久久国产亚洲精品超热碰_日本福利在线观看_亚洲AV永久无码5G_女生私密在线一区二区_国产精品视频大全_三级国产亚洲_无码人妻中文二区_岳装睡到我房间和我做_影音先锋精品网址_黄色污污视频网站

歡迎訪問華林科納（江蘇）半導體設備技術有限公司官網(wǎng)
手機網(wǎng)站
始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商
--- 全國服務熱線 --- 0513-87733829



新聞資訊 新聞中心
400-8798-096
聯(lián)系電話
聯(lián)系我們
掃一掃
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推薦產(chǎn)品 / 產(chǎn)品中心
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域，濕法設備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術的不斷發(fā)展，濕法設備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備，如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納（江蘇）CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱華林科納（江蘇）CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統(tǒng)潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統(tǒng)集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統(tǒng)結構緊湊、安全腔體獨立密封，具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制，功能強大，操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設備制造商華林科納（江蘇）半導體設備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)（regal-bio.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關清洗設備解決方案。
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點，在6＂ （150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成，一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、Ｎ２ 保護單元組成的陰極回轉體，二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下：從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出，采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結構方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射，實現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結構本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結構，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關模擬、仿真和驗證，鍍液入口采用扇形噴咀式結構，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納（江蘇）CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理，由于結構上的特點，該方法經(jīng)實驗驗證具有：①結構簡單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應用，產(chǎn)品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標：最...
發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺，可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納（江蘇）半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長：單片式清洗裝置的優(yōu)點（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對應）例：附著粒子數(shù)…10個/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…（例）1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個客戶可以定制） 液體濺射（塵埃強制除去）  （推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)（CDS）-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經(jīng)管道至設備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能。