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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據(jù)實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據(jù)情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要FeCl3·6h2o用于單晶氧化鋅薄膜的濕法蝕刻。該方法對抑制用酸蝕刻氧化鋅薄膜時通常觀察到的“W”形蝕刻輪廓有很大的影響。通過觸控筆輪廓儀和掃描電子顯微鏡證實,在廣泛的蝕刻速率下獲得了“U”形輪廓和光滑的表面形態(tài)。由x射線光電子光譜檢測到的鐵沉積被推測是形成合適的溶液水力學參數(shù)的原因。超聲處理容易去除沉積層,使過程易于控制。這些結果表明,該方法在處理氧化鋅基光電器件方面具有廣闊的應用前景。 介紹各種蝕刻劑,如鹽酸、硝酸、磷酸或磷酸/醋酸/ H2O已被用于濕法化學蝕刻氧化鋅]。在他們的研究中,一種特殊的酸被用作蝕刻劑。其機理是氧化鋅在酸性溶液中的反應產(chǎn)生溶解在水中的鋅鹽,從而形成蝕刻圖案。然而,在酸蝕刻工藝中觀察到的“W”形蝕刻輪廓使器件具有開路,這阻礙了酸蝕刻劑在氧化鋅器件制造中的實際應用。到目前為止,還沒有進行全面的研究來解決這個問題。在本研究中,一種新的蝕刻劑,氯化鐵6H2O,被用于氧化鋅蝕刻過程。在較寬的刻蝕速率范圍內,容易獲得“U”形刻蝕輪廓和光滑的刻蝕表面形貌。這種蝕刻效果源于蝕刻過程中產(chǎn)生的鐵沉積,鐵沉積在形成合適的溶液流體力學參數(shù)中起著關鍵作用。經(jīng)過幾個周期的超聲波處理,沉積物可以完全去除。這種方法有望用于制備氧化鋅基器件。實驗FeCl3·6h2o是一種典型的酸性水鹽,在氧化鎂晶體蝕刻中報道,用于...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 18
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑,選擇負光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數(shù)量的影響。實驗表明,低粘度正光刻膠AZ703的自旋速度為3000r/min,厚度為1.10um,對光刻膠的去除有顯著影響。為了最小化頂層與襯底物接觸的面積,進一步減少浮渣,我們選擇了8µm作為底層抗蝕劑的最佳縮回距離d。 導讀一般來說,負光致抗蝕劑具有良好的抗蝕特性作為掩模。然而,浮渣現(xiàn)象在負光致膠中很常見,區(qū)域水的強氧化和腐蝕會部分蝕刻光致膠,甚至導致變性,增加了浮渣去除的難度。襯底中的缺陷在隨后的自旋涂層PZT中引起大量黑點,導致壓電性能降低,襯底附著力差,特征尺寸控制不足。因此,去除鉑表面的光致抗蝕劑是影響PZT制造工藝的關鍵。完全去除光致抗蝕劑的關鍵是克服與襯底的結合力。傳統(tǒng)的干燥方法包括干式蝕刻和濕式化學腐蝕。在干、濕蝕刻過程中,完全去除光致抗蝕劑對于獲得基底干凈的表面質量至關重要。一般來說,雙層抗試劑方法可以廣泛應用于在需要非常清潔表面的各種底座上的負光刻膠去除過程。 實驗在Si/sio2/Ti/Pt襯底中,采用雙層抗蝕劑法去除負光刻膠。制作工藝流程如圖所示。 選擇2英寸的裸硅片作為基片。所有氧化物晶片在沉積在磁控濺射設備的腔室中之前都在150...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 18
