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濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實(shí)際情況或客戶要求設(shè)計(jì))將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴(kuò)散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強(qiáng)力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門:?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機(jī)界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報(bào)警、安全保護(hù)等功能,各工作位過程完成提前提示報(bào)警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨(dú)立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨(dú)立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計(jì),方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報(bào)警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運(yùn)方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機(jī)           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機(jī)尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計(jì)“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機(jī)臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報(bào)警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機(jī)、RCA清洗機(jī)、去膠機(jī)、外延片清洗機(jī)、酸堿腐蝕機(jī)、顯影機(jī)等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機(jī)Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要        在硅晶片的水加工中,晶片的干燥必須在每個加工步驟之后進(jìn)行。然而,目前使用的干燥工藝并不環(huán)保,即消耗了大量的溶劑和能量。為了滿足環(huán)境和經(jīng)濟(jì)要求,本文研究了一種基于清潔技術(shù)概念的新型晶圓干燥系統(tǒng)。為了降低異丙醇和能耗,提高干燥性能,開發(fā)了一種由兩個獨(dú)立室(異丙醇室和干燥室)組成的新型干燥器。采用這種新配置進(jìn)行了現(xiàn)場操作,以將其特性與其他廣泛使用的干燥器進(jìn)行比較。結(jié)果表明,IPA和能耗均小于常規(guī)干燥機(jī)。新型烘干機(jī)的烘干性能也優(yōu)于傳統(tǒng)烘干機(jī)。因此,新的干燥機(jī)為晶圓干燥提供了一個環(huán)保的替代方案。 介紹     半導(dǎo)體制造是一種復(fù)雜的操作,涉及多種物理化學(xué)過程。一般過程如圖所示。 1.作為第一步,通過晶體生長(第一階段)產(chǎn)生硅晶片。為了賦予其半導(dǎo)體特性,晶片處理(第二階段)包括許多步驟,如氧化、光刻膠擴(kuò)散、紫外線暴露、蝕刻、離子實(shí)現(xiàn)和化學(xué)氣相沉積(CVD)。最后,通過切割和制造(第三階段)生產(chǎn)芯片。      在這項(xiàng)研究中,我們通過提供一個封閉的處理室來解決這些問題。通過這種配置,異丙醇損失最小化,并且消除了異丙醇加工中固有的爆炸危險條件。這種新系統(tǒng)也使得熱能損失最小化成為可能。因此,與傳統(tǒng)的干燥系統(tǒng)相比,這種新的干燥系...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 30