控制模式：手動控制模式、自動控制模式設備名稱華林科納（江蘇）CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房；3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質；4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間： 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納（江蘇）CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕 去膠 金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2'-12'；可處理晶圓材料：硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等；主要應用領域：集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短（相較于槽式清洗機）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構，占地面積小 更多的單片（枚葉）式清洗相關設備可以關注華林科納（江蘇）半導體官網(wǎng)，關注http://regal-bio.cn ,400-8768-096，18913575037
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經(jīng)管道至設備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ?、自動控制模式 設備名稱華林科納（江蘇）CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房；3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質；4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化...
新聞中心 新聞資訊
光刻技術是大規(guī)模集成電路制造技術和微光學、微機械技術的先導和基礎，他決定了集成電路（ＩＣ）的集成度…。光刻版在使用過程中不可避免地會粘上灰塵、光刻膠等污染物，這些污染物的存在直接影響到光刻的效果。近些年，國家將ＬＥＤ照明列入為重點發(fā)展產(chǎn)業(yè)，ＬＥＤ行業(yè)迅猛發(fā)展。ＬＥＤ制造過程中，具有光刻版的使用量多，使用頻繁的特點。大多生產(chǎn)廠家為了節(jié)省成本，主要采用接觸式曝光。接觸式曝光雖然可以利用成本低廉的設備達到較高的曝光精度，但是由于甩膠式涂膠方法會造成晶圓邊緣膠層過厚，在接觸式曝光過程中光刻版極易接觸到晶圓邊緣的光刻膠，導致光刻膠粘附到光刻版表面（圖１）。對于ＩＣ行業(yè)，因為線條更細，精度要求更高，所以光刻版的潔凈程度更加重要。對于硅片清洗而言，其顆粒移除率（PRE）不需要達到１００％，但對于光刻版而言卻并非如此，其原因是對于產(chǎn)品良率而言，光刻版表面顆粒的影響更大，單晶圓缺陷只影響一個缺陷，而一個光刻版卻影響到每一個芯片［２一］。由于零成像缺陷是可以實現(xiàn)的，工廠內(nèi)生產(chǎn)的光刻版需要經(jīng)常清洗。為了保證光刻版潔凈，必須定期對光刻版進行清洗，而清洗的效果與清洗工藝以及各清洗工藝在設備上的合理配置有著密切的聯(lián)系。 １光刻版清洗工藝１．１光刻膠及其他有機污染物的去除對于光刻膠及其他有機污染物，比較常見的方法是通過有機溶劑將其溶解的方法將其去除，例如利用丙酮浸泡光刻版，在浸泡的同時可以超聲提高浸泡...
發(fā)布時間: 2021 - 02 - 26
瀏覽次數(shù)：124
表面清洗硅片清洗是指在氧化、光刻、外延、擴散和引線蒸發(fā)等工序前,采用物理或化學的方法去除硅片表面的污染物和自身氧化物,以得到符合清潔度要求的硅片表面的過程。在硅片加工工藝中，有多達20%的步驟為清洗。制造一種設備將硅片表面的沾污全部除去是不可能的。在硅片清洗過程中，將每片上的沾污從百萬級降低到十萬級相對容易，但要把沾污全部去除或在全部工藝中保證沾污不再增加卻是非常困難的。所以，不同的工藝技術所要求的硅片最終表面態(tài)不同，其所需要的清洗方法也不相同，不可把各種清洗方法同等對待。1硅片清洗設備的清洗工藝清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有機沾污，因為有機物會遮蓋部分硅片表面，從而使氧化膜和與之相關的沾污難以去除；然后溶解氧化膜，因為氧化層是“沾污陷阱”，也會引入外延缺陷；最后再去除顆粒、金屬等沾污。1.1清除有機表面膜、粒子和金屬沾污A類硅片清洗設備的工藝流程見表1。 1.2清洗工藝步驟第1步：NH4OH+H2O2+H2O比例為1∶1∶5第2步：HCl+H2O2+H2O比例為1∶1∶5此工藝分為氧化、絡合處理兩個過程。使用NH4OH+H2O2+H2O，溫度控制在75～80℃。H2O2在高pH值時為強氧化劑，破壞有機沾污，其分解為H2O和O2。NH4OH對許多金屬有強的絡合作用。HCl+H2O2+H2O中的HCl靠溶解和絡合作用形成可溶的堿或金屬鹽。分別在第1步和第2步的前、中加...