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要圖案圖像中納米級粗糙度的最小化已成為微處理器生產(chǎn)中光刻過程的優(yōu)先事項。為了探究表面粗糙度的分子基礎,通過將臨界電離模型應用于聚合物基體的三維分子晶格表示,模擬了光致抗蝕劑的發(fā)展。該模型被用于描述現(xiàn)在常用于微光刻的化學放大光刻劑。對溶解速率和表面粗糙度對聚合程度、多分散性和分數(shù)去保護程度的依賴性的模擬結果與實驗結果一致。表面粗糙度的變化與實驗觀察到的誘導周期的長度有關。并提出了空隙分數(shù)和顯影劑濃度對粗糙度影響的模型預測。顯影劑濃度對頂表面和側壁粗糙度影響的差異可以用模擬預測的臨界顯影時間來解釋。 介紹隨著新一代微處理器的出現(xiàn),對微光刻的需求變得越來越困難。與光刻膠圖像的表面和邊緣相關的粗糙度的最小化現(xiàn)在是光刻技術持續(xù)進步的挑戰(zhàn)之一。頂表面和線邊緣粗糙度的問題在過去的一年中引起了相當多的關注,以及最近的幾個原子力顯微鏡AFM。研究已經(jīng)對光刻膠粗糙度的過程依賴性產(chǎn)生了顯著的見解。他和Cerrina1研究了正色調化學放大光刻劑在曝光后烘焙時間范圍內的表面粗糙度和曝光劑量之間的關系。他們的結果表明,系統(tǒng)具有相同的整體平均去保護程度,但不同的過程歷史,表現(xiàn)出相似的表面形態(tài),但不同程度的粗糙度。本文中描述的模擬允許聚合物共混,以便我們可以研究多分散性的影響。初始空隙分數(shù),可以代表固有的聚合物自由體積或殘留鑄造溶劑。分子水平模型正確地預測了溶解率和...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 18
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      本文從晶體生長科學的角度回顧了單晶的濕化學蝕刻。起點是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動力學是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更快數(shù)量級。對金剛石晶體結構的分析表明,晶面是該晶格中唯一光滑的面,其他面可能只是因為表面重建而是光滑的。通過這種方式,我們解釋了在方向上KOH:H20中的最小值。實驗對HF:HN03溶液中接近的最小蝕刻率的形狀和從各向同異性向各向異性蝕刻的過渡進行了兩個關鍵預測。結果與理論結果一致。 介紹      本文從晶體生長科學的角度回顧了單晶的濕化學蝕刻。起點是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動力學是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更快數(shù)量級。對金剛石晶體結構的分析表明,晶面是該晶格中唯一光滑的面,其他面可能只是因為表面重建而是光滑的。通過這種方式,我們解釋了在方向上KOH:H20中的最小值。實驗對HF:HN03溶液中接近的最小蝕刻率的形狀和從各向同異性向各向異性蝕刻的過渡進行了兩個關鍵預測。結果與理論結果一致。在本文中,我們添加了一些新的實驗結果來支持這里給出的觀點。特別是,我們更詳細地研究了氫氧化鉀蝕刻硅蝕刻酸對接近方向的晶體方向的依賴性,并研究了HF:HN03:CH3COOH向各向異性硅蝕刻的轉變。&#...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 16
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      本文對h2so4-h202-h20體系中(100)砷化鎵的蝕刻情況進行了詳細的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對蝕刻速率和晶體表面形狀的影響。從這些結果中,蝕刻浴組成的吉布斯三角形被劃分為與晶體表面的不同狀態(tài)和各種蝕刻機制相對應的部分。蝕刻后的晶體表面的形狀與同一溶液中沿同一方向蝕刻的凹槽的輪廓密切相關。 介紹      本文研究(100)砷化鎵在硫酸、過氧化氫和水溶液中的化學蝕刻具有重要的技術和科學意義。該解決方案通常用于按照半導體器件制造過程中的操作順序制備表面。因此,應該優(yōu)化溶液;另一方面,所得結果為討論異質性反應機理提供了一個很好的起點。 實驗      實驗中使用的h20-H202-h2so4體系的溶液濃度范圍受到可用試劑濃度的限制。溶液的組成通常用吉布斯三角形上的體積百分比來描述,其頂點是水、30%的過氧化氫和96%的硫酸。溶液中高濃度的硫酸會導致部分過氧化氫分解。為了估計溶液的穩(wěn)定性范圍,在混合后立即用高錳酸鉀滴定,2和24h后用高錳酸鉀滴定。如果分析結果與計算出的成分相差小于5%,且與相同的水平穩(wěn)定,則認為溶液是穩(wěn)定的。室溫下的穩(wěn)定線對應于50vol%H2SO4,在攪拌溶液中略低于這個值,如圖1和2所示。所...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 16