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      集成器件制造的精細(xì)圖案化工藝要求具有濕式化學(xué)加工中的表面清潔度、表面平滑度、完全均勻性和完全蝕刻線性等優(yōu)點(diǎn)。在我們的工作中,基于對BHF和SO的化學(xué)反應(yīng)機(jī)理的基礎(chǔ)研究,確定了緩沖氟化氫(BHF:NH4F+HF+H2O)的改進(jìn)化學(xué)組成。描述了基于化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和液體化學(xué)品性質(zhì)研究的先進(jìn)濕式化學(xué)加工,結(jié)合SiO2  BHF的圖案化工藝。硅技術(shù)的濕化學(xué)工藝原理基于以下四個要素:主要反應(yīng)的測定(蝕刻種類、BHF蝕刻產(chǎn)物的溶解度對蝕刻均勻性和線性、無固相分離的化學(xué)成分的穩(wěn)定性,以及通過添加表面活性劑提高晶圓表面液體化學(xué)品的潤濕性。 介紹      化學(xué)反應(yīng)是漸進(jìn)式ULSI加工的必要要求。特別是,由于器件集成的改進(jìn)通常需要高縱橫比接觸和通過孔的精細(xì)圖案,表面化學(xué)技術(shù)必須實(shí)現(xiàn)晶圓表面的完美光滑。酸性氟化銨溶液,被稱為緩沖氟化氫(BHF),是一種重要的化合物,因?yàn)樗鼘杌衔锏姆磻?yīng)性。它被廣泛用作表面處理劑,如刻蝕,圖案和清潔硅片表面。為了提高濕法蝕刻技術(shù),必須提高BHF的化學(xué)活性和功能性能。本研究基于NH4FHFH20體系解離的光譜研究,從理論上考慮了BHF的化學(xué)成分。 硅技術(shù)中濕式化學(xué)加工的基本原理優(yōu)勢反應(yīng)(蝕刻)    &#...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 30
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      基于臭氧的氟化氫化學(xué)被提議在晶圓回收中取代傳統(tǒng)的氟化氫/硝酸混合物用于多晶硅剝離。研究了臭氧化氫氟酸溶液的腐蝕特性。與HF/HNO3類似,HF/O3被發(fā)現(xiàn)通過同時氧化和蝕刻工藝剝離多晶硅膜。剝離速率由氧化和蝕刻反應(yīng)競爭中的速率限制步驟決定;無論哪個速度慢,都會控制整個動力學(xué)。由于硅和氧化硅上的化學(xué)物質(zhì)具有不間斷蝕刻的特性,因此根據(jù)多晶硅和下面的熱氧化物之間的蝕刻選擇性來評估工藝應(yīng)用的可行性。 介紹      眾所周知,臭氧是一種強(qiáng)氧化劑,它可能是替代硝酸進(jìn)行內(nèi)部聚汽提的理想選擇。臭氧可以在使用點(diǎn)不斷產(chǎn)生,并與濃度穩(wěn)定的氟化氫溶液混合,而不會引起溫度變化。此外,單一酸(HF)系統(tǒng)可使無電極電導(dǎo)率傳感器適用于快速、準(zhǔn)確、經(jīng)濟(jì)高效地監(jiān)測和控制汽提過程中HF酸的濃度,從而延長槽壽命。另外,與硝酸相比,臭氧幾十年來在大氣中迅速變成氧氣,大大減少了對環(huán)境的擔(dān)憂。在本研究中,評估了臭氧化氟化氫溶液的蝕刻特性和工藝效果,以探索所提出的化學(xué)方法的可行性。 實(shí)驗(yàn)      在這項(xiàng)研究中,使用了在400氧化硅層上涂有大約1000(或2000)多晶硅薄膜的150毫米硅片。認(rèn)識到以高速率在大表面積上產(chǎn)生均勻蝕刻的困難,較小的樣品被用于蝕刻速率表征測...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 30