發(fā)布時間: 2021 - 02 - 26
瀏覽次數(shù)：377
根據(jù)研究數(shù)據(jù)顯示，在大規(guī)模量產(chǎn)方面，首屈一指的當然是日本三洋，現(xiàn)有產(chǎn)能1GW，量產(chǎn)效率達23%。除此之外，具有較成熟HIT技術的還有Keneka、Sunpreme、Solarcity、福建均石、晉能、新奧、漢能等企業(yè)。  圖表：國內(nèi)外HIT太陽能電池產(chǎn)業(yè)化情況（單位：%，MW） 目前HIT產(chǎn)品的量產(chǎn)難點主要包括以下幾方面：   （1）高質量硅片：相較常規(guī)N型產(chǎn)品，HIT電池對硅片質量有更高的要求，需要謹慎選擇硅片供應商。   （2）制絨后硅片表面潔凈度的控制：HIT電池對硅片表面潔凈度要求非常高，需要平衡硅片清洗潔凈程度和相關化學品以及水的消耗。   （3）各工序Q-time控制：HIT電池在完成非晶硅鍍膜之前，對硅片暴露在空氣中的時間以及環(huán)境要求比較嚴苛，需要注意各工序Q-time的控制。   （4）生產(chǎn)連續(xù)性對于TCO鍍膜設備的影響：TCO鍍膜必須保證連續(xù)投料，否則良率和設備狀況都會受到影響，尤其在產(chǎn)線剛投產(chǎn)時，保持生產(chǎn)連續(xù)性是一大挑戰(zhàn)。   （5）高粘度漿料的連續(xù)印刷穩(wěn)定性：在HIT電池制備過程中，漿料粘度大導致的虛印斷柵現(xiàn)象較多，需要數(shù)倍于常規(guī)產(chǎn)線的關注。   （6）焊帶拉力的穩(wěn)定性：拉力穩(wěn)定的窗口窄，雙玻雙面發(fā)電的組件結構進...
發(fā)布時間: 2019 - 05 - 05
瀏覽次數(shù)：136
HIT電池具有發(fā)電量高、度電成本低的優(yōu)勢，具體特點如下：（1）低溫工藝HIT電池結合了薄膜太陽能電池低溫（900℃）擴散工藝來獲得p-n結。這種技術不僅節(jié)約了能源，而且低溫環(huán)境使得a_Si：H基薄膜摻雜、禁帶寬度和厚度等可以較精確控制，工藝上也易于優(yōu)化器件特性；低溫沉積過程中，單品硅片彎曲變形小，因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值（約80μm）；同時低溫過程消除了硅襯底在高溫處理中的性能退化，從而允許采用“低品質”的晶體硅甚至多晶硅來作襯底。 高溫環(huán)境下發(fā)電量高，在一天的中午時分，HIT電池的發(fā)電量比一般晶體硅太陽電池高出8-10%，雙玻HIT組件的發(fā)電量高出20%以上，具有更高的用戶附加值。（2）雙面電池HIT是非常好的雙面電池，正面和背面基本無顏色差異，且雙面率（指電池背面效率與正面效率之比）可達到90%以上，最高可達96%，背面發(fā)電的優(yōu)勢明顯。（3）高效率HIT電池獨有的帶本征薄層的異質結結構，在p-n結成結的同時完成了單晶硅的表面鈍化，大大降低了表面、界面漏電流，提高了電池效率。目前HIT電池的實驗室效率已達到23%，市售200W組件的電池效率達到19.5%。（4）高穩(wěn)定性HIT電池的光照穩(wěn)定性好，理論研究表明非品硅薄膜/晶態(tài)硅異質結中的非晶硅薄膜沒有發(fā)現(xiàn)Staebler-Wronski效應，從而不會出現(xiàn)類似非晶硅太陽能電池轉換效率因光照而衰退的現(xiàn)象；H...
發(fā)布時間: 2019 - 05 - 05
瀏覽次數(shù)：311
2、HIT電池工藝流程HIT電池的一大優(yōu)勢在于工藝步驟相對簡單，總共分為四個步驟：制絨清洗、非晶硅薄膜沉積、TCO制備、電極制備。    圖表2：HIT太陽能電池工藝流程制備的核心工藝是非晶硅薄膜的沉積，其對工藝清潔度要求極高，量產(chǎn)過程中可靠性和可重復性是一大挑戰(zhàn)，目前通常用PECVD法制備。 HIT電池的制備工藝步驟簡單，且工藝溫度低，可避免高溫工藝對硅片的損傷，并有效降低排放，但是工藝難度大，且產(chǎn)線與傳統(tǒng)電池不兼容，設備資產(chǎn)投資較大。
發(fā)布時間: 2019 - 05 - 05
瀏覽次數(shù)：2322
1、HIT電池結構和原理HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin-layer的縮寫，意為本征薄膜異質結，因HIT已被日本三洋公司申請為注冊商標，所以又被稱為HJT或SHJ（Silicon Heterojunction solar cell）。該類型太陽能電池最早由日本三洋公司于1990年成功開發(fā)，當時轉換效率可達到14.5%（4mm2的電池），后來在三洋公司的不斷改進下，三洋HIT電池的轉換效率于2015年已達到25.6%。2015年三洋的HIT專利保護結束，技術壁壘消除，是我國大力發(fā)展和推廣HIT技術的大好時機。下圖是HIT太陽能電池的基本構造，其特征是以光照射側的p-i型a-Si：H膜（膜厚5-l0nm）和背面?zhèn)鹊膇-n型a-Si：H膜（膜厚5-l0nm）夾住晶體硅片，在兩側的頂層形成透明的電極和集電極，構成具有對稱結構的HIT太陽能電池。  圖表：HIT太陽能電池結構示意圖在電池正表面，由于能帶彎曲，阻擋了電子向正面的移動，空穴則由于本征層很薄而可以隧穿后通過高摻雜的p+型非晶硅，構成空穴傳輸層。同樣，在背表面，由于能帶彎曲阻擋了空穴向背面的移動，而電子可以隧穿后通過高摻雜的n+型非晶硅，構成電子傳輸層。通過在電池正反兩面沉積選擇性傳輸層，使得光生載流子只能在吸收材料中產(chǎn)生富集然后從電池的一個表面流出，從而實現(xiàn)兩者的分離...
