiān)測裝置 機械手自動加載 可放置臺面操作的設(shè)備、單臺獨立、雙腔 SECS/GEM 去離子水加熱系統(tǒng) 底座置放不銹鋼滾輪 溶劑滅火裝置 適用特殊設(shè)計的花籃設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 0513-87733829；更多的單腔立式甩干機設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（regal-bio.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8798096可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
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1.太陽能概況  太陽能是各種可再生能源中最重要的基本能源，生物質(zhì)能、風(fēng)能、海洋能、水能等都來自太陽能，廣義地說，太陽能包含以上各種可再生能源。太陽能作為可再生能源的一種，則是指太陽能的直接轉(zhuǎn)化和利用。通過轉(zhuǎn)換裝置把太陽輻射能轉(zhuǎn)換成熱能利用的屬于太陽能熱利用技術(shù)，再利用熱能進行發(fā)電的稱為太陽能熱發(fā)電，也屬于這一技術(shù)領(lǐng)域；通過轉(zhuǎn)換裝置把太陽輻射能轉(zhuǎn)換成電能利用的屬于太陽能光發(fā)電技術(shù)，光電轉(zhuǎn)換裝置通常是利用半導(dǎo)體器件的光伏效應(yīng)原理進行光電轉(zhuǎn)換的，因此又稱太陽能光伏技術(shù)。 二十世紀(jì)50年代，太陽能利用領(lǐng)域出現(xiàn)了兩項重大技術(shù)突破：一是1954年美國貝爾實驗室研制出6％的實用型單晶硅電池，二是1955年以色列Tabor提出選擇性吸收表面概念和理論并研制成功選擇性太陽吸收涂層。這兩項技術(shù)突破為太陽能利用進入現(xiàn)代發(fā)展時期奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。 70年代以來，鑒于常規(guī)能源供給的有限性和環(huán)保壓力的增加，世界上許多國家掀起了開發(fā)利用太陽能和可再生能源的熱潮。1973年，美國制定了政府級的陽光發(fā)電計劃，1980年又正式將光伏發(fā)電列入公共電力規(guī)劃，累計投入達8億多美元。1992年，美國政府頒布了新的光伏發(fā)電計劃，制定了宏偉的發(fā)展目標(biāo)。日本在70年代制定了“陽光計劃”，1993年將“月光計劃”（節(jié)能計劃）、“環(huán)境計劃”、“陽光計劃”合并成“新陽光計劃”。德國等歐共體國家及一些發(fā)展中國...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數(shù)：193
一、硅片檢測        硅片是太陽能電池片的載體，硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低，因此需要對來料硅片進行檢測。該工序主要用來對硅片的一些技術(shù)參數(shù)進行在線測量，這些參數(shù)主要包括硅片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組設(shè)備分自動上下料、硅片傳輸、系統(tǒng)整合部分和四個檢測模塊。其中，光伏硅片檢測儀對硅片表面不平整度進行檢測,同時檢測硅片的尺寸和對角線等外觀參數(shù)；微裂紋檢測模塊用來檢測硅片的內(nèi)部微裂紋；另外還有兩個檢測模組，其中一個在線測試模組主要測試硅片體電阻率和硅片類型，另一個模塊用于檢測硅片的少子壽命。在進行少子壽命和電阻率檢測之前，需要先對硅片的對角線、微裂紋進行檢測，并自動剔除破損硅片。硅片檢測設(shè)備能夠自動裝片和卸片，并且能夠?qū)⒉缓细衿贩诺焦潭ㄎ恢茫瑥亩岣邫z測精度和效率。 二、表面制絨        單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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一、電池片工藝流程       制絨(INTEX)---擴散（DIFF）---后清洗（刻邊/去PSG）---鍍減反射膜（PECVD）---絲網(wǎng)、燒結(jié)（PRINTER）---測試、分選（TESTER+SORTER）---包裝（PACKING）。二、前清洗（制絨）知識簡介       1、RENA前清洗工序的目的：       （1）去除硅片表面的機械損傷層（來自硅棒切割的物理損傷）；       （2）清除表面油污（利用HF）和金屬雜質(zhì)（利用HCl）；　?。?）形成起伏不平的絨面，利用陷光原理，增加對太陽光的吸收，在某種程度上增加了PN結(jié)面積，提高短路電流（Isc），最終提高電池光電轉(zhuǎn)換效率。       2、前清洗工藝步驟：制絨→堿洗 →酸洗→吹干       Etch bath：刻蝕槽，用于制絨。所用溶液為HF+HNO3 ，作用：　　   （1）去除硅片表面的機械損傷層；　　&...