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      在鋸切階段后的自動檢測(AOI)過程中,觀察到成品率大幅下降。進(jìn)行一步一步的AOI檢驗(yàn)檢查和缺陷審查,以查看哪一步導(dǎo)致了大的產(chǎn)量下降,哪種缺陷對產(chǎn)量下降的貢獻(xiàn)最大。掃描電鏡和能譜分析顯示了顆粒的形狀和化學(xué)元素。從EDS的結(jié)果來看,粒子可以分為兩類。一種是無機(jī)相關(guān)材料,主要包括硅元素,來自saw階段。通過實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì),找到合理的聲表面波相關(guān)參數(shù),并對其進(jìn)行優(yōu)化,以去除聲表面波級中的粒子。但是這種粒子的數(shù)量很少。產(chǎn)量只提高了不到5%。我們的主要努力是去除另一種顆粒,即有機(jī)相關(guān)材料,主要包括碳和氧元素。這種顆粒來自膠帶殘留物。為了去除殘留的膠帶,在鋸臺之前增加了一個步驟。幾乎所有殘留的膠帶都被移除了,最終產(chǎn)率提高了15%以上。 介紹      在本文中,AOI步驟的產(chǎn)量下降大部分是由粒子造成的。電子封裝組件中的顆粒一直是一項(xiàng)非常具有挑戰(zhàn)性的去除工作。一些顆粒會直接導(dǎo)致質(zhì)量問題,而另一些顆??赡軙l(fā)可靠性問題。找到粒子的根本原因,識別它,描述它是如何發(fā)生的,然后消除它,這是非常重要的。同時,粒子可能來自各種來源,如直接物質(zhì)、間接物質(zhì)、環(huán)境、設(shè)備,甚至人類。在過去,大量的研究已經(jīng)調(diào)查了缺陷形成。本文提出了一種新的方法來除去幾乎所有的這些顆粒,最終產(chǎn)率提高了15%以上。...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 30
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      鍺的溶解在過氧化氫水從3到90%H2O2和pH從1到9已經(jīng)研究在溫度從25~90~已經(jīng)發(fā)現(xiàn)溶解率保持不變的溶液重量3-30%的H2O2低pH,然后減少隨著H2O2增加。所提供的內(nèi)容。pH4以上的反應(yīng)高度依賴于pH,這種pH依賴性隨H2O2濃度的變化而變化。這說明在pH值為5及以上時,低、高H2O2濃度溶液的速率控制步驟可能不同。提出了解釋這種情況的反應(yīng)機(jī)制。 介紹      使用過氧化氫溶液作為鍺的最終清潔蝕刻是半導(dǎo)體行業(yè)的一個既定實(shí)踐。采用稀過氧化氫水溶液作為過氧化氫水溶液。Miller用pH5的體積過氧化氫溶液測定了不同溫度下鍺在3.4%下的溶解速率。本研究是為了更好地了解溶解反應(yīng)的機(jī)理,并確定其對過氧化氫濃度、溫度和溶液pH的依賴性。研究了鍺的電阻率、電阻率類型和晶體完美度對溶解速率的影響。 實(shí)驗(yàn)      所用樣品為1x1.5x0.010in。單晶n型和p型鍺的電阻率為2-6歐姆cm。1樣品與~111~平面的主要表面在1度內(nèi),并用氧化鋁包面制備。切片上的隨機(jī)面積測量顯示,表觀表面積的變化小于2%。對單個樣品的電阻率測量顯示變化小于5%。蝕刻前,每個樣品用三氯乙烯、氯仿和甲醇脫脂,干燥,用氫氟酸清洗,并用電阻率高于1...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 30
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      本文研究了在不同條件下單晶鍺的蝕刻速率。為簡單起見,所使用的主要蝕刻劑只由h2O2、HF和水組成。給出了速率作為溫度和蝕刻劑成分的函數(shù),以及作為晶體的取向和雜質(zhì)含量的函數(shù)的數(shù)據(jù)。一個假設(shè)在表面依次發(fā)生兩個反應(yīng)的方程擬合實(shí)驗(yàn)誤差范圍內(nèi)的速率與溫度數(shù)據(jù)。在所研究的范圍內(nèi),速率控制過程對樣品取向很敏感。