發(fā)布時間: 2019 - 05 - 05
瀏覽次數(shù)：264
組件線又叫封裝線，封裝是太陽能電池生產(chǎn)中的關鍵步驟，沒有良好的封裝工藝，多好的電池也生產(chǎn)不出好的組件板。電池的封裝不僅可以使電池的壽命得到保證，而且還增強了電池的抗擊強度。產(chǎn)品的高質量和高壽命是贏得可客戶滿意的關鍵，所以組件板的封裝質量非常重要。  4.1流程圖：       1、電池檢測——2、正面焊接—檢驗—3、背面串接—檢驗—4、敷設（玻璃清洗、材料切割、玻璃預處理、敷設）——5、層壓——6、去毛邊（去邊、清洗）——7、裝邊框（涂膠、裝角鍵、沖孔、裝框、擦洗余膠）——8、焊接接線盒——9、高壓測試——10、組件測試—外觀檢驗—11、包裝入庫；  4.2組件高效和高壽命如何保證：      1、 高轉換效率、高質量的電池片 ；      下面是電池的結構示意圖：     （1） 金屬電極主柵線；（2）金屬上電極細柵線；（3）金屬底電極；     （4）減反射膜；（5）頂區(qū)層（擴散層）；（6）體區(qū)層（基區(qū)層）；      2、高質量的原材料，例如...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數(shù)：249
單晶制絨操作工藝       單晶硅片制絨工藝流程，主要包括以下幾個方面。  1.裝片       ①戴好防護口罩和干凈的橡膠手套。       ②將倉庫領來的硅片從箱子中取出，以2o0片為一個生產(chǎn)批次，把硅片插入清洗小花籃，在裝片過程中，由于硅片易碎，插片員需輕拿輕放；來料中如有缺角、崩邊、隱裂等缺陷的硅片，不能流人生產(chǎn)線，及時報告品管員，將這些硅片分類放置、集中處理；有缺片現(xiàn)象時，要在缺片記錄上記錄缺片的批號、廠商、箱號和缺片數(shù)。       ③在“工藝流程卡”上準確記錄硅片批號、生產(chǎn)廠家、電阻率、投入數(shù)、投入時間和主要操作員。       ④裝完一個生產(chǎn)批次后，把“工藝流程卡”隨同硅片一起放在盒架上，等待制絨。  2.開機       ①操作員打開工藝排風，打開壓縮空氣閥門，打開設備進水總閥。       ②操作員打開機器電源，待設備...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數(shù)：444
鍺單晶拋光片主要用于航天領域中的太陽電池系統(tǒng)中，在鍺單晶襯底上外延GaAs等材料制成的單結以及多結化合物太陽能電池具有轉換效率高、耐高溫、抗輻射、可靠性強等優(yōu)勢?；衔锾栯姵卦贛OCVD工藝中需要生長多層晶體材料，并且是異質結生長，容易產(chǎn)生晶格畸變。因此，化合物太陽電池對鍺單晶拋光片的表面質量提出了較為苛刻的要求。  1．鍺單晶片的化學腐蝕工藝技術        通過采用不同的化學腐蝕液對鍺單晶片進行化學腐蝕，從腐蝕速率和表面光潔度及粗糙度等方面進行比較，最終選擇了一種比較適用于超薄鍺片拋光的化學腐蝕工藝，并通過不同腐蝕液對鍺腐蝕速率影響的研究，為鍺的清洗工藝、拋光工藝提供了較為詳細的參考。   2．鍺單晶片的拋光工藝技術        主要討論了拋光工藝參數(shù)對拋光片幾何參數(shù)和表面質量的影響，并通過工藝實驗，得到了最佳的超薄鍺單晶拋光片的拋光工藝。  3．鍺單晶拋光片的清洗工藝技術闡述了鍺單晶拋光片的清洗機理，通過對鍺拋光片表面有機物和顆粒的去除技術研究，建立了超薄鍺單晶拋光片的清洗技術。利用該技術清洗的超薄鍺單晶拋光片完全滿足了空間高效太陽電池的使用要求。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數(shù)：400
產(chǎn)品簡介：        主要用于單晶太陽能電池片制造工藝中的制絨工藝，能夠有效去除硅片表面的機械損傷層和氧化層，并在硅片表面制備一個反射率在10%～20%的織構表面，形成類似“金字塔”狀的絨面,有效增強硅片對入射太陽光的吸收,從而提高光生電流密度。 產(chǎn)品特點:        預清潔工序使制絨更均勻        低化學劑消耗，可靈活調(diào)整配方　    強大的數(shù)據(jù)庫支持異常追蹤　　先進的雙槽制絨工藝槽結構,具有更好的溫度及溶液均勻性　　性價比高，售后服務快捷   蘇州華林科納的太陽能制絨酸洗機主要特點如下：    1.適用于8英寸以下的單晶硅及多晶硅太陽能硅片的制絨酸洗    2.設備骨架用厚壁方鋼制做，外包德國進口磁白聚丙稀pp板，美觀抗腐蝕性能優(yōu)越。    3.隔板：在1#、2#槽和3#、4#槽之間有隔板，1#槽單獨排風，防止1#槽中揮發(fā)的有機氣體與其他氣體混合發(fā)生反應。 &#...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數(shù)：345
Copyright ©2005 - 2013 華林科納（江蘇）半導體設備有限公司
犀牛云提供企業(yè)云服務
華林科納（江蘇）半導體設備有限公司
地址：中國江蘇南通如皋高新區(qū)桃金東路90號
電話：0513-87733829
Email：xzl1019@aliyun.com
regal-bio.cn

傳真：0513-87733829
郵編：226500


X
1

QQ設置

3

SKYPE 設置

4

阿里旺旺設置

2

MSN設置

5

電話號碼管理

  • 400-8798-096
6

二維碼管理

8

郵箱管理

展開