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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1、導(dǎo)電類型conductivity type   2、n-型半導(dǎo)體  n-type semiconductor       多數(shù)載流子為電子的半導(dǎo)體。   3、p-型半導(dǎo)體  p-type semiconductor       多數(shù)載流子為空穴的半導(dǎo)體。   4、載流子  carrier       固體中一種能夠傳輸電荷的載體，又稱荷電載流子。例如，半導(dǎo)體中導(dǎo)電空穴和導(dǎo)電電子。   5、少數(shù)載流子minority carrier       小于載流子總濃度一半的那類載流子。例如：p型半導(dǎo)體中的電子。   6、雜質(zhì)濃度impurity concentration       單位體積內(nèi)雜質(zhì)原子的數(shù)...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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晶片表面清洗       潔凈的晶片是芯片生產(chǎn)全過程中的基本要求，但并不是在每個高溫下的操作前都必須進行。一般說來，全部工藝過程中的高達20%的步驟為晶片清洗。而我在這里將要描述的清洗工藝，將貫穿芯片生產(chǎn)的全過程。        半導(dǎo)體工藝的發(fā)展過程在很多方面可以說是清洗工藝隨著對無污染晶片需求不斷增長而發(fā)展的過程。晶片表面有四大常見類型的污染，每一種在晶片上體現(xiàn)為不同的問題，并可用不同的工藝去除。這四種類型是：     1．顆粒     2．有機殘余物     3．無機殘余物     4．需要去除的氧化層        通常來說，一個晶片清洗的工藝或一系列的工藝，必須在去除晶片表面全部污染物（上述類型）的同時，不會刻蝕或損害晶片表面。它在生產(chǎn)配制上是安全的、經(jīng)濟的，是為業(yè)內(nèi)可接受的。通常對清洗工藝的設(shè)計適用于兩種基本的晶片狀況。一種叫作前線（FEOL），特指那些形成活性電性部件之前的生產(chǎn)步驟。在這些步驟中，晶片表面尤其是MOS器件的柵區(qū)...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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砷化鎵是一種感光性能比當(dāng)前廣泛使用的硅更優(yōu)良的材料。理論上他將接收到的陽光40%的轉(zhuǎn)化為電能，轉(zhuǎn)化率約是硅的2倍，因此衛(wèi)星和太空飛船等多采用砷化鎵作為太陽能電磁板的材料。然而，超聲波清洗器傳統(tǒng)的砷化鎵晶片制造技術(shù)每次只能生成一層晶片，成本居高不下，限制了砷化鎵的廣泛應(yīng)用。砷化鎵晶片在清洗工藝上的要求，是希望能夠達到對晶片表面上殘留的鎵氧化物、砷氧化物和一些對后續(xù)工藝有害的金屬、污垢、油污、雜質(zhì)、蠟點、塵埃、臟點等。在清洗上存在的難題，可以采用超聲波清洗機能夠達到理想的清洗效果。       超聲波清洗機的原理分解，可以達到物件全面潔凈的清洗效果，特別對盲孔、深孔、凹凸槽清洗是最理想的清洗設(shè)備，不影響任何物件的材質(zhì)與精度。超聲波還具有的強力空腔化作用，可以在短時間內(nèi)清洗掉砷化鎵晶片上的污垢、油污，完全可保證產(chǎn)品的質(zhì)量。       超聲波清洗機清洗效果好，清潔度高且全部工件清潔度一致。清洗速度快，提高生產(chǎn)效率，不須人手接觸清洗液，安全可靠。清洗砷化鎵晶片的高清洗工藝要求，選用超聲波清洗機清洗。言之，超聲波清洗機的基本原理是以每秒幾萬次的振動，在液體中產(chǎn)生超聲波空化作用形成空化泡。在空化泡消失時產(chǎn)生很大的沖擊力，當(dāng)被洗工件受到這個外力沖擊時，工件表面的沾污就被剝離，達...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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太陽能電池片的淺結(jié)構(gòu)是實現(xiàn)高效太陽能電池的有效途徑之一，通常所說的淺結(jié)是指太陽能電池PN結(jié)結(jié)深小于0.3um，利用淺結(jié)可以顯著的降低太陽能電池片表面的少數(shù)載流子復(fù)合速度，提高短波段的光譜響應(yīng)。一、調(diào)整方向       1、提高少子壽命       2、提高短波吸收       3、減少死層       4、提高開路電壓二、高方阻的缺點       串聯(lián)電阻Rs=電極電阻+體電阻+薄層電阻+接觸電阻。高方阻使得表面薄層電阻明顯增加，增大了Rs，降低了FF。       方阻越高，需要越密的柵線與之配合，才能發(fā)揮出高方阻低表面濃度的優(yōu)勢，這其中有兩個難點，其一是高方阻均勻性的控制，其二是銀漿的選擇，需要綜合考慮銀漿的導(dǎo)電特性、粘度等，使之適合密柵高方阻的印刷燒結(jié)。三、高方阻實現(xiàn)方法       1、低溫淀積+高濃度淀積    ...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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