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      本文開發(fā)并實施了一種依次結合酸性和堿性清洗方法的“混合”后CuCMP清洗過程。新工藝展示了相對于全堿性刷子清潔工藝,證明了酸性和堿性清潔的優(yōu)點,并使CMP缺陷減少超過60%,如拋光殘留物、異物、泥漿磨料、劃痕和中空金屬工藝。它還消除了在輥子刷清潔過程中間歇性發(fā)生的圓環(huán)缺陷。TXRF掃描確認在使用混合清潔過程時AlOx缺陷的減少。XPS光譜顯示了堿性和雜化清潔過程之間相似的銅表面氧化態(tài)。通過使用新的清潔工藝,可以提高短期和開放的產(chǎn)量。討論了巨大的缺陷減少效益的潛在機制。 介紹      對于具有銅互連的半導體制造,與銅化學機械平面化(CMP)過程相關的缺陷往往是主要的屈服分離器。由于CMP是在完全定義一個銅互聯(lián)之前的最終啟用工藝,它不僅可以在過程中產(chǎn)生缺陷(例如劃痕和拋光殘留物),還可以揭示或裝飾之前工藝步驟產(chǎn)生的缺陷,如rie后清洗、襯里沉積和銅鍍。因此,銅CMP后的清洗過程不僅必須消除CMP期間產(chǎn)生的缺陷,還需要與之前的過程兼容,以防止進入CMP的缺陷加劇。在本文中,我們研究了酸性和堿性清潔化學物質的優(yōu)點,并通過實施兩種不同的清潔化學物質開發(fā)混合清潔過程3,以滿足銅CMP清潔的挑戰(zhàn)。 實驗      實驗采用了基于32n...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 16
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      臭氧水中微氣泡的存在顯著提高了光刻膠的去除率,這是由于溶解臭氧濃度的升高和微氣泡對自由基產(chǎn)生的直接影響。此外,臭氧微氣泡溶液能夠有效地去除高劑量離子植入的光刻膠,由于其非定形碳狀層或“地殼”,它非常能抵抗臭氧水和其他濕化學物質的去除。電子自旋共振實驗也在不受嚴重金屬污染影響的情況下進行了,表明存在羥基自由基,這被認為是由臭氧與微氣泡坍塌時吸附在氣-水界面的氫氧化物離子相互作用形成的。 介紹      微氣泡是指直徑小于50μm的微小氣泡。當氣泡在水中產(chǎn)生時,由于其長期停滯和良好的氣體溶解能力,氣泡的體積變小,最終在水中消失。 這些氣泡在水中的坍塌已經(jīng)被證明會導致活化氧化劑的產(chǎn)生,如羥基自由基。這被認為是由于氣-水界面的消失引起的,這可能會引發(fā)作為吸附離子積累在界面上的較高的化學勢的分散。同樣,在水中產(chǎn)生臭氧微泡時,氣水界面消失引起的化學勢分散導致臭氧分解,產(chǎn)生大量羥基自由基,這可能提供一種新型的高級氧化過程(AOP)。這些特性表明,使用微氣泡作為一種新的廢水處理方法。      本文研究了微氣泡對臭氧水去除光阻劑的影響。比較了有和沒有微氣泡的處理。并討論了臭氧微氣泡的物理化學機理提高去除率,考慮到電子自旋共振(ESR)的結果,并描述...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 16