從蝕刻數(shù)據(jù)中,得到了由于研磨造成的擾動表面層厚度的值。這在2-10u范圍內(nèi),取決于樣品取向和磨料粒徑。給出了兩種比較復(fù)雜成分的常見蝕刻劑的比較數(shù)據(jù)。 介紹      為了進(jìn)一步了解這些過程,人們對鍺晶體在不同條件下的蝕刻速率進(jìn)行了研究。為簡單起見,大多數(shù)作品都局限于只含有HF、H202和水的蝕刻劑。為了確保樣品的均勻性,所有樣品都從一個摻雜n型鍺的大單晶中切下來。由于晶體的電阻率隨其長度變化緩慢,通過從晶體的適當(dāng)區(qū)域選擇樣品,可以得到1~9歐姆厘米之間的電阻率。樣品較薄,通常厚度在30英里左右,因此面面積與邊緣面積之比較大。將邊緣區(qū)域納入與面相同的方向所引入的誤差小于2%。樣品用聚乙烯涂層的鑷子保存,接觸面積足夠小,可以忽略。蝕刻率是通過測量已知蝕刻時間后樣品的重量損失來獲得的。體重被測量到0.2毫克,體重差異通常為大約是20毫克。人們相當(dāng)注意蝕刻劑的新鮮度和組成以及樣...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 29
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      本研究對不同硅氧化物(熱氧化物、TEOS沉積、TEOS退火和PSG退火)、辛尼必物(LPCVD和PECVD)和金屬層(Al-Cu、Ti和氮化鈦)在HF:h2o24.5:75.5、BHF:甘油2:1和蒸汽高頻中的蝕刻進(jìn)行了比較。蒸汽高頻蝕刻是在一個市上可用的晶圓清洗系統(tǒng)中完成的,該系統(tǒng)根據(jù)定制規(guī)范進(jìn)行調(diào)整,使無粘表面微加工。確定了蝕刻速率作為蝕刻方法、時間和溫度(對于高頻蒸汽)的函數(shù)。此外,在選擇用于比較不同薄膜蝕刻行為的標(biāo)準(zhǔn)高頻蒸汽蝕刻技術(shù)之前,還分析了內(nèi)部(溫度、氮?dú)饬?、晶片尺?和外部(樣品預(yù)處理)參數(shù)對高頻蒸汽蝕刻工藝的影響。利用螺旋鉆深度剖面和紅外光譜法解釋了金屬膜的時變蝕刻速率和高頻蒸汽蝕刻后硅-氮化物膜的變化。介紹      表面微加工微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)通常采用聚硅或聚sige1、2作為結(jié)構(gòu)層,氧化物層作為犧牲層。然后,可以通過使用氟化氫(HF)對結(jié)構(gòu)層具有高選擇性地蝕刻犧牲層。最廣泛的高頻蝕刻方法是在心衰和水的混合物或緩沖液高頻與甘油3-10的混合物中進(jìn)行濕式化學(xué)蝕刻。后者首選鋁結(jié)構(gòu)在晶片上時,因?yàn)樵贐HF中添加甘油降低金屬的蝕刻率。然而,干燥釋放的濕式蝕刻結(jié)構(gòu)會導(dǎo)致粘結(jié)的問題。雖然存在解決方案來克服這些問題,但也可以通過使用高壓蒸汽釋放蝕刻劑來規(guī)避附著...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 29
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      硅在氫氟酸溶液中的電化學(xué)蝕刻被用作微加工技術(shù)。已經(jīng)證明,對電化學(xué)蝕刻的硅結(jié)構(gòu)的形狀的普遍接受的幾何約束可以顯著放松。報(bào)道了在同一n摻雜硅片上刻蝕出的幾種新結(jié)構(gòu)。制造的結(jié)構(gòu)包括壁陣列、孔陣列、曲折形結(jié)構(gòu)、螺旋形壁、微管、微柱、微尖等。詳細(xì)描述了電化學(xué)蝕刻過程的簡單模型,該模型描述了初始晶種的尺寸、電流密度以及初始圖案的氫氧化鉀蝕刻時間對最終幾何形狀的影響。 介紹         在氫氟酸(HF)電解液中電化學(xué)蝕刻硅是形成多孔硅的眾所周知的技術(shù)。根據(jù)陽極氧化硅襯底的摻雜,可以獲得不同的孔形態(tài),從由p型襯底制成的納米孔到由照射的n型襯底獲得的微米孔。在最后一種情況下,通過用足夠能量的光子照射晶片的后表面,可以在體中光生空穴。在陽極偏壓下,這些空穴向前硅-電解質(zhì)界面移動,硅發(fā)生溶解。最初,電場集中在平坦晶片表面上的尖銳缺陷處。因此,表面缺陷是大孔形成的種子點(diǎn)。通過用缺陷位置預(yù)構(gòu)圖晶片表面,可以確定大孔將在哪里形成。標(biāo)準(zhǔn)光刻步驟后的氫氧化鉀蝕刻可用于在所需位置產(chǎn)生金字塔形凹口,這些凹口可作為缺陷陣列。具有高縱橫比(高達(dá)250)的隨機(jī)和預(yù)圖案化大孔陣列都在整個晶片厚度和整個晶片上生長。提出的應(yīng)用范圍從紅外濾波器到光子晶體和微機(jī)械系統(tǒng)。 制作工藝...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 29
