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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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Products 產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品名稱:

花籃/片盒清洗機-CSE

上市日期: 2016-12-05

?花籃/片盒清洗機-華林科納CSE

?花籃-片盒清洗機-CSE1.jpg

完美適應當前所有型號的花籃和片盒、傳輸片盒、前端開口片盒 (Foup片盒)的清洗和干燥系統(tǒng)


優(yōu)點

裝載晶圓直徑至200mm的花籃和片盒—或不同晶圓尺寸的花籃和片盒,同時可裝載晶圓直徑至300mm的前端開口片盒(Foup片盒) 三種設(shè)備尺寸滿足客戶特殊需求

> CleanStep I – 用于4組花籃和片盒 加載和清洗能力:每次4組花籃和片盒 清洗產(chǎn)能:每小時12組花籃和片盒

> CleanStep II – 用于8組花籃和片盒 加載和清洗能力:每次8組花籃和片盒 清洗產(chǎn)能:每小時24組花籃和片盒

> CleanStep III – 用于6組前端開口片盒(Foup) 加載和清洗能力:每次6組前端開口片盒(Foup片盒) 清洗產(chǎn)能:每小時18組前端開口片盒(Foup片盒)

> 適用于晶圓直徑至200mm的花籃和片盒的標準旋轉(zhuǎn)籠 (Cleanstep I/II)

> 適用于所有片盒一次清洗過程

> 或是同時4組花籃和片盒,或是12個花籃(Cleanstep I/II)

> 簡單快捷的對不同尺寸的片盒和花籃進行切換 > 旋轉(zhuǎn)籠內(nèi)的可旋轉(zhuǎn)載體方便加載或卸載花籃和片盒

> 通過控制系統(tǒng)對自鎖裝置的檢測,達到安全加載片盒和花 籃,及其運行


1001.png

特征和優(yōu)點

可應用不同化學品(稀釋劑)來清洗

> 泵傳輸清洗液

> 計量調(diào)整可通過軟件設(shè)置控制操作

熱水噴淋裝置

> 熱水一般由廠務(wù)供應 — 標準化

> 或有一個體積約100升的熱水預備槽(循環(huán)泵和加熱棒用于熱水預備槽—選項)


?籠子

> 帶有可變速旋轉(zhuǎn)的控制的高扭矩伺服電機(按照加載量和設(shè)備配置,最大旋轉(zhuǎn)速度200rpm,) > 旋轉(zhuǎn)的不銹鋼籠子

> 會自動停止工作(運行過程中出現(xiàn)失衡狀態(tài)時)

熱空氣干燥

> 頂端吹下熱空氣

> 采用根據(jù)設(shè)備待機和工藝運行模式的可調(diào)風量的風扇裝置

> 不銹鋼架上裝有加熱器,可以溫度控制

> 軟件監(jiān)控溫度

> 帶有反壓控制的高效過濾器


輔助功能和操作控制

> 觸摸屏安裝在前面—標準化

> 也可以通過安裝第二個觸摸屏在背面進行控制—選項


其他特征

> 工藝腔室內(nèi)LED燈光照明

> 可安裝去靜電裝置和電阻率監(jiān)測裝置——選項

> 穩(wěn)定、亞光不銹鋼籠子

> 材料的外殼—可選擇符合FM4910標準

> PP材料的工藝腔室—可選擇符合FM4910標準

> 設(shè)備前面帶有滑動門—標準化為手動/可選擇自動

> 設(shè)備前面的滑動門在做維護時可完全打開

> 其他種類的花籃和片盒相適應的組件—選項


圖形化的界面

> 易于操作和控制

> 10“觸摸屏PLC控制器

> SECSII GEM接口—選項

> 授權(quán)訪問的密碼保護

> 可以編輯40多個菜單,每個菜單可有50步

> 可變量數(shù)據(jù)輸入(時間、溫度、速度等)

> 設(shè)備背面安裝第二個觸摸屏—選項


更多的花籃和片盒清洗機設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。

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1.概述

1.1?設(shè)備概況:

主要功能:本設(shè)備主要手動搬運方式,通過對片盒化學液體浸泡、沖洗、漂洗、鼓泡、快排等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。

1.1.1 設(shè)備名稱:花籃和片盒清洗機?????????????????????????????????????????????????????????????? 1.1.3?整機尺寸(參考):約1700mm(L)×1400mm(W)×2000mm(H);

1.1.4?操作形式:手動

1.2?設(shè)備組成

該設(shè)備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成??1.3?設(shè)備描述

l 此裝置是一個動的處理設(shè)備;

l 設(shè)備前上方有各閥門、工藝流程的控制按鈕、指示燈、觸摸屏(PROFACE/OMRON)、音樂盒等,操作方便;

l 主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;

l 臺面板為德國10mm PP板;

l DIW管路及構(gòu)件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18MW去離子水水質(zhì)要求;

l 采用國際標準生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成

l 排風:位于機臺后上部

l 工作照明:上方防酸照明

l 安全考慮:

1. 設(shè)有EMO(急停裝置)

2.?強電弱點隔離

3. 所有電磁閥均高于工作槽體工作液面

4. 設(shè)備排風口加負壓檢測表

5. 設(shè)備三層防漏??盤傾斜??漏液報警??設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)

二、設(shè)備結(jié)構(gòu)及主要工藝概況

2.2臺面布局:操作臺面高度為950mm,適合于身高為1550到1800mm人員操作。

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2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10...
2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產(chǎn)量大,效率高設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備應用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01...
2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學反應過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡1...
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