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      本文提出了一種有效的、環(huán)保的干剝離方法,使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統(tǒng),在40℃到100℃和壓力從90巴到340巴時去除離子植入的光刻劑和殘留物。高劑量離子注入后,使用純scco2不容易去除光刻膠。因此,加入極性溶劑作為高溶于scco2的共溶劑,以去除重有機物(光刻膠和光刻膠殘留物)。單一共溶劑修飾的scco2體系不能有效去除,而是膨脹重有機物。而經(jīng)多種共溶劑修飾的scco2體系對離子植入光刻膠的去除效率較高(約95%)。本研究表明,采用多種共溶劑改性的scco2系統(tǒng)的干剝離法可以取代等離子體灰燼或酸和溶劑濕臺法,并顯著減少相關的化學使用和處置。 介紹      隨著微電子工業(yè)繼續(xù)提高性能、降低功耗和克服威脅阻礙成功的障礙,過程工程師反過來又面臨著發(fā)明新材料(銅和低k)、設計和制造工藝的挑戰(zhàn)。在可預見的未來,增加長寬比、新材料、選擇性和不斷縮小的尺寸似乎是濕式蝕刻和清洗模塊的關鍵技術過程挑戰(zhàn)?,F(xiàn)代超大規(guī)模集成電路半導體清洗工藝有一個重要的問題,包括在制造步驟之前、期間和之后去除污染。例如,光刻膠條和去除殘留物是集成電路(IC)制造的關鍵過程。在這項工作中,我們開發(fā)了一種使用超臨界二氧化碳和共溶劑去除后HDIPR。 實驗    ...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 16
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      本文研究了化學機械拋光(CMP)工藝后顆粒在晶圓表面的粘附情況。嵌入的顆??梢允菨{中的磨料顆粒、墊材料中的碎片和被拋光的薄膜顆粒。為了找到最有效的顆粒去除機理,研究了不同的去除方法。在cmp清洗后,在溶液中加入表面活性劑。結果與不含表面活性劑的清洗進行比較,表明通過刷掃的機械相互作用和表面活性劑在溶液中的化學作用(即摩擦化學相互作用),清洗更有效。數(shù)值分析還預測了添加表面活性劑后的顆粒去除率。計算了晶圓-粒子界面中存在的范德華力,以找出去除粒子所需的能量。最后,通過將范德華力建模為粒子與表面分離距離的函數(shù),研究了粘附過程。彈性理論對納米顆粒-表面相互作用的成功適應,揭示了CMP的清洗機制。該模型告訴我們,隨著分離距離的減小,引力并不總是會增加。估計的力值可用于漿料設計和CMP工藝估計。 介紹      化學機械拋光最初用于玻璃和硅片拋光。隨著其功能的增加,化學機械拋光被引入到平面化層間電介質(ILD)、淺溝槽隔離(STI)和用于片上多級互連的鑲嵌金屬布線中。該工藝適用于半導體加工中的銅、鎢和低介電常數(shù)介質?;瘜W機械拋光的目標是實現(xiàn)粗糙表面的平面化。在化學機械拋光過程中,晶片被倒置在載體中,并被壓入與流過漿液飽和拋光墊的漿液膜接觸。晶片表面通過機械磨損和化學腐蝕進...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 15
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      化學機械平面化后的晶片清洗,特別是刷子擦洗,是半導體器件制造的一個關鍵步驟,尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評估在刷擦洗過程中去除晶圓表面的粘附顆粒,或者是否必須發(fā)生刷-粒子接觸??紤]了直徑為0.1和1.0m的氧化鋁顆粒粘附在拋光二氧化硅和銅表面的模型系統(tǒng)。結果表明,流體力學力量可以去除部分粘附顆粒,但必須發(fā)生刷狀顆粒接觸才能去除所有的粘附顆粒。 介紹      在化學機械拋光過程中,當晶片被壓入與拋光墊接觸時,晶片被面朝下保持在載體中。拋光墊和載體都移動,使得晶片和墊之間存在相對運動。在拋光過程中,含有磨粒和專有添加劑的含水漿料被分配到拋光墊上。通過磨粒和拋光墊的機械作用,以及與漿料中的試劑的化學反應,晶片被平面化。用于拋光二氧化硅的漿料通常是二氧化硅顆粒在氫氧化鉀水溶液中的懸浮液;對于拋光金屬膜,漿料通常是氧化鋁顆粒在硝酸鐵水溶液中的懸浮液。雖然化學機械拋光導致高度的局部和整體平面性,但它產(chǎn)生極高水平的表面污染。      在這項工作中,臨界粒子雷諾數(shù)方法被用來評估流體動力是否可以單獨從晶片表面去除粘附的粒子,或者是否必須發(fā)生刷-粒子接觸。 理論      粘附/移除模型:在得出任...
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