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      本文所描述的工作是對氮化鎵的表面清潔和歐姆接觸策略的系統(tǒng)研究的一部分。本研究的目的是確定最有效的濕化學(xué)和熱解吸清洗去除氧(O)和C)碳的方法。比較了氫氯(HC1)和氫氟(HF)酸基清洗處理,并在超高真空(UHV)條件下將熱解吸作為溫度的函數(shù)進(jìn)行了表征。在整個研究過程中,俄杰電子能譜(AES)分析用于監(jiān)測表面O和C的存在。對于去除表面氧化物,hcl基溶液被發(fā)現(xiàn)是最有效的;在清潔的空氣暴露條件下,HCI:DIH20(1:1)溶液導(dǎo)致殘留的O和C水平最低。然而,hf基溶液導(dǎo)致更有效的從表面熱解吸C。與通常觀察到的熱解吸清潔砷化鎵的結(jié)果,完全去除暴露氮化鎵氧和碳表面沒有單獨(dú)使用真空加熱,甚至溫度氮化鎵分解發(fā)生(800-900℃)。本研究的結(jié)果表明,氮化鎵表面的氧和碳的存在即使是高溫,必須添加進(jìn)一步的原位清潔方法,以獲得光譜清潔的氮化鎵表面。 介紹       半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)之間的表面和界面是固態(tài)結(jié)構(gòu)的基本組成部分。隨著設(shè)備尺寸的縮小和集成規(guī)模的增加,這些接口的質(zhì)量已經(jīng)成為一個越來越重要的問題。此外,寄生電阻和電容的存在,如在接觸界面上存在的電容,在更高的工作功率和更高的振蕩頻率下變得更加有害。對于許多設(shè)備,發(fā)生在接觸接口上的損失占總損失的很大一部分,因此會對設(shè)...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 29
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要      在高頻水溶液中,SiO的蝕刻可以通過電場的應(yīng)用而被阻礙或停止。在CMOS制造中,非常低水平的光可以導(dǎo)致這種影響。對溶解過程提出了平行反應(yīng)路徑,并加上電場在中間步驟中停止或重定向反應(yīng)的能力。 介紹      SiO2在高頻溶液中的溶解是集成電路制造的一個基本步驟。基于這些技術(shù)背后的知識,蝕刻結(jié)構(gòu)如圖所示1。與n+區(qū)域以上的磷摻雜材料相比,在p+區(qū)域上發(fā)現(xiàn)的硼摻雜玻璃的蝕刻率僅略有下降。由于氧化物厚度的差異,孔的p+側(cè)可能會出現(xiàn)輕微的過度膨脹,但這將是一個很小的困難。       在某些n+和p+摻雜濃度高、淺連接和極低硅表面缺陷密度的條件下。被蝕刻在大多數(shù)集成電路處理光屏蔽區(qū)域的黃色光中,已經(jīng)觀察到無論過度拉伸時間如何,n+側(cè)都不清楚。在某些情況下,在n+氧化物上可見顏色明亮的層。這一層不溶于非氧化的高頻溶液。另一方面,如果蝕刻在絕對黑暗中進(jìn)行,氧化物在n+和p+硅上均勻溶解。這種光靈敏度表明連接結(jié)構(gòu)可能發(fā)生光充電。通過實(shí)驗(yàn)研究了應(yīng)用電場對二氧化硅層蝕刻的影響。并研究了改變結(jié)結(jié)構(gòu)的影響。最后,對集成電路上實(shí)際接觸孔蝕刻中剩余的材料進(jìn)行了俄歇和掃描電鏡分析。 實(shí)驗(yàn)      如圖所示2,由一系列p...
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